【課題】高温の薬液による処理により基板の裏面をエッチングする際に、エッチングの均一性を高くすることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板であるウエハＷに形成された膜を高温薬液によるエッチングにより除去する薬液処理装置１は、ウエハＷを裏面を下側にして水平にした状態で回転可能に保持するスピンチャック３と、スピンチャック３を鉛直に延びる中空の回転軸１２を介して回転させる回転機構４と、回転軸１２の中に設けられ下方から上方に向けて高温薬液を吐出してウエハＷ裏面に高温薬液を供給する薬液吐出ノズル５と、薬液吐出ノズル５に薬液を供給する薬液供給機構６とを具備し、薬液吐出ノズル５は、薬液を吐出し、ウエハＷ裏面の中心以外の、互いにウエハＷ裏面の中心からの距離が異なる位置に高温薬液を当てる複数の吐出口１８ａ，１８ｂ，１８ｃを有する。 （もっと読む）

【課題】 硫酸を含む窒化ケイ素及び／又は窒化酸化ケイ素のエッチング液を対象とし、前記エッチング液中において生成するケイ素化合物の除去が極めて容易で、工業的プロセスに適し、エッチング液の再生処理経費を低減して、廃液を低減することが可能なエッチング液の再生方法を提供する。
【解決手段】 硫酸、フッ化物及び水を含有するエッチング液で窒化ケイ素及び／又は窒化酸化ケイ素をエッチングした後、このエッチング液を加熱及び／又は減圧して、エッチングにより生じたケイ素化合物を除去する。 （もっと読む）

【課題】 従来、窒化ケイ素のエッチング工程には高純度リン酸が主に使用されている。高純度リン酸は、原料の黄燐の供給量が限られているため、高価であり、多量に使用するには問題がある。本発明は、酸化ケイ素にダメージを与えることなく、窒化ケイ素及び／又は窒化酸化ケイ素のみ選択的にエッチングすることが可能な、高純度リン酸を使用しないエッチング方法を提供するものである。
【解決手段】 エッチング槽内のエッチング液に被処理部材を浸漬し、被処理部材上の窒化ケイ素及び／又は窒化酸化ケイ素をエッチングする方法であって、（１）上記エッチング液が硫酸、フッ化水素酸及び水を含有し、（２）上記エッチング槽に、フッ化水素酸、ケイ素化合物及び水を連続的又は断続的に供給し、かつ（３）上記エッチング槽内のエッチング液の一部を連続的又は断続的に除去する。 （もっと読む）

【課題】 従来、窒化ケイ素のエッチング工程には高純度リン酸が主に使用されている。高純度燐酸は、原料の黄燐の供給量が限られているため、高価であり、多量に使用するには問題がある。本発明は、酸化ケイ素にダメージを与えることなく、また、高純度燐酸を使用することなく、窒化ケイ素を工業的にエッチングすることが可能な、エッチング用組成物を提供するものである。
【解決手段】 硫酸、ホウ素化合物、及び水を含む組成物を窒化ケイ素のエッチングに使用する。このとき、さらに、ケイ素化合物を含有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】部分液交換を工夫することにより、装置の稼働率を向上させてスループットを高めることができるとともに、処理液の消費量を低減することができる。
【解決手段】制御部５１は、燐酸溶液で基板を処理するにあたり、まず、処理槽１に燐酸溶液の新液を貯留させる。その後、小容量部分液交換を小容量ライフタイムごとに繰り返し行わせ、大容量部分液交換を大容量ライフタイムごとに繰り返し行わせる。小容量液交換及び大容量部分液交換は、処理槽１の全容量に相当する燐酸溶液よりも交換する燐酸溶液の量が少ないので、濃度調整及び温調を短時間で完了させることができる。よって、装置の停止時間を短くすることができるので、装置の稼働率を向上させてスループットを高めることができる。また、頻度が高い液交換では交換量が少ないので、燐酸溶液の消費量を低減できる。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン膜上に成膜されたシリコンナイトライド膜を除去する際に、多結晶シリコン膜にシリコンダストが付着することを防止する。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板１上にゲート絶縁膜４、多結晶シリコン膜５、親水性を有する膜２２、シリコンナイトライド膜２３およびシリコン酸化膜２４を積層形成し、シリコン酸化膜２４とシリコンナイトライド膜２３と親水性を有する膜２２を加工し、シリコン酸化膜をマスクにして多結晶シリコン膜５を加工し、シリコン酸化膜をマスクにしてゲート絶縁膜４およびシリコン基板１を加工して素子分離溝２０を形成し、素子分離溝２０内に素子分離絶縁膜２１を埋め込み、ウエットエッチングによりシリコンナイトライド膜２３を除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マイクロエレクトロニクスデバイス構造から少なくとも１種の材料を除去するための改善された組成物及びプロセスを提供する。
【解決手段】
少なくとも１つの材料層を、表面にそれを有する拒絶されたマイクロエレクトロニクスデバイス構造から除去するための、除去組成物及びプロセス。除去組成物は、フッ酸を含む。この組成物は、前記構造を再生し、再加工し、リサイクルし、及び／又は再使用するために、保持される層に損傷を及ぼすことなく、除去される（１種又は複数の）材料の実質的な除去を実現する。 （もっと読む）

【課題】流動する燐酸溶液中に所望の量の珪素を簡単且つ、迅速に溶解させるエッチング液の調製方法、エッチング方法及びエッチング装置を提供すること。
【解決手段】液状のテトラエトキシシランを水または気体と混合した後、これを流動する燐酸溶液中に少量ずつ添加し、所望量のテトラエトキシシランを溶解させて燐酸溶液を調製することを特徴とするエッチング液の調製方法、エッチング方法及びエッチング装置を構成したことにある。 （もっと読む）

【課題】ｈｉｇｈ−ｋ膜を含む絶縁膜及びメタルゲートを有するＭＩＳＦＥＴにおいて、フォトレジストパターンをマスクとして、ｈｉｇｈ−ｋ膜上のＴｉＮ膜にパターン転写するためのドライエッチングをする際、ｈｉｇｈ−ｋ膜およびｈｉｇｈ−ｋ膜上のＴｉＮ膜がプラズマによるダメージを受けるのを防ぐ。
【解決手段】ＳｉＮ膜５および第２のＴｉＮ膜６を加工マスクとして使い、ウェットエッチングによりパターン転写をすることで、ｈｉｇｈ−ｋ膜３およびｈｉｇｈ−ｋ膜３上のゲート電極である第１のＴｉＮ膜４が、プラズマに晒されることによるダメージを受けることを防ぎ、パターン転写の精密性を保持することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は液晶表示装置用アレイ基板製造用のエッチングテープを提供する。
【解決手段】本発明のエッチングテープは、ベースシート及びベースシート上にゲルタイプのエッチング物質が塗布されて形成されたエッチング物質層を含む。このエッチングテープは、透明絶縁基板上にゲート電極、ストレージキャパシターの第１電極、ゲート配線を形成する段階、ゲート絶縁膜、アクティブ層、オーミック接触層、ソース電極及びドレーン電極を形成し、誘電体層及びストレージキャパシターの第２電極を形成し、データ配線を形成する段階、画素電極を形成し、ゲートパッド電極を形成し、データパッド電極を形成する段階、保護層を形成する段階及びゲートパッド電極上に形成された保護層とデータパッド電極上に形成された保護層をエッチングすることでコンタクトホールを形成する段階を含む液晶表示装置用アレイ基板の製造方法に利用される。 （もっと読む）

【課題】埋め込み金属配線の形成時に、イン-サイチュウ(in-situ)で平坦化を行うことができ、層間絶縁膜形成の回数を減らし、製造工程にかかる時間及び費用を減らすことができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００上の第１の層間絶縁膜１０２にコンタクトプラグ１０４を形成する。第１の層間絶縁膜及びコンタクトプラグの上部にエッチング停止膜１０６ａ及びハードマスクパターンを形成する。ハードマスクパターンに沿ってエッチング停止膜をパターニングし、露出された第１の層間絶縁膜及びコンタクトプラグをエッチングしてコンタクトプラグの上部の第１の層間絶縁膜にトレンチを形成する。金属膜を形成後、エッチング停止膜までシリカ研磨剤とセリア研磨剤を混合したスラリーを用いて平坦化を行い、金属配線１１４ａを形成する。エッチング停止膜を除去し、第２の層間絶縁膜１１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】エッチング不良のロットを精度よく発見できると同時に、後続のエッチング不良のロットの発生を抑制する。
【解決手段】本実施形態のウエハ処理１００においては、ロット毎に、燐酸１０のエッチングレートが高い状態を維持するための純水の供給および停止を繰り返すサイクル数を所定時間内で算出し、そのサイクル数が予め設定した回数の範囲外である場合に、そのことを報知するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】リン酸水溶液のエッチング特性を長時間一定に維持することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】浸漬処理槽１０に貯留されているリン酸水溶液中には添加剤投入機構４０からヘキサフルオロケイ酸水溶液（Ｈ₂ＳｉＦ₆＋Ｈ₂Ｏ）を含む添加剤が逐次投入される。添加剤の逐次投入によってシリコン窒化膜のエッチングを促進するＦ^-が適宜補充される。一方、添加剤の加水分解反応によって生じたシロキサンの濃度が設定値より大きいときには、循環ライン２０から再生ライン３０にリン酸水溶液を流入させる。再生ライン３０に流入したリン酸水溶液からは再生装置３１によってシロキサンが強制的に回収される。その結果、リン酸水溶液中のシロキサン濃度上昇が抑制され、シリコン窒化膜およびシリコン酸化膜の双方について初期のエッチングレートを維持することができる。 （もっと読む）

本発明は、６００℃より低い基板温度において高密度プラズマ化学気相堆積技術を使用して基板上に低ウェットエッチング速度の窒化シリコン膜を堆積する方法に関する。この方法は、更に、プラズマ中の窒素対シリコンの比を比較的高く、且つ処理圧力を低く維持することを含む。 （もっと読む）

【課題】処理槽内のリン酸水溶液中のシロキサン濃度の過剰な上昇を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理槽から排出されたシロキサンを含むリン酸水溶液は熱交換器５１によって冷却され、反応槽６０に供給される。また、反応槽６０には、分液槽８０からドデカンおよびＴＯＰＯ抽出剤の混合液が送給される。反応槽６０の内部にてリン酸水溶液、ドデカンおよびＴＯＰＯ抽出剤が混合、攪拌されることによって、リン酸水溶液中のシロキサンがＴＯＰＯ抽出剤によって抽出されてドデカン中に移行する。その後、反応槽６０内の混合液体は液液遠心分離機７０に送り出され、遠心力によって比較的比重の大きなリン酸水溶液と比重の小さなドデカンおよびＴＯＰＯ抽出剤を含む軽液とに分離される。分離されたリン酸水溶は再度処理槽に送給される。 （もっと読む）

【課題】従来除去が困難とされている不純物金属であるアンチモン及び硫化物イオンの含有量が極めて少ない高純度リン酸及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の高純度リン酸は、Ｈ₃ＰＯ₄の濃度を８５重量％に換算したときの不純物含量として、Ｓｂが２００ｐｐｂ以下であり且つ硫化物イオンが２００ｐｐｂ以下であることを特徴とする。本発明の高純度リン酸は、窒化珪素膜を有する半導体素子のエッチング液、アルミナ膜を有する液晶ディスプレイパネルのエッチング液、金属アルミニウムエッチング液、セラミックス用アルミナエッチング液、光ファイバーガラス用リン酸ガラス原料、食品添加物等として有用である。 （もっと読む）

【課題】リン酸水溶液のエッチング特性を長時間一定に維持することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】浸漬処理槽１０に貯留されているリン酸水溶液中には添加剤投入機構３０からヘキサフルオロケイ酸水溶液（Ｈ₂ＳｉＦ₆＋Ｈ₂Ｏ）を含む添加剤が逐次投入される。また、リン酸水溶液中にはトラップ剤投入機構４０からホウフッ化水素酸水溶液（ＨＢＦ₄＋Ｈ₂Ｏ）を含むトラップ剤が投入される。添加剤の逐次投入によってシリコン窒化膜のエッチングを促進するＦ^-を適宜補充するとともに、その逐次投入によって増加したシロキサンをホウフッ化水素酸が分解したフッ酸によってエッチングすることにより、シロキサン濃度の著しい上昇を抑制する。これにより、シリコン窒化膜およびシリコン酸化膜の双方について初期のエッチングレートを維持することができる。 （もっと読む）

【課題】一度のエッチングペーストによる処理ではエッチングできない程度の厚さを有する誘電体膜を、エッチングペーストを用いた簡単な処理でエッチングしてパターニングを形成できるとともに、エッチングペーストの熱処理後に発生する残渣を低減もしくは完全に除去できる誘電体膜のパターニング方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上に、第１の誘電体膜を形成する工程と、該第１の誘電体膜上に、第２の誘電体膜を形成する工程と、エッチングペーストを用いて、第２の誘電体膜を部分的にエッチングすることにより、第１の誘電体膜を部分的に露出させる工程と、露出した第１の誘電体膜を、エッチング液を用いてエッチングする工程とを含む誘電体膜のパターニング方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明が解決しようとする技術的な課題は、安定したエッチングが可能な半導体集積回路装置の製造方法を提供するものである。
【解決手段】半導体集積回路装置の製造方法が提供される。前記半導体集積回路装置の製造方法は、ゲート電極１２０と、前記ゲート電極の両側壁に形成された犠牲窒化膜スペーサ１５０と、前記犠牲窒化膜スペーサにセルフアラインされたソース／ドレーン領域１６０とを含む電界効果トランジスタを形成し、酸化膜に対する窒化膜の選択比が１を超えるフッ酸により前記犠牲窒化膜スペーサを選択的に除去し、前記ゲート電極の両側壁上に、前記電界効果トランジスタのチャネル領域内に引張あるいは圧縮ストレスを誘導するストレス膜を形成することを含む。 （もっと読む）

【課題】エッチング液から高い除去率でケイ素化合物を除去することができ、エッチング液を処分することなく再利用する。
【解決手段】取り出されたエッチング液を霧化する霧化手段１１と、霧化によって析出および／または凝集されるエッチング液中のケイ素化合物を、エッチング液から分離除去して再生エッチング液を得る分離手段１２を備えている。また、エッチング液の温度調整を行う温度調整手段２３を備えて、エッチング液が霧化手段１１によって霧化されたときのケイ素化合物の析出および／または凝集を制御して分離手段１２によるケイ素化合物のエッチング液からの分離除去が制御された残留濃度に調整し、ケイ素化合物濃度を任意に調整し得るようにしている。 （もっと読む）