【課題】基板上に形成されたシリコン窒化膜のエッチングレートを一定に維持することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】浸漬処理槽１０に貯留されているリン酸水溶液は、循環ライン２０を通して循環されている。シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜が形成された基板Ｗが浸漬処理槽１０のリン酸水溶液中に浸漬されることによってシリコン窒化膜の選択的なエッチング処理が進行する。再生ライン３０は、循環ライン２０を通して循環されるリン酸水溶液の一部を取り出して再生装置３１によりシロキサンを回収・排出してリン酸水溶液を再生する。制御部４０は、出側濃度計２４および入側濃度計３２の測定結果に基づいて流量調整弁３３を制御し、浸漬処理槽１０に貯留されているリン酸水溶液中に含まれるシロキサンの濃度が一定となるように浸漬処理槽１０に還流するリン酸水溶液の流量を調整する。 （もっと読む）

【課題】燐酸水溶液を使用する窒化珪素膜のエッチング液を対象とし、該エッチング液中において生成する珪素化合物の除去を極めて高効率で除去することが出来、工業的プロセスに一層適し、エッチング液の再生処理経費を低減することにある。
【解決手段】前記エッチング液を再生する方法において、エッチング槽から取り出したエッチング液が流れる配管流路に、複数のフィルターを並列、直列に交互に切り替えて接続し、前記複数のフィルターを並列、直列のいずれに接続する場合においても、前記取り出したエッチング液を、珪素化合物を蓄積した珪素化合物の珪素除去速度の高い濾材を有するフィルターに供給することにより、常に、珪素化合物の珪素除去速度を高い状態に維持することにある。 （もっと読む）

【課題】フィールド酸化膜のリセス形成工程において、フィンの上部が損失することを防止することができるフィントランジスタの製造方法及びサドル型フィントランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】フィントランジスタの製造方法は、素子分離マスク（２６）を用いて半導体基板（２１）上にパッド層（２２、２３）を形成するステップと、素子分離マスク及びパッド層をエッチングバリアとして半導体基板をエッチングし、トレンチ（２４）を形成するステップと、トレンチ内に絶縁物（２５）を埋め込んで分離構造を形成するステップと、パッド層に対する絶縁物の選択比の高いガスを使用してトレンチ内にある分離構造をエッチングし、フィン構造（２７Ｂ）を形成するステップと、フィン構造上にゲート絶縁膜を形成するステップと、ゲート絶縁膜上に導電層を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、窒化シリコンの選択的なエッチングにおいて、その窒化シリコンのエッチングレートを高めることができるエッチング液、エッチング方法および電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化シリコンの選択的なエッチングに用いるエッチング液であって、水と、前記水に混合させることにより混合液の沸点を１５０℃以上にすることができる第一の液体と、プロトン（Ｈ^＋）が生成可能な第二の液体と、を含むことを特徴とするエッチング液が提供される。 （もっと読む）

【課題】ヒーター破損による生産性低下への影響を最小限に抑制することができるとともに、コストの削減を実現することができる石英ヒーター劣化検出方法を提供する。
【解決手段】石英インラインヒーター２０１の寿命を破損前に検出することにより、石英インラインヒーター２０１を破損前に交換することを可能とし、さらに石英インラインヒーター２０１の破損前の交換を計画的に実行することを可能として、石英インラインヒーター２０１の寿命による破損をなくす。 （もっと読む）

【課題】基板の一方面から薄膜を均一に剥離して除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】保持プレート２によって、保持プレート２に近接した位置に吸着保持されたウエハＷをヒータ１６によって加熱し、その表面温度を所定の第１温度に昇温させる。そして、このウエハＷの表面に供給プレート３を近接して対向配置させた状態で、供給プレート３の対向面１９に形成された複数の吐出口２０から、前記第１温度に昇温されたウエハＷの表面にＳＰＭを均一に供給する。ウエハＷに供給されたＳＰＭはウエハＷによって加熱され、レジスト剥離能力を十分に発揮できる前記第１温度に昇温される。したがって、ウエハＷの表面上の何れの位置であっても、レジストを良好に剥離して、ウエハＷの表面からレジストを均一に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】高純度リン酸の窒化ケイ素エッチング組成物では酸化ケイ素が液中に蓄積され、ケイ素酸化物が析出し、エッチング装置、半導体ウエハなどに汚物として付着してしまうという問題があった。
【解決手段】リン酸、１〜２０重量％のポリリン酸、１〜３０重量％の水を含んでなる窒化ケイ素のエッチング用組成物を用いる。エッチング用組成物はさらに可溶性ケイ素化合物、フッ化物を含んでなることが好ましく、０〜０．５重量％含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】リードタイムを短くし、処理性能において従来よりも信頼性のある処理装置及び処理方法を提供する。
【解決手段】チャンバー１と、チャンバー内に設けられ、被処理物２を保持する保持手段３と、チャンバー内に活性原子を供給する活性原子供給手段４と、チャンバー内に薬液を供給する薬液供給手段５とを有し、被処理物の表面に対し、活性原子供給手段から供給される活性原子によるドライ処理及び薬液供給手段から供給される薬液によるウェット処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】窒化ケイ素のエッチング用組成物に対して、高温でも酸化ケイ素に対する窒化ケイ素のエッチング選択比が低下せず、長期間安定に用いられるリン酸系のエッチング用組成物を提供する。
【解決手段】リン酸及びヘキサフルオロケイ酸塩を含んでなる窒化ケイ素のエッチング用組成物、或いはリン酸、アンモニア、ヘキサフルオロ珪酸及び／又はその塩を含んでなるエッチング用組成物では、高温で用いた場合、酸化ケイ素に対する窒化ケイ素のエッチング選択比が長期間安定に維持される。リン酸が７０〜９９重量％、ヘキサフルオロ珪酸塩が０．０１〜０．５重量％が好ましく、ヘキサフルオロケイ酸塩がヘキサフルオロケイ酸水素アンモニウム及び／又はヘキサフルオロケイ酸アンモニウムが好ましい。さらに硝酸、又は硝酸アンモニウム、モリブデン酸塩、モリブデン酸、タングステン酸塩、タングステン酸の群から選ばれるいずれか１種以上をさらに含んでもよい。 （もっと読む）

半導体素子を形成する方法が提供される。本方法によれば、基板（２０３）を、第１ゲート構造（２０５）及び第２ゲート構造（２０７）が基板の上に配設されるように設ける。第１ストレッサ層（２１５）を基板の上に形成し、そして犠牲層（２１６）を第１ストレッサ層の上に形成する。第２ストレッサ層（２１９）を犠牲層の上に形成する。
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本発明は、最初に開口部をパッシベーション層の中に形成し、次いで、これらの開口部を導電性材料で充填することによって、温度に敏感なパッシベーション層の１つまたは複数の層を含むソーラーウェーハの接触を行なう方法に関する。このようにして、１つまたは複数のパッシベーション層を含むソーラーウェーハの接触を行なうための従来方法で必要とされる相対的な高温度を回避できるようになり、したがって、接触期間中およびその後において、新しく開発された温度に敏感なパッシベーション層の優れたパッシベーション特性を維持できるようになる。
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【課題】基板の表面上に形成されたシリコン窒化膜をシリコン酸化膜に対し選択的にエッチングする場合に、高い選択比でエッチングすることができ、それほど厳しい装置性能や制御が求められることがない方法を提供する。
【解決手段】加熱されたリン酸水溶液１４を処理槽１０内に貯留し、リン酸水溶液１４中に基板Ｗを浸漬させて、基板の表面上に形成されたシリコン窒化膜をシリコン酸化膜に対し選択的にエッチングする場合に、処理槽１０内に貯留されたリン酸水溶液１４にヘキサフルオロケイ酸水溶液を添加して、リン酸水溶液１４中にケイ素成分とフッ素成分とを含有させる。 （もっと読む）

【課題】循環する高温の処理液へ補充液を効率よく混入して処理液の濃度及び温度分布を均一に保持することができる構造が簡単な基板処理方法及び基板処理システムを提供すること。
【解決手段】処理液及びウェーハＷを収容し上部開口縁に溢流堰３ｂが形成された内槽３と内槽の溢流堰から溢れる処理液を収容する外槽４とを有する処理槽２と、内槽と外槽とを接続して処理液の循環を行なう処理液循環路Ｌ_１と、処理槽から蒸発した処理液と実質的に同一量の補充液を補充する補充液供給手段と、を備えた基板処理システム１であって、補充液供給手段は、複数個の供給ノズル１４と、供給ノズルへ前記補充液を供給する補充液供給源に接続された補給路Ｌ_２を有し、複数個の供給ノズルは、そのノズル穴１４'が溢流堰近傍の内槽に貯留される処理液内の液面に対して浅い位置に溢流堰に向けられて設けられている。 （もっと読む）

【課題】 単結晶ケイ素およびウェファーの製造工程でＳｉ基材を洗浄及び／又はエッチングするときに、基材の損傷を最小化しつつ高平滑度に仕上げる改良された表面処理用の組成物を提供する。
【解決手段】 組成物は、硝酸塩とフッ化水素酸より腐蝕性の低いフッ化物とを有効成分として含んで成る。硝酸塩のフッ化物に対する重量比を１：９〜９：１の範囲、より好ましくは、硝酸塩のフッ化物に対する重量比を３：７〜７：３の範囲とする。反応促進剤及び／又は界面活性剤を添加することができ、反応促進剤を添加する場合の濃度は、３０〜９０重量％の範囲とする。 （もっと読む）

【課題】エッチング液の交換を自動化し易くし、装置の停止時間の短縮を図ることを目的とした処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の処理装置は、半導体ウエハ１を熱燐酸によってエッチング処理する溢流部３ａ付のエッチング槽３と、前記溢流部３ａに溢流した燐酸をエッチング槽３外に導いて濾過、加熱及び純水を添加してエッチング槽３内へ戻す循環濾過経路部５と、前記エッチング槽３から取り出された燐酸にフッ酸を加えて加熱処理を行なう再生処理が行なわれる、燐酸再生装置６と、前記燐酸再生装置６で再生された燐酸を前記エッチング槽３に補給する補給配管１４０ａと、前記エッチング処理が行なわれた回数を計測し、該処理回数に基づき、エッチング液の全量を交換するエッチング液交換手段とを含む。 （もっと読む）

【課題】有機酸や有機溶媒を使用しないエッチング液を用いて、半導体基板上の複数の絶縁膜の非選択的エッチングを行う半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】エッチング液を水溶液中でＦ⁻とＨＦ_２⁻に解離するＨＦの水溶液とし、このＨＦ水溶液の濃度と温度をコントロールすることによりＳｉＮ膜の熱酸化ＳｉＯ_２膜に対する選択比（エッチングレートの比）を１程度にして、ＳｉＮ膜の熱酸化ＳｉＯ_２膜に対する非選択的エッチング工程に使用する。 （もっと読む）

【課題】エッチング槽の燐酸を液面を一定に保つための制御を行ない易い処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の処理装置は、半導体ウエハ１を熱燐酸によってエッチング処理する溢流部３ａ付のエッチング槽３と、前記溢流部３ａに溢流した燐酸をエッチング槽３外に導いて濾過、加熱および純水を添加してエッチング槽３内へ戻す循環濾過経路部５と、前記循環濾過経路部５から分岐配管６０を介し取り出された燐酸にフッ酸を加えて加熱処理する燐酸再生装置６と、前記燐酸再生装置６で再生された燐酸を前記エッチング槽３に補給する補給配管１４０ａと、新しい燐酸液を供給する新液供給部８とを含む。 （もっと読む）

【課題】エッチング液の交換を自動化し易くし、装置の停止時間の短縮を図ることを目的とした処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の処理装置は、半導体ウエハ１を熱燐酸によってエッチング処理する溢流部３ａ付のエッチング槽３と、前記溢流部３ａに溢流した燐酸をエッチング槽３外に導いて濾過、加熱及び純水を添加してエッチング槽３内へ戻す循環濾過経路部５と、前記エッチング槽３から取り出された燐酸にフッ酸を加えて加熱処理を行なう再生処理が行なわれる、燐酸再生装置６と、前記燐酸再生装置６で再生された燐酸を前記エッチング槽３に補給する補給配管１４０ａと、前記エッチング処理が行なわれた回数を計測し、該処理回数に基づき、エッチング液の全量を交換するエッチング液交換手段とを含む。 （もっと読む）

【課題】槽内の使用中の燐酸を、循環濾過経路部とフッ酸を用いる燐酸再生装置で再生する処理装置において、燐酸再生装置側へ回収する回収時及び回収量を自動化し易くかつ燐酸中の不純物を低減したり一定に維持可能にする。
【解決手段】ウエハ１を熱燐酸により処理する溢流部３ａ付エッチング槽３と、溢流部３ａに溢流した燐酸を槽外に導いて濾過、加熱及び純水を添加して槽３内へ戻す循環濾過経路部５と、循環濾過経路部５から分岐配管６０を介し取り出された燐酸にフッ酸を加え加熱処理する燐酸再生装置６と、燐酸再生装置６で再生された燐酸を槽３に補給する補給配管６７ａとを備えた処理装置を対象としている。改良点は、分岐配管６０を循環濾過経路部５の燐酸を濾過する濾過部５２の手前に設け、燐酸再生装置６側へ分岐する燐酸の量を濾過部５２へ流れる循環液圧に応じ制御可能な流量調節手段（圧力計とニードル弁等）を有している。 （もっと読む）

【課題】槽内の使用中の燐酸を、循環濾過経路部とフッ酸を用いる燐酸再生装置で再生する処理装置において、燐酸再生装置側へ回収する回収時及び回収量を自動化し易くかつ燐酸中の不純物を低減したり一定に維持可能にする。
【解決手段】ウエハ１を熱燐酸により処理する溢流部３ａ付エッチング槽３と、溢流部３ａに溢流した燐酸を槽外に導いて濾過、加熱及び純水を添加して槽３内へ戻す循環濾過経路部５と、循環濾過経路部５から分岐配管６０を介し取り出された燐酸にフッ酸を加え加熱処理する燐酸再生装置６と、燐酸再生装置６で再生された燐酸を槽３に補給する補給配管６７ａとを備えた処理装置を対象としている。改良点は、分岐配管６０を循環濾過経路部５の燐酸を濾過する濾過部５２の手前に設け、燐酸再生装置６側へ分岐する燐酸の量を濾過部５２へ流れる循環液圧に応じ制御可能な流量調節手段（圧力計とニードル弁等）を有している。 （もっと読む）