【課題】高抵抗なダメージ層を形成しない窒化物半導体層のエッチング方法と、これを用いた低抵抗なオーミック電極を備える窒化物半導体装置の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の窒化物半導体層のエッチング方法は、（ａ）窒化物半導体層に不純物イオンを注入し、その表面から所定深さまで不純物領域を形成する工程と、（ｂ）前記不純物領域を熱処理する工程と、（ｃ）前記不純物領域の前記表面側の所定領域をウェットエッチングで除去する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体の表面特性を向上できるＳｉＣ半導体の洗浄方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体の洗浄方法は、以下の工程を備えている。ＳｉＣ半導体の表面にイオン注入する。表面に酸化膜を形成する。酸化膜を除去する。形成する工程では、１５０ｐｐｍ以上の濃度を有するオゾン水を用いて酸化膜を形成する。形成する工程は、ＳｉＣ半導体の表面およびオゾン水の少なくとも一方を加熱する工程を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】スループット良く、銅を、異方的にエッチングすることが可能なエッチング方法を提供すること。
【解決手段】 表面にマスク材１０２が形成された銅膜１０１に、マスク材１０２をマスクに用いて酸素イオン６を照射し、銅膜１０１内に、銅膜１０１の厚さ方向の全てに対して異方的に酸化された酸化銅１０３を形成する工程と、異方的に酸化された酸化銅１０３をエッチングする工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】異方的にエッチングされた銅膜に、簡単で実用的にＣｕバリア膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｃｕバリア膜１００上に、銅膜１０１を形成する工程と、銅膜１０１上に、マスク材１０２を形成する工程と、マスク材１０２をマスクに用いて、銅膜１０１をＣｕバリア膜１００が露出するまで異方的にエッチングする工程と、マスク材１０２を除去した後、異方的にエッチングされた銅膜１０１上に、銅膜１０１に対して触媒作用があり、Ｃｕバリア膜１００には触媒作用がない選択析出現象を利用した無電解めっき法を用いて、銅の拡散を抑制する物質を含むめっき膜１０４を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチング後の絶縁膜のテーパ角が大きく、かつ、直線的なテーパ形状が確保され、更に、テーパ角の基板面内でのバラツキを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に形成された絶縁膜２０上にフォトレジストを塗布し、フォトレジストパターン９０を形成するフォトレジストパターン形成工程と、前記フォトレジストパターン９０をマスクとしてウェットエッチングにより前記絶縁膜２０の不要部分を除去する工程と、からなる半導体装置の製造方法において、前記フォトレジストパターン形成工程の前及び／又は後に、前記フォトレジストパターンの有無に応じて、前記絶縁膜２０の表面に形成される損傷領域２１，２２の深さを変化させてイオン注入を行う。 （もっと読む）

【課題】ノーマリオフ特性が安定的に得られる窒化物半導体装置を提供すること。

【解決手段】基板１と、基板１上に形成され、且つ、ヘテロ接合界面２２ａを有する窒化物半導体層２と、窒化物半導体層２に形成されたリセス３と、を備える窒化物半導体装置であって、
窒化物半導体層２は、基板１上に形成されたＡｌｘ１Ｉｎｘ２Ｇａ１−ｘ１−ｘ２Ｎ（０≦ｘ１＜１、０≦ｘ２≦１、０≦（ｘ１＋ｘ２）≦１）からなるキャリア走行層２２と、キャリア走行層２２上に形成されたＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ≦１、ｘ１＜ｙ）からなる第１の層２３１、第１の層２３１上に形成されたＧａＮからなる第２の層２３２、及び、第２の層上に形成されたＡｌｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ≦１、ｘ１＜ｚ）からなる第３の層２３３を有するキャリア供給層２３と、を備え、
凹部３は、第３の層２３３を貫通し、凹部底面３１において第２の層２３２の主面が露出するように形成される。 （もっと読む）

【課題】 被エッチング材に形成するパターンの線幅の面内ばらつきを抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 被エッチング材１０５の第１領域１１０、第２領域２１０に、それぞれ第１パターン、第２パターンを形成する際に、リソグラフィのばらつきによりレジストパターン（開口部１１１、開口部２１１）に生じるばらつきに起因して発生する、第１パターン、第２パターンの線幅がばらつき、マスク材１０６の厚みを調整することにより抑制する。 （もっと読む）

【課題】新規な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＮ層にＰおよびＯを注入する工程と、前記ＳｉＮ層に注入されたＰおよびＯをＨ₂Ｏと反応させ、前記ＳｉＮ層をエッチングする工程とを有する方法により、半導体装置を製造する。特に、半導体装置を形成するにあたり、狭スペースで高アスペクト比の溝サイドウォールを形成する工程や、埋め込み型ビット線を形成する工程に、上記のようにＳｉＮ層をエッチングすることができる。 （もっと読む）

【課題】処理対象物の表面の損傷を抑制して表面処理の高効率化を図ることができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム照射部１０の窓１４から出力された電子ビームは、薄膜２７を通過して配管２４内の処理溶液８０に照射され、その処理溶液８０を活性化する。その活性化された処理溶液８０は、溶液タンク２３に注がれ、その溶液タンク２３の中に入れられた処理対象物９０の表面処理に使われる。処理溶液８０が酸またはアルカリを含む場合、その処理溶液８０に電子ビームが照射された後でも、その処理溶液８０の活性化状態は充分に長い時間に亘って持続する。したがって、電子ビームが照射されて活性化された処理溶液８０が処理対象物９０の表面に供給される場合にも、その処理対象物９０の表面処理の効率化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ストップ層としての酸素イオン注入層を、短時間で除去し、優れた活性層の膜厚均一性を確保できる貼り合わせウェーハの製造方法、及び、その製造方法によって製造された活性層の膜厚均一性が高い貼り合わせウェーハを提供することにある。
【解決手段】酸素イオン注入層を形成する工程（図１(ａ)）と、ウェーハ複合体を形成する工程（図１(ｂ)）と、前記酸素イオン注入層を露出させる工程（図１(ｃ)）と、活性層を得る工程（図１(ｄ)）とを具え、前記酸素イオン注入層の除去工程（図１(ｃ)）は、前記露出した酸素イオン注入層を第１HF処理した後、所定の酸化熱処理、及び、第２HF処理を順次行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドの表面を任意の形状に加工できるダイヤモンドの表層加工方法であって、比較的簡易な方法によって、平坦性に優れた加工部分を形成できる方法を提供する。
【解決手段】下記（１）〜（３）の工程を含むダイヤモンドの表層加工方法：
（１） 処理対象のダイヤモンドの表面に、目的とするダイヤモンド加工面の凸部に対応する形状の遮蔽層を形成する工程、
（２） 上記（１）工程で遮蔽層を形成したダイヤモンドの表面からイオン注入を行い、その後、加熱してダイヤモンドの表面近傍にグラファイト化した非ダイヤモンド層を形成する工程、
（３） グラファイト化した非ダイヤモンド層をエッチングして、該非ダイヤモンド層より表層部分を分離する工程。 （もっと読む）

【課題】高温酸化熱処理で基板裏面に付着した酸化異物を除去し、この付着酸化異物を起因として生じていたデバイス作製時のパターニング不良を低減できる。
【解決手段】ウェーハ内部に酸素イオンを注入する工程と、ウェーハをシリコンリング上に載置して熱処理を施し表面から所定深さ領域に埋込み酸化膜を形成することにより埋込み酸化膜上にＳＯＩ層を形成してＳＩＭＯＸ基板を作製し更に全面酸化膜を形成する工程と、熱処理したＳＩＭＯＸ基板をリングから降ろした後、基板全面をエッチング処理し、全面酸化膜を除去する工程とを含み、全面酸化膜を除去する工程の前、或いは後に、全面に酸化膜を有する基板裏面の熱処理工程時におけるリングとの接触部分を含むリング状領域をエッチングし、ウェーハとリングとの接触状態で熱処理したことに起因して生じた付着酸化異物を除去する工程を更に含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの両面に形成された絶縁膜を除去する際に、半導体ウエハの表面にパーティクルが付着することを抑制すること。
【解決手段】本発明は、半導体ウエハの半導体素子を形成すべき面である表面及び該表面の反対の面である裏面に絶縁膜を形成する工程Ｓ２２と、半導体ウエハの前記裏面に選択的に第１薬液を供給することにより、前記裏面に形成された前記絶縁膜を除去する工程Ｓ２６と、第２薬液に複数の半導体ウエハを同時に浸漬させることにより、表面に形成された絶縁膜を除去する工程Ｓ３０と、を有する半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置である。 （もっと読む）

【課題】基板上または基板内に構造物を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板１０上にスペーサ技術によって少なくとも１つのスペーサ構造物３０を配置する工程（ａ）と、上記少なくとも１つのスペーサ構造物、および、上記スペーサ構造物によって生成された構造物をその後の粒子照射ステップのためのマスクとして用いて、上記基板内に潜像を生成する工程（ｂ）と、該潜像を用いて、上記基板をさらに処理する工程（ｃ）とを有する。 （もっと読む）

【課題】砒素を含んだシリコン窒化膜に対して、燐酸を用いたウェットエッチングを行うと、ウェットエッチング液中に反応生成物（パーティクル）が発生し、汚染の原因になってしまう。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、砒素が含まれている部分と砒素が含まれていない部分とを有するシリコン窒化膜を形成する工程と、ドライエッチングにより、前記シリコン窒化膜のうちの前記砒素が含まれている部分をエッチングする第１のエッチング工程と、ウェットエッチングにより、前記シリコン窒化膜のうちの前記砒素が含まれていない部分をエッチングする第２のエッチング工程と、を含む、ことを特徴とする （もっと読む）

【課題】ｐ−ＭＯＳトランジスタとｎ−ＭＯＳトランジスタとのゲート電極形状のばらつきが少ない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１の第１領域１３、第２領域、１４にｎ型、ｐ型ゲート電極膜３４、３７を形成する工程と、ゲート電極膜３４、３７上に第１保護膜３８および第２保護膜３９を形成する工程と、第２保護膜３９に、ゲート電極サイズＬ１、Ｌ２より大きいサイズＬ３のゲート電極パターンを形成する工程と、第２保護膜３９ｂに選択的に燐イオンを注入し、熱酸化速度が第２保護膜３９ａより大きくなるようにする工程と、第２保護膜３９ａ、３９ｂを熱酸化し、生成した第１および第２酸化膜４２、４３を選択的にエッチングして、ゲート電極パターンをスリム化する工程と、スリム化された第２保護膜３９ａ、３９ｂを用いてサイズＬ１、Ｌ２のゲート電極１８、２３を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】酸化膜パターンの形成方法及びこれを用いた半導体素子のパターニング方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に酸化膜を形成する工程と、所定領域の酸化膜上に１．０×１０^１６個／ｃｍ^２以上のボロンイオンを注入する工程と、前記酸化膜における前記ボロンイオンの注入されなかった領域を湿式エッチングする工程と、を含む酸化膜パターンの形成方法とした。 （もっと読む）

【解決手段】本発明は、装置を製造する方法に関し、前記装置の第１領域内に第１酸化シリコン層を形成し、前記装置の第２領域内に第２酸化シリコン層を形成するステップと、前記第１領域内に第１タイプのドーピングイオンを注入するステップと、前記第２領域内に第２タイプのドーピングイオンを注入するステップと、前記第１酸化シリコン層が除去され、前記第２酸化シリコン層の少なくとも一部が残るように、定められた継続時間前記第１及び第２領域をエッチングするステップとを備える。
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（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ薄層を製作するためのエッチング技術であり、適当なテンプレートまたは基板が選択されて、所望の面積上に異種イオンが注入されてイオン注入された材料を作る。次に、イオン注入されたテンプレートまたは基板の上にデバイス構造が再成長される。テンプレートの成長表面上面がキャリアウェーハにボンディングされて、ボンディングされたテンプレート／キャリアウェーハからなる構造を形成する。ほかの残留する材料と一緒に基板が除去されて、イオン注入された材料が露出される。ボンディングされたテンプレート／キャリアウェーハからなる構造上のイオン注入された材料は、次に、イオン注入された材料を除去するのに十分な時間、適当なエッチャントに晒される。
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【課題】 半導体を製造するリソグラフィ工程での露光照射工程に於ける露光に多価イオンビームを利用することによって、極めて迅速なエッチング速度を得ることができる多価イオンを利用する半導体製造方法の提供。
【解決手段】 半導体製造工程でのリソグラフィ工程に於いて多価イオンビームを利用する半導体製造方法であって、前記リソグラフィ工程中の露光照射工程において、前記半導体を形成するための試料に、多価イオンビームを照射することを特徴とする。 （もっと読む）