【課題】エッチング後のウェーハにおいて、残留エッチング液による再反応を、コストを増大することなくかつ簡便に抑制できるウェーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】ウェーハＷを浸漬可能なリンス槽３１に満たされた洗浄液Ｌの液面Ｌ１より上方に上方ノズル３４を設け、ウェーハＷを立てた状態で洗浄液Ｌに浸漬し、上方ノズル３４からリンス槽３１の底部に向かって噴射液Ｆを噴射して、空気を巻き込みながら噴射液Ｆをリンス槽３１内に導入することでウェーハＷを洗浄する。 （もっと読む）

【課題】テクスチャの密度や大きさを制御してより光反射率の低い半導体ウェハや半導体薄膜を得ることができる太陽光発電装置の製造方法を得ること。
【解決手段】有機物とハロゲン酸塩とを含むエッチング液を用いて、第１導電型の半導体ウェハの第１の主面をエッチングしてテクスチャを形成する工程と、テクスチャを形成した半導体ウェハの表面に第２導電型の拡散層を形成する工程と、半導体ウェハの端面に形成された拡散層を除去する工程と、半導体ウェハの第１の主面上に反射防止膜を形成する工程と、半導体ウェハの第１の主面および第１の主面に対向する第２の主面上に、所定の形状の電極を印刷し、焼成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】小型で効率良く、微小気泡であるナノバブルを含む液体を生成して基板に供給することで基板の処理ができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、上部が開放されており、液体を収容でき、第１容器部分４１と第２容器部分４２に区分けされ、第１容器部分４１から第２容器部分４２へ液体を移動可能な通路４９を底部側に有する容器３０と、第１容器部分４１内の液体Ｌ中に配置されて、気体を液体Ｌに混合して微小気泡を含む液体Ｌを第１容器部分４１内で生成する微小気泡生成ユニット４０と、第１容器部分４１内の微小気泡を含む液体Ｌを、底部側の通路４９を通じて第２容器部分４２内に移動させて、第２容器部分４２内から微小気泡を含む液体Ｌを基板Ｗに送るポンプ３５を備える。 （もっと読む）

【課題】ナノバブルを含む液体中のナノバブルを生成して基板に供給する際に、ナノバブルの個数を把握して基板の処理ができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】予め粒径の確定している標準粒子を混合用の液体８１で混合し、標準粒子を混合した混合用の液体中の単位体積当たりの標準粒子の個数をカウンタ８６で計測し、この混合用の液体８１を基準液として、投入したい標準粒子の個数を含む量の基準液をナノバブルＮＢを含む液体Ｌに入れ、粒度分布測定器１００によりナノバブルを含む液体中の標準粒子の粒度分布Ｆ１とナノバブルの粒度分布Ｆ２とを求め、ナノバブルを含む液体Ｌ中の標準粒子の粒度分布Ｆ１のピーク値Ｐ１に対応する標準粒子の個数を基準として、ナノバブルの粒度分布Ｆ２のピーク値Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４に対応するナノバブルの個数を求める。 （もっと読む）

本発明は、エッチングすべき少なくとも１つの材料（４）を含む構造体（１）をエッチングするための方法であって、エッチングすべき前記材料（４）と反応できる少なくとも１つの化学種を選択するステップと、前記材料とは反応しないが、前記化学種を放出できる少なくとも１つの可溶性化合物を選択するステップと、前記化合物を含む溶液（１１）を製造するステップと、エッチングすべき前記材料の表面が前記溶液内およびガス（Ｇ）の付加的バブル内に存在するような位置に前記構造体（１）を置くステップと、可溶性化合物または沈殿物を生成しながら前記化学種を発生し、これら化学種がエッチングすべき前記材料と反応するように、前記付加的バブルの存在下で反応性キャビテーションバブルを発生できる少なくとも１つの周波数で高周波超音波を溶液内で発生させるステップとを備える、構造体をエッチングするための方法に関する。
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【課題】液体中のナノバブルとマイクロバブルを短時間で分離して、ナノバブルを多く含む液体を基板に対して供給して使用することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、液体と気体を混合させて微小気泡を含む液体Ｌを生成する微小気泡生成器３２と、マイクロバブルＭＢとナノバブルＮＢを有する微小気泡を含む液体Ｌを溜める貯蔵部３３と、貯蔵部３３内の微小気泡を含む液体Ｌを加圧した状態で通す液体案内部５０と、液体案内部５０内を通る微小気泡を含む液体に対して電場を付与してマイクロバブルとナノバブルとを分離する電場付与部５１とを有して、分離されたナノバブルＮＢを含む液体Ｌを基板Ｗに供給する微小気泡分離器４０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチングにより形成するパターンが微細化した場合であっても「反応生成ガスによる気泡」が半導体ウェハの表面に滞留することを十分に抑制することが可能で、ひいてはウェットエッチングを均一に行うことが可能なウェットエッチング方法を提供する。
【解決手段】エッチング槽１１０中のエッチング液Ｓに半導体ウェハＷを浸漬した状態で、エッチング槽１１０の底部に配置したバブラー１２０から不活性ガスからなる第１の気泡によるバブリングを行ないながら、半導体ウェハＷのウェットエッチングを行うウェットエッチング方法であって、バブラー１２０の気孔近傍における第１の気泡の平均径は、５μｍ〜２００μｍの範囲内にあることを特徴とするウェットエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】液体中に配置した部材に対して微細気泡を安定して、且つ均一に供給すること。
【解決手段】貯留槽内に貯留された第１の液体中に配置された部材に対して微細気泡を供給する微細気泡供給装置であって、前記第１の液体中に噴出する気体を供給する気体供給部と、前記第１の液体中に噴出する第２の液体を供給する液体供給部と、前記気体供給部から供給される前記気体を微細気泡にするとともに前記液体供給部から供給される前記第２の液体に混合して混合流体を生成し、送出する気泡微細化部と、前記混合流体を前記第１の液体中に噴出するための噴出穴を有し、前記気泡微細化部からの前記混合流体を前記部材の下方から前記噴出穴を介して前記第１の液体中に噴出する噴流管と、を備え、前記噴流管は、前記混合流体をせき止めて前記噴流穴を介して前記第１の液体中に噴出させるせき止め部を有する。 （もっと読む）

【課題】基板面内や基板間の厚さのバラツキを低減することができるとともに、製品性能や製造歩留を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】液体または気体が送入される槽ＴＫと、槽ＴＫの内部に液体または気体を送り出す機構ＴＢ、Ａと、を備え、槽ＴＫに被処理基板１を配置し処理を行う基板処理装置であって、被処理基板１と機構ＴＢ、Ａとの間の被処理基板１近傍に、少なくとも一つの整流板ＰＬ１が配置された処理装置。 （もっと読む）

【課題】基板面内や基板間の厚さのバラツキを低減することができるとともに、製品性能や製造歩留を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】液体または気体が送入される槽ＴＫと、槽ＴＫ内に液体または気体を送り出す機構と、を備え、槽ＴＫ内に被処理体１を配置して処理を行う基板処理装置であって、機構は、槽ＴＫ内に液体または気体を送出する第１送出手段ＴＢａおよび第２送出手段Ｔｂと、第１送出手段ＴＢａからの液体または気体の送出の開始と停止とを行う第１送入手段Ａと、第２送出手段ＴＢｂからの液体または気体の送出の開始と停止とを行う第２送入手段Ｂと、を備えた基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】 この発明はナノバブルにプラスの電荷を帯電させることで、そのナノバブルに酸化作用を持たせるようにした処理液の製造装置を提供することにある。
【解決手段】 基板を処理する処理液を製造する処理液の製造装置であって、
液体と気体を混合してナノバブルを含む処理液を製造するナノバブル発生器１８と、ナノバブル発生器で発生するナノバブルにプラスの電荷を帯電させるイオナイザ２２及び酸性流体を供給する給液タンク２３を具備する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハをアルカリ溶液でエッチングする方法であって、ウェハ表面粗度の改善が可能なエッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコンウェハをアルカリ溶液でエッチングする方法において、アルカリ溶液中に酸化性ガスをバブリングすることを特徴とする、シリコンウェハのエッチング方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板のデバイス面を確実に洗浄処理することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板を処理液によって洗浄処理する処理装置であって、
処理液が貯留される処理槽１と、基板１６のデバイス面１６ａを下に向けて保持して上下方向に駆動され下降方向に駆動されたときに上記デバイス面を処理槽の処理液に浸漬させる保持機構１７と、処理槽に貯留された処理液に超音波振動を付与する超音波発振器１５を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に処理液を物理的に作用させることによって基板に対する処理を実行するにあたり、どのような処理液を用いた場合であっても、基板にダメージを与えることなく処理を実行することを可能とする基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、複数の基板を、処理液中に浸漬させることにより基板Ｗに対する超音波洗浄処理を実行する処理部１を備える。制御部５は、処理液供給部２から処理部１に対して処理液の供給を開始するに先だって、当該供給される処理液が基板にダメージを与えにくい適正処理液であるか否かを、当該処理液の分子密度の値と分子密度閾値との比較によって判断する。処理液が適正処理液でないと判断された場合には、処理液調整部３において処理液に窒素ガスを溶解させる。 （もっと読む）

【課題】ナノバブルを効率よく発生させて基板の処理を良好に行なえるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板を処理液によって処理する処理装置であって、
ナノバブルを発生させ、そのナノバブルを処理液に混合させるナノバブル発生手段を備え、ナノバブル発生手段は、内部に剪断室３が形成された気体剪断器２と、気体剪断器の軸方向の一端部に設けられ気体を剪断室に旋回させて供給する気体供給口６と、気体剪断器の一端部の外周面に設けられ処理液を剪断室に旋回させて供給し、気体との旋回速度の差によって気体からナノバブルを発生させる液体供給口７とによって構成されている。 （もっと読む）

【課題】長期にわたり、高い精度で均一なエッチングができるエッチング方法およびエッチング装置を提供することを目的とする。
【解決手段】エッチング液１２を保持するエッチング槽１０にディフューザ２０の本体２１を配置し、湿った気体から気泡を発生させて曝気攪拌を行う。例えば、コンプレッサ３１により圧縮され除湿された空気を、加湿槽３３内の水中を通過させて湿らせてディフューザ２０の気体供給管２２に供給する。ディフューザ２０の本体２１の小孔を通る気体は湿潤であり小孔の内壁の乾燥を防止するので、スケール付着による小孔の閉塞が防止され、ディフューザ２０から長期にわたり均一に気泡が発生される。 （もっと読む）

【課題】エッチング液の結晶析出物の発生を効果的に抑制すること。
【解決手段】本発明は、ウエットエッチング処理装置は、ウエットエッチング用のエッチング溶液を貯留し、その中で半導体ウエハに対してウエットエッチング処理を行うエッチング薬液槽と；ウエットエッチング中に、前記エッチング薬液槽内に供給される窒素ガス（Ｎ２）を供給する窒素ガス供給部と；前記ウエットエッチング中に、前記窒素ガス供給部から供給される前記窒素ガス（Ｎ２）を前記エッチング薬液槽内に送り込むとともに、前記ウエットエッチングを行わない待機時にも、前記窒素ガスを前記エッチング薬液槽内に送り続ける流量調整部とを備えている。 （もっと読む）

【課題】基板エッチング装置を提供する。
【解決手段】エッチング槽、基板に装着されエッチング槽の内部に設置されたカセット、カセットの下部面に設置される多孔板、多孔板に形成されてそれぞれ複数の吐出口からなる吐出部、吐出口にそれぞれ連結され、ガスの供給を受けて吐出口を通じて基板にバブルを提供する第１ラインを含む基板エッチング装置を提供する。第１ラインは、複数のグループに区分され、複数のグループ中で少なくとも一つのグループは、残りのグループと異なる圧力のガスの供給を受ける。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板のエッチングを均一にすることができる基板エッチング装置及びそれを用いた基板エッチング方法を提供する。
【解決手段】基板エッチング装置は、エッチング容器、気泡噴射器及びガス供給器を含む。エッチング容器は、底に垂直かつ互いに平行に配置された複数のガラス基板を収容する。気泡噴射器は、それぞれのガラス基板を間に介在してガラス基板に気泡を噴射する。ガス供給器は、エッチング容器の外部に配置され気泡噴射器にガスを供給する。従って、気泡をガラス基板に均一に噴射してガラス基板のエッチングを均一にすることができる。 （もっと読む）