基板処理装置
【課題】基板面内や基板間の厚さのバラツキを低減することができるとともに、製品性能や製造歩留を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】液体または気体が送入される槽ＴＫと、槽ＴＫ内に液体または気体を送り出す機構と、を備え、槽ＴＫ内に被処理体１を配置して処理を行う基板処理装置であって、機構は、槽ＴＫ内に液体または気体を送出する第１送出手段ＴＢａおよび第２送出手段Ｔｂと、第１送出手段ＴＢａからの液体または気体の送出の開始と停止とを行う第１送入手段Ａと、第２送出手段ＴＢｂからの液体または気体の送出の開始と停止とを行う第２送入手段Ｂと、を備えた基板処理装置。
【解決手段】液体または気体が送入される槽ＴＫと、槽ＴＫ内に液体または気体を送り出す機構と、を備え、槽ＴＫ内に被処理体１を配置して処理を行う基板処理装置であって、機構は、槽ＴＫ内に液体または気体を送出する第１送出手段ＴＢａおよび第２送出手段Ｔｂと、第１送出手段ＴＢａからの液体または気体の送出の開始と停止とを行う第１送入手段Ａと、第２送出手段ＴＢｂからの液体または気体の送出の開始と停止とを行う第２送入手段Ｂと、を備えた基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置や半導体、プリント基板など平面の基板を製造する工程における、液体や気体での洗浄、成膜、エッチング等を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化および軽量化への要求が高まり、例えばプリント基板等の基板をより薄くすることが要求されている。
【０００３】
一方、液晶表示装置や半導体、プリント基板など、平面の基板を製造する際のエッチング工程等において、処理の面内均一性を向上させることは、製品性能向上や歩留まり向上の為に常に必要とされている。例えば、処理槽を用いてケミカル研磨を行う場合、面内均一性は、基板の大きさに比べて処理槽の大きさが十分大きければ一般的に均一性は向上する。
【０００４】
液晶表示装置の製造に際しては、効率化のために、まず、一対の絶縁性基板として多面取り用の大板を用い、これら一対の絶縁性基板間に複数の表示素子を形成する。この後、薄型化および軽量化等のために機械研磨もしくはケミカル研磨のいずれかによって絶縁性基板を所望の基板厚さまで研磨している。
【０００５】
従来、一対の基板の夫々を異なる温度履歴で作製し、これらの基板を貼りあわせて夫々の主面を化学的な処理で同時に薄くして、製造歩留まりを向上させる液晶表示装置の製造方法が提案されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００７−５２３６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、被処理基板としてのガラス基板の大型化や半導体でのシリコンウェハーの大型化等に伴い、処理槽を大きくしたり、処理槽内で基板を揺動したりすると処理装置が大掛かりになってしまい、基板面内や基板間での処理バラツキを小さくすることは益々困難になってきている。
【０００７】
また、液体や気体（以下液体等と記載）によってエッチングや成膜、洗浄を行う場合、噴出された液体等があたる部分の基板の処理が多く進むことによって、面内厚さが不均一になってしまうことがあった。
【０００８】
例えば、ガラス基板をケミカル研磨し、ガラス板の板厚を薄くする工程では、ガラス基板をカセットに入れて、処理槽内の研磨液の中に浸漬し、処理槽底部に配置されたパイプから空気を送り出して、研磨液を撹拌する。上記のように、ガラス基板を研磨すると、パイプから送出された空気があたる部分、すなわち、処理槽底部に位置するガラス基板の一部の板厚が薄くなり製品性能の低下を招いたり、ガラス基板の端部を製品製造のために用いることができないために製造歩留まりの低下を招く場合があった。
【０００９】
特に、集積回路が配置される部分の厚さが不均一となった場合、基板上に配置された集積回路の実装不良が発生し、製造歩留まりが低下することがあった。また、液晶表示装置の製造工程において、一対の基板のそれぞれの厚さが不均一となった場合には、一対の基板から液晶表示パネルを切り出し、液晶表示パネルをフレーム等に納める際に部品との位置合わせが困難になることがあった。
【００１０】
本発明は、上記事情に鑑みて成されたものであって、基板面内や基板間の厚さのバラツキを低減することができるとともに、製品性能や製造歩留を向上させる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第一態様による基板処理装置は、液体または気体が送入される槽と、前記槽内に液体または気体を送り出す機構と、を備え、前記槽内に被処理体を配置して処理を行う基板処理装置であって、前記機構は、前記槽内に液体または気体を送出する第１送出手段および第２送出手段と、前記第１送出手段からの液体または気体の送出の開始と停止とを行う第１送入手段と、前記第２送出手段からの液体または気体の送出の開始と停止とを行う第２送入手段と、を備えた基板処理装置。
【発明の効果】
【００１２】
この発明によれば、基板面内や基板間の厚さのバラツキを低減することができるとともに、製品性能や製造歩留を向上させる基板処理装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置について、図面を参照して説明する。本実施形態に係る基板処理装置は、被処理体としての液晶表示装置の透明絶縁性基板を液体や気体での洗浄、成膜、エッチング（研磨）等する際に用いられる基板処理装置である。
【００１４】
本実施形態に係る基板処理装置の被処理基板１は、対向するように配置された一対の略矩形状の透明絶縁性基板を有している。図１に示すように、一対の基板は第1基板１０１Ｍと、第1基板１０１Ｍに対向して配置された第２基板１０２Ｍとを有している。第１基板１０１Ｍおよび第２基板１０２Ｍは、透明ガラス基板である。
【００１５】
第1基板１０１Ｍは、マトリクス状に配置された複数の画素電極（図示せず）と、画素電極の近傍に配置されたスイッチング素子とを含む第1表示領域１１０Ａと、複数の画素電極を駆動するために第１表示領域１１０Ａから周囲へと延びて配置された駆動配線等の各種配線（図示せず）とを有している。第2基板１０２Ｍは、複数の画素電極に対向する対向電極を含む第2表示領域１１０Ｂを有している。
【００１６】
第１基板１０１Ｍと第２基板１０２Ｍとは、第１表示領域１１０Ａと、第２表示領域１１０Ｂとが対向するように位置合わせされ、第１基板１０１Ｍおよび第２基板１０２Ｍの間において第1表示領域１１０Ａおよび第2表示領域１１０Ｂを囲むように配置されたシール材（図示せず）によって固定されている。シール材は、後に液晶材料を封入するための封入口（図示せず）を有している。
【００１７】
本実施形態に係る基板処理装置は、液体または気体を入れる処理槽ＴＫと、処理槽ＴＫの内部に液体や空気を送り出す機構と、を備える。図２Ａ乃至図２Ｃに示す基板処理装置では、処理槽ＴＫは、例えば被処理体を研磨するための研磨液ＬＱで満たされている。
【００１８】
本実施形態に係る基板処理装置では、研磨液ＬＱとしてフッ酸を含む溶液を使用する。なお、研磨液ＬＱは、その液面が処理槽ＴＫの上端より下回る量であってもよく、研磨液ＬＱがオーバーフローするように送入され、また処理槽ＴＫ外部に設けた循環経路を介して循環するようにしてもよい。
【００１９】
被処理体として上記の被処理基板１を研磨処理する際には、図２Ａ乃至図２Ｃに示すように、被処理基板１は、カセット等（図示せず）に並べて配置され処理槽ＴＫ内の研磨液中に浸漬される。被処理基板１は、その処理面（ＸＹ平面と略平行な面）が処理槽ＴＫの底面（ＺＸ平面と略平行な面）と略直交するとともに、例えばカセット等に設けられた仕切りによって互いに処理面が触れないように間隔をおいて並べて配置される。
【００２０】
処理槽ＴＫの内部に液体や空気を送り出す機構は、処理槽ＴＫ内に液体または気体を送出する送出機構と、送出機構からの液体または気体の送出の開始と停止とを行う送入機構とを備えている。
【００２１】
処理槽ＴＫの底部近傍には、処理槽ＴＫ内に液体または気体を送り出すための送出機構が配置されている。図２Ａ乃至図２Ｃに示すように、本実施形態に係る基板処理装置では、送出機構は、被処理基板１の処理面と略直交する方向（Ｚ方向）に延びて配置された複数の第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂと、処理槽ＴＫの外部から第１管ＴＢａに液体または気体を送入する外部送入機構Ａと、第２管ＴＢｂに液体または気体を送入する外部送入機構Ｂとを有している。
【００２２】
図２Ａおよび図２Ｂに示すように、第１管ＴＢａと第２管ＴＢｂとは、その軸方向が底面（ＸＺ平面と略平行な面）と略平行であって、互いに軸方向が略平行となるように、Ｘ軸方向と略直交する方向（Ｘ方向）において交互に並んで配置されている。
【００２３】
第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂは、液体又は気体が送出される複数の送出口を有している。複数の送出口は、例えば第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂの軸方向（Ｚ方向）において所定の間隔をおいて配置されている。
【００２４】
なお、第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂは、上記のような送出口に限らず、例えば管ＴＢの軸方向（Ｚ方向）と略平行に延びる線状の送出口を有していてもよく、管ＴＢの軸方向に対して蛇行するように配置された複数の送出口を有していてもよい。
【００２５】
本実施形態に係る基板処理装置では、図２Ａおよび図２Ｂに示すように、外部送入機構Ａおよび外部送入機構Ｂから第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂへ空気が送入され、第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂの送出口から空気が処理槽ＴＫ内に送出されることによって、処理槽ＴＫ内の研磨液ＬＱが撹拌される。
【００２６】
すなわち、本実施形態に係る基板処理装置では、まず図２Ａに示すように、外部送入機構Ａから第１管ＴＢａに圧縮空気が送り込まれる。第１管ＴＢａに送り込まれた空気は、第１管ＴＢａの表面に開けられた送出口から噴出し、気泡ＢＢＬとなって処理液ＬＱの中を上昇して行く。
【００２７】
次に、図２Ｂに示すように、外部送入機構Ｂにつながれた第１管ＴＢａに圧縮空気が送り込まれる。第２管ＴＢｂに送り込まれた圧縮空気は、第２管ＴＢｂの表面に開けられた送出口から噴出し、気泡ＢＢＬとなって液体の中を上昇して行く。
【００２８】
このように、液体や空気の噴出する分布を空間的または時間的に変更可能とすることによって、処理槽ＴＫ内の処理液ＬＱの流れを変えることができる。すなわち、Ｘ方向において第１管ＴＢａと第２管ＴＢｂとを交互に配置し、かつ、第１管ＴＢａから空気が噴出される第１期間と、第２管ＴＢｂから空気が噴出される第２期間とを設定することによって、処理槽ＴＫ内の処理液ＬＱの流れを変えることができ、処理槽ＴＫ内で被処理基板１を揺動させるのと同じ効果が得られる。
【００２９】
上記のように、本実施形態に係る基板処理装置では、被処理基板１を揺動させる必要がないため、処理装置を大掛かりにすることなくより多くの被処理基板１を処理するとともに、面内均一性および基板間均一性を向上させることができる。
【００３０】
すなわち、本実施形態に係る基板処理装置によれば、基板面内や基板間の厚さのバラツキを低減することができるとともに、製品性能や製造歩留を向上させる基板処理装置を提供することができる。
【００３１】
なお、被処置基板１が均一な厚さとなるとは、例えば、被処理基板１の、又は、第１基板１０１Ｍと第２基板１０２Ｍとのそれぞれの、最も厚い部分と、最も薄い部分とでの厚さ（Ｚ方向の幅）の差が所定の値以下となる場合である。本実施形態に係る基板処理装置では、被処理基板１の、最も厚い部分と、最も薄い部分とでの厚さ（Ｚ方向の幅）の差は略１．５μｍ以下である。
【００３２】
次に、本発明の第２実施形態に係る基板処理装置について図面を参照して説明する。なお、以下の説明において上述の第１実施形態に係る基板処理装置と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００３３】
本実施形態に係る基板処理装置は、上述の第１実施形態に係る基板処理装置と同様に、被処理体としての液晶表示装置の透明絶縁性基板を液体や気体での洗浄、成膜、エッチング（研磨）等する際に用いられる基板処理装置である。
【００３４】
本実施形態に係る基板処理装置において、処理槽ＴＫの内部に液体や空気を送り出す機構は、処理槽ＴＫ内に液体または気体を送出する送出機構と、送出機構からの液体または気体の送出の開始と停止とを行う送入機構とを備えている。
【００３５】
図３Ａおよび図３Ｂに示すように、送出機構は処理槽ＴＫの底部近傍に配置されている。本実施形態に係る基板処理装置では、送出機構は、被処理基板１の処理面と略直交する方向（Ｚ方向）に延びて配置された複数の第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂと、処理槽ＴＫの外部から第１管ＴＢａに液体または気体を送入する外部送入機構Ａと、第２管ＴＢｂに液体または気体を送入する外部送入機構Ｂとを有している。
【００３６】
第１管ＴＢａと第２管ＴＢｂとは、その軸方向が底面（ＸＺ平面と略平行な面）と略平行であって、互いに軸方向が略平行となるように、Ｘ軸方向と略直交する方向（Ｘ方向）に並んで配置されている。
【００３７】
複数の第１管ＴＢａは、Ｘ方向において、処理槽ＴＫの中央部に配置されている。第２管ＴＢｂは、Ｘ方向において、処理増ＴＫの端部に配置されている。第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂは、液体又は気体が送出される複数の送出口を有している。複数の送出口は、例えば第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂの軸方向（Ｚ方向）において所定の間隔をおいて配置されている。
【００３８】
本実施形態に係る基板処理装置では、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、外部送入機構Ａおよび外部送入機構Ｂから第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂへ空気が送入され、第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂの送出口から空気が処理槽ＴＫ内に送出されることによって、処理槽ＴＫ内の研磨液ＬＱが撹拌される。
【００３９】
すなわち、本実施形態に係る基板処理装置では、図３Ａに示すように、まず、第１管ＴＢａに外部送入機構Ａから圧縮空気が送り込まれる。第１管ＴＢａに送り込まれた圧縮空気は、第１管ＴＢａの表面に開けられた送出口から噴出し、気泡ＢＢＬとなって液体の中を上昇して行く。
【００４０】
次に、図３Ｂに示すように、第２管ＴＢｂに外部送入機構Ｂから圧縮空気が送り込まれる。第２管ＴＢｂに送り込まれた圧縮空気は、第２管ＴＢｂの表面に開けられた送出口から噴出し、気泡ＢＢＬとなって液体の中を上昇して行く。
【００４１】
このように、液体や空気の噴出する分布を空間的または時間的に変更可能とすることによって、処理槽ＴＫ内の処理液ＬＱの流れを変えることができる。Ｘ方向において、第１管ＴＢａを処理槽ＴＫの中央部に配置し、第２管ＴＢｂを処理槽ＴＫの端部に配置し、かつ、第１管ＴＢａから空気が噴出される第１期間と、第２管ＴＢｂから空気が噴出される第２期間とを交互に繰り返すことにより、処理槽ＴＫ内の処理液ＬＱの流れを変えることができ、処理槽ＴＫ内で被処理基板１を揺動させるのと同じ効果が得られる。
【００４２】
上記のように、本実施形態に係る基板処理装置では、被処理基板１を揺動させる必要がないため、処理装置を大掛かりにすることなくより多くの被処理基板１を処理するとともに、面内均一性および基板間均一性を向上させることができる。
【００４３】
すなわち、本実施形態に係る基板処理装置によれば、上述の第１実施形態にかかる基板処理装置と同様に、基板面内や基板間の厚さのバラツキを低減することができるとともに、製品性能や製造歩留を向上させる基板処理装置を提供することができる。
【００４４】
次に、本発明の第３実施形態に係る基板処理装置について図面を参照して説明する。本実施形態に係る基板処理装置は、上述の第１実施形態に係る基板処理装置と同様に、被処理体としての液晶表示装置の透明絶縁性基板を液体や気体での洗浄、成膜、エッチング（研磨）等する際に用いられる基板処理装置である。
【００４５】
本実施形態に係る基板処理装置において、処理槽ＴＫの内部に液体や空気を送り出す機構は、処理槽ＴＫ内に液体または気体を送出する送出機構と、送出機構からの液体または気体の送出の開始と停止とを行う送入機構とを備えている。
【００４６】
図４Ａおよび図４Ｃに示すように、送出機構は処理槽ＴＫの底部に配置されている。本実施形態に係る基板処理装置では、送出機構は、被処理基板１の処理面と略直交する方向（Ｚ方向）に延びて配置された複数の第１管ＴＢａ、第２管ＴＢｂ、および第３管ＴＢｃを有している。
【００４７】
さらに、送出機構は、処理槽ＴＫの外部から第１管ＴＢａに液体または気体を送入する外部送入機構Ａと、第２管ＴＢｂに液体または気体を送入する外部送入機構Ｂと、第３管ＴＢｃに液体または気体を送入する外部送入機構Ｃとを有している。
【００４８】
第１管ＴＢａ、第２管ＴＢｂ、および第３管ＴＢｃは、その軸方向が底面（ＸＺ平面と略平行な面）と略平行であって、互いに軸方向が略平行となるように、Ｘ軸方向と略直交する方向（Ｘ方向）に並んで配置されている。
【００４９】
複数の第１管ＴＢａは、Ｘ方向において、処理槽ＴＫの中央部に配置されている。第２管ＴＢｂは、Ｘ方向において、処理増ＴＫの一方の端部に配置されている。第３管ＴＢｃは、Ｘ方向において、処理槽ＴＫの他方の端部に配置されている。
【００５０】
第１管ＴＢａ、第２管ＴＢｂ、および第３管ＴＢｃは、液体又は気体が送出される複数の送出口を有している。複数の送出口は、例えば第１管ＴＢａ、第２管ＴＢｂ、および第３管ＴＢｃの軸方向（Ｚ方向）において所定の間隔をおいて配置されている。
【００５１】
本実施形態に係る基板処理装置では、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、外部送入機構Ａ、外部送入機構Ｂ、および外部送入機構Ｃから、第１管ＴＢａ、第２管ＴＢｂおよび第３管ＴＢｃへ空気が送入され、第１管ＴＢａ、第２管ＴＢｂおよび第３管ＴＢｃの送出口から空気が処理槽ＴＫ内に送出されることによって、処理槽ＴＫ内の研磨液ＬＱが撹拌される。
【００５２】
すなわち、本実施形態に係る基板処理装置では、例えば、まず、図４Ａに示すように、外部送入機構Ａと外部送入機構Ｂとにつながれた第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂに圧縮空気が送り込まれる。第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂに送り込まれた圧縮空気は、第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂの表面に開けられた送出口から噴出し、気泡ＢＢＬとなって処理液ＬＱの中を上昇して行く。このとき、処理槽ＴＫ内で気泡ＢＢＬが存在する範囲は、処理槽ＴＫ内で図４Ａの左側に偏っている。
【００５３】
次に、図４Ｂに示すように、外部送入機構Ａと外部送入機構Ｃとにつながれた第１管ＴＢａおよび第３管ＴＢｃに圧縮空気が送り込まれる。第１管ＴＢａおよび第３管ＴＢｃに送り込まれた空気は、第１管ＴＢａおよび第３管ＴＢｃの表面に開けられた送出口から噴出し、気泡ＢＢＬとなって処理液ＬＱの中を上昇して行く。このとき、処理槽ＴＫ内で気泡ＢＢＬが存在する範囲は、処理槽ＴＫで図４Ｂの右側に偏っている。
【００５４】
このように、液体や空気の噴出する分布を空間的または時間的に変更可能とすることによって、処理槽ＴＫ内の処理液ＬＱの流れを変えることができる。すなわち、Ｘ方向において、第１管ＴＢａを処理槽ＴＫの中央部に配置し、第２管ＴＢｂを一方の端部に配置し、第３管ＹＢｃを処理槽ＴＫの他方の端部に配置し、かつ、第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂから空気が噴出される第１期間と、第１管ＴＢａおよび第３管ＴＢｃから空気が噴出される第２期間とを交互に繰り返すことにより、処理槽ＴＫ内の処理液ＬＱの流れを変えることができ、処理槽ＴＫ内で被処理基板１を揺動させるのと同じ効果が得られる。
【００５５】
上記のように、本実施形態に係る基板処理装置では、被処理基板１を揺動させる必要がないため、処理装置を大掛かりにすることなくより多くの被処理基板１処理するとともに、主に基板の中央部と端部とにおける処理の進行の差を軽減して面内均一性および基板間均一性を向上させることができる。
【００５６】
すなわち、本実施形態に係る基板処理装置によれば、上述の第１実施形態にかかる基板処理装置と同様に、基板面内や基板間の厚さのバラツキを低減することができるとともに、製品性能や製造歩留を向上させる基板処理装置を提供することができる。
【００５７】
次に、本発明の第４実施形態に係る基板処理装置について、図面を参照して説明する。本実施形態に係る基板処理装置は、上述の第１実施形態に係る基板処理装置と同様に、被処理体としての液晶表示装置の透明絶縁性基板を液体や気体での洗浄、成膜、エッチング（研磨）等する際に用いられる基板処理装置である。
【００５８】
本実施形態に係る基板処理装置において、処理槽ＴＫの内部に液体や空気を送り出す機構は、処理槽ＴＫ内に液体または気体を送出する送出機構と、送出機構からの液体または気体の送出の開始と停止とを行う送入機構とを備えている。
【００５９】
図５Ａおよび図５Ｂに示すように、送出機構は処理槽ＴＫの底部および側面近傍に配置されている。本実施形態に係る基板処理装置では、送出機構は、被処理基板１の処理面と略直交する方向（Ｚ方向）に延びて配置された複数の第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂと、処理槽ＴＫの外部から第１管ＴＢａに液体または気体を送入する外部送入機構Ａと、第２管ＴＢｂに液体または気体を送入する外部送入機構Ｂとを有している。
【００６０】
図５Ａおよび図５Ｂに示すように、複数の第１管ＴＢａは、処理槽ＴＫの底部近傍においてＸ方向に並ぶように配置されている。すなわち、第１管ＴＢａは、その軸方向が底面（ＸＺ平面と略平行な面）と略平行であって、互いに軸方向が略平行となるように、軸方向と略直交する方向（Ｘ方向）に並んで配置されている。
【００６１】
複数の第２管ＴＢｂは、処理増ＴＫの側面近傍においてＹ方向に並ぶように配置されている。すなわち、第２管ＴＢｂは、その軸方向が側面と略平行であって、互いに軸方向が略平行となるように、軸方向と略直交する方向（Ｙ方向）に並んで配置されている。なお、本実施形態に係る基板処理装置では、複数の第２管ＴＢｂは、被処理基板１の処理面と略直交する処理槽ＴＫの側面近傍に配置されている。
【００６２】
第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂは、液体又は気体が送出される複数の送出口を有している。複数の送出口は、例えば第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂの軸方向（Ｚ方向）において所定の間隔をおいて配置されている。
【００６３】
本実施形態に係る基板処理装置では、図５Ａおよび図５Ｂに示すように、外部送入機構Ａおよび外部送入機構Ｂから第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂへ圧縮空気が送入され、第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂの送出口から空気が処理槽ＴＫ内に送出されることによって、処理槽ＴＫ内の研磨液ＬＱが撹拌される。
【００６４】
すなわち、本実施形態に係る基板処理装置では、まず、図５Ａに示すように、外部送入機構Ａにつながれた第１管ＴＢａに圧縮空気が送り込まれる。第１管ＴＢａに送り込まれた圧縮空気は、第１管ＴＢａの表面に開けられた送出口から噴出し、気泡ＢＢＬとなって処理液ＬＱの中を上昇して行く。
【００６５】
次に、図５Ｂに示すように、外部送出機構Ｂにつながれた第２管ＴＢｂに圧縮空気が送り込まれる。第２管ＴＢｂに送り込まれた圧縮空気は、第２管ＴＢｂの表面に開けられた送出口から噴出し、気泡ＢＢＬとなって処理液ＬＱの中を上昇して行く。すなわち、図５Ａに示す場合では処理槽ＴＫの底面近傍からＹ方向に空気が噴出され、図５Ｂに示す場合では処理槽ＴＫの側面近傍からＸ方向に空気が噴出される。
【００６６】
このように、液体や空気の噴出する分布を空間的または時間的に変更可能とすることによって、処理槽ＴＫ内の処理液ＬＱの流れを変えることができる。Ｘ方向において、第１管ＴＢａを処理槽ＴＫの中央部に配置し、第２管ＴＢｂを端部に配置し、かつ、第１管ＴＢａから空気が噴出される第１期間と、第２管ＴＢｂから空気が噴出される第２期間とを交互に繰り返すことにより、処理槽ＴＫ内の処理液ＬＱの流れを変えることができ、処理槽ＴＫ内で被処理基板１を揺動させるのと同じ効果が得られる。
【００６７】
上記のように、本実施形態に係る基板処理装置では、被処理基板１を揺動させる必要がないため、処理装置を大掛かりにすることなくより多くの被処理基板１処理するとともに、面内均一性および基板間均一性を向上させることができる。
【００６８】
すなわち、本実施形態に係る基板処理装置によれば、上述の第１実施形態にかかる基板処理装置と同様に、基板面内や基板間の厚さのバラツキを低減することができるとともに、製品性能や製造歩留を向上させる基板処理装置を提供することができる。
【００６９】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。以上の実施例では、液体による処理を行う基板処理装置での例を示したが、処理に用いられるのは気体であってもよい。その場合、処理槽の代わりに密閉性のある箱を用いてもかまわない。
【００７０】
また、管から噴出するものは気体とは限らず液体や液体と気体の混合でも良い。管から噴出される気体は空気である必要はなく、例えば窒素ガスなどでもよい。管から噴出される液体は、例えば洗剤の入った洗浄液や酸性またはアルカリ性のエッチング液などでも良い。
【００７１】
さらに、空間的または時間的な液体や空気の噴出する分布は上記実施例だけには限らない。例えば、図２Ａよび図２Ｂに示す場合では、１本の第１管ＴＢａと１本の第２管ＴＢｂとをＸ方向において交互に配置していたが、２本以上の第１管ＴＢａと２本以上の第２管ＴＢｂとをＸ方向において交互に配置してもよい。さらに、例えば１本の第１管ＴＢａと複数本の第２管ＴＢｂとをＸ方向において交互に配置してもよい。
【００７２】
また、例えば第１実施形態、第２実施形態および第４実施形態では、第１管ＴＢａから空気が噴出される第１期間と、第２管ＴＢｂから空気が噴出される第２期間とを交互に設ける場合について説明したが、さらに、第１期間と第２期間との一部を重複させて、第１管ＴＢａと第２管ＴＢｂとの両方から空気が噴出される期間を設けてもよい。
【００７３】
第３実施形態に係る基板処理装置についても同様に、第１管ＴＢａ、第２管ＴＢｂ、および第３管ＴＢｃの全てから空気が噴出される期間を設けてもよい。また、第１管ＴＢａ、第２管ＴＢｂ、および第３管ＴＢｃのいずれかからのみ空気が噴出される期間を設けてもよい。
【００７４】
また、第４実施形態に係る基板処理装置では、第１管ＴＢａと第２管ＴＢｂとは、互いに軸方向が略平行となるように配置されていたが、第１管ＴＢａと第２管ＴＢｂとは軸方向が略直交するように配置されていてもよい。
【００７５】
また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置で処理する被処理基板の構成の一例を概略的に示す図。
【図２Ａ】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の一構成例を説明するための図。
【図２Ｂ】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の一構成例を説明するための図。
【図２Ｃ】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の一構成例を説明するための図。
【図３Ａ】本発明の第２実施形態に係る基板処理装置の一構成例を説明するための図。
【図３Ｂ】本発明の第２実施形態に係る基板処理装置の一構成例を説明するための図。
【図４Ａ】本発明の第３実施形態に係る基板処理装置の一構成例を説明するための図。
【図４Ｂ】本発明の第３実施形態に係る基板処理装置の一構成例を説明するための図。
【図５Ａ】整流板を用いないで被処理基板を研磨処理した場合に、基板の厚さを測定した結果の一例を示す図。
【図５Ｂ】整流板を用いないで被処理基板を研磨処理した場合に、基板の厚さを測定した結果の一例を示す図。
【符号の説明】
【００７７】
ＴＫ…処理槽、ＴＢａ…第１管（第１送出機構）、ＴＢｂ…第２管（第２送出機構）、Ａ…第１送入機構、Ｂ…第２送入機構、１…被処理基板（被処理体）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置や半導体、プリント基板など平面の基板を製造する工程における、液体や気体での洗浄、成膜、エッチング等を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化および軽量化への要求が高まり、例えばプリント基板等の基板をより薄くすることが要求されている。
【０００３】
一方、液晶表示装置や半導体、プリント基板など、平面の基板を製造する際のエッチング工程等において、処理の面内均一性を向上させることは、製品性能向上や歩留まり向上の為に常に必要とされている。例えば、処理槽を用いてケミカル研磨を行う場合、面内均一性は、基板の大きさに比べて処理槽の大きさが十分大きければ一般的に均一性は向上する。
【０００４】
液晶表示装置の製造に際しては、効率化のために、まず、一対の絶縁性基板として多面取り用の大板を用い、これら一対の絶縁性基板間に複数の表示素子を形成する。この後、薄型化および軽量化等のために機械研磨もしくはケミカル研磨のいずれかによって絶縁性基板を所望の基板厚さまで研磨している。
【０００５】
従来、一対の基板の夫々を異なる温度履歴で作製し、これらの基板を貼りあわせて夫々の主面を化学的な処理で同時に薄くして、製造歩留まりを向上させる液晶表示装置の製造方法が提案されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００７−５２３６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、被処理基板としてのガラス基板の大型化や半導体でのシリコンウェハーの大型化等に伴い、処理槽を大きくしたり、処理槽内で基板を揺動したりすると処理装置が大掛かりになってしまい、基板面内や基板間での処理バラツキを小さくすることは益々困難になってきている。
【０００７】
また、液体や気体（以下液体等と記載）によってエッチングや成膜、洗浄を行う場合、噴出された液体等があたる部分の基板の処理が多く進むことによって、面内厚さが不均一になってしまうことがあった。
【０００８】
例えば、ガラス基板をケミカル研磨し、ガラス板の板厚を薄くする工程では、ガラス基板をカセットに入れて、処理槽内の研磨液の中に浸漬し、処理槽底部に配置されたパイプから空気を送り出して、研磨液を撹拌する。上記のように、ガラス基板を研磨すると、パイプから送出された空気があたる部分、すなわち、処理槽底部に位置するガラス基板の一部の板厚が薄くなり製品性能の低下を招いたり、ガラス基板の端部を製品製造のために用いることができないために製造歩留まりの低下を招く場合があった。
【０００９】
特に、集積回路が配置される部分の厚さが不均一となった場合、基板上に配置された集積回路の実装不良が発生し、製造歩留まりが低下することがあった。また、液晶表示装置の製造工程において、一対の基板のそれぞれの厚さが不均一となった場合には、一対の基板から液晶表示パネルを切り出し、液晶表示パネルをフレーム等に納める際に部品との位置合わせが困難になることがあった。
【００１０】
本発明は、上記事情に鑑みて成されたものであって、基板面内や基板間の厚さのバラツキを低減することができるとともに、製品性能や製造歩留を向上させる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第一態様による基板処理装置は、液体または気体が送入される槽と、前記槽内に液体または気体を送り出す機構と、を備え、前記槽内に被処理体を配置して処理を行う基板処理装置であって、前記機構は、前記槽内に液体または気体を送出する第１送出手段および第２送出手段と、前記第１送出手段からの液体または気体の送出の開始と停止とを行う第１送入手段と、前記第２送出手段からの液体または気体の送出の開始と停止とを行う第２送入手段と、を備えた基板処理装置。
【発明の効果】
【００１２】
この発明によれば、基板面内や基板間の厚さのバラツキを低減することができるとともに、製品性能や製造歩留を向上させる基板処理装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置について、図面を参照して説明する。本実施形態に係る基板処理装置は、被処理体としての液晶表示装置の透明絶縁性基板を液体や気体での洗浄、成膜、エッチング（研磨）等する際に用いられる基板処理装置である。
【００１４】
本実施形態に係る基板処理装置の被処理基板１は、対向するように配置された一対の略矩形状の透明絶縁性基板を有している。図１に示すように、一対の基板は第1基板１０１Ｍと、第1基板１０１Ｍに対向して配置された第２基板１０２Ｍとを有している。第１基板１０１Ｍおよび第２基板１０２Ｍは、透明ガラス基板である。
【００１５】
第1基板１０１Ｍは、マトリクス状に配置された複数の画素電極（図示せず）と、画素電極の近傍に配置されたスイッチング素子とを含む第1表示領域１１０Ａと、複数の画素電極を駆動するために第１表示領域１１０Ａから周囲へと延びて配置された駆動配線等の各種配線（図示せず）とを有している。第2基板１０２Ｍは、複数の画素電極に対向する対向電極を含む第2表示領域１１０Ｂを有している。
【００１６】
第１基板１０１Ｍと第２基板１０２Ｍとは、第１表示領域１１０Ａと、第２表示領域１１０Ｂとが対向するように位置合わせされ、第１基板１０１Ｍおよび第２基板１０２Ｍの間において第1表示領域１１０Ａおよび第2表示領域１１０Ｂを囲むように配置されたシール材（図示せず）によって固定されている。シール材は、後に液晶材料を封入するための封入口（図示せず）を有している。
【００１７】
本実施形態に係る基板処理装置は、液体または気体を入れる処理槽ＴＫと、処理槽ＴＫの内部に液体や空気を送り出す機構と、を備える。図２Ａ乃至図２Ｃに示す基板処理装置では、処理槽ＴＫは、例えば被処理体を研磨するための研磨液ＬＱで満たされている。
【００１８】
本実施形態に係る基板処理装置では、研磨液ＬＱとしてフッ酸を含む溶液を使用する。なお、研磨液ＬＱは、その液面が処理槽ＴＫの上端より下回る量であってもよく、研磨液ＬＱがオーバーフローするように送入され、また処理槽ＴＫ外部に設けた循環経路を介して循環するようにしてもよい。
【００１９】
被処理体として上記の被処理基板１を研磨処理する際には、図２Ａ乃至図２Ｃに示すように、被処理基板１は、カセット等（図示せず）に並べて配置され処理槽ＴＫ内の研磨液中に浸漬される。被処理基板１は、その処理面（ＸＹ平面と略平行な面）が処理槽ＴＫの底面（ＺＸ平面と略平行な面）と略直交するとともに、例えばカセット等に設けられた仕切りによって互いに処理面が触れないように間隔をおいて並べて配置される。
【００２０】
処理槽ＴＫの内部に液体や空気を送り出す機構は、処理槽ＴＫ内に液体または気体を送出する送出機構と、送出機構からの液体または気体の送出の開始と停止とを行う送入機構とを備えている。
【００２１】
処理槽ＴＫの底部近傍には、処理槽ＴＫ内に液体または気体を送り出すための送出機構が配置されている。図２Ａ乃至図２Ｃに示すように、本実施形態に係る基板処理装置では、送出機構は、被処理基板１の処理面と略直交する方向（Ｚ方向）に延びて配置された複数の第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂと、処理槽ＴＫの外部から第１管ＴＢａに液体または気体を送入する外部送入機構Ａと、第２管ＴＢｂに液体または気体を送入する外部送入機構Ｂとを有している。
【００２２】
図２Ａおよび図２Ｂに示すように、第１管ＴＢａと第２管ＴＢｂとは、その軸方向が底面（ＸＺ平面と略平行な面）と略平行であって、互いに軸方向が略平行となるように、Ｘ軸方向と略直交する方向（Ｘ方向）において交互に並んで配置されている。
【００２３】
第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂは、液体又は気体が送出される複数の送出口を有している。複数の送出口は、例えば第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂの軸方向（Ｚ方向）において所定の間隔をおいて配置されている。
【００２４】
なお、第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂは、上記のような送出口に限らず、例えば管ＴＢの軸方向（Ｚ方向）と略平行に延びる線状の送出口を有していてもよく、管ＴＢの軸方向に対して蛇行するように配置された複数の送出口を有していてもよい。
【００２５】
本実施形態に係る基板処理装置では、図２Ａおよび図２Ｂに示すように、外部送入機構Ａおよび外部送入機構Ｂから第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂへ空気が送入され、第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂの送出口から空気が処理槽ＴＫ内に送出されることによって、処理槽ＴＫ内の研磨液ＬＱが撹拌される。
【００２６】
すなわち、本実施形態に係る基板処理装置では、まず図２Ａに示すように、外部送入機構Ａから第１管ＴＢａに圧縮空気が送り込まれる。第１管ＴＢａに送り込まれた空気は、第１管ＴＢａの表面に開けられた送出口から噴出し、気泡ＢＢＬとなって処理液ＬＱの中を上昇して行く。
【００２７】
次に、図２Ｂに示すように、外部送入機構Ｂにつながれた第１管ＴＢａに圧縮空気が送り込まれる。第２管ＴＢｂに送り込まれた圧縮空気は、第２管ＴＢｂの表面に開けられた送出口から噴出し、気泡ＢＢＬとなって液体の中を上昇して行く。
【００２８】
このように、液体や空気の噴出する分布を空間的または時間的に変更可能とすることによって、処理槽ＴＫ内の処理液ＬＱの流れを変えることができる。すなわち、Ｘ方向において第１管ＴＢａと第２管ＴＢｂとを交互に配置し、かつ、第１管ＴＢａから空気が噴出される第１期間と、第２管ＴＢｂから空気が噴出される第２期間とを設定することによって、処理槽ＴＫ内の処理液ＬＱの流れを変えることができ、処理槽ＴＫ内で被処理基板１を揺動させるのと同じ効果が得られる。
【００２９】
上記のように、本実施形態に係る基板処理装置では、被処理基板１を揺動させる必要がないため、処理装置を大掛かりにすることなくより多くの被処理基板１を処理するとともに、面内均一性および基板間均一性を向上させることができる。
【００３０】
すなわち、本実施形態に係る基板処理装置によれば、基板面内や基板間の厚さのバラツキを低減することができるとともに、製品性能や製造歩留を向上させる基板処理装置を提供することができる。
【００３１】
なお、被処置基板１が均一な厚さとなるとは、例えば、被処理基板１の、又は、第１基板１０１Ｍと第２基板１０２Ｍとのそれぞれの、最も厚い部分と、最も薄い部分とでの厚さ（Ｚ方向の幅）の差が所定の値以下となる場合である。本実施形態に係る基板処理装置では、被処理基板１の、最も厚い部分と、最も薄い部分とでの厚さ（Ｚ方向の幅）の差は略１．５μｍ以下である。
【００３２】
次に、本発明の第２実施形態に係る基板処理装置について図面を参照して説明する。なお、以下の説明において上述の第１実施形態に係る基板処理装置と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００３３】
本実施形態に係る基板処理装置は、上述の第１実施形態に係る基板処理装置と同様に、被処理体としての液晶表示装置の透明絶縁性基板を液体や気体での洗浄、成膜、エッチング（研磨）等する際に用いられる基板処理装置である。
【００３４】
本実施形態に係る基板処理装置において、処理槽ＴＫの内部に液体や空気を送り出す機構は、処理槽ＴＫ内に液体または気体を送出する送出機構と、送出機構からの液体または気体の送出の開始と停止とを行う送入機構とを備えている。
【００３５】
図３Ａおよび図３Ｂに示すように、送出機構は処理槽ＴＫの底部近傍に配置されている。本実施形態に係る基板処理装置では、送出機構は、被処理基板１の処理面と略直交する方向（Ｚ方向）に延びて配置された複数の第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂと、処理槽ＴＫの外部から第１管ＴＢａに液体または気体を送入する外部送入機構Ａと、第２管ＴＢｂに液体または気体を送入する外部送入機構Ｂとを有している。
【００３６】
第１管ＴＢａと第２管ＴＢｂとは、その軸方向が底面（ＸＺ平面と略平行な面）と略平行であって、互いに軸方向が略平行となるように、Ｘ軸方向と略直交する方向（Ｘ方向）に並んで配置されている。
【００３７】
複数の第１管ＴＢａは、Ｘ方向において、処理槽ＴＫの中央部に配置されている。第２管ＴＢｂは、Ｘ方向において、処理増ＴＫの端部に配置されている。第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂは、液体又は気体が送出される複数の送出口を有している。複数の送出口は、例えば第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂの軸方向（Ｚ方向）において所定の間隔をおいて配置されている。
【００３８】
本実施形態に係る基板処理装置では、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、外部送入機構Ａおよび外部送入機構Ｂから第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂへ空気が送入され、第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂの送出口から空気が処理槽ＴＫ内に送出されることによって、処理槽ＴＫ内の研磨液ＬＱが撹拌される。
【００３９】
すなわち、本実施形態に係る基板処理装置では、図３Ａに示すように、まず、第１管ＴＢａに外部送入機構Ａから圧縮空気が送り込まれる。第１管ＴＢａに送り込まれた圧縮空気は、第１管ＴＢａの表面に開けられた送出口から噴出し、気泡ＢＢＬとなって液体の中を上昇して行く。
【００４０】
次に、図３Ｂに示すように、第２管ＴＢｂに外部送入機構Ｂから圧縮空気が送り込まれる。第２管ＴＢｂに送り込まれた圧縮空気は、第２管ＴＢｂの表面に開けられた送出口から噴出し、気泡ＢＢＬとなって液体の中を上昇して行く。
【００４１】
このように、液体や空気の噴出する分布を空間的または時間的に変更可能とすることによって、処理槽ＴＫ内の処理液ＬＱの流れを変えることができる。Ｘ方向において、第１管ＴＢａを処理槽ＴＫの中央部に配置し、第２管ＴＢｂを処理槽ＴＫの端部に配置し、かつ、第１管ＴＢａから空気が噴出される第１期間と、第２管ＴＢｂから空気が噴出される第２期間とを交互に繰り返すことにより、処理槽ＴＫ内の処理液ＬＱの流れを変えることができ、処理槽ＴＫ内で被処理基板１を揺動させるのと同じ効果が得られる。
【００４２】
上記のように、本実施形態に係る基板処理装置では、被処理基板１を揺動させる必要がないため、処理装置を大掛かりにすることなくより多くの被処理基板１を処理するとともに、面内均一性および基板間均一性を向上させることができる。
【００４３】
すなわち、本実施形態に係る基板処理装置によれば、上述の第１実施形態にかかる基板処理装置と同様に、基板面内や基板間の厚さのバラツキを低減することができるとともに、製品性能や製造歩留を向上させる基板処理装置を提供することができる。
【００４４】
次に、本発明の第３実施形態に係る基板処理装置について図面を参照して説明する。本実施形態に係る基板処理装置は、上述の第１実施形態に係る基板処理装置と同様に、被処理体としての液晶表示装置の透明絶縁性基板を液体や気体での洗浄、成膜、エッチング（研磨）等する際に用いられる基板処理装置である。
【００４５】
本実施形態に係る基板処理装置において、処理槽ＴＫの内部に液体や空気を送り出す機構は、処理槽ＴＫ内に液体または気体を送出する送出機構と、送出機構からの液体または気体の送出の開始と停止とを行う送入機構とを備えている。
【００４６】
図４Ａおよび図４Ｃに示すように、送出機構は処理槽ＴＫの底部に配置されている。本実施形態に係る基板処理装置では、送出機構は、被処理基板１の処理面と略直交する方向（Ｚ方向）に延びて配置された複数の第１管ＴＢａ、第２管ＴＢｂ、および第３管ＴＢｃを有している。
【００４７】
さらに、送出機構は、処理槽ＴＫの外部から第１管ＴＢａに液体または気体を送入する外部送入機構Ａと、第２管ＴＢｂに液体または気体を送入する外部送入機構Ｂと、第３管ＴＢｃに液体または気体を送入する外部送入機構Ｃとを有している。
【００４８】
第１管ＴＢａ、第２管ＴＢｂ、および第３管ＴＢｃは、その軸方向が底面（ＸＺ平面と略平行な面）と略平行であって、互いに軸方向が略平行となるように、Ｘ軸方向と略直交する方向（Ｘ方向）に並んで配置されている。
【００４９】
複数の第１管ＴＢａは、Ｘ方向において、処理槽ＴＫの中央部に配置されている。第２管ＴＢｂは、Ｘ方向において、処理増ＴＫの一方の端部に配置されている。第３管ＴＢｃは、Ｘ方向において、処理槽ＴＫの他方の端部に配置されている。
【００５０】
第１管ＴＢａ、第２管ＴＢｂ、および第３管ＴＢｃは、液体又は気体が送出される複数の送出口を有している。複数の送出口は、例えば第１管ＴＢａ、第２管ＴＢｂ、および第３管ＴＢｃの軸方向（Ｚ方向）において所定の間隔をおいて配置されている。
【００５１】
本実施形態に係る基板処理装置では、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、外部送入機構Ａ、外部送入機構Ｂ、および外部送入機構Ｃから、第１管ＴＢａ、第２管ＴＢｂおよび第３管ＴＢｃへ空気が送入され、第１管ＴＢａ、第２管ＴＢｂおよび第３管ＴＢｃの送出口から空気が処理槽ＴＫ内に送出されることによって、処理槽ＴＫ内の研磨液ＬＱが撹拌される。
【００５２】
すなわち、本実施形態に係る基板処理装置では、例えば、まず、図４Ａに示すように、外部送入機構Ａと外部送入機構Ｂとにつながれた第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂに圧縮空気が送り込まれる。第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂに送り込まれた圧縮空気は、第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂの表面に開けられた送出口から噴出し、気泡ＢＢＬとなって処理液ＬＱの中を上昇して行く。このとき、処理槽ＴＫ内で気泡ＢＢＬが存在する範囲は、処理槽ＴＫ内で図４Ａの左側に偏っている。
【００５３】
次に、図４Ｂに示すように、外部送入機構Ａと外部送入機構Ｃとにつながれた第１管ＴＢａおよび第３管ＴＢｃに圧縮空気が送り込まれる。第１管ＴＢａおよび第３管ＴＢｃに送り込まれた空気は、第１管ＴＢａおよび第３管ＴＢｃの表面に開けられた送出口から噴出し、気泡ＢＢＬとなって処理液ＬＱの中を上昇して行く。このとき、処理槽ＴＫ内で気泡ＢＢＬが存在する範囲は、処理槽ＴＫで図４Ｂの右側に偏っている。
【００５４】
このように、液体や空気の噴出する分布を空間的または時間的に変更可能とすることによって、処理槽ＴＫ内の処理液ＬＱの流れを変えることができる。すなわち、Ｘ方向において、第１管ＴＢａを処理槽ＴＫの中央部に配置し、第２管ＴＢｂを一方の端部に配置し、第３管ＹＢｃを処理槽ＴＫの他方の端部に配置し、かつ、第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂから空気が噴出される第１期間と、第１管ＴＢａおよび第３管ＴＢｃから空気が噴出される第２期間とを交互に繰り返すことにより、処理槽ＴＫ内の処理液ＬＱの流れを変えることができ、処理槽ＴＫ内で被処理基板１を揺動させるのと同じ効果が得られる。
【００５５】
上記のように、本実施形態に係る基板処理装置では、被処理基板１を揺動させる必要がないため、処理装置を大掛かりにすることなくより多くの被処理基板１処理するとともに、主に基板の中央部と端部とにおける処理の進行の差を軽減して面内均一性および基板間均一性を向上させることができる。
【００５６】
すなわち、本実施形態に係る基板処理装置によれば、上述の第１実施形態にかかる基板処理装置と同様に、基板面内や基板間の厚さのバラツキを低減することができるとともに、製品性能や製造歩留を向上させる基板処理装置を提供することができる。
【００５７】
次に、本発明の第４実施形態に係る基板処理装置について、図面を参照して説明する。本実施形態に係る基板処理装置は、上述の第１実施形態に係る基板処理装置と同様に、被処理体としての液晶表示装置の透明絶縁性基板を液体や気体での洗浄、成膜、エッチング（研磨）等する際に用いられる基板処理装置である。
【００５８】
本実施形態に係る基板処理装置において、処理槽ＴＫの内部に液体や空気を送り出す機構は、処理槽ＴＫ内に液体または気体を送出する送出機構と、送出機構からの液体または気体の送出の開始と停止とを行う送入機構とを備えている。
【００５９】
図５Ａおよび図５Ｂに示すように、送出機構は処理槽ＴＫの底部および側面近傍に配置されている。本実施形態に係る基板処理装置では、送出機構は、被処理基板１の処理面と略直交する方向（Ｚ方向）に延びて配置された複数の第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂと、処理槽ＴＫの外部から第１管ＴＢａに液体または気体を送入する外部送入機構Ａと、第２管ＴＢｂに液体または気体を送入する外部送入機構Ｂとを有している。
【００６０】
図５Ａおよび図５Ｂに示すように、複数の第１管ＴＢａは、処理槽ＴＫの底部近傍においてＸ方向に並ぶように配置されている。すなわち、第１管ＴＢａは、その軸方向が底面（ＸＺ平面と略平行な面）と略平行であって、互いに軸方向が略平行となるように、軸方向と略直交する方向（Ｘ方向）に並んで配置されている。
【００６１】
複数の第２管ＴＢｂは、処理増ＴＫの側面近傍においてＹ方向に並ぶように配置されている。すなわち、第２管ＴＢｂは、その軸方向が側面と略平行であって、互いに軸方向が略平行となるように、軸方向と略直交する方向（Ｙ方向）に並んで配置されている。なお、本実施形態に係る基板処理装置では、複数の第２管ＴＢｂは、被処理基板１の処理面と略直交する処理槽ＴＫの側面近傍に配置されている。
【００６２】
第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂは、液体又は気体が送出される複数の送出口を有している。複数の送出口は、例えば第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂの軸方向（Ｚ方向）において所定の間隔をおいて配置されている。
【００６３】
本実施形態に係る基板処理装置では、図５Ａおよび図５Ｂに示すように、外部送入機構Ａおよび外部送入機構Ｂから第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂへ圧縮空気が送入され、第１管ＴＢａおよび第２管ＴＢｂの送出口から空気が処理槽ＴＫ内に送出されることによって、処理槽ＴＫ内の研磨液ＬＱが撹拌される。
【００６４】
すなわち、本実施形態に係る基板処理装置では、まず、図５Ａに示すように、外部送入機構Ａにつながれた第１管ＴＢａに圧縮空気が送り込まれる。第１管ＴＢａに送り込まれた圧縮空気は、第１管ＴＢａの表面に開けられた送出口から噴出し、気泡ＢＢＬとなって処理液ＬＱの中を上昇して行く。
【００６５】
次に、図５Ｂに示すように、外部送出機構Ｂにつながれた第２管ＴＢｂに圧縮空気が送り込まれる。第２管ＴＢｂに送り込まれた圧縮空気は、第２管ＴＢｂの表面に開けられた送出口から噴出し、気泡ＢＢＬとなって処理液ＬＱの中を上昇して行く。すなわち、図５Ａに示す場合では処理槽ＴＫの底面近傍からＹ方向に空気が噴出され、図５Ｂに示す場合では処理槽ＴＫの側面近傍からＸ方向に空気が噴出される。
【００６６】
このように、液体や空気の噴出する分布を空間的または時間的に変更可能とすることによって、処理槽ＴＫ内の処理液ＬＱの流れを変えることができる。Ｘ方向において、第１管ＴＢａを処理槽ＴＫの中央部に配置し、第２管ＴＢｂを端部に配置し、かつ、第１管ＴＢａから空気が噴出される第１期間と、第２管ＴＢｂから空気が噴出される第２期間とを交互に繰り返すことにより、処理槽ＴＫ内の処理液ＬＱの流れを変えることができ、処理槽ＴＫ内で被処理基板１を揺動させるのと同じ効果が得られる。
【００６７】
上記のように、本実施形態に係る基板処理装置では、被処理基板１を揺動させる必要がないため、処理装置を大掛かりにすることなくより多くの被処理基板１処理するとともに、面内均一性および基板間均一性を向上させることができる。
【００６８】
すなわち、本実施形態に係る基板処理装置によれば、上述の第１実施形態にかかる基板処理装置と同様に、基板面内や基板間の厚さのバラツキを低減することができるとともに、製品性能や製造歩留を向上させる基板処理装置を提供することができる。
【００６９】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。以上の実施例では、液体による処理を行う基板処理装置での例を示したが、処理に用いられるのは気体であってもよい。その場合、処理槽の代わりに密閉性のある箱を用いてもかまわない。
【００７０】
また、管から噴出するものは気体とは限らず液体や液体と気体の混合でも良い。管から噴出される気体は空気である必要はなく、例えば窒素ガスなどでもよい。管から噴出される液体は、例えば洗剤の入った洗浄液や酸性またはアルカリ性のエッチング液などでも良い。
【００７１】
さらに、空間的または時間的な液体や空気の噴出する分布は上記実施例だけには限らない。例えば、図２Ａよび図２Ｂに示す場合では、１本の第１管ＴＢａと１本の第２管ＴＢｂとをＸ方向において交互に配置していたが、２本以上の第１管ＴＢａと２本以上の第２管ＴＢｂとをＸ方向において交互に配置してもよい。さらに、例えば１本の第１管ＴＢａと複数本の第２管ＴＢｂとをＸ方向において交互に配置してもよい。
【００７２】
また、例えば第１実施形態、第２実施形態および第４実施形態では、第１管ＴＢａから空気が噴出される第１期間と、第２管ＴＢｂから空気が噴出される第２期間とを交互に設ける場合について説明したが、さらに、第１期間と第２期間との一部を重複させて、第１管ＴＢａと第２管ＴＢｂとの両方から空気が噴出される期間を設けてもよい。
【００７３】
第３実施形態に係る基板処理装置についても同様に、第１管ＴＢａ、第２管ＴＢｂ、および第３管ＴＢｃの全てから空気が噴出される期間を設けてもよい。また、第１管ＴＢａ、第２管ＴＢｂ、および第３管ＴＢｃのいずれかからのみ空気が噴出される期間を設けてもよい。
【００７４】
また、第４実施形態に係る基板処理装置では、第１管ＴＢａと第２管ＴＢｂとは、互いに軸方向が略平行となるように配置されていたが、第１管ＴＢａと第２管ＴＢｂとは軸方向が略直交するように配置されていてもよい。
【００７５】
また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置で処理する被処理基板の構成の一例を概略的に示す図。
【図２Ａ】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の一構成例を説明するための図。
【図２Ｂ】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の一構成例を説明するための図。
【図２Ｃ】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の一構成例を説明するための図。
【図３Ａ】本発明の第２実施形態に係る基板処理装置の一構成例を説明するための図。
【図３Ｂ】本発明の第２実施形態に係る基板処理装置の一構成例を説明するための図。
【図４Ａ】本発明の第３実施形態に係る基板処理装置の一構成例を説明するための図。
【図４Ｂ】本発明の第３実施形態に係る基板処理装置の一構成例を説明するための図。
【図５Ａ】整流板を用いないで被処理基板を研磨処理した場合に、基板の厚さを測定した結果の一例を示す図。
【図５Ｂ】整流板を用いないで被処理基板を研磨処理した場合に、基板の厚さを測定した結果の一例を示す図。
【符号の説明】
【００７７】
ＴＫ…処理槽、ＴＢａ…第１管（第１送出機構）、ＴＢｂ…第２管（第２送出機構）、Ａ…第１送入機構、Ｂ…第２送入機構、１…被処理基板（被処理体）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体または気体が送入される槽と、
前記槽内に液体または気体を送り出す機構と、を備え、前記槽内に被処理体を配置して処理を行う基板処理装置であって、
前記機構は、前記槽内に液体または気体を送出する第１送出手段および第２送出手段と、前記第１送出手段からの液体または気体の送出の開始と停止とを行う第１送入手段と、前記第２送出手段からの液体または気体の送出の開始と停止とを行う第２送入手段と、を備えた基板処理装置。
【請求項２】
前記第１送出手段は、液体または気体が送出される複数の送出口が設けられた第１管を有し、
前記第２送出手段は、液体または気体が送出される複数の送出口が設けられた第２管を有し、
前記第１管と前記第２管とは、前記槽の底部近傍において、互いの軸方向が略平行となるように、前記軸方向と略直交する方向に交互に並んで配置された請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１送出機構は液体または気体が送出される第１送出口が配置された複数の第１管を備え、
前記第２送出機構は液体または気体が送出される第２送出口が配置された複数の第２管を備え、
前記第１管と前記第２管とは、前記槽の底部近傍において互いの軸方向が略平行となるように、前記軸方向と略直交する方向に並んで配置され、
前記第１管は、前記第１管の軸方向と略直交する方向における前記槽の中央部に配置され、
前記第２管は、前記第２管の軸方向と略直交する方向における前記槽の端部に配置された請求項１記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第１送出機構は液体または気体が送出される第１送出口が配置された複数の第１管を備え、
前記第２送出機構は液体または気体が送出される第２送出口が配置された複数の第２管を備え、
前記第１管は、前記槽の底部近傍において互いの軸方向が略平行となるように、前記軸方向と略直交する方向に並んで配置され、
前記第２管は、前記槽の側面近傍において互いの軸方向が略平行となるように、前記軸方向と略直交する方向に並んで配置された請求項１記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第１送入手段は第１期間において前記第１送出手段から液体または気体を送出させるように構成され、前記第２送入手段は前記第１期間と異なる第２期間において前記第２送出手段から液体または気体を送出させるように構成された請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記機構は、前記槽内に液体または気体を送出する第３送出手段と、前記第３送出手段からの液体または気体の送出の開始と停止とを行う第３送入手段と、をさらに備え、
前記第１送出手段は、液体または気体が送出される複数の送出口が設けられた第１管を有し、
前記第２送出手段は、液体または気体が送出される複数の送出口が設けられた第２管を有し、
前記第３送出手段は、液体または気体が送出される複数の送出口が設けられた第３管を有し、
前記第１管、前記第２管および前記第３管は、前記槽の底部近傍において、互いの軸方向が略平行となるように、前記軸方向と略直交する方向に並んで配置され、
前記第１管は、前記第１管の軸方向と略直交する方向における前記槽の中央部に配置され、
前記第２管は、前記第２管の軸方向と略直交する方向における前記槽の一方の端部に配置され、
前記第３管は、前記第３管の軸方向と略直交する方向における前記槽の他方の端部に配置された請求項１記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第１送入手段は第１期間と前記第１期間と異なる第２期間とにおいて前記第１送出手段から液体または気体を送出させるように構成され、前記第２送入手段は前記第１期間において前記第２送出手段から液体または気体を送出させるように構成され、前記第３送入手段は前記第２期間において前記第３送出手段から液体または気体を送出させるように構成された請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記被処理基板は、マトリクス状に配置された複数の第１電極を含む第１領域を有する第１基板と、
前記第１基板と対向して配置され、前記複数の第１電極と対向するように配置された第２電極を含む第２領域を有する第２基板と、を備えた請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の基板処理装置。
【請求項１】
液体または気体が送入される槽と、
前記槽内に液体または気体を送り出す機構と、を備え、前記槽内に被処理体を配置して処理を行う基板処理装置であって、
前記機構は、前記槽内に液体または気体を送出する第１送出手段および第２送出手段と、前記第１送出手段からの液体または気体の送出の開始と停止とを行う第１送入手段と、前記第２送出手段からの液体または気体の送出の開始と停止とを行う第２送入手段と、を備えた基板処理装置。
【請求項２】
前記第１送出手段は、液体または気体が送出される複数の送出口が設けられた第１管を有し、
前記第２送出手段は、液体または気体が送出される複数の送出口が設けられた第２管を有し、
前記第１管と前記第２管とは、前記槽の底部近傍において、互いの軸方向が略平行となるように、前記軸方向と略直交する方向に交互に並んで配置された請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１送出機構は液体または気体が送出される第１送出口が配置された複数の第１管を備え、
前記第２送出機構は液体または気体が送出される第２送出口が配置された複数の第２管を備え、
前記第１管と前記第２管とは、前記槽の底部近傍において互いの軸方向が略平行となるように、前記軸方向と略直交する方向に並んで配置され、
前記第１管は、前記第１管の軸方向と略直交する方向における前記槽の中央部に配置され、
前記第２管は、前記第２管の軸方向と略直交する方向における前記槽の端部に配置された請求項１記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第１送出機構は液体または気体が送出される第１送出口が配置された複数の第１管を備え、
前記第２送出機構は液体または気体が送出される第２送出口が配置された複数の第２管を備え、
前記第１管は、前記槽の底部近傍において互いの軸方向が略平行となるように、前記軸方向と略直交する方向に並んで配置され、
前記第２管は、前記槽の側面近傍において互いの軸方向が略平行となるように、前記軸方向と略直交する方向に並んで配置された請求項１記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第１送入手段は第１期間において前記第１送出手段から液体または気体を送出させるように構成され、前記第２送入手段は前記第１期間と異なる第２期間において前記第２送出手段から液体または気体を送出させるように構成された請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記機構は、前記槽内に液体または気体を送出する第３送出手段と、前記第３送出手段からの液体または気体の送出の開始と停止とを行う第３送入手段と、をさらに備え、
前記第１送出手段は、液体または気体が送出される複数の送出口が設けられた第１管を有し、
前記第２送出手段は、液体または気体が送出される複数の送出口が設けられた第２管を有し、
前記第３送出手段は、液体または気体が送出される複数の送出口が設けられた第３管を有し、
前記第１管、前記第２管および前記第３管は、前記槽の底部近傍において、互いの軸方向が略平行となるように、前記軸方向と略直交する方向に並んで配置され、
前記第１管は、前記第１管の軸方向と略直交する方向における前記槽の中央部に配置され、
前記第２管は、前記第２管の軸方向と略直交する方向における前記槽の一方の端部に配置され、
前記第３管は、前記第３管の軸方向と略直交する方向における前記槽の他方の端部に配置された請求項１記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第１送入手段は第１期間と前記第１期間と異なる第２期間とにおいて前記第１送出手段から液体または気体を送出させるように構成され、前記第２送入手段は前記第１期間において前記第２送出手段から液体または気体を送出させるように構成され、前記第３送入手段は前記第２期間において前記第３送出手段から液体または気体を送出させるように構成された請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記被処理基板は、マトリクス状に配置された複数の第１電極を含む第１領域を有する第１基板と、
前記第１基板と対向して配置され、前記複数の第１電極と対向するように配置された第２電極を含む第２領域を有する第２基板と、を備えた請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の基板処理装置。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【公開番号】特開２０１０−４０７５９（Ｐ２０１０−４０７５９Ａ）
【公開日】平成２２年２月１８日（２０１０．２．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２０１９５７（Ｐ２００８−２０１９５７）
【出願日】平成２０年８月５日（２００８．８．５）
【出願人】（３０２０２０２０７）東芝モバイルディスプレイ株式会社 (2,170)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年２月１８日（２０１０．２．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年８月５日（２００８．８．５）
【出願人】（３０２０２０２０７）東芝モバイルディスプレイ株式会社 (2,170)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]