【課題】半導体ウェーハの製造方法及び装置並びに半導体ウェーハに関し、枚葉エッチングを利用し、これに使用するエッチング液の反復利用を促進しながら、ウェーハのエッジ部のロールオフの発生を抑制することができるようにする。
【解決手段】ウェーハを回転させながら該ウェーハの表面にエッチング液を噴射してエッチングを行なう枚葉エッチング工程を備え、枚葉エッチング工程には、エッチング開始から所定期間だけウェーハの外周部のエッチング開始後初期における反応を抑制する条件下でウェーハの表面にエッチングを行なう第１エッチング工程と、第１エッチング工程の後、ウェーハの半径方向に対して予め設定した厚み分布となるようにウェーハの表面にエッチングを行なう第２エッチング工程と、を有するようにする。 （もっと読む）

【課題】 集積回路素子を製造するための基板が曲がることを減少させる。
【解決手段】 基板のディッピング又はケミカルのフローによって基板の一部分が曲がる場合、基板の一部分が曲がるように基板の一部分に印加される力と逆方向に力が作用するように基板の一部分に収容されたケミカル又は基板の一部分にフローされるケミカルをバスの外部にフローさせる。 （もっと読む）

【課題】溶液中の金属を高感度に分析する手段の提供。
【解決手段】溶液中の金属濃度を分析する方法。分析対象の金属と錯体を形成し得るキレート剤を含む溶液（分析対象の金属が含まれている場合、前記キレート剤の少なくとも一部は前記金属と錯体を形成する）を、前記錯体を捕獲し得る充填剤を含むカラムに通液する工程、前記カラムに金属分離用溶液を通液する工程、および、前記カラムを通過した金属分離用溶液中の分析対象の金属濃度を測定する工程を含む。または、分析対象の金属と錯体を形成し得るキレート剤および前記錯体を捕獲し得る充填剤を含むカラムに溶液を通液する工程、前記カラムに金属分離用溶液を通液する工程、および、前記カラムを通過した金属分離用溶液中の分析対象の金属濃度を測定する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】ラスタースキャン方式によりガラス基板等の被加工物の表面をエッチャントにより加工する際、加工ヘッドの副走査のピッチに合わせて大きなうねりが発生した。
【解決手段】加工ヘッド２のノズルをガラス基板の表面に液状のエッチャントを連続的に供給する供給口４４と、供給口４４のを取り囲む多数の排出孔４５により構成し、供給口４４から供給されたエッチャントを多数の排出孔４５より吸引して排出し、多数の排出孔４５の内側に流動するエッチャントにより形成されるエッチング領域により、ガラス基板の表面をラスタースキャン方式によりエッチング加工するための加工ヘッドであって、前記エッチング領域を、供給口４４を中心とする円周内に形成された第１のエッチング領域５３と、副走査方向の前後部にそれぞれ第１のエッチング領域５３から張り出した第２のエッチング領域５４とにより構成した。 （もっと読む）

【課題】膜厚を考慮して部分液交換を行うことにより、処理レートを一定の範囲に保持することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部２５は、カウンタ３７で計数された基板Ｗの枚数のうち、厚膜のものに相当する基板Ｗの枚数が通常ライフカウントに達したことに基づき、部分液交換を実施しながら基板Ｗを処理させる。つまり、燐酸溶液の劣化度合いが大きな厚膜のものに相当する基板Ｗの処理枚数を基準にして部分液交換を実施するので、燐酸溶液のエッチングレートを一定の範囲に保持することができる。 （もっと読む）

【課題】エッチング不良のロットを精度よく発見できると同時に、後続のエッチング不良のロットの発生を抑制する。
【解決手段】本実施形態のウエハ処理１００においては、ロット毎に、燐酸１０のエッチングレートが高い状態を維持するための純水の供給および停止を繰り返すサイクル数を所定時間内で算出し、そのサイクル数が予め設定した回数の範囲外である場合に、そのことを報知するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】基板の主面上でのエッチング液の滞留を防止または抑制して、基板の主面に対して良好なエッチング処理を施すことができる基板処理装置を提供する。基板の主面上でのエッチング液の滞留を防止または抑制することができる基板支持部材を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板支持部材３と、ウエハＷおよび基板支持部材３を回転させるスピンチャック４とを備える。基板支持部材３の上面には、円筒状の収容凹所１３および平坦な第１円環状面１２が形成されている。第１円環状面１２は、収容凹所１３内に保持されたウエハＷの上面に、第１円環状面１２上のフッ硝酸とウエハＷの上面上のフッ硝酸とが連続した液膜を形成するように接近して配置されている。第１円環状面１２には、サンドブラスト加工（親液化処理）が施されている。 （もっと読む）

【課題】 エッチング面に凹状部が形成された半導体ウエーハでも均一にエッチングでき、リング状補強部を過度にエッチングすることのないスピンエッチング方法を提供することである。
【解決手段】 表面に複数のデバイスが形成され裏面が研削された半導体ウエーハの該裏面をエッチングするスピンエッチング方法であって、前記半導体ウエーハの前記裏面を下向きに保持し、該半導体ウエーハを回転させながら、半導体ウエーハの下方に配設されたエッチング液供給ノズルからエッチング液を該半導体ウエーハの裏面へ供給する、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の主面の周縁部におけるエッチング液の滞留を防止または抑制して、基板の主面に対して均一なエッチング処理を施すことができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷの周縁部上の処理位置に刷毛部材７が配置される。カーボンファイバにより形成された弾性線状体１６が、ウエハＷ上のフッ硝酸の液膜に接触する。可撓性を有する弾性線状体１６は、フッ硝酸の液膜に接触すると、その先端部がウエハＷの回転半径方向外方側に向く湾曲線状に弾性変形する。弾性変形後の弾性線状体１６が、そのフッ硝酸をウエハＷ外に向けて案内する。 （もっと読む）

【課題】基板の主面に対して均一なエッチング処理を施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、スピンチャック４に保持されたウエハＷの上面にフッ硝酸を供給するためのフッ硝酸ノズル５と、スピンチャック４に保持されたウエハＷ上面の周縁部に向けてＤＩＷを供給するためのＤＩＷノズル７とを備えている。エッチング処理時には、フッ硝酸ノズル５からフッ硝酸が吐出されつつ、フッ硝酸ノズル５が往復移動される。フッ硝酸ノズル５からのフッ硝酸の吐出と同時に、ウエハＷ上面の周縁部に、フッ硝酸を希釈するためのＤＩＷが吐出される。 （もっと読む）

【課題】回転させた基板に処理液を供給して所定の処理を行い、しかも、基板から外方へ飛散する処理液を受け止める飛散防止部材を設けた基板処理装置および該装置の制御方法において、装置の異常を確実に検出する。
【解決手段】飛散防止部材を昇降させる一対のサーボモータ１１９のそれぞれにかかる負荷トルクを検出するトルク検出部５１２２を設ける。両サーボモータ１１９のいずれかにかかる負荷トルクが極端に小さいとき、および、両サーボモータ１１９の負荷トルク差が大きいとき、同期制御装置５１１は装置に異常があるものと判定してモータの駆動を停止する。 （もっと読む）

【課題】混合槽で生成される処理液の混合比率を一定に保つ。
【解決手段】まず排出弁２３，２４，２５を開弁し、供給弁２６〜３１を閉弁して、原料液体Ａ，Ｂ，Ｃを排出弁２３，２４，２５から外部に排出する。その後、ＬＦＣ２０，２１，２２が検出する原料液体Ａ，Ｂ，Ｃの流量が全て所定の流量に達した後に、排出弁２３，２４，２５を閉弁し、供給弁１７，２９，３１を開弁して、供給弁１７，２９，３１を通して原料液体Ａ，Ｂ，Ｃを第２の混合槽３に供給する。 （もっと読む）

【課題】処理液供給ユニット１３内の処理液の減少に起因する基板処理装置の強制停止の頻度を減少させて、処理液を有効に使い、歩留まりの良好な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板に液処理を施す複数の液処理ユニット１２と、複数の液処理ユニット１２に対する基板の搬入・搬出を行う基板搬送手段と、複数の液処理ユニット１２へ処理液を供給する処理液供給ユニット１３と、前記処理液供給ユニット１３の処理液貯留槽１６内の処理液の残量を検出するレベルゲージ１６１を備えて、レベルゲージ１６１が検出する処理液貯留槽１６内の処理液の残量が所定量を下回る場合に、液処理ユニット１２への基板の搬入を停止する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に対する処理を均一に行うことができるとともに処理液がウエハに再付着したりウエハの端縁付近の気流が乱されたりすることを抑制することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】支持部２０により支持される被処理基板Ｗを、略垂直方向に延びる軸を中心として回転させる。支持部２０上にある被処理基板Ｗの上面に向かってガスを下方に噴射するとともにこの被処理基板Ｗの上方領域からガスを上方に吸引することによって支持部２０上にある被処理基板Ｗを当該支持部２０に向かって押圧する。被処理基板Ｗを回転させ、この被処理基板Ｗを支持部２０に向かって押圧させながら、被処理基板Ｗにエッチング液や洗浄液等の処理液を供給する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に対する処理を均一に行うことができるとともに処理液がウエハに再付着したりウエハの端縁付近の気流が乱されたりすることを抑制することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】支持部２０により支持される被処理基板Ｗを、略垂直方向に延びる軸を中心として回転させる。支持部２０上にある被処理基板Ｗの上面に向かってガスを下方に噴射するとともにこの被処理基板Ｗの上方領域からガスを上方に吸引することによって支持部２０上にある被処理基板Ｗを当該支持部２０に向かって押圧する。被処理基板Ｗを回転させ、この被処理基板Ｗを支持部２０に向かって押圧させながら、被処理基板Ｗの下面に対して下方からエッチング液や洗浄液等の処理液を供給する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面のデバイス形成領域に処理液による悪影響を与えることなく、基板の周縁部から汚染を良好に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】ブラシ１１に関連して、処理液を吸引するための吸引ノズル７０が設けられている。吸引ノズル７０の先端部は、第１接触面３２と第２接触面３３との境界部分３４に対向する先端面７２と、第１接触面３２および第２接触面３３と当接する当接面７３とを有している。先端面７２には、吸引口７４が形成されている。吸引ノズル７０に接続された吸引管７６は、処理室２の外部へ延びており、その先端は、真空発生装置６０に接続されている。真空発生装置６０が駆動されると、ブラシ１１の内部に含まれる処理液は吸引口７４に吸引され、ブラシ１１の内部に吸引口７４に向かう処理液の流れが形成される。 （もっと読む）

【課題】液ナイフから基板上に不要な処理液が滴下するのを防止し、これによって基板の品質向上を図る。
【解決手段】基板処理装置１は、搬送中の基板Ｓの上面に、その搬送方向上流側から下流側に向かって斜め方向にリンス液を吐出する液ナイフ１６を備える。液ナイフ１６の下方には、当該液ナイフ１６から滴下するリンス液を捕液する液受け部材３２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の側端面から、加工硬化層や無数のマイクロクラックを除去する基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】処理部４０は、主として本体部４０１と、送給部５と、回収部６とを備える。本体部４０１には、ガラス基板９０が遊挿されたときに、当該ガラス基板９０の側端面と端縁の表裏面を覆うことが可能な開口部４０３が設けられている。また、開口部４０３の内部には、供給口４０４および排出口４０５が設けられている。送給部５は、薬液送給部５０、純水送給部５１および熱風送給部５２を備えており、供給口４０４を介して開口部４３に連通接続される。また回収部６は、使用済薬液収容部６０、純水廃棄部６１および排気部６２を備えており、排出口を介して開口部４０３に連通接続される。 （もっと読む）

【課題】ウエーハの上面に形成された絶縁膜やメタル膜の多層配線のエッジ部分を同時に効率よくエッチングし、成分や配合の異なるエッチング液を再利用できるようにしたウエーハエッジのエッチング方法及び装置を提供する。
【解決手段】ウエーハ１の周囲に複数のエッチングユニット６を配置する。このエッチングユニット６内に設けられたエッチングローラー１０には、各エッチングユニット６ごとにエッチングしようとする絶縁膜やメタル膜に最適のエッチング液が供給される。ウエーハの上下にはリングブロー２０，２１が設けられ、ホットエアーをウエーハの半径方向の環状に噴き出し、エッチング液のガスをエッチングユニット内に吹き戻すと共にウエーハを加温している。エッチングユニットの中心軸８部分の排気口から上記エッチング液はエッチング液ごとに回収され、再利用することができる。 （もっと読む）

【課題】この発明はナノバブルよりも大径な気泡を含んでいない処理液を供給することができる処理液の製造装置を提供することにある。
【解決手段】ナノバブルだけを含む処理液を作る処理液の製造装置であって、
上記処理液に微細気泡を発生させるナノバブル発生器５と、ナノバブル発生器によって微細化された気泡を含む処理液を貯える貯液槽１と、貯液槽に貯えられた処理液に含まれる微細化された気泡のうち、ナノバブルよりも大きな気泡を分離除去する分離籠２及び遠心分離器２３とを具備する。 （もっと読む）