【課題】基板の表面の全域に、処理液を用いた処理を均一に施すことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】下プレート部４に保持されたウエハＷに対して、上プレート２の基板上対向面１９を対向させる。基板上対向面１９には、ウエハＷの中心に対向する位置に頂点を有する円錐状の凹部１８が形成されている。
ウエハＷの上面と上プレート２の基板上対向面１９とで挟まれた上処理空間４１に処理液が供給されて、上処理空間４１が処理液により液密状態にされる。上処理空間４１が、ウエハＷの中心から周縁部に向かうにつれて徐々に狭くなっているので、ウエハＷの上面の全域において、処理液の速度がほぼ等しい。 （もっと読む）

【課題】処理精度及び処理能力を著しく向上させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ウェーハＷを回転させながら保持する基板保持機構とウェーハＷの周縁部の一部が挿入される溝を有する処理ヘッド７とを備えており、処理ヘッド７は、一対の第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂと第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂの一端を連結する連結部８Ｃとからなり、第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂと連結部８Ｃとで囲まれた部分が溝（Ｓ）を形成し、第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂの他端間がウェーハＷの周縁部の一部が挿入される開口９Ａを形成し、さらに、供給口１０Ａ及び吸引口１１Ａを設けて、溝内にウェーハＷの周縁部を挿入して処理する基板処理装置１において、処理ヘッド７は、処理液供給装置１５Ａに連結した供給口１０ＡをウェーハＷの周縁部が侵入する侵入側に設け、吸引装置１５Ｂに連結した吸引口１１ＡをウェーハＷの周縁部が脱出する脱出側に設けた。 （もっと読む）

【課題】処理精度及び処理能力を著しく向上できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】被処理基板を回転させながら保持する基板保持機構と、基板保持機構に保持された被処理基板の周縁部の一部が挿入される溝を有する処理ヘッドと、を備え、溝内に被処理基板の周縁部を挿入して処理する基板処理装置において、処理ヘッドは、所定の隙間をあけて対向する一対の第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂと該第１、第２鍔辺部の一端を連結する奥壁部８Ｃと処理液を供給する処理液供給手段に連結された第１、第２供給口１３Ａ、１４Ａと減圧吸引手段に連結された吸引口１１Ａとを備え、第１供給口及び吸引口は溝内に設けられ、第２供給口は第１、第２鍔辺部の少なくとも一方の鍔辺の開口９Ａ近傍に設けられている。 （もっと読む）

【課題】リン酸水溶液のエッチング特性を長時間一定に維持することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】浸漬処理槽１０に貯留されているリン酸水溶液中には添加剤投入機構３０からヘキサフルオロケイ酸水溶液（Ｈ₂ＳｉＦ₆＋Ｈ₂Ｏ）を含む添加剤が逐次投入される。また、リン酸水溶液中にはトラップ剤投入機構４０からホウフッ化水素酸水溶液（ＨＢＦ₄＋Ｈ₂Ｏ）を含むトラップ剤が投入される。添加剤の逐次投入によってシリコン窒化膜のエッチングを促進するＦ^-を適宜補充するとともに、その逐次投入によって増加したシロキサンをホウフッ化水素酸が分解したフッ酸によってエッチングすることにより、シロキサン濃度の著しい上昇を抑制する。これにより、シリコン窒化膜およびシリコン酸化膜の双方について初期のエッチングレートを維持することができる。 （もっと読む）

【課題】処理槽の内部において硫酸と過酸化水素とを効率よく混合させ、処理槽の内部にＣａｒｏ酸を多量かつ均一に生成することにより、基板の表面から有機膜を良好に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、内槽１１の内部に硫酸成分を含む液体を吐出する吐出管３６ａ，３６ｂと、吐出管３６ａ，３６ｂから吐出される液体に向けて過酸化水素水を吐出する吐出管５５ａ，５５ｂとを備えている。このため、硫酸と過酸化水素水とを効率よく混合させることができ、それにより、処理槽１０の内部においてＣａｒｏ酸を多量かつ均一に生成することができる。したがって、基板Ｗの主面からフォトレジスト膜を良好に剥離することができる。 （もっと読む）

【課題】 作製時における第２導電型の半導体部の削れの発生を低減することで、優れた変換効率を示す光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 球状の第１導電型の結晶半導体粒子に対して、凸部の先端が曲面状に形成された凹凸構造を前記結晶半導体粒子の表面に形成し、次に、前記結晶半導体粒子を導電性基板の一主面に押圧して接合し、次に、前記結晶半導体粒子の上部が露出するように、前記導電性基板の一主面の前記結晶半導体粒子間に絶縁層を形成し、次に、前記結晶半導体粒子の上部及び前記絶縁層上に透光性導電層を形成して光電変換装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】基板の主面の全域に対し、均一にエッチング処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ウエハＷの上面におけるフッ硝酸の着液点Ｐ１は、アーム支持軸を中心とする円弧形状（ほぼ直線状）のスキャン経路Ｓ１に沿って移動する。スキャン経路Ｓ１は、ウエハＷの回転中心Ｃを通る円弧形状の軌道のうち、ウエハＷの回転中心Ｃから微小間隔Ｌ１だけ隔てた近接位置Ｓ１１と、この近接位置Ｓ１１よりもウエハＷの回転半径方向に設けられ、ウエハＷの回転中心Ｃから間隔Ｌ２だけ隔てた離隔位置Ｓ１２との間を結ぶ線分とみなせる。フッ硝酸の着液点Ｐ１は、近接位置Ｓ１１と、離隔位置Ｓ１２との間で往復移動する。フッ硝酸は、ウエハＷの上面の回転中心Ｃおよび周縁領域には直接供給されない。 （もっと読む）

【課題】内面の断面形状が略楕円形に形成された処理液供給ノズルを、簡単かつ安価に製造することができる処理液供給ノズルの製造方法を提供すること。
【解決手段】加熱ステップでは、チューブ２０の端部２１が加熱され（図Ａ参照。）、チューブ２０の端部２１が軟化する。挿入ステップでは、軟化したチューブ２０の端部２１の内部に、整形用治具２２が挿入される（図Ｂ参照。）。整形用治具２２の挿入により、チューブ２０の端部２１が、整形用治具２２の挿入により、チューブ２０のうち整形部２７の両側の側辺側辺２７Ａ，２７Ｂと当接する部分は拡げられ、それ以外の部分がチューブ２０の弾性力により狭められる。冷却ステップでは、チューブ２０の端部２１にスプレー状の冷却剤が吹き付けられて（図Ｃ参照。）、チューブ２０の端部２１が急冷される。 （もっと読む）

【課題】 ガラス基板エッチング方法及びその装置を開示する。
【解決手段】 ガラス基板エッチング方法が開示される。まず、エッチング領域と洗浄領域を含むベースに収容されたエッチング液にガラス基板を沈積して、前記ガラス基板をエッチングする。前記ガラス基板を前記ベースの洗浄領域へ移送し、前記エッチング領域と前記洗浄領域を分離する。前記洗浄領域のエッチング液を排出する。前記ガラス基板に洗浄液を加える。従って、ガラス基板エッチング工程の効率を改善し、ガラス基板の品質低下を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】酸素濃度の低減処理を効率的に行うことにより、スループットを向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部６７は、基板Ｗに対して処理液による処理を行わせた後、窒素ガスを供給させるとともに、排気ポンプ２８ｂを操作して排気を行わせてチャンバ２７内の酸素濃度を低減させ、所定時間が経過した時点で排気及び不活性ガスの供給を停止させ、溶剤ノズル３３から溶剤蒸気を供給させてチャンバ２７内を溶剤雰囲気にさせた後に乾燥処理を行わせる。窒素ガスでの酸素の追い出しだけでなく、排気ポンプ２８ｂでの気体の排出を併用するので、チャンバ２７内の酸素濃度を急速に低減させることができる。したがって、基板Ｗを乾燥位置へ引き上げるまでの時間を短縮することができ、スループットを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】被加工物に生じるゆがみの影響で加工ヘッドとガラス基板間におけるエッチャント流路が不安定になり液ダレ、液引き等を発生させる。
【解決手段】加工ヘッド２によりエッチャントを垂直姿勢に保持した被加工物３の表面に供給し吸引することで、加工ヘッド２と被加工物３との隙間に一定面積のエッチング領域をなすエッチャントの流路を形成し、加工ヘッド２と被加工物３とを相対的に走査して被加工物３の表面を加工する際、加工ヘッド２と被加工物３との相対走査時に、加工ヘッド表面と被加工物表面との間の距離を計測しながら加工ヘッド表面と被加工物表面との隙間を前記エッチャント流路が安定形成される所定範囲内を維持すべく被加工物表面に対して加工ヘッド２の向きを変更する。 （もっと読む）

【課題】処理槽の気液界面にパーティクルを滞留させることなく、半導体ウェハの洗浄やエッチングなどをクリーンな状態で行うことができるウェット処理装置を提供する。
【解決手段】本発明のウェット処理装置１は、処理液を貯留して、ウェハＷを処理液に浸漬させながら保持することができる処理槽２と、処理槽２の第１の側壁３側に吐出口４ａを備えた処理液供給機構４と、第１の側壁３と対面している第２の側壁５に排出口６とを備え、吐出口４ａから処理液を吐出した後、排出口６からその処理液を排出できることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部の所定範囲を精度良く良好に処理できるようにすること。
【解決手段】本発明では、基板（ウエハＷ）の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う基板処理装置(1)において、基板(W)の周縁部を処理するための周縁処理装置(4)と、周縁処理装置(4)に対して相対的に回転する基板(W)を保持するための基板保持装置(2)とを有し、周縁処理装置(4)は、基板(W)の周縁部に処理液を供給する処理液供給部(9)と、基板(W)の周縁部にリンス液を供給するリンス液供給部(10)と、基板(W)の周縁部に乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給部(12)と、基板(W)に向けてガスを噴出するガス噴出部(11)とを有し、回転方向に沿って上流側から順に処理液供給部(9)、リンス液供給部(10)、乾燥ガス供給部(11)を配置するとともに、これら処理液供給部(9)・リンス液供給部(10)・乾燥ガス供給部(11)よりも基板(W)の周縁部に対して内側にガス噴出部(12)を隣設した。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部の所定範囲を精度良く良好に処理できるようにすること。
【解決手段】本発明では、基板（ウエハＷ）の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う基板処理装置(1)において、基板(W)の周縁部を処理するための周縁処理装置(4)と、周縁処理装置(4)に対して相対的に回転する基板(W)を保持するための基板保持装置(3)とを有し、周縁処理装置(4)は、基板(W)の周縁部に処理液を供給する処理液供給部(9)と、基板(W)に向けてガスを噴出するガス噴出部(10)とを有し、ガス噴出部(10)を処理液供給部(9)よりも基板(W)の周縁部に対して内側に隣設した。そして、基板(W)を周縁処理装置(4)に対して相対的に回転させ、処理液供給部(9)から基板(W)の周縁部に処理液を供給するとともに、処理液供給部(9)よりも基板(W)の内側に隣設したガス噴出部(10)から基板(W)に向けてガスを噴出して、基板(W)の周縁部の処理を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】 基板表面に形成される被膜のうち、基板の端縁部表面の端縁部被膜に処理液を吐出して、端縁部被膜を除去するときに、ピンホール発生頻度を低減することができるとともに、被膜除去性が充分に発揮できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 端縁部被膜１６に向けて処理液の吐出を開始する処理液吐出初期工程および処理液の吐出を停止する処理液吐出終期工程において、処理液供給管６内を流れる処理液をバイパス配管１０に分岐して流して、処理液吐出ノズル５から吐出する処理液吐出流量が小さくなるように設定し、ピンホール発生頻度を低減する。また処理液吐出中期工程において、処理液吐出流量が大きくなるように設定し、端縁部被膜１６を完全に除去する。 （もっと読む）

【課題】キャニスター内の薬液の残量を測定し、残量が基準値以下になれば、バッファー側での低速真空吸入を行うことで、キャニスター内の薬液残量を低減して材料費を節減するケミカル供給装置を提供する。
【解決手段】薬液が充填されるキャニスター、前記キャニスター内に充填された薬液を受けて半導体装備側に送り出すための放出バルブが下部に設置され、前記薬液に含まれた気泡を外部に放出させるための気泡排出バルブが上部に備えられるバッファー、前記キャニスター内の薬液残量を測定するための残量測定手段、及び前記残量測定手段による測定結果、キャニスター内の薬液残量が基準値以下であるとき、バッファー内の薬液収容空間を収縮及び膨脹させて、キャニスター内の薬液を吸入するようになった体積可変手段、を含む。 （もっと読む）

【課題】ノズル部材に付着した処理液が基板上に滴下するのを防止する。
【解決手段】基板処理装置１は、搬送中の基板Ｓの上面に、その搬送方向上流側から下流側に向かって斜め方向にリンス液を吐出する液ナイフ１６と、この液ナイフ１６に向けてエアを噴射するエアノズル３２を有する気体噴射手段とを有する。そして、コントローラ４０による制御に基づき、液ナイフ１６の下方に基板Ｓが存在しないときに、前記エアノズル３２から液ナイフ１６に対してエアが吹き付けられるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】ウェハ表面の導電性膜の通電不良による加工残りを無くし、ウェハ全面に安定して電流を供給して導電性膜を除去し、既に加工された導電性膜の腐食を防止する。
【解決手段】ウェハＷの外周部に複数のウェハチャック４１〜４６を着脱可能に取り付け、各ウェハチャック４１〜４６に電解加工時にウェハＷと接触する給電電極を設ける。加工ヘッド３はアーム６によりウェハＷの半径方向に移動可能に保持し、加工ヘッド３をウェハＷの中心から外周部に向かって移動させながら、常に均等な電気を供給してウェハＷ表面の導電性膜Ｍを除去する。又、既に電解加工が終了した部分から、導電性膜を保護する表面保護用の酸化防止剤５３を塗布する。 （もっと読む）

【課題】薬液の消費量を最小限に抑えつつ基板の表面周縁部および裏面から不要物を良好にエッチング除去することができる基板処理装置および方法を提供する。
【解決手段】スピンベース１５から所定距離だけ上方に離間させた状態で基板Ｗを略水平姿勢で支持する。基板Ｗの上方に対向部材５が対向位置に配置された状態で、複数のガス吐出口５０２およびガス供給路５７から基板表面Ｗｆと対向部材５の下面５０１との間の空間ＳＰに窒素ガスが供給され、基板Ｗが支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６に押圧される。第１ノズル３を供給位置Ｐ３１に位置決めして第１ノズル３から塩酸を回転する基板Ｗの表面周縁部ＴＲに供給するとともに、第２ノズル４を供給位置Ｐ４１に位置決めして第２ノズル４から硝酸を基板Ｗの表面周縁部ＴＲに供給することにより、基板表面Ｗｆで塩酸と硝酸が反応してエッチング液が生成される。 （もっと読む）

【課題】エッチング特性の面内分布やエッチング液の組成変化を考慮した、制御性の高いウエットエッチング方法を提供する。
【解決手段】ウェハを裏面からエッチングして厚みを減じるウエットエッチング方法が、エッチング処理するウェハのエッチング前厚みを測定する工程と、エッチング前厚みと、データベースに記憶させたエッチング前の許容厚みとを比較して、エッチング前厚みが許容範囲内にあるか否かを判断する工程と、エッチング前厚みが許容範囲内にある場合に、データベースに記憶させたエッチング条件より、ウェハのエッチング条件を選択する工程と、エッチング条件に従って、ウェハにエッチング液を供給してエッチングする工程と、エッチング後に、ウェハのエッチング後厚みを測定する工程と、エッチング後厚みと、データベースに記憶させたエッチング後の許容厚みとを比較して、エッチング後厚みが許容範囲内にあるか否かを判断する工程とを含む。 （もっと読む）