ウェット処理装置及びウェット処理方法
【課題】処理槽の気液界面にパーティクルを滞留させることなく、半導体ウェハの洗浄やエッチングなどをクリーンな状態で行うことができるウェット処理装置を提供する。
【解決手段】本発明のウェット処理装置１は、処理液を貯留して、ウェハＷを処理液に浸漬させながら保持することができる処理槽２と、処理槽２の第１の側壁３側に吐出口４ａを備えた処理液供給機構４と、第１の側壁３と対面している第２の側壁５に排出口６とを備え、吐出口４ａから処理液を吐出した後、排出口６からその処理液を排出できることを特徴とする。
【解決手段】本発明のウェット処理装置１は、処理液を貯留して、ウェハＷを処理液に浸漬させながら保持することができる処理槽２と、処理槽２の第１の側壁３側に吐出口４ａを備えた処理液供給機構４と、第１の側壁３と対面している第２の側壁５に排出口６とを備え、吐出口４ａから処理液を吐出した後、排出口６からその処理液を排出できることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェット処理装置に関するものであり、詳しくは、パーティクルの再付着を防ぎながら、半導体デバイスの洗浄やエッチングなどをクリーンな状態で行うことができるウェット処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体ウェハを洗浄するプロセスでは、大容量槽を用いたバッチ処理が行われる。
バッチ式洗浄槽の一例構造として、図６の（ａ）に示すように、ウェハを洗浄、リンス処理する処理槽２Ｃに、薬液あるいは純水を導入する配管１２が接続されており、処理槽２Ｃの底面あるいは側面には、配管１２と連結している処理液供給機構１４を備え、処理槽２Ｃの下部あるいは横方向から所定の流量、流速をもって処理液供給機構１４の吐出口１４ａから処理液を噴出し、上部の開口部８からオーバーフローをさせて廃液、あるいは配管１２を外槽９の底部と連結し、配管１２に設けられた循環ポンプ１０及びフィルタ１１を介して処理液を循環させる方式である。
ウェハＷを洗浄処理する際、洗浄用の薬液、水の流れは処理槽２Ｃ下部、あるいは横から上部の方向へ向かい、図６の（ｂ）に示すように、気液界面に達した液がオーバーフローにより槽外に排出されるが、ウェハＷから発生したパーティクルＤは、槽内の液流にのって槽上部の気液界面まで運ばれるものの、図６の（ｃ）に示すように、気液界面で滞留しやすく外に排出されにくい。
図６の（ｄ）に示すように、洗浄後のウェハＷを引き上げ、次のウェハＷを入れる際、この気液界面を通過させて出し入れするため、気液界面にとどまったパーティクルＤはウェハＷがそこを通過する際、再度ウェハＷにパーティクルＤが付着してしまい、このままウェハを半導体製造工程に供すると、欠陥を引き起こすことが多かった。
【０００３】
従来は、この気液界面のパーティクルＤ排出のために、薬液、水のオーバーフロー量を増加させたり、図７の（ａ）に示すように、処理槽２Ｄの開口部８Ａに切欠８ａを入れてオーバーフローする薬液が効率よく排出しやすくさせたウェット処理装置１Ｄや、図７の（ｂ）に示すように、処理槽２Ｅの中でウェハＷを揺動させることで排出効果を高めたウェット処理装置１Ｅなどの工夫がされたりしたが、実際の効果は低かった。
バッチ式処理槽の液流を制御しようとする試みとして、以下の特許文献１には、洗浄槽内にウェハを収納するキャリアを設け、キャリアの底部に設けたスノコ穴から洗浄液を供給し、キャリアの上方や洗浄層の側壁の穴から洗浄液を排出する洗浄装置が記載されている。
また、以下の特許文献２には、図７の（ｃ）に示すように、処理槽２Ｆの側面及び底面に、吐出口１５ａを設けた処理液供給機構１５を備え、処理槽２Ｆの底部１６から処理液を供給しながら、吐出口１５ａから供給する処理液で槽内に乱流をおこすことで、オーバーフローしやすくする工夫がなされたウェット処理装置１Ｆが記載されている。
また、以下の特許文献３には、貯留している洗浄液の液面の上方と液面下にシャワーノズルを設け、ウェハの上方から洗浄液を供給し、洗浄槽の底部に設けた吸い込み口から排出することで、洗浄液の流れを制御する洗浄装置が記載されている。
【特許文献１】特開平２−４４７２７号公報
【特許文献２】特開平６−５３２０５号公報
【特許文献３】特開２０００−１７３９６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記の方法を用いた従来装置では、依然としてパーティクルが効率的に排出されていないため、気液界面に滞留するパーティクルがやはりウェハを槽から引き上げる時に再付着してしまう。そのため、このパーティクル再付着が原因となる不良、歩留まり低下が発生してしまうという課題が存在していた。
特許文献１に記載の浄装置では、洗浄液の流れが下から上であるため、従来と同様に気液界面にパーティクルが滞留する。
特許文献２に記載のウェット処理装置では、吐出をいろいろな方向から行っているが、あくまでも液は重力によるオーバーフローで排出されることからその効果が十分ではなく、かつ気液界面方向への排出になるため、滞留するパーティクルは多く発生してしまう。
特許文献３に記載の洗浄装置では、洗浄液の流れは上から下であるが、軽いパーティクルは洗浄槽下部まで沈みにくい。
【０００５】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、処理槽の気液界面にパーティクルを滞留させることなく、半導体ウェハの洗浄やエッチングなどをクリーンな状態で行うことができるウェット処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明のウェット処理装置は、処理液を貯留して、ウェハを前記処理液に浸漬させながら保持することができる処理槽と、前記処理槽の上部に前記ウェハを出し入れする開口部と、前記処理槽の第１の側壁側に吐出口を備えた処理液供給機構とを備え、前記吐出口から吐出された前記処理液を排出する排出口を、前記第１の側壁と対面している第２の側壁側に設け、前記吐出口と前記排出口が横向きに対面していることを特徴とする。
【０００７】
また、本発明のウェット処理装置は、前記開口部からオーバーフローする処理液を貯留する外層を、前記開口部周縁を囲むように設け、貯留された前記処理液を循環させるポンプと前記処理液を濾過するフィルタとを備えた配管を、前記外槽の底部と前記処理液供給機構に連結させたこととした。
【０００８】
また、本発明のウェット処理装置は、前記排出口に、前記処理液を強制的に排出する排出ポンプが連結されていることとした。
【０００９】
また、本発明のウェット処理装置は、前記第１の側壁と前記第２の側壁に、前記吐出口の上方に同じ高さで補助吐出口を設け、前記補助吐出口の吐出方向が前記開口部の気液界面方向であることとした。
【００１０】
また、本発明のウェット処理装置は、前記開口部を、前記処理液の横向きの液流と垂直方向に前記ウェハを出し入れできる位置に設けたこととした。
【００１１】
また、本発明のウェット処理装置は、前記吐出口から前記排出口に流れる横向きの液流の水圧が、前記パーティクルの浮力よりも強いこととした。
【００１２】
本発明のウェット処理方法は、処理槽内に処理液に貯留し、前記処理槽の第１の側壁側に設けた処理液供給機構の吐出口から、前記処理液を吐出した後、前記第１の側壁と対面している第２の側壁に設けた排出口からその処理液を排出して、前記処理液に横向きの液流をつくり、前記処理槽の上部に設けた開口部からウェハを入れて前記処理液に浸漬させながら前記処理槽内に保持し、前記ウェハに付着しているパーティクルを前記液流によって除去し、前記開口部における気液界面方向に前記パーティクルを滞留させずにウェット処理を行うことを特徴とする。
【００１３】
また、本発明のウェット処理方法は、前記処理槽の開口部からオーバーフローした処理液を、前記開口部周縁を囲むように設けた外槽に貯留した後、フィルタとポンプを備えた配管を通して循環させ、前記処理液に含まれた前記パーティクルを前記フィルタで除去した後、前記外槽の底部と連結した前記吐出口から吐出することとした。
【００１４】
また、本発明のウェット処理方法は、前記排出口に連結された排出ポンプによって、前記処理液を強制的に排出しながらウェット処理を行なうこととした。
【００１５】
また、本発明のウェット処理方法は、ウェット処理終了時、前記ウェハを前記処理槽から引き上げる直前において、前記第１の側壁と前記第２の側壁に、前記吐出口の上方に同じ高さで設けた補助吐出口から、吐出方向を前記開口部の気液界面方向として処理液を吐出することとした。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のウェット処理装置よれば、処理液を貯留して、ウェハを前記処理液に浸漬させながら保持することができる処理槽と、前記処理槽の上部に前記ウェハを出し入れする開口部と、前記処理槽の第１の側壁側に吐出口を備えた処理液供給機構とを備え、前記吐出口から吐出された前記処理液を排出する排出口を、前記第１の側壁と対面している第２の側壁側に設け、前記吐出口と前記排出口が横向きに対面していることで、処理液の液流が水平方向となり、処理液よりも比重の軽いパーティクルが浮力により気液界面方向に上昇することを、液流の水圧によって防ぐことができる。
【００１７】
また、前記開口部からオーバーフローする処理液を貯留する外層を、前記開口部周縁を囲むように設け、貯留された前記処理液を循環させるポンプと前記処理液を濾過するフィルタとを備えた配管を、前記外槽の底部と前記処理液供給機構に連結させたことで、一度ウェット処理に用いた処理液も、フィルタでパーティクルを取り除きながら、ポンプによって循環させて再利用できるため効率が良い。
【００１８】
また、前記排出口に、前記処理液を強制的に排出する排出ポンプが連結されていることで、液流を強制的に制御することができ、パーティクルの上昇をより防ぎながら、乱流を低減させ、ウェットエッチングや、リンス効果の面内均一性を向上がはかれる。
【００１９】
また、前記第１の側壁と前記第２の側壁に、前記吐出口の上方に同じ高さで補助吐出口を設け、前記補助吐出口の吐出方向が前記開口部の気液界面方向であることで、ウェハを処理槽から引き上げる直前において、補助吐出口から吐出される処理液が、気液界面のわずかなパーティクルを強制的にオーバーフローさせるので、パーティクルの再付着を防ぐ効果が高まる。
【００２０】
また、前記開口部は、前記処理液の横向きの液流と垂直方向に前記ウェハを出し入れできる位置に設けたことで、処理液によって除去されたパーティクルの流れる方向と垂直であるため、ウェハ引き上げ時にパーティクルが再付着しにくくなる。
【００２１】
また、前記吐出口から前記排出口に流れる横向きの液流の水圧が、前記パーティクルの浮力よりも強いことで、パーティクルが処理液中を上昇しないため、気液界面にパーティクルが滞留させることがなく、ウェハ引き上げ時もパーティクルを引っ掛けることなく液外に出すことができる。
【００２２】
本発明のウェット処理方法によれば、処理槽内に処理液に貯留し、前記処理槽の第１の側壁側に設けた処理液供給機構の吐出口から、前記処理液を吐出した後、前記第１の側壁と対面している第２の側壁に設けた排出口からその処理液を排出して、前記処理液に横向きの液流をつくり、前記処理槽の上部に設けた開口部からウェハを入れて前記処理液に浸漬させながら前記処理槽内に保持し、前記ウェハに付着しているパーティクルを前記液流によって除去し、前記開口部における気液界面方向に前記パーティクルを滞留させずにウェット処理を行うことで、ウェット処理後のウェハを引き上げる時に通る気液界面にパーティクルが滞留する状況を作らないため、ウェハ引き上げ時もパーティクルを引っ掛けることなく液外に出すことができる。
【００２３】
また、前記処理槽の開口部からオーバーフローした処理液を、前記開口部周縁を囲むように設けた外槽に貯留した後、フィルタとポンプを備えた配管を通して循環させ、前記処理液に含まれたパーティクルを前記フィルタで除去した後、前記外槽の底部と連結した前記吐出口から吐出することで、一度ウェット処理に用いた処理液もパーティクルを取り除きながら循環させて再利用できるため効率が良い。
【００２４】
また、前記排出口に連結された排出ポンプによって、前記処理液を強制的に排出しながらウェット処理を行なうことで、処理液の液流を強制的に制御しながらウェット処理することができ、乱流を低減させ、ウェットエッチングや、リンス効果の面内均一性の向上がはかれる。
【００２５】
また、ウェット処理終了時、前記ウェハを前記処理槽から引き上げる直前において、前記第１の側壁と前記第２の側壁に、前記吐出口の上方に同じ高さで設けた補助吐出口から、吐出方向を前記開口部の気液界面方向として処理液を吐出することで、補助吐出口から吐出される処理液が、気液界面のわずかなパーティクルを強制的にオーバーフローさせるので、パーティクルの再付着を防ぐ効果が高まる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施形態例について図面を参照して説明するが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。
第１の実施形態として、図１および図２に示すように、ウェット処理装置１は、処理液を貯留して、ウェハＷを処理液に浸漬させながら、ウェハＷの面を向かい合わせて横に並列に保持することができる処理槽２を備え、ウェハＷと直交する方向の処理槽２の第１の側壁３には、複数本からなる円筒型パイプ形状の処理液供給機構４を縦に並列に備え、処理液供給機構４はそれぞれ複数個の吐出口４ａを備え、吐出口４ａは処理液がウェハＷの面に平行かつ水平に流れるように設定され、第１の側壁３と対面している第２の側壁５の中央に排出口６を１つ備えている。
【００２７】
処理液供給機構４の形状は、設置が容易で体積をできるだけとらないような形状が好ましく、例えば真円筒型のパイプ形状などにすればよいが、特に限定はない。
処理液供給機構４の配置方法も、供給される処理液の液流が均一となるように配置されていればよく、横に並列などに配置してもよい。また、第１の側壁３に埋め込まれていてもよいし、配管１２において処理液供給機構４を連結している部分を内層２の外部に配置してもよく、特に限定はない。
吐出口４ａの形状や配置も特に限定はないが、吐出される処理液の液流が均一となるように複数個を等間隔に配置すると好ましく、例えば５０枚のウェハＷを処理する場合、各ウェハＷ間に１個ずつ４９個の穴を配置し、両外側に２個加え、合わせて５１個からなる吐出口４ａを設ければよい。
排出口６は、第２の側壁５に吐出口４ａと対面するように設けてあればよい。
【００２８】
さらに、処理槽２の開口部８周縁を囲むように外槽９を設け、循環ポンプ１０とフィルタ１１とを備えた配管１２は外槽９の底部と吐出口４ａとを連結し、処理槽２の開口部８からオーバーフローした処理液を外槽９に貯留した後、配管１２を通して処理液を循環させ、再び吐出口４ａから吐出する。
処理液は、ウェット処理に応じて薬液や水などを用いることができ、水の場合はオーバーフローした液をそのまま開口部８から排液してもよいが、薬液の場合は外槽９で回収して配管１２を通し、フィルタ１１でパーティクルＤを除去しながら、循環ポンプ１０によって循環させて再利用すると経済的であり、好ましい。
【００２９】
また、排出口６には処理槽２の外にある排出ポンプ７が連結され、吐出口４ａから処理液を吐出して排出ポンプ７で吸引しながら排出口６を介してその処理液を強制的に排出することで、処理槽２内において処理液を水平方向に流すことができる。そして、液流を強制的に制御することによって、乱流を低減させ、ウェットエッチングや、リンス効果の面内均一性の向上がはかれる。
【００３０】
第２の実施形態として、図３に示すウェット処理装置１Ａでは、処理槽２Ａの第１の側壁３と第２の側壁５に、処理液供給機構４の上方に同じ高さで第２の処理液供給機構１３を設け、第２の処理液供給機構１３には補助吐出口１３ａを上向きに設け、補助吐出口１３ａから気液界面方向に処理液を吐出させることで、気液界面のわずかなパーティクルＤを強制的にオーバーフローさせることができ、パーティクルＤの再付着を防ぐ効果が高まる。
また、第２の処理液供給機構１３には、さらに下向吐出口１３ｂを設け、下方に設けた処理液供給機構４の吐出口４ａは上向きに設定し、それぞれウェハＷの方向に処理液を吐出することで、ウェット処理効果を高めることができる。その他の構造は、第１の実施形態と同じである。
【００３１】
また、第３の実施形態として、図４に示すウェット処理装置１Ｂでは、処理槽２Ｂの第２の側壁５に、排出口６を縦方向に複数個設けることで、排出効果が高まる。その他の構造は、第１の実施形態と同じである。
【００３２】
次に、本発明のウェット処理装置を用いたウェット処理方法について説明する。ウェット処理としては、例えば、半導体のウェハの洗浄、ウェットエッチングなどの用途に用いることができる。
まず、図５の（ａ）に示すように、ウェハＷが浸漬される前に、吐出口４ａから処理液を吐出させて水平に流した後、排出口６から強制的に処理液を排出することで、処理槽２内の液流を発生させる。このとき、吐出と吸引を同時に行うか、吸引を先に開始し、吐出を後から開始する。吸引を先に行うことで、パーティクルＤが開口部８の気液界面へ排出されることを防ぐ。
続いて、図５の（ｂ）に示すように、ウェハＷを浸漬してウェット処理を行なう。ウェット処理時は、液流を水平に保った状態で保持するが、このときウェハＷから発生したパーティクルＤは液流に運ばれるため、図５の（ｃ）に示すように、ウェハＷ上部の気液界面に漂うことなく排出口６から排出される。
最後に、図５の（ｄ）に示すように、ウェハＷのウェット処理終了時に、ウェハＷを処理液から搬出する。このとき、パーティクルＤが気液界面に滞留していないことで、ウェハＷの引き上げ時にウェハＷへのパーティクルＤの再付着を防ぐことができる。
【００３３】
以上説明したように、本発明のウェット処理装置１、１Ａ、１Ｂを用いることで、パーティクルＤを気液界面に出さず、滞留することを防ぐ。これによりウェハＷを出し入れする気液界面にパーティクルが滞留する状況を作らないため、ウェハＷ引き上げ時も、パーティクルＤを引っ掛けることなく液外に出すことができる。
また、開口部８からオーバーフローした処理液を外槽９に貯留した後、配管１２を通して循環させ、吐出口４ａから吐出することで、一度ウェット処理に用いた処理液も、フィルタ１１でパーティクルＤを取り除きながら、循環ポンプ１０によって循環させて再利用することができる。
【実施例】
【００３４】
本発明の実施例について詳しく説明するが、本発明は以下の実施例に限定されない。
図１および図２に示されるようなウェット処理装置１を用いて、以下の条件で５０枚のウェハＷの洗浄を行なった。処理液供給機構４（パイプ）は３本で、真円筒型のパイプ形状であり、各々等間隔に５１個の吐出口４ａが設けられている。
【００３５】
図５の（ａ）に示すように、ウェハＷが浸漬される前に、吐出口４ａから洗浄液を吐出させて水平に流した後、排出口６から強制的に洗浄液を排出し、処理槽２内の液流を発生させた。このとき、吸引を先に開始し、吐出を後から開始した。
続いて、図５の（ｂ）に示すように、ウェハＷを浸漬してウェハＷの洗浄を行った。洗浄時の液流は水平に保った状態で保持し、ウェハＷから発生したパーティクルＤは液流に運ばせ、図５の（ｃ）に示すように、ウェハＷ上部の気液界面に漂うことなく排出口６から排出した。
最後に、図５の（ｄ）に示すように、ウェハＷの洗浄終了時に、ウェハＷを洗浄液から引き上げ搬出した。５０枚のウェハＷで繰り返したが、パーティクルＤの付着は見られなかった。このとき、パーティクルＤが気液界面に滞留していないことで、ウェハＷの引き上げ時にウェハＷへのパーティクルＤの再付着を防ぐことができた。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明の活用例として、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等の半導体デバイスの洗浄やエッチングが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の第１の実施形態の係るウェット処理装置の透視図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るウェット処理装置の断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係るウェット処理装置の断面図である。
【図４】本発明の第３の実施形態に係るウェット処理装置の断面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係るウェット処理方法について説明するものであり、（ａ）は液流を発生させている状態を示す工程断面図、（ｂ）はウェハを浸漬させた状態を示す工程断面図、（ｃ）はパーティクルを排出口から排出している状態を示す工程断面図、（ｄ）はウェハを処理槽から引き上げる状態を示す工程断面図である。
【図６】従来例のウェット処理装置とウェット処理方法について説明するものであり、（ａ）は液流を発生させている状態を示す工程断面図、（ｂ）はウェハを浸漬させた状態を示す工程断面図、（ｃ）はパーティクルが気液界面に滞留している状態を示す工程断面図、（ｄ）はウェハを処理槽から引き上げる状態を示す工程断面図である。
【図７】従来のウェット処理装置とウェット処理方法における改良例を示すものであり、（ａ）は処理槽の開口部にきりかけを有する装置の斜視図であり、（ｂ）は処理液中でウェハを揺動する装置の断面図であり、（ｃ）は処理槽の側壁と底部に吐出口を有する装置の断面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１…ウェット処理装置、２…処理槽、３…第１の側壁、４…処理液供給機構、４ａ…吐出口、５…第２の側壁、６…排出口、７…排出ポンプ、８…開口部、９…外槽、１０…循環ポンプ、１１…フィルタ、１２…配管、１３…第２の処理液供給機構、１３ａ…補助吐出口、１３ｂ…下向吐出口。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェット処理装置に関するものであり、詳しくは、パーティクルの再付着を防ぎながら、半導体デバイスの洗浄やエッチングなどをクリーンな状態で行うことができるウェット処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体ウェハを洗浄するプロセスでは、大容量槽を用いたバッチ処理が行われる。
バッチ式洗浄槽の一例構造として、図６の（ａ）に示すように、ウェハを洗浄、リンス処理する処理槽２Ｃに、薬液あるいは純水を導入する配管１２が接続されており、処理槽２Ｃの底面あるいは側面には、配管１２と連結している処理液供給機構１４を備え、処理槽２Ｃの下部あるいは横方向から所定の流量、流速をもって処理液供給機構１４の吐出口１４ａから処理液を噴出し、上部の開口部８からオーバーフローをさせて廃液、あるいは配管１２を外槽９の底部と連結し、配管１２に設けられた循環ポンプ１０及びフィルタ１１を介して処理液を循環させる方式である。
ウェハＷを洗浄処理する際、洗浄用の薬液、水の流れは処理槽２Ｃ下部、あるいは横から上部の方向へ向かい、図６の（ｂ）に示すように、気液界面に達した液がオーバーフローにより槽外に排出されるが、ウェハＷから発生したパーティクルＤは、槽内の液流にのって槽上部の気液界面まで運ばれるものの、図６の（ｃ）に示すように、気液界面で滞留しやすく外に排出されにくい。
図６の（ｄ）に示すように、洗浄後のウェハＷを引き上げ、次のウェハＷを入れる際、この気液界面を通過させて出し入れするため、気液界面にとどまったパーティクルＤはウェハＷがそこを通過する際、再度ウェハＷにパーティクルＤが付着してしまい、このままウェハを半導体製造工程に供すると、欠陥を引き起こすことが多かった。
【０００３】
従来は、この気液界面のパーティクルＤ排出のために、薬液、水のオーバーフロー量を増加させたり、図７の（ａ）に示すように、処理槽２Ｄの開口部８Ａに切欠８ａを入れてオーバーフローする薬液が効率よく排出しやすくさせたウェット処理装置１Ｄや、図７の（ｂ）に示すように、処理槽２Ｅの中でウェハＷを揺動させることで排出効果を高めたウェット処理装置１Ｅなどの工夫がされたりしたが、実際の効果は低かった。
バッチ式処理槽の液流を制御しようとする試みとして、以下の特許文献１には、洗浄槽内にウェハを収納するキャリアを設け、キャリアの底部に設けたスノコ穴から洗浄液を供給し、キャリアの上方や洗浄層の側壁の穴から洗浄液を排出する洗浄装置が記載されている。
また、以下の特許文献２には、図７の（ｃ）に示すように、処理槽２Ｆの側面及び底面に、吐出口１５ａを設けた処理液供給機構１５を備え、処理槽２Ｆの底部１６から処理液を供給しながら、吐出口１５ａから供給する処理液で槽内に乱流をおこすことで、オーバーフローしやすくする工夫がなされたウェット処理装置１Ｆが記載されている。
また、以下の特許文献３には、貯留している洗浄液の液面の上方と液面下にシャワーノズルを設け、ウェハの上方から洗浄液を供給し、洗浄槽の底部に設けた吸い込み口から排出することで、洗浄液の流れを制御する洗浄装置が記載されている。
【特許文献１】特開平２−４４７２７号公報
【特許文献２】特開平６−５３２０５号公報
【特許文献３】特開２０００−１７３９６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記の方法を用いた従来装置では、依然としてパーティクルが効率的に排出されていないため、気液界面に滞留するパーティクルがやはりウェハを槽から引き上げる時に再付着してしまう。そのため、このパーティクル再付着が原因となる不良、歩留まり低下が発生してしまうという課題が存在していた。
特許文献１に記載の浄装置では、洗浄液の流れが下から上であるため、従来と同様に気液界面にパーティクルが滞留する。
特許文献２に記載のウェット処理装置では、吐出をいろいろな方向から行っているが、あくまでも液は重力によるオーバーフローで排出されることからその効果が十分ではなく、かつ気液界面方向への排出になるため、滞留するパーティクルは多く発生してしまう。
特許文献３に記載の洗浄装置では、洗浄液の流れは上から下であるが、軽いパーティクルは洗浄槽下部まで沈みにくい。
【０００５】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、処理槽の気液界面にパーティクルを滞留させることなく、半導体ウェハの洗浄やエッチングなどをクリーンな状態で行うことができるウェット処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明のウェット処理装置は、処理液を貯留して、ウェハを前記処理液に浸漬させながら保持することができる処理槽と、前記処理槽の上部に前記ウェハを出し入れする開口部と、前記処理槽の第１の側壁側に吐出口を備えた処理液供給機構とを備え、前記吐出口から吐出された前記処理液を排出する排出口を、前記第１の側壁と対面している第２の側壁側に設け、前記吐出口と前記排出口が横向きに対面していることを特徴とする。
【０００７】
また、本発明のウェット処理装置は、前記開口部からオーバーフローする処理液を貯留する外層を、前記開口部周縁を囲むように設け、貯留された前記処理液を循環させるポンプと前記処理液を濾過するフィルタとを備えた配管を、前記外槽の底部と前記処理液供給機構に連結させたこととした。
【０００８】
また、本発明のウェット処理装置は、前記排出口に、前記処理液を強制的に排出する排出ポンプが連結されていることとした。
【０００９】
また、本発明のウェット処理装置は、前記第１の側壁と前記第２の側壁に、前記吐出口の上方に同じ高さで補助吐出口を設け、前記補助吐出口の吐出方向が前記開口部の気液界面方向であることとした。
【００１０】
また、本発明のウェット処理装置は、前記開口部を、前記処理液の横向きの液流と垂直方向に前記ウェハを出し入れできる位置に設けたこととした。
【００１１】
また、本発明のウェット処理装置は、前記吐出口から前記排出口に流れる横向きの液流の水圧が、前記パーティクルの浮力よりも強いこととした。
【００１２】
本発明のウェット処理方法は、処理槽内に処理液に貯留し、前記処理槽の第１の側壁側に設けた処理液供給機構の吐出口から、前記処理液を吐出した後、前記第１の側壁と対面している第２の側壁に設けた排出口からその処理液を排出して、前記処理液に横向きの液流をつくり、前記処理槽の上部に設けた開口部からウェハを入れて前記処理液に浸漬させながら前記処理槽内に保持し、前記ウェハに付着しているパーティクルを前記液流によって除去し、前記開口部における気液界面方向に前記パーティクルを滞留させずにウェット処理を行うことを特徴とする。
【００１３】
また、本発明のウェット処理方法は、前記処理槽の開口部からオーバーフローした処理液を、前記開口部周縁を囲むように設けた外槽に貯留した後、フィルタとポンプを備えた配管を通して循環させ、前記処理液に含まれた前記パーティクルを前記フィルタで除去した後、前記外槽の底部と連結した前記吐出口から吐出することとした。
【００１４】
また、本発明のウェット処理方法は、前記排出口に連結された排出ポンプによって、前記処理液を強制的に排出しながらウェット処理を行なうこととした。
【００１５】
また、本発明のウェット処理方法は、ウェット処理終了時、前記ウェハを前記処理槽から引き上げる直前において、前記第１の側壁と前記第２の側壁に、前記吐出口の上方に同じ高さで設けた補助吐出口から、吐出方向を前記開口部の気液界面方向として処理液を吐出することとした。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のウェット処理装置よれば、処理液を貯留して、ウェハを前記処理液に浸漬させながら保持することができる処理槽と、前記処理槽の上部に前記ウェハを出し入れする開口部と、前記処理槽の第１の側壁側に吐出口を備えた処理液供給機構とを備え、前記吐出口から吐出された前記処理液を排出する排出口を、前記第１の側壁と対面している第２の側壁側に設け、前記吐出口と前記排出口が横向きに対面していることで、処理液の液流が水平方向となり、処理液よりも比重の軽いパーティクルが浮力により気液界面方向に上昇することを、液流の水圧によって防ぐことができる。
【００１７】
また、前記開口部からオーバーフローする処理液を貯留する外層を、前記開口部周縁を囲むように設け、貯留された前記処理液を循環させるポンプと前記処理液を濾過するフィルタとを備えた配管を、前記外槽の底部と前記処理液供給機構に連結させたことで、一度ウェット処理に用いた処理液も、フィルタでパーティクルを取り除きながら、ポンプによって循環させて再利用できるため効率が良い。
【００１８】
また、前記排出口に、前記処理液を強制的に排出する排出ポンプが連結されていることで、液流を強制的に制御することができ、パーティクルの上昇をより防ぎながら、乱流を低減させ、ウェットエッチングや、リンス効果の面内均一性を向上がはかれる。
【００１９】
また、前記第１の側壁と前記第２の側壁に、前記吐出口の上方に同じ高さで補助吐出口を設け、前記補助吐出口の吐出方向が前記開口部の気液界面方向であることで、ウェハを処理槽から引き上げる直前において、補助吐出口から吐出される処理液が、気液界面のわずかなパーティクルを強制的にオーバーフローさせるので、パーティクルの再付着を防ぐ効果が高まる。
【００２０】
また、前記開口部は、前記処理液の横向きの液流と垂直方向に前記ウェハを出し入れできる位置に設けたことで、処理液によって除去されたパーティクルの流れる方向と垂直であるため、ウェハ引き上げ時にパーティクルが再付着しにくくなる。
【００２１】
また、前記吐出口から前記排出口に流れる横向きの液流の水圧が、前記パーティクルの浮力よりも強いことで、パーティクルが処理液中を上昇しないため、気液界面にパーティクルが滞留させることがなく、ウェハ引き上げ時もパーティクルを引っ掛けることなく液外に出すことができる。
【００２２】
本発明のウェット処理方法によれば、処理槽内に処理液に貯留し、前記処理槽の第１の側壁側に設けた処理液供給機構の吐出口から、前記処理液を吐出した後、前記第１の側壁と対面している第２の側壁に設けた排出口からその処理液を排出して、前記処理液に横向きの液流をつくり、前記処理槽の上部に設けた開口部からウェハを入れて前記処理液に浸漬させながら前記処理槽内に保持し、前記ウェハに付着しているパーティクルを前記液流によって除去し、前記開口部における気液界面方向に前記パーティクルを滞留させずにウェット処理を行うことで、ウェット処理後のウェハを引き上げる時に通る気液界面にパーティクルが滞留する状況を作らないため、ウェハ引き上げ時もパーティクルを引っ掛けることなく液外に出すことができる。
【００２３】
また、前記処理槽の開口部からオーバーフローした処理液を、前記開口部周縁を囲むように設けた外槽に貯留した後、フィルタとポンプを備えた配管を通して循環させ、前記処理液に含まれたパーティクルを前記フィルタで除去した後、前記外槽の底部と連結した前記吐出口から吐出することで、一度ウェット処理に用いた処理液もパーティクルを取り除きながら循環させて再利用できるため効率が良い。
【００２４】
また、前記排出口に連結された排出ポンプによって、前記処理液を強制的に排出しながらウェット処理を行なうことで、処理液の液流を強制的に制御しながらウェット処理することができ、乱流を低減させ、ウェットエッチングや、リンス効果の面内均一性の向上がはかれる。
【００２５】
また、ウェット処理終了時、前記ウェハを前記処理槽から引き上げる直前において、前記第１の側壁と前記第２の側壁に、前記吐出口の上方に同じ高さで設けた補助吐出口から、吐出方向を前記開口部の気液界面方向として処理液を吐出することで、補助吐出口から吐出される処理液が、気液界面のわずかなパーティクルを強制的にオーバーフローさせるので、パーティクルの再付着を防ぐ効果が高まる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施形態例について図面を参照して説明するが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。
第１の実施形態として、図１および図２に示すように、ウェット処理装置１は、処理液を貯留して、ウェハＷを処理液に浸漬させながら、ウェハＷの面を向かい合わせて横に並列に保持することができる処理槽２を備え、ウェハＷと直交する方向の処理槽２の第１の側壁３には、複数本からなる円筒型パイプ形状の処理液供給機構４を縦に並列に備え、処理液供給機構４はそれぞれ複数個の吐出口４ａを備え、吐出口４ａは処理液がウェハＷの面に平行かつ水平に流れるように設定され、第１の側壁３と対面している第２の側壁５の中央に排出口６を１つ備えている。
【００２７】
処理液供給機構４の形状は、設置が容易で体積をできるだけとらないような形状が好ましく、例えば真円筒型のパイプ形状などにすればよいが、特に限定はない。
処理液供給機構４の配置方法も、供給される処理液の液流が均一となるように配置されていればよく、横に並列などに配置してもよい。また、第１の側壁３に埋め込まれていてもよいし、配管１２において処理液供給機構４を連結している部分を内層２の外部に配置してもよく、特に限定はない。
吐出口４ａの形状や配置も特に限定はないが、吐出される処理液の液流が均一となるように複数個を等間隔に配置すると好ましく、例えば５０枚のウェハＷを処理する場合、各ウェハＷ間に１個ずつ４９個の穴を配置し、両外側に２個加え、合わせて５１個からなる吐出口４ａを設ければよい。
排出口６は、第２の側壁５に吐出口４ａと対面するように設けてあればよい。
【００２８】
さらに、処理槽２の開口部８周縁を囲むように外槽９を設け、循環ポンプ１０とフィルタ１１とを備えた配管１２は外槽９の底部と吐出口４ａとを連結し、処理槽２の開口部８からオーバーフローした処理液を外槽９に貯留した後、配管１２を通して処理液を循環させ、再び吐出口４ａから吐出する。
処理液は、ウェット処理に応じて薬液や水などを用いることができ、水の場合はオーバーフローした液をそのまま開口部８から排液してもよいが、薬液の場合は外槽９で回収して配管１２を通し、フィルタ１１でパーティクルＤを除去しながら、循環ポンプ１０によって循環させて再利用すると経済的であり、好ましい。
【００２９】
また、排出口６には処理槽２の外にある排出ポンプ７が連結され、吐出口４ａから処理液を吐出して排出ポンプ７で吸引しながら排出口６を介してその処理液を強制的に排出することで、処理槽２内において処理液を水平方向に流すことができる。そして、液流を強制的に制御することによって、乱流を低減させ、ウェットエッチングや、リンス効果の面内均一性の向上がはかれる。
【００３０】
第２の実施形態として、図３に示すウェット処理装置１Ａでは、処理槽２Ａの第１の側壁３と第２の側壁５に、処理液供給機構４の上方に同じ高さで第２の処理液供給機構１３を設け、第２の処理液供給機構１３には補助吐出口１３ａを上向きに設け、補助吐出口１３ａから気液界面方向に処理液を吐出させることで、気液界面のわずかなパーティクルＤを強制的にオーバーフローさせることができ、パーティクルＤの再付着を防ぐ効果が高まる。
また、第２の処理液供給機構１３には、さらに下向吐出口１３ｂを設け、下方に設けた処理液供給機構４の吐出口４ａは上向きに設定し、それぞれウェハＷの方向に処理液を吐出することで、ウェット処理効果を高めることができる。その他の構造は、第１の実施形態と同じである。
【００３１】
また、第３の実施形態として、図４に示すウェット処理装置１Ｂでは、処理槽２Ｂの第２の側壁５に、排出口６を縦方向に複数個設けることで、排出効果が高まる。その他の構造は、第１の実施形態と同じである。
【００３２】
次に、本発明のウェット処理装置を用いたウェット処理方法について説明する。ウェット処理としては、例えば、半導体のウェハの洗浄、ウェットエッチングなどの用途に用いることができる。
まず、図５の（ａ）に示すように、ウェハＷが浸漬される前に、吐出口４ａから処理液を吐出させて水平に流した後、排出口６から強制的に処理液を排出することで、処理槽２内の液流を発生させる。このとき、吐出と吸引を同時に行うか、吸引を先に開始し、吐出を後から開始する。吸引を先に行うことで、パーティクルＤが開口部８の気液界面へ排出されることを防ぐ。
続いて、図５の（ｂ）に示すように、ウェハＷを浸漬してウェット処理を行なう。ウェット処理時は、液流を水平に保った状態で保持するが、このときウェハＷから発生したパーティクルＤは液流に運ばれるため、図５の（ｃ）に示すように、ウェハＷ上部の気液界面に漂うことなく排出口６から排出される。
最後に、図５の（ｄ）に示すように、ウェハＷのウェット処理終了時に、ウェハＷを処理液から搬出する。このとき、パーティクルＤが気液界面に滞留していないことで、ウェハＷの引き上げ時にウェハＷへのパーティクルＤの再付着を防ぐことができる。
【００３３】
以上説明したように、本発明のウェット処理装置１、１Ａ、１Ｂを用いることで、パーティクルＤを気液界面に出さず、滞留することを防ぐ。これによりウェハＷを出し入れする気液界面にパーティクルが滞留する状況を作らないため、ウェハＷ引き上げ時も、パーティクルＤを引っ掛けることなく液外に出すことができる。
また、開口部８からオーバーフローした処理液を外槽９に貯留した後、配管１２を通して循環させ、吐出口４ａから吐出することで、一度ウェット処理に用いた処理液も、フィルタ１１でパーティクルＤを取り除きながら、循環ポンプ１０によって循環させて再利用することができる。
【実施例】
【００３４】
本発明の実施例について詳しく説明するが、本発明は以下の実施例に限定されない。
図１および図２に示されるようなウェット処理装置１を用いて、以下の条件で５０枚のウェハＷの洗浄を行なった。処理液供給機構４（パイプ）は３本で、真円筒型のパイプ形状であり、各々等間隔に５１個の吐出口４ａが設けられている。
【００３５】
図５の（ａ）に示すように、ウェハＷが浸漬される前に、吐出口４ａから洗浄液を吐出させて水平に流した後、排出口６から強制的に洗浄液を排出し、処理槽２内の液流を発生させた。このとき、吸引を先に開始し、吐出を後から開始した。
続いて、図５の（ｂ）に示すように、ウェハＷを浸漬してウェハＷの洗浄を行った。洗浄時の液流は水平に保った状態で保持し、ウェハＷから発生したパーティクルＤは液流に運ばせ、図５の（ｃ）に示すように、ウェハＷ上部の気液界面に漂うことなく排出口６から排出した。
最後に、図５の（ｄ）に示すように、ウェハＷの洗浄終了時に、ウェハＷを洗浄液から引き上げ搬出した。５０枚のウェハＷで繰り返したが、パーティクルＤの付着は見られなかった。このとき、パーティクルＤが気液界面に滞留していないことで、ウェハＷの引き上げ時にウェハＷへのパーティクルＤの再付着を防ぐことができた。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明の活用例として、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等の半導体デバイスの洗浄やエッチングが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の第１の実施形態の係るウェット処理装置の透視図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るウェット処理装置の断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係るウェット処理装置の断面図である。
【図４】本発明の第３の実施形態に係るウェット処理装置の断面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係るウェット処理方法について説明するものであり、（ａ）は液流を発生させている状態を示す工程断面図、（ｂ）はウェハを浸漬させた状態を示す工程断面図、（ｃ）はパーティクルを排出口から排出している状態を示す工程断面図、（ｄ）はウェハを処理槽から引き上げる状態を示す工程断面図である。
【図６】従来例のウェット処理装置とウェット処理方法について説明するものであり、（ａ）は液流を発生させている状態を示す工程断面図、（ｂ）はウェハを浸漬させた状態を示す工程断面図、（ｃ）はパーティクルが気液界面に滞留している状態を示す工程断面図、（ｄ）はウェハを処理槽から引き上げる状態を示す工程断面図である。
【図７】従来のウェット処理装置とウェット処理方法における改良例を示すものであり、（ａ）は処理槽の開口部にきりかけを有する装置の斜視図であり、（ｂ）は処理液中でウェハを揺動する装置の断面図であり、（ｃ）は処理槽の側壁と底部に吐出口を有する装置の断面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１…ウェット処理装置、２…処理槽、３…第１の側壁、４…処理液供給機構、４ａ…吐出口、５…第２の側壁、６…排出口、７…排出ポンプ、８…開口部、９…外槽、１０…循環ポンプ、１１…フィルタ、１２…配管、１３…第２の処理液供給機構、１３ａ…補助吐出口、１３ｂ…下向吐出口。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液を貯留して、ウェハを前記処理液に浸漬させながら保持することができる処理槽と、前記処理槽の上部に前記ウェハを出し入れする開口部と、前記処理槽の第１の側壁側に吐出口を備えた処理液供給機構とを備え、前記吐出口から吐出された前記処理液を排出する排出口を、前記第１の側壁と対面している第２の側壁側に設け、前記吐出口と前記排出口が横向きに対面していることを特徴とするウェット処理装置。
【請求項２】
前記開口部からオーバーフローする処理液を貯留する外層を、前記開口部周縁を囲むように設け、貯留された前記処理液を循環させるポンプと前記処理液を濾過するフィルタとを備えた配管を、前記外槽の底部と前記処理液供給機構に連結させたことを特徴とする請求項１記載のウェット処理装置。
【請求項３】
前記排出口に、前記処理液を強制的に排出する排出ポンプが連結されていることを特徴とする請求項１または２に記載のウェット処理装置。
【請求項４】
前記第１の側壁と前記第２の側壁に、前記吐出口の上方に同じ高さで補助吐出口を設け、前記補助吐出口の吐出方向が前記開口部の気液界面方向であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のウェット処理装置。
【請求項５】
前記開口部は、前記処理液の横向きの液流と垂直方向に前記ウェハを出し入れできる位置に設けたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のウェット処理装置。
【請求項６】
前記吐出口から前記排出口に流れる横向きの液流の水圧が、前記パーティクルの浮力よりも強いことを特徴とするウェット処理装置。
【請求項７】
処理槽内に処理液に貯留し、前記処理槽の第１の側壁側に設けた処理液供給機構の吐出口から、前記処理液を吐出した後、前記第１の側壁と対面している第２の側壁に設けた排出口からその処理液を排出して、前記処理液に横向きの液流をつくり、前記処理槽の上部に設けた開口部からウェハを入れて前記処理液に浸漬させながら前記処理槽内に保持し、前記ウェハに付着しているパーティクルを前記液流によって除去し、前記開口部における気液界面方向に前記パーティクルを滞留させずにウェット処理を行うことを特徴とするウェット処理方法。
【請求項８】
前記処理槽の開口部からオーバーフローした処理液を、前記開口部周縁を囲むように設けた外槽に貯留した後、フィルタとポンプを備えた配管を通して循環させ、前記処理液に含まれた前記パーティクルを前記フィルタで除去した後、前記外槽の底部と連結した前記吐出口から前記処理液を吐出することを特徴とする請求項７記載のウェット処理方法。
【請求項９】
前記排出口に連結された排出ポンプによって、前記処理液を強制的に排出しながらウェット処理を行なうことを特徴とする請求項７または８に記載のウェット処理方法。
【請求項１０】
ウェット処理終了時、前記ウェハを前記処理槽から引き上げる直前において、前記第１の側壁と前記第２の側壁に、前記吐出口の上方に同じ高さで設けた補助吐出口から、吐出方向を前記開口部の気液界面方向として処理液を吐出することを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項に記載のウェット処理方法。
【請求項１】
処理液を貯留して、ウェハを前記処理液に浸漬させながら保持することができる処理槽と、前記処理槽の上部に前記ウェハを出し入れする開口部と、前記処理槽の第１の側壁側に吐出口を備えた処理液供給機構とを備え、前記吐出口から吐出された前記処理液を排出する排出口を、前記第１の側壁と対面している第２の側壁側に設け、前記吐出口と前記排出口が横向きに対面していることを特徴とするウェット処理装置。
【請求項２】
前記開口部からオーバーフローする処理液を貯留する外層を、前記開口部周縁を囲むように設け、貯留された前記処理液を循環させるポンプと前記処理液を濾過するフィルタとを備えた配管を、前記外槽の底部と前記処理液供給機構に連結させたことを特徴とする請求項１記載のウェット処理装置。
【請求項３】
前記排出口に、前記処理液を強制的に排出する排出ポンプが連結されていることを特徴とする請求項１または２に記載のウェット処理装置。
【請求項４】
前記第１の側壁と前記第２の側壁に、前記吐出口の上方に同じ高さで補助吐出口を設け、前記補助吐出口の吐出方向が前記開口部の気液界面方向であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のウェット処理装置。
【請求項５】
前記開口部は、前記処理液の横向きの液流と垂直方向に前記ウェハを出し入れできる位置に設けたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のウェット処理装置。
【請求項６】
前記吐出口から前記排出口に流れる横向きの液流の水圧が、前記パーティクルの浮力よりも強いことを特徴とするウェット処理装置。
【請求項７】
処理槽内に処理液に貯留し、前記処理槽の第１の側壁側に設けた処理液供給機構の吐出口から、前記処理液を吐出した後、前記第１の側壁と対面している第２の側壁に設けた排出口からその処理液を排出して、前記処理液に横向きの液流をつくり、前記処理槽の上部に設けた開口部からウェハを入れて前記処理液に浸漬させながら前記処理槽内に保持し、前記ウェハに付着しているパーティクルを前記液流によって除去し、前記開口部における気液界面方向に前記パーティクルを滞留させずにウェット処理を行うことを特徴とするウェット処理方法。
【請求項８】
前記処理槽の開口部からオーバーフローした処理液を、前記開口部周縁を囲むように設けた外槽に貯留した後、フィルタとポンプを備えた配管を通して循環させ、前記処理液に含まれた前記パーティクルを前記フィルタで除去した後、前記外槽の底部と連結した前記吐出口から前記処理液を吐出することを特徴とする請求項７記載のウェット処理方法。
【請求項９】
前記排出口に連結された排出ポンプによって、前記処理液を強制的に排出しながらウェット処理を行なうことを特徴とする請求項７または８に記載のウェット処理方法。
【請求項１０】
ウェット処理終了時、前記ウェハを前記処理槽から引き上げる直前において、前記第１の側壁と前記第２の側壁に、前記吐出口の上方に同じ高さで設けた補助吐出口から、吐出方向を前記開口部の気液界面方向として処理液を吐出することを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項に記載のウェット処理方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２００８−３０６１０４（Ｐ２００８−３０６１０４Ａ）
【公開日】平成２０年１２月１８日（２００８．１２．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１５３９１５（Ｐ２００７−１５３９１５）
【出願日】平成１９年６月１１日（２００７．６．１１）
【出願人】（５００１７４２４７）エルピーダメモリ株式会社 (2,599)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１２月１８日（２００８．１２．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年６月１１日（２００７．６．１１）
【出願人】（５００１７４２４７）エルピーダメモリ株式会社 (2,599)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]