【課題】スクラッチの発生を抑制して酸化シリコン膜を平坦化する化学的平坦化方法及び化学的平坦化装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、化学的平坦化方法は、飽和濃度で溶解した酸化シリコンを含む珪フッ化水素酸水溶液を含む処理液を用意する工程を含む。前記方法は、凹凸を有する酸化シリコン膜を前記処理液に接触させた状態で前記処理液の平衡状態を変化させて、前記凹凸の凸部の溶解を生じさせて、前記凹凸の高さを減少させる工程をさらに含む。 （もっと読む）

【課題】太陽電池製造のテクスチャエッチング工程において、従来に比してテクスチャ形成不良を抑えることができるエッチング装置を得ること。
【解決手段】シリコン基板１００をエッチング液１３中に浸漬してエッチングするエッチング装置であって、エッチング液１３を貯留し、シリコン基板１００をエッチングするエッチング槽１１と、エッチング液１３中に溶出した疎水性有機物を収集する疎水性有機物収集部１５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板処理機構部に対して外付け接続するだけで、処理液から金属イオンを除去して、金属イオンの除去後に処理液の濃度を調整して基板処理機構部に循環して送ることができ、小型化による設置スペースの減少とコストの低減が可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板処理機構部２に接続されて基板Ｗの処理に用いた処理液Ｌを回収する貯留槽３と、貯留槽３内に配置されて基板Ｗの処理に用いた処理液Ｌから金属イオンを除去する処理液再生部５と、処理液再生部５により金属イオンを除去した処理液Ｌの濃度を補正する濃度補正貯留部５１，５２と、濃度が補正された処理液Ｌを、濃度補正貯留部５１，５２から基板処理機構部２に送る送液部７１を備える。 （もっと読む）

【課題】簡易な装置構成にて確実にリン酸水溶液を再生することができるリン酸再生方法、リン酸再生装置、および、そのリン酸再生装置を用いた基板処理システムを提供する。
【解決手段】浸漬処理装置２の浸漬処理槽２０に加熱したリン酸水溶液を貯留し、そこにシリコン窒化膜が形成された基板Ｗを浸漬してエッチング処理を行う。繰り返しエッチング処理に使用されてシリコン濃度が上昇したリン酸水溶液は、浸漬処理装置２からリン酸再生装置５の貯留タンク５０に移送されて貯留される。貯留タンク５０内にて使用後のリン酸水溶液の徐冷を行うことによって、ケイ素酸化物を含む不純物が析出し、その不純物は比較的サイズの大きな粒子に成長する。不純物が析出したリン酸水溶液がフィルター５１を通過することによって、不純物がフィルター５１に付着して除去され、リン酸水溶液の再生処理がなされる。 （もっと読む）

【課題】エッチング等における基板に付着するパーティクルを減らす。
【解決手段】基板を、前記基板を洗浄するための薬液に浸漬させ、前記薬液に前記基板を浸漬させた状態で、前記薬液内における前記基板の上方に網部を設置し、前記基板を取り出す方向に前記網部を移動させることにより、パーティクルを前記薬液内から除去し、前記薬液内より前記パーティクルが除去された後に、前記基板を前記薬液より取り出すことを特徴とする基板処理方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】薬液の消費量を抑えながら、基板の処理を均一に行う。
【解決手段】基板１を移動しながら、薬液２が入った薬液タンク２３から、可変出力ポンプ２５及び制御弁８０が設けられた配管２４を介して、薬液ノズル２１へ薬液２を供給し、薬液ノズル２１から基板１へ薬液２を吐出する。薬液ノズル２１から基板１へ吐出した薬液２を回収して薬液タンク２３へ戻し、薬液タンク２３から薬液ノズル２１へ供給する薬液２の濃度を検出し、薬液２の濃度の検出結果に応じ、可変出力ポンプ２５を制御し又は制御弁８０を作動させて、薬液タンク２３から配管２４を介して薬液ノズル２１へ供給する薬液２の量を変更する。 （もっと読む）

【課題】基板処理に伴うパーティクルの再付着を抑制するとともに、基板処理の均一性を向上する。
【解決手段】処理槽内の液面レベルを、処理槽内に保持される基板よりも下の液面レベルに制御し、その処理液を、第１循環手段に備えられた第1吐出部から基板に向けて処理槽内で空中吐出する。そのため、基板は処理槽内に貯留された処理液と接触することがなく、基板処理に使用した後の処理液中に含まれるパーティクルが基板に再付着することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】エッチング液と基板との反応で発生した反応生成物によるエッチング処理への影響を抑制できるウェットエッチング装置を得ること。
【解決手段】ウェットエッチング装置は、エッチング液を収容するエッチング槽を備え、前記エッチング槽は、基板がエッチング液中に浸漬され前記基板のエッチング処理が行われるエッチング部と、前記エッチング槽における前記エッチング部より底面側に配された沈殿部と、前記エッチング部と前記沈殿部とを隔てるとともに、前記エッチング部と前記沈殿部とを連通する複数の開口部を有する隔離板とを備えている。 （もっと読む）

【課題】シリコンをエッチング処理したアルカリエッチング液をエッチング槽から引き抜き、膜分離手段で膜分離処理してエッチング槽に循環するアルカリエッチング液の処理において、シリカ除去効率の向上、不純物の蓄積を防止して低シリカ濃度の透過水をエッチング槽に返送する。
【解決手段】２以上のＮＦ膜モジュールを２段目以降のＮＦ膜モジュールにそれぞれ前段のＮＦ膜モジュールの濃縮水を供給するように直列に連結し、１段目のＮＦ膜モジュール１Ａ，１Ｂの透過水をエッチング槽１０に循環し、２段目以降のＮＦ膜モジュール２〜４の透過水を１段目のＮＦ膜モジュール１Ａ，１Ｂの供給水側に循環する。従来の濃縮水循環に起因する系内のシリカ濃度の上昇によるシリカ除去性能の低下、不純物の蓄積の問題を解決することができる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板エッチング装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板エッチング装置１００は、エッチング液１１５を収容する容器１１０と、容器内に配置され、ガラス基板１２５が水平に安着する第１プレート１２０と、ガラス基板と向き合うように容器内に配置され、第１プレート上または第１プレート下でエッチング液を流動させる流動部１３０とを含む。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理の精度を維持しつつ、フィルタの目詰まりを抑制する半導体製造装置および処理方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置１００は、半導体ウエハをエッチング処理するための所定処理液を収容するエッチング処理槽２と、エッチング処理にて前記所定処理液中に生じるパーティクルを捕捉する第１および第２フィルタ５ａ，５ｂと、前記パーティクルを溶解する液体として、前記所定処理液と同じ液体の予備液を収容する予備槽７と、処理槽２内の処理液を第１フィルタ５ａに通して循環させるとともに予備槽７内の液体を第２フィルタ５ｂに通して循環させ、その後、処理槽２内の処理液を廃棄した後、該処理槽に予備槽７内の液体を供給し、かつ、該予備槽に新たな予備液を供給して、処理槽２内の液体を第２フィルタ５ｂに通して循環させるとともに予備槽７内の液体を第１フィルタ５ａに通して循環させる制御部９０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板にエッチング処理を施す基板処理装置においてエッチング液の交換頻度を低減する。
【解決手段】基板処理装置１は、ガラス基板上に銀の薄膜が形成された基板９にエッチング処理を施す装置であり、エッチング液が貯溜される処理槽１１、処理槽１１内にて水平に配置された基板９を支持する基板支持部１２、および、処理槽１１内にて基板９の上面９１に対向する吸着材カートリッジ１３を備える。吸着材カートリッジ１３は、シート状の吸着材１３１を備え、基板９と共にエッチング液に浸漬されることにより、基板９の上面９１に対するエッチング処理により発生する銀イオンが吸着材１３１に吸着される。これにより、エッチング液中における金属イオンの濃度増加が抑制され、エッチング液中の金属イオンが還元されて基板９上に析出してしまうことを防止することができるとともに、比較的高価なエッチング液の交換頻度を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 安価で注送圧力に脈動を発生させない羽根水車式のポンプを使用しながらも、エッチング液から発生するガスを注送ライン内及び注送ポンプ内から効果的に取り除き、エッチング液の循環を確保する機能を提供する。
【解決手段】 制御装置９は、遮断弁５Ａ，６Ａを開放し、注送配管２Ａ及び注送ポンプ３Ａを稼働させ、注送ラインＡを用いてエッチング槽１にエッチング液を循環供給する。流量センサ４からの信号を解析しエッチング液流量の低下が観測されると、制御装置９は遮断弁５Ａ，６Ａを遮断し、注送配管２Ａ及び注送ポンプ３Ａを停止する一方、遮断弁５Ｂ，６Ｂを開放し注送配管２Ｂ及び注送ポンプ３Ｂを稼働させて送ラインＢによるエッチング液の循環供給を行う。そして、注送ラインＡが停止している状態の下で、ガス抜きバルブ８Ａを開放し、注送配管２Ａ内及び注送ポンプ３Ａ内のガスを抜く。 （もっと読む）

【課題】エッチング時に生成した反応生成物を速やかに被エッチング層から離すことにより、被エッチング面内においてエッチングレートが不均一になることを抑制する。
【解決手段】まず、基板３００に被エッチング層を形成する。次いで、被エッチング層上にマスクパターンを形成する。次いで、マスクパターンをマスクとして被エッチング層をウェットエッチングする。このウェットエッチングを行う工程において、マスクパターンを下側に向かせて基板３００をエッチング槽１００に浸漬させる。 （もっと読む）

【課題】装置が大型化および複雑化せず、処理液から発生する気泡を効果的に消泡することのできるエッチング処理装置を提供する。
【解決手段】エッチング処理装置１Ａは、ガラス基板２００が搬送される搬送路を内部に含む処理槽１０と、搬送路の上方に位置し、搬送路上を搬送されるガラス基板２００に対してエッチング液１００を供給する吐出管２１と、搬送路よりも下方に位置する処理槽１０の底部および側部にて構成され、エッチング液１００を一時的に貯留するとともに、貯留されたエッチング液１００を処理槽１０の外部に排出する排出部１３と、搬送路よりも下方でかつ排出部１３の上方に位置し、排出部１３に一時的に貯留されたエッチング液１００の液面に生じた気泡１０２を加熱することで当該気泡１０２を破泡するヒータ３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ウェハの被処理面に対する裏面の汚染が被処理面側へ回り込んでしまうことを抑制し、且つ、ウェハの被処理面に対する処理を清浄な処理液によって十分に且つ均一に行う。
【解決手段】ウェハ１を保持するウェハ保持部３と、内部に貯留している処理液１９によりウェハ１の被処理面１５に対し、剥離処理、洗浄処理又はエッチング処理が行われる処理槽２とを備える。処理槽２の上端２ｂから処理液１９がオーバーフローするように処理液１９を処理槽２へ供給する処理液供給手段（例えば、循環ポンプ７及び供給配管５１からなる）を備える。処理槽の上端２ｂの開口２ｃはウェハ１よりも大径に形成されている。ウェハ保持部３は、ウェハ１の被処理面１５を下向きにして保持し、その被処理面１５を処理槽２に貯留されている処理液１９に浸漬させる。 （もっと読む）

半導体ウエハーや基板のような処理対象物を洗浄、食刻など湿式処理する湿式処理装置及び方法、並びにそれに使用される流体拡散板及びバレルを開示する。本発明による対象物の湿式処理装置は、処理対象物が収容されて処理される処理槽と、前記処理槽の内部に回転可能に設けられ、表面には対象物を前記処理槽の底面と垂直方向に立てて支持する複数のスロットが形成された棒状の対象物支持棒と、前記対象物支持棒に連結されて前記対象物支持棒を回転させることで前記対象物を回転させる回転手段と、を備え、前記対象物支持棒には、前記対象物に処理流体を噴射する処理流体噴射口、及び前記処理流体噴射口に処理流体を供給する処理流体流路が形成されている。本発明によれば、処理槽内のデッドゾーンを除去して処理流体の均一且つ円滑な流れが可能になり、処理効率及び処理均一度が向上する。 （もっと読む）

【課題】加熱周期の間において流体に対する加熱の度合いが経時的に大きく変化することを抑制することができる加熱ユニット、基板処理装置および流体の加熱方法を提供する。
【解決手段】加熱ユニットにおいて、制御部５０は、要求出力量Ｑに基づいて、（Ａ）要求出力量Ｑが所定の設定値以下である場合には、加熱周期の全期間において常時オンとなる加熱器２４ａを設けることなく、全てまたは一部の加熱器２４ａを時分割制御するような制御を行い、（Ｂ）要求出力量Ｑが所定の設定値より大きい場合には、加熱周期の全期間において全てまたは一部の加熱器２４ａを常時オンとし、残りの加熱器２４ａのうち全てまたは一部の加熱器２４ａを時分割制御するような制御を行う。この際に、加熱周期における加熱器２４ａがオンとなる最大の数と最小の数との差が１以下になるようにする。 （もっと読む）

【課題】流動する燐酸溶液中に所望の量の珪素を簡単且つ、迅速に溶解させるエッチング液の調製方法、エッチング方法及びエッチング装置を提供すること。
【解決手段】液状のテトラエトキシシランを水または気体と混合した後、これを流動する燐酸溶液中に少量ずつ添加し、所望量のテトラエトキシシランを溶解させて燐酸溶液を調製することを特徴とするエッチング液の調製方法、エッチング方法及びエッチング装置を構成したことにある。 （もっと読む）

【課題】熱の再利用ができ、配管の破損が生じても問題が生じることがなく、その上、装置のコストアップを抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】二重容器２７における熱交換により、排出される燐酸と供給される燐酸との間で熱の再利用ができる。また、熱交換が燐酸同士であるので、二重容器２７の内容器２９が破損したとしても問題が生じない。その上、別体の予備温調ユニットを設けることなく、供給する燐酸に加温することができるので、装置のコストアップを抑制することができる。 （もっと読む）