【課題】供給した薬液が処理対象膜上で弾かれることなく、薬液を処理対象膜上に液の膜厚が均一となるよう供給できることにより、処理対象膜を所望の形状に正確にパターニングすることができる構成を有する電気光学装置の製造装置を提供する。
【解決手段】基板１０’が載置されるステージ９２と、ステージ９２に載置される基板１０’の処理面１０’ｓに対向して設けられる、対向面９１ｔに複数の現像液吐出口９１ｈが形成された平板状の現像液供給ノズル９１と、現像液吐出口９１ｈに対応してそれぞれ設けられた、現像液吐出口９１ｈから吐出される現像液Ｇの流量を、現像液吐出口９１ｈ毎に調整する流量調整部９４と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】王水等の薬液によるシリサイド膜表面における腐食発生を抑制し、良好なＰｔ含有シリサイド膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンを含む半導体層を有する基板上または基板上に形成されたシリコンを含む導電膜上に、貴金属を含む金属膜を形成する工程（ａ）と、工程（ａ）の後、基板に対して熱処理を行って前記貴金属とシリコンとを反応させ、基板上または導電膜上に前記貴金属を含むシリサイド膜を形成する工程（ｂ）と、工程（ｂ）の後、第１の薬液を用いて、シリサイド膜のうち未反応の貴金属１１の下に位置する部分上に酸化膜１２を形成する工程（ｃ）と、第２の薬液を用いて未反応の貴金属を溶解する工程（ｄ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】例えばスピン式のウェットエッチング処理装置等の基板処理装置のチャンバ内を効率的に洗浄する。
【解決手段】基板処理装置の洗浄方法は、遮断板（３０）を回転させながら、遮断板の上方に設けられた洗浄液供給手段（７０）から洗浄液を遮断板に対して吐出させることにより、遮断板から飛散される洗浄液によってチャンバ（５００）内を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】 被処理体に存在する少なくとも２層の積層膜に対しウェットエッチングによる除去処理を行う際に、エッチング選択性の問題が生じず、十分なエッチング速度で２層をエッチング除去することができる処理装置を提供すること。
【解決手段】 第１処理液を収容部２内の被処理体Ｗに供給して第１の膜に接触させ、第１の膜のエッチングを進行させる第１処理液供給部１５と、第１処理液とは状態が異なる第２処理液を収容部２内の被処理体Ｗに供給して第２の膜に接触させ、第２の膜のエッチングを進行させる第２処理液供給部１７と、第１の膜の除去状態を検出する検出部３１と、検出部３１の検出値に基づいて、第１の膜が除去されたと判断した場合に、切り換え部１３に、処理液を第１処理液から第２処理液に切り換える指令を送信する制御部３２とを具備し、検出部３１は、被処理体Ｗに接触した第１処理液の所定物質の濃度を測定する。 （もっと読む）

【課題】基板処理部に対する処理液の供給流量を調整するときの調整時間を短縮することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを処理液で処理するための処理ユニット６と、処理ユニット６に処理液を供給するための処理液供給配管１４と、処理液供給配管１４に介装され、開度を変更するためのモータ２４を有するニードルバルブ１５とを備えている。処理液供給配管１４およびニードルバルブ１５は、流体ボックス７内に収容されており、この流体ボックス７によってニードルバルブ１５全体が覆われている。制御部８がモータ２４を制御してニードルバルブ１５の開度を変更することによって、処理ユニット６に対する処理液の供給流量が変更される。 （もっと読む）

【課題】処理の面内均一性を向上させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板Ｗを腐食させない非腐食性の処理液である純水を処理液ノズル９から水平に保持された基板Ｗの上面に供給して、当該基板Ｗ上に純水による液膜を形成する。そして、基板Ｗが収容された密閉空間である処理室Ｃ１内に、基板Ｗを腐食させる腐食性のガスまたは蒸気であるフッ酸の蒸気をガス／蒸気ノズル１２から供給する。処理室Ｃ１内に供給されたフッ酸の蒸気は、基板Ｗ上の純水に溶け込んでいき、純水の液膜がフッ酸の液膜に変化する。これにより、基板Ｗの上面全域が均一にエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】基材に残留する微小導電性金属酸化物を除去する。
【解決手段】それぞれの対向面に絶縁膜１３ａａ，１３ｂａを形成した正負電極１３ａ，１３ｂを、基材１２との相対移動方向に順に配置した平板状電極体１３の外周部を絶縁体１３ｃで覆う。正負電極１３ａ，１３ｂと、両絶縁膜１３ａａ，１３ｂａの、それぞれの基材１２と対向する端面の面積Ｓ1、Ｓ2、Ｓ3の比を、Ｓ1／Ｓ2＝０．８〜１００、Ｓ2／Ｓ3＝０．０１〜１．１５とする。前記平板状電極体１３の端面を、基材１２に対向すべく，複数個隣接配置する。この平板状電極体１３と基材１２間に電解液１４を介在させた状態で、正負電極１３ａ，１３ｂに電圧を印加しつつ、平板状電極体１３と基材１２とを相対移動させ、基材１２の表面に残留する微小な導電性金属酸化物１２ａを還元反応により除去する。
【効果】微小導電性金属酸化物を、基材の全面に亘って効果的に除去できる。 （もっと読む）

【課題】部分液交換を工夫することにより、装置の稼働率を向上させてスループットを高めることができるとともに、処理液の消費量を低減することができる。
【解決手段】制御部５１は、燐酸溶液で基板を処理するにあたり、まず、処理槽１に燐酸溶液の新液を貯留させる。その後、小容量部分液交換を小容量ライフタイムごとに繰り返し行わせ、大容量部分液交換を大容量ライフタイムごとに繰り返し行わせる。小容量液交換及び大容量部分液交換は、処理槽１の全容量に相当する燐酸溶液よりも交換する燐酸溶液の量が少ないので、濃度調整及び温調を短時間で完了させることができる。よって、装置の停止時間を短くすることができるので、装置の稼働率を向上させてスループットを高めることができる。また、頻度が高い液交換では交換量が少ないので、燐酸溶液の消費量を低減できる。 （もっと読む）

【課題】流動する燐酸溶液中に所望の量の珪素を簡単且つ、迅速に溶解させるエッチング液の調製方法、エッチング方法及びエッチング装置を提供すること。
【解決手段】液状のテトラエトキシシランを水または気体と混合した後、これを流動する燐酸溶液中に少量ずつ添加し、所望量のテトラエトキシシランを溶解させて燐酸溶液を調製することを特徴とするエッチング液の調製方法、エッチング方法及びエッチング装置を構成したことにある。 （もっと読む）

【課題】この発明は半導体ウエハの上面全体をエッチング液によって均一にエッチング処理することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板を回転させながら処理液によって処理する処理装置であって、
半導体ウエハを保持して回転駆動される回転テーブル１６と、先端部に処理液を半導体ウエハに向けて噴射する上部ノズル体５１を有し、回転テーブルの上方で上部ノズル体が半導体ウエハを横切る方向に駆動されるアーム体５２と、ノズル体が半導体ウエハの周辺部から中心部に向かうときにアーム体の移動速度を次第に増加させ、中心部から周辺部に向かうときには揺動速度を次第に低下させるようアーム体の移動速度を制御する制御装置７を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の基板処理部に所定流量・所定濃度の処理液を精度良く供給すること。
【解決手段】本発明では、処理液供給部(24)から供給される処理液を使用して複数個の基板処理部(11〜22)で基板(２)を処理する基板処理装置(１)において、各基板処理部(11〜22)に基板（２）を順次搬送し、１個の基板処理部(11〜22)で使用する処理液の流量が処理液供給部(24)で制御可能な流量よりも少量の場合には、処理液供給部(24)で制御可能な流量以上になるまで複数個の基板処理部(11〜22)に基板（２）が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部(11〜22)で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することにした。 （もっと読む）

【課題】基板面内や基板間の厚さのバラツキを低減することができるとともに、製品性能や製造歩留を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】液体または気体が送入される槽ＴＫと、槽ＴＫの内部に液体または気体を送り出す機構ＴＢ、Ａと、を備え、槽ＴＫに被処理基板１を配置し処理を行う基板処理装置であって、被処理基板１と機構ＴＢ、Ａとの間の被処理基板１近傍に、少なくとも一つの整流板ＰＬ１が配置された処理装置。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ厚さを正確に測定できるウェーハの加工装置を提供する。
【解決手段】被加工物である半導体ウェーハ１１を実質的に水平に載置する基台１２と、前記半導体ウェーハに加工用流体１４を供給するべく前記半導体ウェーハの加工面に対向する供給口２６ａ，２７ａを有するノズル２６，２７と、前記ノズル内部に配置され、前記供給口を介して前記半導体ウェーハの加工面に音波または電磁波を出射して前記半導体ウェーハの厚さを測定する厚さ測定手段４１ａ，４２ａと、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板面内や基板間の厚さのバラツキを低減することができるとともに、製品性能や製造歩留を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】液体または気体が送入される槽ＴＫと、槽ＴＫ内に液体または気体を送り出す機構と、を備え、槽ＴＫ内に被処理体１を配置して処理を行う基板処理装置であって、機構は、槽ＴＫ内に液体または気体を送出する第１送出手段ＴＢａおよび第２送出手段Ｔｂと、第１送出手段ＴＢａからの液体または気体の送出の開始と停止とを行う第１送入手段Ａと、第２送出手段ＴＢｂからの液体または気体の送出の開始と停止とを行う第２送入手段Ｂと、を備えた基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】ウェーハをベルヌーイチャックで保持した状態でウェーハの片面をエッチングする際に、エッチング液の巻上げを防止すること。
【解決手段】エッチング液を貯留する円筒状の内槽１と、この内槽１の底面７の中央からエッチング液の液面の中央に向けてエッチング液を供給する吹き出しノズル１３と、半導体ウェーハＷの一方の面を非接触で保持するベルヌーイチャック４１と、半導体ウェーハＷの他方のエッチング面が液面と接触する設定高さまで半導体ウェーハＷを水平に保ちながら下降可能な昇降手段５１を備え、内槽１は、この内槽１の外径が半導体ウェーハＷの外径以下に形成されていること。 （もっと読む）

【課題】ノズルの稼働率を向上させて処理ユニットのスループットを向上させる。
【解決手段】現像処理ユニット１においては、ノズル２１を共用する複数個の現像処理セット１０のそれぞれにおいて１枚の基板Ｗに対する現像処理が行われる。進入領域Ｋ（現像処理ユニット１に対する基板Ｗの搬出入を行う搬送機構のハンドが現像処理ユニット１内に進入する領域）の上方には、現像処理セット１０間にわたって移動経路Ｌ２１が形成されている。制御部９１は、移動経路Ｌ２１に沿ってノズル２１を移動させることによって、ノズル２１を現像処理セット１０の間で移動させる。この構成によると、搬送機構が現像処理ユニット１に対する基板の搬出入を行っている間であってもそのハンドとの干渉を考慮せずにノズル２１を現像処理セット１０間で自由に移動させることができるので、ノズルの稼働率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】この発明は立位状態で搬送される基板を処理液によって均一に処理することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板を処理液によって処理する処理装置において、
基板を立位状態で所定方向に搬送する搬送手段と、この搬送手段によって立位状態で搬送される基板に処理液を噴射するエッチング処理部１８とを有し、
エッチング処理部は、基板の板面に処理液を噴射する複数のノズル２１ａ〜２１ｄを有し、これら複数のノズルは基板の高さ方向に所定間隔で、かつ高さ方向上方に位置するノズルが下方に位置するノズルよりも基板の搬送方向後方に位置するよう配置されている。 （もっと読む）

【課題】被処理体を処理した処理液を排出機構へと導く回転カップを被処理体に近接した位置に設け、かつ、支持された被処理体と回転カップとの間の間隙を均一にすること。
【解決手段】液処理装置は、被処理体Ｗの下面と側面を処理する。液処理装置は、被処理体Ｗに処理液を供給する処理液供給機構３７，３９と、被処理体Ｗを処理した処理液を排出する排出機構２０，２１と、被処理体Ｗの周縁外方に設けられ、被処理体Ｗを処理した処理液を排出機構２０，２１へと導く回転カップ１０と、回転カップ１０を回転させる回転駆動部６０と、を備えている。回転カップ１０には、周縁内方に突出し、被処理体Ｗの周縁部を支持する支持部１５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】被処理体を処理している間にトッププレートに処理液が付着したとしても、当該処理液が処理済みの被処理体上に落ちたり、当該処理液によって次回以降に処理される被処理体に悪影響を及ぼしたりすることを防止すること。
【解決手段】液処理装置は、被処理体Ｗを支持する支持部１５と、支持部１５によって支持された被処理体Ｗを回転させる回転駆動部６０と、被処理体Ｗに処理液を供給する処理液供給機構３７，３９と、被処理体Ｗを処理した処理液を排出する排出機構２０，２１と、被処理体Ｗを処理した処理液を排出機構２０，２１へと導く回転カップ１０と、被処理体Ｗの上面側を覆うトッププレート４０と、を備えている。トッププレート４０は、回転カップ１０の上方まで延びた周縁外方突出部４０ｐを有している。周縁外方突出部４０ｐには、周縁外方突出部４０ｐに付着した処理液を吸引する吸引機構７０，７１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】
基板表面を選択的にエッチングするための基板処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】
本発明による基板処理方法は、第１ノズルが回転する基板の中心にエッチング液を供給し、第２ノズルが基板の中心から離れた位置で前記エッチング液の濃度を希釈するエッチング妨害流体を供給する。 （もっと読む）