【課題】基板の誘導帯電を抑制する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗを収容するキャリヤＣを保持するためのキャリヤ保持部２と、基板Ｗに処理を施す基板処理ユニット４１〜４４と、キャリヤＣと基板処理ユニット４１〜４４との間で基板Ｗを搬送するインデクサロボット６および主搬送ロボット３０とを備えている。基板処理ユニット４１〜４４は、基板Ｗを保持する基板保持手段を備えている。キャリヤＣから基板処理ユニット４１〜４４へと搬送される期間、基板保持手段に保持されている期間、および基板処理ユニット４１〜４４からキャリヤＣへと搬送される期間のいずれにおいても、基板Ｗは接地状態に保持される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の大量処理を高速で可能にする半導体基板の枚葉処理装置及び処理方法を提供する。
【解決手段】枚葉処理装置は、基板である150ｍｍ角シリコンウェーハ１を浸漬浮遊させる処理液30と基板を移動搬送させる処理液の流れを創出させる多孔噴出孔23とからなり、液中に浮遊した基板7が、化学処理と並行して移動搬送方向矢印8へ移動するように、多孔噴出孔23から噴出流31が創流される。多孔噴出孔は液溜り部32に直結しており、液溜り部32は供給配管33により処理液が供給され。液溜り部位の容量と噴出孔の寸法や配列は、噴出孔からの流量の均一性を確保する配置とされている。 （もっと読む）

【課題】チャンバに形成された開口部を内カバーによって確実に密閉できるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】内部に搬入された基板を処理するためのチャンバ５と、チャンバの一側面に形成された開口部６を開閉する内カバー１５と、内カバーの内面の周辺部に設けられ内カバーを閉じたときにチャンバの一側面の開口部の周辺部に接触するシール材２４と、チャンバの一側面の開口部の周辺部に周方向に所定間隔で設けられ内カバーを閉じたときに内カバーの周辺部の複数箇所を押圧保持してシール材をチャンバの一側面に圧接させるとともに内カバーを押圧する押圧力の調整が可能な複数のクランパ２７を具備する。 （もっと読む）

【課題】処理の均一性が優れ、化学物質の消費量が少なく、クリーニング能力が高く、基板の破壊頻度が低い湿式処理装置を提供する。
【解決手段】基板１７０を処理する搬送型湿式処理装置３００ａであって、カセットステーション３３０と、スピナー型湿式処理ユニット３２０と、このスピナー型湿式処理ユニット３２０に接続された搬送型クリーニングシステム３１０とを備える。該搬送型クリーニングシステム３１０は、プレクリ−ニングユニット３１４と、ポストクリーニングユニット３１６と、乾式ユニットＤと、これ等に配置されたコンベヤ３１２と、カセットステーションに設置されたロボット３４０とを備え、基板が、コンベヤによってプレクリーニングユニットからスピナー型湿式処理ユニット、ポストクリーニングユニットおよび乾式ユニットに順次搬送され、且つ基板は、ロボットによってカセットステーションから搬送型クリーニングシステムへ供給される。 （もっと読む）

【課題】基板の化学処理を自動で行い、基板同士の吸着を防止して基板の損傷発生を防止することができる基板の化学処理装置および化学処理方法を提供する。
【解決手段】キャリア１２の側壁部に形成される側溝と、下位置決め部材に形成される位置決め溝とで基板１６を１枚ごとに位置決めしてキャリア１２内に収容し、基板１６が収容されるキャリア１２を把持手段１３で把持し、把持されるキャリア１２を、化学処理液２１が収容される処理槽１１まで搬送して装入し、基板１６を化学処理液２１に浸漬する。基板１６を処理液２１に所定時間浸漬して化学処理した後、キャリア１２を角度θだけ傾斜させて保持し、その後キャリア１２を傾斜させたままで処理槽１１から引上げ、次いでキャリア１２を水平に戻して他の処理槽まで搬送する。 （もっと読む）

シリコンウェーハー（２）の表面を処理する装置（１、１’）に関し、移送ローラ（３）によって定められる移送平面（５）内でシリコンウェーハー（２）を移送するための移送ローラ（３）と、シリコンウェーハー（２）を液状の処理媒体（１０）によって湿潤するように形成された、少なくとも１つの給送装置（３ａ）とを有している。給送装置（３ａ）は、下を向いた基板表面を処理媒体（１０）によって湿潤するべく移送平面に接触するように、移送平面（５）の下方に配置されている。移送装置と基板表面を直接接触している。
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【課題】従来と比べて処理効率を向上させることができる半導体基板処理装置を提供する
。
【解決手段】本発明に係る半導体基板処理装置は、半導体基板１の下面の縁を支持するこ
とにより、半導体基板１の下に空間１０ｂが生じた状態で半導体基板１を保持する基板保
持部１０，１２と、空間１０ｂに配置され、半導体基板１を下から加熱する加熱部２０と
、基板保持部１０が保持している半導体基板１の上面に、昇温された薬液を供給する薬液
供給部４０とを具備する。基板保持部１０の下面に取り付けられた中空の回転軸１４と、
回転軸１４を回転させるモータ１６とを具備してもよい。そして、基板保持部１０は、上
下に貫通していて空間１０ｂと回転軸１４の中空部分１４ａを繋げる孔１０ａを設け、回
転軸１４の中空部分１４ａ及び孔１０ａの内部に、加熱部２０を基板保持部１０から離間
した状態で支持する支持軸３０を配置してもよい。 （もっと読む）

シリコンウェーハーの表面処理する装置は、シリコンウェーハーを移送するための移送ローラと少なくとも１つの給送装置を有しており、その給送装置は移送ローラによって定められる移送平面内でシリコンウェーハーの表面を液状の処理媒体によって湿潤するために設けられており、給送装置は、移送平面内に配置された、シリコンウェーハーの下を向いた表面上に処理媒体を塗布するように形成されている。給送装置の周囲からガス状、および／または、霧状に分配された処理媒体を吸い出すために複数の吸引パイプが設けられており、吸引パイプが移送平面の垂直方向下方に配置されている。
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【課題】基板１０を上乗せローラにより保持しつつ、基板１０の処理を基板全体に亘って可及的に均一にする。
【解決手段】基板１０を傾斜させた状態で搬送する搬送機構１３，１４と、基板１０の表側面に処理液を供給する処理液供給部とを備え、搬送機構１３，１４は、基板１０の傾斜方向に延びる第１の軸１５に回転可能に設けられて基板１０の裏側面を支持する下受けローラ１３と、第１の軸１５と平行に延びる第２の軸１６に回転可能に設けられて基板１０の表側面を支持する上乗せローラ１４とを有し、上乗せローラ１４は、第２の軸１６の方向に貫通形成された開口２２を有している。 （もっと読む）

【課題】チャンバに液密に設けられた点検用カバーの箇所から処理液が漏れ出るのを防止した処理装置を提供することにある。
【解決手段】前面壁１２ａを有し、この前面壁に開口部２５が形成されたチャンバ１２と、チャンバ内に設けられ基板を所定の角度で傾斜させて搬送する駆動ローラと、駆動ローラによって搬送される基板に処理液を噴射するノズルと、開口部を液密に閉塞した点検用カバー２６と、チャンバの前面壁の外面に設けられ点検用カバーとの間に空間部４８を形成する外部カバー４３と、空間部に気体を供給し空間部を陽圧にしてチャンバ内を搬送される基板に噴射された処理液が開口部から空間部内に漏れ出るのを阻止する給気管５３とを具備する。 （もっと読む）

【課題】基板を傾斜した状態で保持しながら、常温より高い温度の薬液を用いて、傾斜した基板の薬液処理を均一に行う。
【解決手段】ヒータ１１は、基板１がヒータ１１の下方を通過する際に、基板１の表面を薬液ノズル２１が供給する薬液の温度に近い温度に温める。薬液ノズル２１は、常温より高い温度の薬液を基板１の表面へ供給する。基板１の表面へ供給した薬液によって、基板１の表面の薬液処理が行われる。基板１の薬液処理を行う前に、基板１を薬液処理に用いる薬液の温度に近い温度に温めることにより、薬液を供給した基板１の表面の上側と下側との温度の上昇の違いが小さくなり、基板１の表面の温度が迅速にほぼ均一となる。 （もっと読む）

【課題】基板を傾斜した状態で保持しながら、常温より高い温度の薬液を用いて、傾斜した基板の薬液処理を均一に行う。
【解決手段】薬液ノズル２１は、常温より高い温度の薬液を基板１の表面へ供給する。基板１の表面へ供給した薬液によって、基板１の表面の薬液処理が行われる。薬液ノズル２２は、薬液ノズル２１から供給する薬液の温度に近い温度に温めた薬液を、傾斜した基板１の裏面の上側と下側との間へ供給する。基板１の裏面へ供給した薬液によって、傾斜した基板１の下側が温められ、基板１の表面の上側と下側とにおける薬液ノズル２１から供給された薬液の温度差が抑制される。傾斜した基板１の上側と下側とにおける薬液の温度差を抑制しながら、基板１の薬液処理を行うことにより、基板１の薬液処理の進行がほぼ均一となる。 （もっと読む）

【要 約】
本発明は、平面状、薄型で破損しやすい基板のための連続方法での湿式化学処理（浄化、エッチング、ストリッピング、塗装、脱水）のための方法及び装置であって、基板運搬並びに湿式処理が媒体を吸収するローラによって行なわれる方法及び装置に関する。
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【課題】基板を傾斜した状態で移動しながら、傾斜した基板の表面を均一に洗浄する。
【解決手段】基板１は、複数のローラ１０上に搭載され、ローラ１０の回転により矢印で示す基板移動方向へ移動される。各ローラ１０は、その一端が他端より高くなる様に傾けて設置されており、これにより複数のローラ１０は、基板１を水平に対して基板移動方向と直交する方向に所定の角度θだけ傾斜した状態で移動する。アクアナイフ１１は、アクアナイフ１１が設置されている基板１の表面と平行な面において、基板移動方向と直交する方向に対して所定の角度Ｔだけ傾けて設けられている。これにより、傾斜した基板１の表面の上側では、傾斜した基板１の表面の下側よりも、基板移動方向における上流でアクアナイフ１１から吐出された洗浄液が供給される。 （もっと読む）

【課題】 軸方向に長いローラユニットを用いて基板を搬送する場合においても、ローラユニットの自重によるたわみ変形を抑制し、基板の搬送不良および接液不良を防止することのできる表面処理装置を提供する。
【解決手段】 表面処理装置１０は、基板１１の表面を処理するための処理液１２が収容される処理液槽１３と、中心軸部材１４およびローラ部材１５を有し処理液槽１３中の処理液１２に一部が浸漬するようにして設けられるローラユニット１６とを備え、ローラユニット１６を回転させることによって基板１１を搬送するとともに処理液１２を基板１１の片方の表面に接液させて表面処理する。この装置１０に設けられるローラユニット１６は、ローラ部材１５が中空構造に形成され、ローラユニット１６に作用する重力と処理液１２から受ける浮力とが釣合うように構成される。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に微細な凹部があっても、その表面全体を確実に処理することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板を処理液によって処理する処理装置であって、
基板を処理液によって処理するチャンバと、チャンバ内に搬入されて処理される基板の温度を、上記チャンバ内の温度よりも低くするペルチェ素子１３を具備する。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構成で、基板の搬送姿勢が処理途中で変化しない基板表面処理装置を提供する。
【解決手段】 表面処理装置２０は、平板状かつ矩形を有する基板２の表面を処理することに用いられ、基板２の表面処理に用いる処理液３を収容する処理液槽４と、処理液槽４に収容される処理液３中に一部が浸漬されるとともに回転自在に設けられて基板２を搬送する複数の搬送ローラ２１とを含んで構成される。搬送ローラ２１は、回転軸線方向の長さＷ１が、基板幅Ｗ２以上であり、外周面に周方向に延びる溝２２が形成され、回転軸線方向における溝２２の形成される位置が、隣合って設けられる搬送ローラ２１同士で異なる。 （もっと読む）

【課題】スイッチを磁石の磁力によって作動させて基板を検知する場合、そのスイッチを確実に作動させることができるようにした基板の検出装置を提供することにある。
【解決手段】所定の位置に搬送された基板を検出する検出装置であって、
装置本体１１と、装置本体に中途部が揺動可能に支持された揺動部材２１と、揺動部材の一端部に回転可能に設けられ搬送される基板が当たることで揺動部材を揺動させる検知ローラ２５と、装置本体の揺動部材の他端部に対向する位置に長手方向を揺動部材の揺動方向と交差させて設けられ磁界の変化に応じて信号を出力するリードスイッチ３４と、揺動部材の他端部にリードスイッチの長手方向に沿って設けられ揺動部材とともに揺動することでスイッチに与える磁界を変化させる磁石２８とを具備する。 （もっと読む）

【課題】基板の浸漬処理を高いスループットで行う。
【解決手段】処理槽２０ａ内の処理液２の液面の高さが搬入口及び搬出口より低い状態で、搬送ローラ１０により、基板１を搬入口から処理槽２０ａ内へ搬入する。油圧シリンダ３２ａにより処理槽２０ａの底２１ａを上昇させて、処理槽２０ａ内の処理液２の液面の高さを上昇させ、基板１の浸漬処理を行う。基板１の浸漬処理が終了すると、油圧シリンダ３２ａにより処理槽２０ａの底２１ａを下降させて、処理槽２０ａ内の処理液２の液面の高さを下降させる。処理槽２０ａ内の処理液２の液面の高さが搬入口及び搬出口より低い状態で、搬送ローラ１０により、基板１を搬出口から処理槽２０ａ外へ搬出する。処理槽内の処理液の量を変化させることなく、処理槽内の処理液の液面の高さを上昇又は下降させることにより、時間の掛かる処理液の供給を行う必要がなくなる。 （もっと読む）

【課題】矩形の基板表面に対して効率よく均一にエッチング処理を行う。
【解決手段】基板処理装置１は、処理液供給部２、基板９を所定の搬送方向に搬送する基板搬送機構３、エッチング液である処理液の液滴を噴出する複数のノズル４、各ノズル４にガスを供給するガス供給部５、および、制御回路６を備える。各ノズル４は内部において処理液の液滴を生成し、搬送方向に垂直な方向に伸びるスリット状の噴出口４０から処理液の液滴をガスと共に基板９に向けて噴出する二流体ノズルとなっている。基板処理装置１では、処理液の液滴が複数のノズル４から搬送経路に向けて噴出される間に、処理液の噴出範囲内にて基板９を搬送方向およびその反対方向に１回以上揺動させることにより、基板９の処理領域全体において処理ムラの発生を防ぐことができ、基板表面に対して効率よく均一にエッチング処理を行うことができる。 （もっと読む）