【課題】所望のエッチングレートを確保しつつリーニングの問題を本質的に解消することができるキャパシタ電極の製造方法を提供すること。
【解決手段】ウエハ上に形成されたシリコン酸化膜をエッチングしてホールを形成する工程と、ホールの内面に導電体膜を成膜する工程と、シリコン酸化膜を除去して前記導電体膜を露出させてキャパシタ電極とする工程とを有するキャパシタ電極の製造方法において、シリコン酸化膜を除去して前記導電体膜を露出させる工程は、薬液を用いたウエットプロセスにより前記シリコン酸化膜を途中まで除去した後、ガスを用いたドライプロセスによりシリコン酸化物の残部を除去することにより行われる。 （もっと読む）

【課題】薬液処理時に発生する薬液蒸気が処理槽を有するシンク外へ飛散するのを効果的に抑えて高品質の基板処理を可能にした基板処理装置を提供すること。
【解決手段】上方が開口した有底の容器からなる処理槽２Ａ〜２Ｄと、ウェーハＷを把持する把持機構１１と、把持機構が連結されてウェーハの処理槽内に貯留された処理液への浸漬及び処理槽内からの引き上げを行う昇降装置１０と、昇降装置が連結されてウェーハを処理槽へ搬送する搬送装置７と、を備える基板処理装置１において、処理槽から蒸気が平常時よりも多量に発生上昇するときに処理槽の開口部を覆うことができる搬送装置に連結された飛散防止カバー８を備える。 （もっと読む）

【課題】基板上の処理液の温度をより適正に保ちながら処理を進めることができ、しかも、装置構成を簡単、かつ安価とする。
【解決手段】エッチング装置１０は基板Ｓを水平姿勢で搬送しながらその上面にエッチング液を供給するものである。このエッチング装置１０は、基板Ｓのうちその幅方向両端部分であって、かつ所定のパターン形成領域よりも外側の領域をローラ２６により支持した状態で基板Ｓを搬送するローラコンベア１６と、前記ローラ２６による基板Ｓの支持位置よりも幅方向内側の位置でエッチング液と同温度の流体（エッチング液）を噴出することによりその流体圧により基板Ｓをその下側から支持する流体圧支持装置１７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】二つの動作を二つのリンクの差動で行うことにより、各リンク長の組み合わせで、浸漬深さを維持したまま設備を小型化することが可能な、湿式表面処理装置を提供する。
【解決手段】搬送機構部１３において、搬送歯車１８が１回転する間に上下動ケース２７が６回転する必要から、内歯歯車１７と遊星歯車２２のギア比が３：１、第１、第２伝達ギア２５，２６のギア比を２：１として、搬送歯車１８：上下動ケース２７の回転比を１：６とする設定とする。
また、前記搬送機構部１３により、差動動作を行うために、上記第１上下動歯車２８と第３上下動歯車３０とのギア比を１：２とする一方、第１揺動歯車３２と第３揺動歯車３４とのギア比を２：１とする設定とする。 （もっと読む）

【課題】平坦な基材を湿式でクリーニングまたはエッチングする装置及び方法を提供する。
【解決手段】基材９の導入口５及び導出口７を有するタンク３を含み、前記基材９を湿式クリーニングまたはエッチングするための装置１。このタンクはクリーニング液１１を収容しており、気体環境１３内に設置される。導入出口の少なくとも一方はタンク側壁に形成され、液面１５よりも下方に位置する。タンク３内には、気体環境１３内の圧力よりも低い圧力のガスで満たされた部分２５が液１１の上方に存在してもよい。本発明の方法は、前記装置を利用して、クリーニングまたはエッチング液に、液面よりも低いレベルで基材を導入、導出するステップから成る。 （もっと読む）

【課題】 基板に付着した有機物を良好に除去できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 除去ユニット１０は、主として、マイクロバブル水１１ａを基板Ｗに向けて吐出する複数の吐出ノズル１１と、マイクロバブル発生部２１と、を備えており、基板Ｗに付着した有機物を除去する。洗浄ユニット６０は、主として、複数の上側ノズル６１と、複数の下側ノズル６２と、貯留槽８０と、を備えており、除去ユニット１０での有機物除去処理が施された基板Ｗに対して純水によるリンス処理を施す。 （もっと読む）

【課題】基板処理のばらつきを抑制しつつスループットを改善する。
【解決手段】第１薬液ユニット２１は、第１薬液処理プレート３１を備え、第１リンスユニット２２は第１リンス処理プレート３２を備え、第２薬液ユニット２３は第２薬液処理プレート３３を備え、第２リンスユニット２４は第２リンス処理プレート３４を備え、乾燥ユニット２５は乾燥処理プレート３５を備えている。処理プレート３１〜３５は、水平な平坦面をなす基板対向面３１Ａ，３２Ａ，３３Ａ，３４Ａ，３５Ａをそれぞれ有し、これらは、同一高さの水平面内に位置している。基板搬送機構は、基板対向面３１Ａ〜３５Ａに沿って、基板Ｗを滑らすように水平方向に移動させ、これにより処理ユニット２１〜２５間での基板Ｗの搬送を達成する。処理プレート３１〜３５は、隣り合うもの同士が基板搬送経路に沿って接近して（隣接して）配置されている。 （もっと読む）

【課題】定期液交換処理を柔軟に配置することにより、無駄な待機時間を低減して基板処理のスループットを向上させることができる基板処理装置のスケジュール作成方法を提供する。
【解決手段】制御部は、まずライフタイムＬＴが経過する時点ｔ１で処理部のリソースに定期液交換処理ＸＬを配置する。その後、定期液交換処理ＸＬの配置に起因して、後続の処理工程ｄに待機時間が生じる場合には、延長時間ＥＴ内で定期液交換処理ＸＬを後にずらして配置し、本来は定期液交換処理ＸＬに後続する処理工程ｄを優先的に前に配置する。このように定期液交換処理ＸＬをライフタイムＬＴのアップにのみ基づき一律に配置するのではなく、定期液交換処理ＸＬを柔軟に配置するので、無駄な待機時間を低減して基板処理のスループットを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】乾燥用気体の供給を工夫することにより、基板の汚染を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部４５は、電動ダンパ３５を一般排気に切り換えさせておき、充分にリンスが行われた後は、電動ダンパ３５を気体供給部２３に切り換えさせるとともに、リフタ１５を上昇させてリンス液の液面から露出した基板Ｗに対して、乾燥用気体を気体供給部２３から供給させて基板Ｗを乾燥させる。したがって、薬液を含む処理液による処理中や、リンスの初期の状態では乾燥用気体が気体供給部２３から供給されることがなく、薬液を含む処理液によって発生したＳｉＯ_２パーティクルが巻き上げられることがない。したがって、基板Ｗの汚染を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】片面エッチングのための方法及び装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置（１００）は、真空室（１１０）を有し、穿孔ベルト（１２０）がこの真空室に対して配置されている。そして、エッチング室（１３０）は、真空室に関し、穿孔ベルトの反対側に配置される。エッチング室は開口部（１３２）を有し、ここを通ってエッチング剤が放出される。真空室は、エッチング剤からウェーハ（１４０）の背面（１４４）を保護する圧力差を生じるよう構成される。使用においては、ウェーハの背面は穿孔ベルトに対して配置される。ウェーハ（１４２）の前面は放出されたエッチング剤に露出される。圧力差は、ベルトに対してウェーハの背面を保護し、及び／又は、穿孔ベルトを通してウェーハの前側に配置されないエッチング剤を抽出する。 （もっと読む）

【課題】 エッチング処理の時間およびエッチング終了から洗浄開始までの時間を短縮することにより、その間においてエッチングむらが生じにくいようにし、また設置面積を小さくする。
【解決手段】 エッチング液タンク９内のエッチング液２を処理槽１内に供給し、この供給されたエッチング液２をエッチング液タンク９内に回収することを複数回繰り返すことにより、処理槽１内に配置された半導体ウエハ１８に対してエッチング処理を行なう。このエッチング処理が終了し、処理槽１内のエッチング液２をエッチング液タンク９内に回収したら、直ちに、純水供給管１４から純水３を処理槽１内に供給し、処理槽１内に配置された半導体ウエハ１８に対して洗浄処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】対象物を均一な厚さにエッチングして製品の収率を向上させることができるエッチング装置及びこの装置を利用して対象物をエッチングする方法を提供すること。
【解決手段】エッチング装置は対象物の厚さを薄くエッチングする過程において対象物に加えられる圧力を最小化し、エッチング溶液を対象物の全領域に均一の圧力でエッチング溶液を提供する。これによって、エッチング過程において、対象物の破損を防止し、対象物の厚さを均一にエッチングすることができるため、対象物の厚さを最小化することができる。 （もっと読む）

【課題】処理むらの発生を防止しつつ効率良く基板の処理を進める。
【解決手段】現像処理室３において水平姿勢の基板に対して現像液を供給することにより現像処理を施した後、洗浄処理室４において傾斜姿勢の基板Ｓに対して洗浄液を供給することにより洗浄処理を行う。その際、現像処理後、基板Ｓを現像処理室３において水平姿勢から仮傾斜姿勢（洗浄処理に適した基板Ｓの傾斜姿勢よりも斜度の小さい姿勢）に変換し、この仮傾斜姿勢の状態で基板Ｓを現像処理室３から洗浄処理室４に搬送する。そして、洗浄処理室４において、基板Ｓの姿勢を仮傾斜姿勢から前記本傾斜姿勢に変換して洗浄処理を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】複数枚のウエハを処理液により化学的にエッチングして薄化処理を行いつつも、複数枚のウエハ内における仕上がり厚さのバラツキを小さくできるウエハ処理システムを提供する。
【解決手段】グループ化装置３が各ウエハＷの厚さを測定し、収容部１１が同じグループのウエハＷだけを同じカセットＣに予め収容する。ウエハ薄化装置７が移載アームを操作し、載置台からカセットＣを処理槽に順次に搬送させ、各カセットＣに対して処理液による処理を行わせるが、そのときの浸漬時間をグループ毎に変える。一つのカセットＣには同じグループのウエハＷだけが収容してあるので、カセットＣ内における複数枚のウエハＷについての厚さのバラツキは所定範囲内に収まっている。したがって、複数枚のウエハＷを化学的にエッチングして薄化処理を行いつつも、複数枚のウエハＷ内における仕上がり厚さのバラツキを小さくできる。 （もっと読む）

【課題】平流し方式において被処理基板に気体を吹き付ける乾燥処理に際して基板表面より発生するミストの基板への再付着を効果的に防止して、処理品質を向上させる。
【解決手段】この乾燥処理室Ｍ5は隔壁１９４により搬送方向に沿って２つの室Ｍ5a，Ｍ5bに分割されており、隔壁１９４には搬送路１１４上の基板Ｇがわずかな隙間を空けて通り抜けできる開口部１９２が設けられている。搬送路１１４上で基板Ｇが隔壁１９４の開口部１９２を通り抜ける時、基板Ｇと開口部１９２との間にはわずかな隙間Ｋが形成され、この隙間Ｋを通って下流側の高圧室Ｍ5bから上流側の低圧室Ｍ5aに向って空気流Ａが吹き抜けることにより、基板Ｇの表面に付着している液Ｒa，Ｒbは空気流Ａの風圧によって基板後方へ払い落とされると同時に、一部がミストｍとなって上流側の室Ｍ5a内で飛散ないし拡散する。 （もっと読む）

【課題】タクトタイムが短縮された基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板４を搬送しつつ基板４に対して各処理を行う基板処理装置において、少なくとも基板４の搬送方向に沿って処理液供給装置１、乾燥装置３が順に配置され、乾燥装置３は基板４上の処理液を乾燥させるエアナイフ２０から構成され、処理液供給装置１には基板４に処理液を供給する複数のノズル（１１ａ〜１１ｄ）が設けられ、これら複数のノズルのうち少なくとも最後段のノズル１１ｄが、基板４の搬送方向とは反対の方向に向けられた構成とした。 （もっと読む）

【課題】コストを抑制しながらも、基板保持回転機構に精密に位置決めされた状態で基板を保持させることができ、これにより、安定な基板処理を実現できる基板処理装置および基板搬送方法を提供する。
【解決手段】この基板処理装置は、基板Ｗを保持して回転するためのスピンチャック４と、このスピンチャック４に設けられ、所定の基板保持位置に基板Ｗを位置決めするための位置決めガイド５５と、スピンチャック４に基板Ｗを渡す基板搬送ロボット５２とを備えている。基板搬送ロボット５２の基板保持ハンド６０には、シリンダ７０に結合された落とし込みガイド７５が後方に設けられている。ハンド駆動機構５３およびシリンダ７０は、基板他を位置決めガイド５５の位置決め面５７に押し付けることにより、基板Ｗを位置決めする。 （もっと読む）

【課題】 基板などの被処理物に付着した異物（析出物など）を好適に除去することが可能な液体エッチング式表面処理装置を提供する。
【解決手段】 エッチング液を用いて被処理物に対するエッチング処理を行うエッチング室２と、エッチング処理後の被処理物に対する水洗処理を行う水洗室３と、エッチング室２から水洗室３に被処理物を搬送する複数の搬送ローラー４を備える。被処理物において搬送ローラー４に接触する面に付着した異物を水洗室３内において力学的に掻き落とす回転式ブラシ５を備える。 （もっと読む）

【課題】検知精度を低下させることなく、処理液による処理を均一化させることを目的とする。
【解決手段】基板処理装置１に、処理液を吐出空間２２に向けて吐出する吐出機構２と、断面形状が帯状のレーザ光を照射する投光部３と、投光部３から照射されたレーザ光を受光する受光部４と、制御部５とを設ける。投光部３が吐出空間２２外に配置されるように、投光部３を吐出空間２２よりも上方に設置し、吐出機構２の上方からガラス基板９に向けてレーザ光を照射する。制御部５は、受光部４から出力される受光量に基づいて、受光量が所定の閾値よりも増加した時点で、エッチング処理が終了したと判定する。 （もっと読む）

【課題】基板の搬入時間に遅れが生じても、全体としてのエッチング時間を一定にし、基板間で均一なエッチングを行うこと可能とした基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｋが処理領域２０内に進入したことが第１の検出手段２９ａによって検出されると、基板Ｋ上に処理液を供給して一次処理を行うとともに、基板Ｋが進入してから搬入を完了するまでの経過時間を基板搬入時間として計測する。そして、基板Ｋが完全に搬入されてから二次処理を開始し、計測した基板搬入時間が基準搬入時間内であった場合には、標準の搬送速度で基板Ｋを搬送して二次処理を行い、基板搬入時間が基準搬入時間よりも長かった場合には、超過した遅延時間を解消するような搬送速度を算出し、算出された搬送速度で基板Ｋを搬送して二次処理を行う。 （もっと読む）