【課題】 基板上にエッチング液を液膜状に供給した後に、この基板をリンス処理する場合においても、エッチング液とリンス液とを個別に回収することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 基板処理装置は、ガラス基板１００をその主面が水平方向となる状態で支持するとともに、このガラス基板１００を水平方向に搬送する複数の搬送ローラ９と、ガラス基板１００にエッチング液を供給する処理・洗浄ユニット１ａ、１ｂ、１ｃと、ガラス基板１００にリンス液を供給する処理・洗浄ユニット１ｄと、各処理・洗浄ユニット１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ毎に配設された回収トレー７１と、処理・洗浄ユニット１ｃと処理・洗浄ユニット１ｄとの間に配設されたエアナイフ７とを備える。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板の板面をノズル体によって噴射供給される処理液によって処理する際、全面を均一に処理できるようにした基板の処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板を所定方向に搬送する搬送ローラ５と、基板の搬送方向と交差する幅方向の両端部に処理液を隙間が生じることのない密の状態で均一に噴射供給する第１のノズル体２３と、基板の第１のノズル体によって処理液が供給された幅方向両端部を除く部分に処理液を基板の搬送方向及び搬送方向と交差する方向に対して隙間が生じる疎の状態で噴射供給する第２のノズル体２４を具備する。 （もっと読む）

【課題】 簡単な装置構造により角形の半導体基板に対しても均一な裏面平坦化が可能な太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板の受光面と反対側の裏面を湿式エッチングにより平坦化する裏面エッチング工程において、受光面を被覆して半導体基板をエッチング液中に浸漬させた状態で、半導体基板が浸漬している領域外にあるエッチング液を裏面に噴き付ける。 （もっと読む）

【解決手段】一実施形態例では、ウェットシステムは、プロキシミティヘッドと、基板（例えば半導体ウエハ）のためのホルダとを含む。プロキシミティヘッドは、メニスカスとしての水性流体の流れをプロキシミティヘッドの表面にわたって生じさせるように構成される。プロキシミティヘッドの表面は、流れを通じて基板の表面に作用する。ヘッドの表面は、流れを閉じ込める、維持する、及び／又は促進する表面形状変更を伴った非反応性材料（例えば熱可塑性プラスチック）で構成される。表面形状変更は、（例えばダイヤモンド又はＳｉＣの先端を伴った）円錐状のスクライブによって表面に彫り込まれてよい、又はテンプレートを使用して表面上にメルトプリントされてよい。これらの変更は、準ウィッキング又は超疎水性を生じさせえる。ホルダは、基板の表面を流れに曝す。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理中におけるエッチングレートの低下を抑制することにより、エッチング処理に要する時間を短縮することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ふっ硝酸処理開始後、処理時間の経過に従って、ベース昇降用モータ２０が制御されて、吸着ベース１０が上昇される。この吸着ベース１０の上昇は、ウエハＷの上面とリング上面２８との間の間隔が一定範囲内に保たれるように行われる。ふっ硝酸処理の結果ウエハＷは薄くなるが、吸着ベース１０が上昇されるために、ウエハＷの上面に形成されるふっ硝酸の液膜の厚みをほぼ一定に保つことができる。 （もっと読む）

【課題】精度の高い非拡散層の厚みに加えて、抵抗率のバラツキの範囲も狭い拡散ウェーハ群の製造方法を提供する。
【解決手段】従来は、１つのインゴット内での抵抗率のバラツキの範囲を把握することが出来ず、インゴット毎に抵抗率バラツキを規定し、非拡散層の厚みのみが規定可能であった。しかし、同一インゴット内であったとしても、抵抗率に対応した非拡散層の厚みを自在に製造可能な方法を提供する。また、異なるインゴットから得られる拡散ウェーハを組合せて、より好ましい抵抗率及び非拡散層の厚みを備える拡散ウェーハ群を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 多量の処理液を消費することなく、基板の表面全域に有効に処理液を供給することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 ガラス基板１００を水平方向に搬送する搬送ローラ９と、処理液吐出口２１が形成され、この処理液吐出口２１とガラス基板１００の表面との間が処理液の液膜により液密状態となる位置に配置された処理液吐出ノズル２と、処理液保持面３１を備え、処理液吐出口２１と処理液保持面３１との間に処理液の液溜まりを形成可能となる位置に配置された液溜まり保持部材３と、ガラス基板１００の裏面に洗浄液を供給する一対の裏面洗浄部４を備える。 （もっと読む）

【課題】基板における材料除去を適切に制御することである。
【解決手段】伝導性の基板（１２０）を用いており、かつ伝導性の工具（１００）を用いており、工具は表面構造（１３０）を有しており、前記基板の加工を前記工具を用いて電気化学的なエッチング工程を介して行い、前記エッチング工程を介して前記工具の表面構造に基づき基板の表面から材料を除去する、基板を電気化学的に加工する方法において、電気化学的なエッチング工程中に、前記基板及び前記工具を互いに運動させるようにし、また、上記方法に基づいて基板を電気化学的に加工する装置において、電気化学的なエッチング工程中に前記基板と前記工具とを互いに運動させる運動手段が設けられているようにした。 （もっと読む）

【課題】薬液又は再利用水を供給する配管が長く又は配管の経路が複雑な場合も、ノズルの詰まりを防止して、基板の処理を均一に行う。
【解決手段】基板１を移動しながら、制御弁３４を閉じ、制御弁３３を開いて、共通経路３５ａ及び分岐経路３５ｂを介して、ノズル３９を薬液供給源３０に接続して、ノズル３９から基板１の表面へ薬液を吐出する。所定の周期又は所定の枚数の基板の処理毎に、制御弁３３を閉じ、制御弁３４を開いて、共通経路３５ａ及び分岐経路３５ｃを介して、ノズル３９を圧縮気体供給源４０に接続して、ノズル３９から共通経路３５ａ内の薬液及び圧縮気体を吐出する。圧縮気体の圧力により、ノズル３９へつながる共通経路３５ａ内から薬液が排出されて、薬液の結晶や異物の発生が抑制される。また、ノズル３９内に付着した薬液の結晶や異物が、圧縮気体の圧力で除去される。 （もっと読む）

【課題】被処理体へ悪影響を及ぼすことなく、被処理体を連続して処理する際におけるスループットを向上させること。
【解決手段】処理装置は、延長可能液処理機構４０，４５と、一の被処理体と他の被処理体を順次取り扱う共有取扱部１０と、を備えている。処理装置は、リンス液処理工程と、共有取扱工程と、を有するレシピを算出するレシピ算出部５１も備えている。レシピ算出部５１は、共有取扱部１０が一の被処理体を取り扱う一の共有取扱工程と共有取扱部１０が他の被処理体を取り扱う他の共有取扱工程とが時間的に重複する場合に、他の被処理体についての延長可能液処理工程を延長し、かつ、延長可能液処理工程を延長した分だけ他の共有取扱工程をシフトさせることによって、一の共有取扱工程と他の共有取扱工程とが時間的に重複しないようにする。 （もっと読む）

【課題】貯留槽内の処理液の温度を槽内で一様にし、また、基板上に形成された膜の厚みが不均一であったり基板上の部位によって膜質の違いがあったりしても、基板面内における処理速度の不均一を緩和することでき、基板の主面全体における処理品質の均一性を向上させることができる装置を提供する。
【解決手段】処理液２０を貯留する貯留槽１０と、貯留槽の上部開口面を閉塞する覆蓋部２８と、貯留槽に貯留された処理液中で基板Ｗを搬送する搬送ローラ２６と、貯留槽の底部に設けられた供給口２２と、覆蓋部に設けられた補助供給口３０と、供給口および補助供給口に処理液を供給する処理液供給管２４、３２とを備えて、ディップ処理を行う装置を構成した。 （もっと読む）

【課題】熱拡散によって生じた半導体基板のシート抵抗の面内ばらつきを低減する。
【解決手段】半導体基板１を縦置きして、拡散炉で熱拡散を行うと、半導体基板１の上辺７のシート抵抗が下辺８のシート抵抗より低くなって、シート抵抗の面内ばらつきが生じる。熱拡散後、基板表面処理装置を使用して、ｐｎ接合分離をエッチングによって行うとき、半導体基板１の上辺７が搬送方向上流側に向くように、半導体基板１を搬送ローラ６に設置する。半導体基板１は搬送されながらエッチングされ、不要なｎ層が除去される。搬送するときに後端となる半導体基板１の上辺７は先端よりもエッチング量が多くなるので、半導体基板１の上辺７のシート抵抗が増加し、面内ばらつきが低減される。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された膜の厚みが不均一であったり基板上の部位によって膜質の違いがあったりしても、基板面内における処理速度の不均一を緩和して、基板の主面全体における処理品質の均一性を向上させることができる装置を提供する。
【解決手段】処理液を貯留する貯留槽１０と、貯留槽に貯留された処理液中で基板Ｗを搬送する手段と、貯留槽内の、処理液の温度を部分的に調節すべき領域に配設された温調用配管１２と、貯留槽内に供給されて貯留される処理液の温度と異なる温度を有する温調用媒体を温調用配管内へ供給する手段とを備えて、ディップ処理を行う装置を構成した。 （もっと読む）

【課題】基材に残留する微小導電性金属酸化物を除去する。
【解決手段】それぞれの対向面に絶縁膜１３ａａ，１３ｂａを形成した正負電極１３ａ，１３ｂを、基材１２との相対移動方向に順に配置した平板状電極体１３の外周部を絶縁体１３ｃで覆う。正負電極１３ａ，１３ｂと、両絶縁膜１３ａａ，１３ｂａの、それぞれの基材１２と対向する端面の面積Ｓ1、Ｓ2、Ｓ3の比を、Ｓ1／Ｓ2＝０．８〜１００、Ｓ2／Ｓ3＝０．０１〜１．１５とする。前記平板状電極体１３の端面を、基材１２に対向すべく，複数個隣接配置する。この平板状電極体１３と基材１２間に電解液１４を介在させた状態で、正負電極１３ａ，１３ｂに電圧を印加しつつ、平板状電極体１３と基材１２とを相対移動させ、基材１２の表面に残留する微小な導電性金属酸化物１２ａを還元反応により除去する。
【効果】微小導電性金属酸化物を、基材の全面に亘って効果的に除去できる。 （もっと読む）

【課題】基板を水平状態にして連続的に搬送しながら、基板表面に処理液を均一に塗布あるいは浸漬して、短時間で均一な液処理を行う液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】基板をベルト搬送して処理液に浸漬すると共に、前記基板を液処理槽内の処理液中に投入する第一搬送ベルト１と、該第一搬送ベルトから移送される前記基板を処理液中を水平に搬送して処理液に浸漬する第二搬送ベルト２と、該第二搬送ベルトから前記基板を受け取り液処理槽から排出する第三搬送ベルト３とを設け、前記、第一、第二、第三搬送ベルトの搬送速度をそれぞれ異ならせた構成の液処理装置および液処理方法とした。 （もっと読む）

【課題】最外周誘導壁によって容器の開口部を開閉することにより、占有面積の小型化、及び処理の短時間化を実現する。
【解決手段】回転式処理装置１に、容器１Ａ、回転保持機構７、処理液吐出アーム３０、誘導壁１６，１７、及びエアシリンダ２２，２３を設けた。回転保持機構７は、容器１Ａの開口部３７から搬入された被処理基板３を水平に保持して回転させる。誘導壁１６，１７は、回転保持機構７の外周側に同心状に配置され、処理液吐出アーム３０から吐出された処理液の廃液を分別して排液する。エアシリンダ２２，２３は、誘導壁１６，１７のそれぞれを上端部が回転保持機構に保持された被処理基板３よりも上方に位置する回収位置と下方に位置する退避位置との間で昇降させる。誘導壁１６，１７のうち最外周誘導壁１７は、回収位置で開口部３７を閉鎖し、退避位置で開口部３７を開放する。 （もっと読む）

本発明は、下面１２と、上面２２と、側面１４，１６，１８，２０とを有するウエハ状の基板１０を、液状の化学作用のあるプロセス媒体２６の、基板の少なくとも下面との接触によって、化学的に処理するための方法に関する。基板と、基板媒体と、これらを取り囲む雰囲気との間で三重線４２を同時に形成しつつ、基板を、プロセス媒体に対し、相対的に移動させる。特に側面に存する欠損を化学的に除去するために、プロセス媒体の、基板１０の上面２２との接触を回避しつつ、相対移動を実行し、三重線を、基板とプロセス媒体２６との間の相対移動に関し、プロセス媒体の流れ側から離隔した側面の所望の高さに形成することが提案される。かくして、雰囲気を、プロセス媒体２６の中に存在する成分の分圧に関して、上面が疎水特性を保つように、調整することができる。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されたパターンの倒壊を抑制することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数のパターンが隣接して形成された基板を処理する基板処理装置であって、薬液に対する耐性を有し、前記基板を前記薬液により洗浄するための第１のチャンバと、前記第１のチャンバの上方または下方に配置され、前記第１のチャンバよりも高い耐圧性を有し、前記基板を超臨界乾燥するための第２のチャンバと、前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとの間に設けられ、開閉可能なゲート部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＰＤＰなどの基板上に形成する電極の電極幅を、意図するものに異ならせることのできる電極形成装置を提供することを課題とする。
【解決手段】電極材料層とレジスト材料が形成された基板を搬送する搬送部と、電極材料層およびレジスト材料を除去するためのエッチング液を基板の上方向から噴霧させるエッチング部とを備える。エッチング部は、基板の進行方向に対して垂直方向に長い形状であり、かつ基板にエッチング液を噴霧させるための複数個のスプレーノズルが設置され、そのスプレーノズルにエッチング液を供給する複数のノズル配管部材を備える。複数のノズル配管部材は、並列に所定の間隔を空けて配置され、基板がエッチング部の下方を進行するにつれて、所定の電極幅分布を持つような電極が形成されるように、特定のノズル配管部材に設置されるスプレーノズルの個数および位置が設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ノズル同士の衝突を避けつつ、ノズルの稼働率を向上させることができる技術を提供する。
【解決手段】制御部は、現像ノズル２１を、第１の高さにある水平面（移動走行面Ｈ１）上で移動させることによって、現像ノズル２１を現像処理セット１０間で移動させる（ＡＲ２，ＡＲ６）。ただし、移動走行面Ｈ１は、純水ノズル１３０の移動エリア（純水ノズル１３０を処理位置Ｓ１３０と待避位置Ｔ１３０との間で移動させる際に純水ノズル１３０が移動するエリア）の上方に形成される。したがって、純水ノズル１３０との干渉を考慮せずに自由に現像ノズル２１を現像処理セット１０間で移動させることが可能となり、これにより、現像ノズル２１と純水ノズル１３０との稼働率が向上する。 （もっと読む）