基板の処理装置及び処理方法
【課題】この発明は基板の板面をノズル体によって噴射供給される処理液によって処理する際、全面を均一に処理できるようにした基板の処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板を所定方向に搬送する搬送ローラ５と、基板の搬送方向と交差する幅方向の両端部に処理液を隙間が生じることのない密の状態で均一に噴射供給する第１のノズル体２３と、基板の第１のノズル体によって処理液が供給された幅方向両端部を除く部分に処理液を基板の搬送方向及び搬送方向と交差する方向に対して隙間が生じる疎の状態で噴射供給する第２のノズル体２４を具備する。
【解決手段】基板を所定方向に搬送する搬送ローラ５と、基板の搬送方向と交差する幅方向の両端部に処理液を隙間が生じることのない密の状態で均一に噴射供給する第１のノズル体２３と、基板の第１のノズル体によって処理液が供給された幅方向両端部を除く部分に処理液を基板の搬送方向及び搬送方向と交差する方向に対して隙間が生じる疎の状態で噴射供給する第２のノズル体２４を具備する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は液晶表示装置などに用いられるガラス製の基板を処理液によって処理する基板の処理装置及び処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置に用いられるガラス製の基板には回路パターンが形成される。基板に回路パターンを形成するにはリソグラフィープロセスが採用される。リソグラフィープロセスは周知のように上記基板にレジストを塗布し、このレジストに回路パターンが形成されたマスクを介して光を照射する。
【０００３】
つぎに、レジストの光が照射されない部分或いは光が照射された部分を除去し、基板のレジストが除去された部分をエッチングするなどの一連の工程を複数回繰り返すことで、上記基板に回路パターンを形成する。
【０００４】
このようなリソグラフィープロセスにおいては、上記基板にエッチング液或いはエッチング後にレジストを除去する剥離液、さらに除去後に基板を洗浄するための洗浄液などの処理液によって基板を処理する工程が必要となる。
【０００５】
基板の板面を処理液によって処理する場合、たとえば基板を搬送ローラにより所定方向に搬送するとともに、搬送の途中で基板の上方に位置するノズル体から上記処理液を噴射して基板を処理するということが行われている。
【０００６】
上記ノズル体は、基板の搬送方向及び搬送方向と交差する方向に対してそれぞれ所定間隔で配置されている。そして、上記ノズル体からは、通常、処理液を円形パターンで噴射するとともに、基板の板面に処理液が噴射されない部分が生じないようにするため、処理液の隣り合う円形パターンをラップさせるということが行なわれている。
【０００７】
特許文献１には処理液を円形のパターンで噴射して基板上でラップさせることが開示され、特許文献２には処理液を四角形のパターンで噴射して基板上でラップさせることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−１７３７８４号公報
【特許文献２】特開２００４−２７５９８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、処理液のパターンが板の板面でラップするよう処理液をノズル体から噴射させると、パターンがラップしない場合に比べて処理液の使用量が増大するということがあり、コスト的に好ましくないということがある。しかも、パターンがラップする部分と、ラップしない部分とでは処理液の供給量が異なるから、処理液による処理が均一に行われないということもある。
【００１０】
そこで、最近では基板の板面に対してパターンがラップしない状態で処理液をノズル体から噴射させるということが考えられている。しかしながら、ノズル体から噴射される処理液のパターンが円形であると、そのパターンをラップさせずに基板の板面に噴射供給すると隣り合うパターン間に隙間が生じる。
【００１１】
隣り合う円形のパターン間に隙間が生じると、その隙間によって処理液が基板上で流動し易くなるということがある。処理液が基板上で流動し易くなると、基板の周辺部、とくに基板の搬送方向と交差する幅方向の両端部から処理液が流れ落ち易いということがある。
【００１２】
それによって、基板の幅方向の両端部に流れる処理液の量が他の部分に比べて多くなるから、基板の幅方向両端部の処理が他の部分よりも進行し易くなり、基板の処理が全面にわたって均一に行われなくなるということがある。
【００１３】
また、基板の板面が前工程の処理などのよって疎水面となっている場合、処理液が基板の幅方向の両側部からさらに流れ落ち易くなるから、そのような疎水面の基板の場合にはより一層、処理にむらが生じ易いということがある。
【００１４】
一方、ノズル体から噴射される処理液のパターンが四角形であれば、基板の板面にパターン間に隙間が生じることのない状態で処理液を均一に噴射供給することができる。しかしながら、基板の板面の全体に処理液を四角形のパターンで隙間なく均一に供給すると、基板上で各パターンを形成する処理液の流動性が低下するということがある。
【００１５】
基板の板面での処理液の流動性が低下すると、基板の上面で処理液に澱みが生じ、新たな処理液への置換が円滑に行われなくなるということがある。それによって、処理液による基板の処理が均一に行われなくなったり、処理速度が低下するなどのことがある。
【００１６】
この発明は、基板の幅方向の両端部から処理液が流れ落ち難くし、しかも基板の幅方向両端部の間の部分では処理液の流動性を確保できるようにすることで、基板の処理を板面全体にわたってむらなく均一に行なうことができるようにした基板の処理装置及び処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
この発明は、基板の板面に処理液を供給してこの板面を処理する基板の処理装置であって、
上記基板を所定方向に搬送する搬送手段と、
上記基板の搬送方向と交差する幅方向の両端部に上記処理液を隙間が生じることのない密の状態で均一に噴射供給する第１のノズル体と、
上記基板の上記第１のノズル体によって処理液が供給された幅方向両端部を除く部分に上記処理液を上記基板の搬送方向及び搬送方向と交差する方向に対して隙間が生じる疎の状態で噴射供給する第２のノズル体と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置にある。
【００１８】
上記第１のノズル体は上記処理液を四角形状の第１のパターンで噴射供給し、上記第２のノズル体は上記処理液を円形若しくは楕円形の第２のパターンで噴射供給することが好ましい。
【００１９】
上記基板の搬送方向と交差する幅方向の両端部には、上記第１のノズル体によって上記第１のパターンが上記基板の搬送方向に沿って一列になるよう上記処理液が噴射供給され、上記基板の上記幅方向の両端部の間の部分には、上記第２のノズル体によって上記第２のパターンが行列状或いは千鳥状になるよう上記処理液が噴射供給されることが好ましい。
【００２０】
この発明は、基板の板面に処理液を供給してこの板面を処理する基板の処理方法であって、
上記基板を所定方向に搬送する工程と、
上記基板の搬送方向と交差する幅方向の両端部に上記処理液を隙間が生じることのない密の状態で均一に噴射供給する工程と、
上記基板の幅方向両端部を除く部分に上記処理液を上記基板の搬送方向及び搬送方向と交差する方向に対して隙間が生じる疎の状態で噴射供給する工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法にある。
【発明の効果】
【００２１】
この発明によれば、基板の幅方向の両端部に処理液を隙間が生じることのない密の状態で均一に噴射供給し、幅方向両端部を除く部分には処理液を基板の搬送方向及び搬送方向と交差する方向に対して隙間が生じる疎の状態で噴射供給するようにした。
【００２２】
そのため、基板の幅方向の両端部では処理液の流動性が低下するから、基板の板面が疎水性であっても、その板面の幅方向両端部から処理液が流れ落ち難くなり、幅方向両端部を除く部分では噴射供給された処理液が流動性を有する状態にあるから、板面全体に処理液が行き渡って均一な処理が行われる。つまり、処理液が基板の幅方向両端部から流れ落ちる量を増大させずに、全面を均一に処理することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】この発明の一実施の形態に係る処理槽の長手方向に沿う概略的構成を示す断面図。
【図２】処理槽の幅方向に沿う拡大断面図。
【図３】処理槽の幅方向一端部の拡大図。
【図４】（ａ）は第１のノズル体のノズルチップの斜視図、（ｂ）は第２のノズル体のノズルチップの斜視図。
【図５】第１、第２のノズル体から基板の幅方向に処理液を噴射する状態を示した斜視図。
【図６】第１、第２のノズル体から基板に噴射される処理液のパターンを示す平面図。
【図７】第１、第２のノズル体から基板に処理液が図６に示すパターンと異なるパターンで噴射される状態を示す平面図。
【図８】図７に示す四角形パターンと円形パターンとでエッチング液を噴射した場合と、円形パターンだけを千鳥状に噴射した場合とのエッチング量を比較したグラフ。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、図面を参照しながらこの発明の一実施の形態を説明する。
【００２５】
図１に示すこの発明の処理装置はチャンバ１を備えている。このチャンバ１は長手方向一端に搬入口２、他端に搬出口３が形成され、内部には長手方向に対して所定間隔で複数の搬送軸４が回転可能に設けられている。搬送軸４には複数の搬送ローラ５が軸方向に所定間隔で設けられている。
【００２６】
図２と図３に示すように、各搬送軸４は両端部が軸受６によって回転可能に支持されている。複数の搬送軸の１本の一端部にはウオームホイール７が嵌着されている。この搬送軸４に設けられたウオームホイール７はウオームギヤ８に噛合している。ウオームギヤ８はチャンバ１の長手方向に沿って配置された従動軸９に嵌着されている。
【００２７】
上記従動軸９には従動プーリ１１が設けられ、この従動プーリ１１と駆動源１２の回転軸１２ａに嵌着された駆動プーリ１３とにはチェーン１４が張設されている。それによって、上記駆動プーリ１３が駆動源１２によって回転駆動されると、その回転に応じて上記ウオームホイール７が設けられた搬送軸４が従動軸９を介して回転駆動されるようになっている。
【００２８】
各搬送軸４の一端部には図示しないスプロケットが設けられている。各スプロケットには図示しないチェーンが張設されている。それによって、ウオームホイール７が設けられた搬送軸４が回転駆動されると、その回転に他の搬送軸４が連動するようになっている。
【００２９】
なお、上記駆動源１２は図示しない制御装置によって駆動が制御され、上記駆動プーリ１３の回転方向を正転方向、逆転方向及び正転方向と逆転方向とを交互に回転させることができるようになっている。
【００３０】
上記チャンバ１の搬入口２からは液晶表示装置に用いられるガラス製の矩形状の基板Ｗが搬入される。チャンバ１内に搬入された基板Ｗは、下面を搬送軸４に設けられた搬送ローラ５に接触させて搬送される。
【００３１】
上記搬送軸４の上方には、両端部が軸受１７によって回転可能に支持された押え軸１８が配置されている。この押え軸１８の両端部には、上記搬送軸４の搬送ローラ５によって搬送される上記基板Ｗの幅方向の両端縁の上面を押える押えローラ１９が設けられている。つまり、基板Ｗは、幅方向両端縁の下面と上面とが上記搬送ローラ５と押えローラ１９とによって保持されて搬送されるようになっている。
【００３２】
上記チャンバ１内の搬送ローラ５によって搬送される基板Ｗの上方には、図１に示すように基板Ｗの搬送方向に沿って杆状の複数の取付け部材２２がピッチＰ１ で配置されている。図２に示すように、各取付け部材２２の両端部には第１のノズル体２３が取り付けられ、中途部には複数の第２のノズル体２４が取り付けられている。これらノズル体２３，２４は上記取付け部材２２の長手方向に対して等間隔、この実施の形態ではピッチＰ２ の間隔で取付けられている。ここで、Ｐ１ ＝Ｐ２ に設定されている。
【００３３】
なお、基板Ｗの搬送方向において、隣り合う取付け部材２２に設けられた第１、第２のノズル体２３，２４は、基板Ｗの搬送方向と交差する幅方向に対して同じ位置に設けられている。
【００３４】
図３と図４（ａ），（ｂ）に示すように、第１、第２のノズル体２３，２４はノズルチップ２３ａ，２４ａを有する。第１のノズル体２３のノズルチップ２３ａには図４（ａ）に示すように上記ノズルチップ２３ａの下面に四角形、この実施の形態では正方形に開口した角錐状の噴射孔２３ｂが形成されている。噴射孔２３ｂの頂部には円柱状の供給孔２３ｃが連通し、処理液はこの供給孔２３ｃから噴射孔２３ｂに供給される。
【００３５】
上記第２のノズル体２４のノズルチップ２４ａには図４（ｂ）に示すように上記ノズルチップ２４ａの下面に円形に開口した円錐状の噴射孔２４ｂが形成されている。噴射孔２４ｂの頂部には円柱状の供給孔２４ｃが連通し、処理液はこの供給孔２４ｃから噴射孔２４ｂに供給される。
【００３６】
各ノズル体２３，２４に供給された処理液は、各ノズルチップ２３ａ，２４ａの噴射孔２３ｂ，２４ｂの形状に対応した形状、つまり第１のパターンとしての正方形状の四角形パタ−ンＳ１と、第２のパターンとしての円形パターンＳ２になって基板Ｗの上面に噴射される。
【００３７】
上記第１、第２のノズル体２３，２４が設けられた取付け部材２２の高さを後述する高さ調整機構２５によって設定することで、図６に示すように上記基板Ｗの上面の搬送方向と交差する幅方向の両端部には一対の第１のノズル体２３から処理液が正方形の四角形パターンＳ１で噴射供給され、一対の四角形パターンＳ１の間には複数の第２のノズル体２４から処理液が隣接する円形パターンＳ２で噴射供給される。このとき、四角形パターンＳ１の一辺の長さと、円形パターンＳ２の直径は同じ寸法になる。
【００３８】
一方、基板Ｗの搬送方向に対して隣り合う取付け部材２２に設けられた第１のノズル体２３の噴射孔２３ｂから噴射される処理液の四角形パターンＳ１は上記基板Ｗの搬送方向に対して隙間なく隣接した状態、つまり密の状態で噴射される。
【００３９】
隣り合う取付け部材２２に設けられた上記第２のノズル体２４の噴射孔２４ｂから噴射される処理液の円形パターンＳ２は上記四角形パターンＳ１が噴射された基板Ｗの幅方向の両端部間で行列状に隣接して噴射供給されることになる。
【００４０】
四角形パターンＳ１の処理液が基板Ｗの幅方向両端部に基板の搬送方向に沿って隣接した、隙間のない密の状態で噴射供給されると、基板Ｗの幅方向両端部では処理液の流動性が低減する。それによって、基板Ｗの板面が疎水面であっても、基板Ｗの幅方向両端部に供給された処理液が端部から外方へ流れ落ち難くなる。
【００４１】
基板Ｗの幅方向両端部の四角形パターンＳ１間には円形パターンＳ２の処理液が基板Ｗの幅方向及び搬送方向に対して隣接した状態で行列状に噴射供給される。円形パターンＳ２が基板Ｗの幅方向及び搬送方向に対して隣接しても、隣り合う円形パターンＳ２間には図６にＣで示す隙間が生じる。つまり、基板Ｗには円形パターンＳ２が隙間Ｃのある疎の状態で噴射供給される。
【００４２】
円形パターンＳ２間に隙間Ｃがあると、円形パターンＳ２を形成する処理液には上記隙間Ｃに向かう流れが生じる。つまり、基板Ｗの幅方向両端部の四角形パターンＳ１の間に供給された円形パターンＳ２の処理液は上記隙間Ｃが形成されることで流動性を有する。それによって、基板Ｗの幅方向両端部の四角形パターンＳ１の間に供給された円形パターンＳ２の処理液は上記隙間Ｃを埋めるよう流動しながら互いのパターンＳ２が交じり合って均一に分布することになる。
【００４３】
上記ノズル体２３，２４は、上記取付け部材２２の両端部に設けられた上記高さ調整機構２５によって基板Ｗの板面に対する高さ調整ができるようになっている。この高さ調整機構２５は、図３に示すようマウントロッド２７を有する。このマウントロッド２７の一端は上記取付け部材２２の両端に連結片２６を介して取付けられている。マウントロッド２７は軸線を上記取付け部材２２の軸線と平行にして設けられている。
【００４４】
上記チャンバ１内の幅方向両端にはガイド部材２８がＬ字状のブラケット２９を介して立設されている。このブラケット２９の下端は上記チャンバ１の側壁下部に固定されている。上記ガイド部材２８には上下方向に沿って細長いガイド孔３１が上記ガイド部材２８の厚さ方向に貫通して形成されている。
【００４５】
上記ガイド孔３１にはガイド部材２８の厚さ方向一端から上記マウントロッド２７の他端部がガイド孔３１の長手方向に沿ってスライド可能に挿入されている。上記ガイド部材２８の厚さ方向他端からは、上記マウントロッド２７の端面に蝶ねじ３２がワッシャ３３を介して螺合されている。
【００４６】
したがって、上記蝶ねじ３２を緩めれば、上記取付け部材２２をガイド部材２８のガイド孔３１に沿って上下方向にスライドさせることができ、上記蝶ねじ３２を締め込めば、上記取付け部材２２を所定の位置で固定できるようになっている。
【００４７】
上記マウントロッド２７にはアジャストねじ３４が螺合されている。このアジャストねじ３４は、上端部が上記ガイド部材２８の上端に設けられた支持部材３５に回転可能に挿通され、下端が上記ガイド部材２８を取付けたブラケット２９の上面に回転可能に支持されている。
【００４８】
上記アジャストねじ３４には、上記支持部材３５の上面側と下面側とに位置するナット３６が螺合されている。一対のナット３６のどちらか一方と上記マウントロッド２７に螺合された蝶ねじ３２とを緩め、上記アジャストねじ３４を回転させれば、上記マウントロッド２７を介して上記取付け部材２２の高さを上方或いは下方に微調整することができる。つまり、上記取付け部材２２に取付けられたノズル体２３，２４は上記高さ調整機構２５によって上記基板Ｗの板面に対する高さを調整できるようになっている。
【００４９】
ノズル体２３，２４の高さを変えることで、各ノズル体２３，２４から噴射されて基板Ｗの上面に到達する処理液の四角形パターンＳ１及び円形パターンＳ２の面積を変えることができる。それによって、基板Ｗの幅方向及びこの幅方向と交差する搬送方向において、上記第１、第２のパターンＳ１、Ｓ２を図６に示すように基板Ｗの上面に噴射供給することができる。
なお、図６に示すように、基板Ｗの搬送方向に所定間隔で配置された複数の取付け部材２２に設けられた上記第１、第２のノズル体２３，２４から噴射される処理液の基板Ｗの搬送方向に対する噴射領域Ｒは、基板Ｗの搬送方向に沿う長さ寸法よりも大きく設定されている。
【００５０】
つぎに、上記構成の処理装置によって基板Ｗを処理する手順を説明する。まず、駆動源１２を作動させて基板Ｗをチャンバ１の搬入口２から内部に搬入し、チャンバ１内に設けられた第１、第２のノズル体２３，２４から処理液を基板Ｗの板面に向けて噴射する。
【００５１】
基板Ｗの板面の搬送方向と交差する幅方向の両端部には、図６に示すように第１のノズル体２３から噴射された処理液が基板Ｗの搬送方向に対して隣接する四角形パターンＳ１によって密な状態で供給され、基板Ｗの幅方向の両端部間、つまり四角形パターンＳ１の間の部分には行列状に隣接し、かつ隣り合うパターン間に隙間Ｃが生じる疎の状態となる円形パターンＳ２によって処理液が噴射供給される。
【００５２】
基板Ｗの幅方向の両端部に処理液が四角形パターンＳ１によって基板Ｗの搬送方向に対して隙間のない密な状態で供給されると、処理液は基板Ｗの搬送方向にだけではなく、基板Ｗの幅方向に対しても流動性が制限される。それによって、基板Ｗの幅方向両端部に供給された処理液は、幅方向の端部から外方へ流れ落ち難くなる。
【００５３】
基板Ｗの幅方向両端部に密な状態で供給された四角形パターンＳ１の間に、隙間Ｃのある疎の状態で行列状に噴射供給された円形パターンＳ２の処理液は、各円形パターンＳ２を形成する処理液が上記隙間Ｃを埋めるよう流動する。
【００５４】
それによって、基板Ｗの幅方向両端部の間の部分では、上記隙間Ｃに向かって処理液が流れることで、分布状態が均一になるとともに、その流れによって基板Ｗ上での澱みが生じ難くなるから、処理液による処理がむらなく均一に行われ易くなる。
【００５５】
すなわち、基板Ｗの幅方向の両端部から処理液が流れ落ち難く、しかも他の部分では処理液が流動して均一に分布するため、結果的に基板Ｗの板面全体が均一に処理されることになる。
【００５６】
通常、上記チャンバ１の搬入口２から内部に搬入された基板Ｗは、搬出口３に向かって所定の速度で搬送される。そして、基板Ｗは上記チャンバ１を通過する間に、第１、第２のノズル体２３，２４から上述したように供給される処理液によって処理される。
【００５７】
一方、基板Ｗに対するエッチングや洗浄などの処理を確実に行いたいような場合、基板Ｗを処理液が第１、第２のノズル体２３，２４から噴射される領域Ｒ（図６に示す）から外れることのない範囲で往復動を繰り返すようにしてもよい。
【００５８】
上記一実施の形態では、上記基板Ｗの板面の処理液が四角形パターンＳ１で噴射供給される両端部の間の部分に、処理液を円形パターンＳ２で行列状に噴射供給するようにしたが、上記円形パターンＳ２を図７に示すように千鳥状になるよう噴射供給してもよい。
【００５９】
円形パターンＳ２の処理液を千鳥状で噴射供給すると、円形パターンＳ２の数が一列毎に１つずつ少なくなる。それによって、円形パターンＳ２を行列状で噴射供給する場合に比べ、数の少ない列では両端に位置する円形パターンＳ２と、幅方向両端部に噴射供給された矩形パターンＳ１との間に生じる隙間Ｃ２が他の部分の隙間Ｃ１に比べて大きくなるから、上記隙間Ｃ２によって流動性の少ない幅方向両端部での処理液の流動性を大きくすることができる。
【００６０】
なお、円形パターンＳ２を千鳥状にすると、基板Ｗの搬送方向に対して円形パターンＳ２のピッチは小さくなるから、その分、隣り合う矩形パターンＳ１がラップすることになる。
【００６１】
図８は処理液としてエッチング液を用い、図７に示すように四角形パターンＳ１と千鳥状に配置される円形パターンＳ２とでエッチング液を基板Ｗに噴射供給した場合と、円形パターンＳ２だけを千鳥状にして噴射供給した場合とのエッチング量を複数のポイントで測定した実験結果を示す。図８にＡで示す折れ線が前者の場合で、Ｂで示す折れ線が後者の場合である。なお、折れ線Ａと折れ線Ｂにおける測定ポイントは、各処理に用いられたそれぞれの基板Ｗの同じ位置（場所）を測定している。
【００６２】
折れ線Ａと折れ線Ｂを比較すると、処理液を基板Ｗの幅方向両端部に四角形パターンＳ１で供給し、その間の部分に円形パターンＳ２を千鳥状にして供給した曲線Ａの方が、全面に円形パターンＳ２で千鳥状に供給した場合よりも、エッチング量のばらつきが少ない、つまりエッチングを均一に行えることが確認できた。
【００６３】
なお、上記各実施の形態では四角形パターンとして処理液が正方形のパターンで噴射供給される場合について説明したが、四角形パターンとしては正方形でなく、矩形であってもよく、要は基板の幅方向の両端部に処理液を密な状態で噴射供給することができる形状であればよい。
【００６４】
また、基板の幅方向の両端部に処理液を噴射する四角形パターンは、基板の幅方向の端縁から一部が外方へ外れた状態であってもよい。
【００６５】
また、基板の幅方向両端部を除く部分に処理液を供給するパターンは、円形パターンに代えて楕円形パターンであってもよく、要は処理液を隙間が生じる疎の状態で供給することができる形状であればよい。
【００６６】
さらに、第１、第２のノズル体の支持高さを変え、隣り合う四角形パターンＳ１及び円形パターンＳ２を所定のラップ代でラップさせて処理液を供給するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００６７】
４…搬送軸（搬送手段）、５…搬送ローラ（搬送手段）、１２…駆動源（搬送手段）、２３…第１のノズル体、２４…第２のノズル体、２３ａ，２４ａ…ノズルチップ、２３ｂ，２４ｂ…噴射孔、Ｓ１…四角形パターン、Ｓ２…円形パターン。
【技術分野】
【０００１】
この発明は液晶表示装置などに用いられるガラス製の基板を処理液によって処理する基板の処理装置及び処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置に用いられるガラス製の基板には回路パターンが形成される。基板に回路パターンを形成するにはリソグラフィープロセスが採用される。リソグラフィープロセスは周知のように上記基板にレジストを塗布し、このレジストに回路パターンが形成されたマスクを介して光を照射する。
【０００３】
つぎに、レジストの光が照射されない部分或いは光が照射された部分を除去し、基板のレジストが除去された部分をエッチングするなどの一連の工程を複数回繰り返すことで、上記基板に回路パターンを形成する。
【０００４】
このようなリソグラフィープロセスにおいては、上記基板にエッチング液或いはエッチング後にレジストを除去する剥離液、さらに除去後に基板を洗浄するための洗浄液などの処理液によって基板を処理する工程が必要となる。
【０００５】
基板の板面を処理液によって処理する場合、たとえば基板を搬送ローラにより所定方向に搬送するとともに、搬送の途中で基板の上方に位置するノズル体から上記処理液を噴射して基板を処理するということが行われている。
【０００６】
上記ノズル体は、基板の搬送方向及び搬送方向と交差する方向に対してそれぞれ所定間隔で配置されている。そして、上記ノズル体からは、通常、処理液を円形パターンで噴射するとともに、基板の板面に処理液が噴射されない部分が生じないようにするため、処理液の隣り合う円形パターンをラップさせるということが行なわれている。
【０００７】
特許文献１には処理液を円形のパターンで噴射して基板上でラップさせることが開示され、特許文献２には処理液を四角形のパターンで噴射して基板上でラップさせることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−１７３７８４号公報
【特許文献２】特開２００４−２７５９８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、処理液のパターンが板の板面でラップするよう処理液をノズル体から噴射させると、パターンがラップしない場合に比べて処理液の使用量が増大するということがあり、コスト的に好ましくないということがある。しかも、パターンがラップする部分と、ラップしない部分とでは処理液の供給量が異なるから、処理液による処理が均一に行われないということもある。
【００１０】
そこで、最近では基板の板面に対してパターンがラップしない状態で処理液をノズル体から噴射させるということが考えられている。しかしながら、ノズル体から噴射される処理液のパターンが円形であると、そのパターンをラップさせずに基板の板面に噴射供給すると隣り合うパターン間に隙間が生じる。
【００１１】
隣り合う円形のパターン間に隙間が生じると、その隙間によって処理液が基板上で流動し易くなるということがある。処理液が基板上で流動し易くなると、基板の周辺部、とくに基板の搬送方向と交差する幅方向の両端部から処理液が流れ落ち易いということがある。
【００１２】
それによって、基板の幅方向の両端部に流れる処理液の量が他の部分に比べて多くなるから、基板の幅方向両端部の処理が他の部分よりも進行し易くなり、基板の処理が全面にわたって均一に行われなくなるということがある。
【００１３】
また、基板の板面が前工程の処理などのよって疎水面となっている場合、処理液が基板の幅方向の両側部からさらに流れ落ち易くなるから、そのような疎水面の基板の場合にはより一層、処理にむらが生じ易いということがある。
【００１４】
一方、ノズル体から噴射される処理液のパターンが四角形であれば、基板の板面にパターン間に隙間が生じることのない状態で処理液を均一に噴射供給することができる。しかしながら、基板の板面の全体に処理液を四角形のパターンで隙間なく均一に供給すると、基板上で各パターンを形成する処理液の流動性が低下するということがある。
【００１５】
基板の板面での処理液の流動性が低下すると、基板の上面で処理液に澱みが生じ、新たな処理液への置換が円滑に行われなくなるということがある。それによって、処理液による基板の処理が均一に行われなくなったり、処理速度が低下するなどのことがある。
【００１６】
この発明は、基板の幅方向の両端部から処理液が流れ落ち難くし、しかも基板の幅方向両端部の間の部分では処理液の流動性を確保できるようにすることで、基板の処理を板面全体にわたってむらなく均一に行なうことができるようにした基板の処理装置及び処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
この発明は、基板の板面に処理液を供給してこの板面を処理する基板の処理装置であって、
上記基板を所定方向に搬送する搬送手段と、
上記基板の搬送方向と交差する幅方向の両端部に上記処理液を隙間が生じることのない密の状態で均一に噴射供給する第１のノズル体と、
上記基板の上記第１のノズル体によって処理液が供給された幅方向両端部を除く部分に上記処理液を上記基板の搬送方向及び搬送方向と交差する方向に対して隙間が生じる疎の状態で噴射供給する第２のノズル体と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置にある。
【００１８】
上記第１のノズル体は上記処理液を四角形状の第１のパターンで噴射供給し、上記第２のノズル体は上記処理液を円形若しくは楕円形の第２のパターンで噴射供給することが好ましい。
【００１９】
上記基板の搬送方向と交差する幅方向の両端部には、上記第１のノズル体によって上記第１のパターンが上記基板の搬送方向に沿って一列になるよう上記処理液が噴射供給され、上記基板の上記幅方向の両端部の間の部分には、上記第２のノズル体によって上記第２のパターンが行列状或いは千鳥状になるよう上記処理液が噴射供給されることが好ましい。
【００２０】
この発明は、基板の板面に処理液を供給してこの板面を処理する基板の処理方法であって、
上記基板を所定方向に搬送する工程と、
上記基板の搬送方向と交差する幅方向の両端部に上記処理液を隙間が生じることのない密の状態で均一に噴射供給する工程と、
上記基板の幅方向両端部を除く部分に上記処理液を上記基板の搬送方向及び搬送方向と交差する方向に対して隙間が生じる疎の状態で噴射供給する工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法にある。
【発明の効果】
【００２１】
この発明によれば、基板の幅方向の両端部に処理液を隙間が生じることのない密の状態で均一に噴射供給し、幅方向両端部を除く部分には処理液を基板の搬送方向及び搬送方向と交差する方向に対して隙間が生じる疎の状態で噴射供給するようにした。
【００２２】
そのため、基板の幅方向の両端部では処理液の流動性が低下するから、基板の板面が疎水性であっても、その板面の幅方向両端部から処理液が流れ落ち難くなり、幅方向両端部を除く部分では噴射供給された処理液が流動性を有する状態にあるから、板面全体に処理液が行き渡って均一な処理が行われる。つまり、処理液が基板の幅方向両端部から流れ落ちる量を増大させずに、全面を均一に処理することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】この発明の一実施の形態に係る処理槽の長手方向に沿う概略的構成を示す断面図。
【図２】処理槽の幅方向に沿う拡大断面図。
【図３】処理槽の幅方向一端部の拡大図。
【図４】（ａ）は第１のノズル体のノズルチップの斜視図、（ｂ）は第２のノズル体のノズルチップの斜視図。
【図５】第１、第２のノズル体から基板の幅方向に処理液を噴射する状態を示した斜視図。
【図６】第１、第２のノズル体から基板に噴射される処理液のパターンを示す平面図。
【図７】第１、第２のノズル体から基板に処理液が図６に示すパターンと異なるパターンで噴射される状態を示す平面図。
【図８】図７に示す四角形パターンと円形パターンとでエッチング液を噴射した場合と、円形パターンだけを千鳥状に噴射した場合とのエッチング量を比較したグラフ。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、図面を参照しながらこの発明の一実施の形態を説明する。
【００２５】
図１に示すこの発明の処理装置はチャンバ１を備えている。このチャンバ１は長手方向一端に搬入口２、他端に搬出口３が形成され、内部には長手方向に対して所定間隔で複数の搬送軸４が回転可能に設けられている。搬送軸４には複数の搬送ローラ５が軸方向に所定間隔で設けられている。
【００２６】
図２と図３に示すように、各搬送軸４は両端部が軸受６によって回転可能に支持されている。複数の搬送軸の１本の一端部にはウオームホイール７が嵌着されている。この搬送軸４に設けられたウオームホイール７はウオームギヤ８に噛合している。ウオームギヤ８はチャンバ１の長手方向に沿って配置された従動軸９に嵌着されている。
【００２７】
上記従動軸９には従動プーリ１１が設けられ、この従動プーリ１１と駆動源１２の回転軸１２ａに嵌着された駆動プーリ１３とにはチェーン１４が張設されている。それによって、上記駆動プーリ１３が駆動源１２によって回転駆動されると、その回転に応じて上記ウオームホイール７が設けられた搬送軸４が従動軸９を介して回転駆動されるようになっている。
【００２８】
各搬送軸４の一端部には図示しないスプロケットが設けられている。各スプロケットには図示しないチェーンが張設されている。それによって、ウオームホイール７が設けられた搬送軸４が回転駆動されると、その回転に他の搬送軸４が連動するようになっている。
【００２９】
なお、上記駆動源１２は図示しない制御装置によって駆動が制御され、上記駆動プーリ１３の回転方向を正転方向、逆転方向及び正転方向と逆転方向とを交互に回転させることができるようになっている。
【００３０】
上記チャンバ１の搬入口２からは液晶表示装置に用いられるガラス製の矩形状の基板Ｗが搬入される。チャンバ１内に搬入された基板Ｗは、下面を搬送軸４に設けられた搬送ローラ５に接触させて搬送される。
【００３１】
上記搬送軸４の上方には、両端部が軸受１７によって回転可能に支持された押え軸１８が配置されている。この押え軸１８の両端部には、上記搬送軸４の搬送ローラ５によって搬送される上記基板Ｗの幅方向の両端縁の上面を押える押えローラ１９が設けられている。つまり、基板Ｗは、幅方向両端縁の下面と上面とが上記搬送ローラ５と押えローラ１９とによって保持されて搬送されるようになっている。
【００３２】
上記チャンバ１内の搬送ローラ５によって搬送される基板Ｗの上方には、図１に示すように基板Ｗの搬送方向に沿って杆状の複数の取付け部材２２がピッチＰ１ で配置されている。図２に示すように、各取付け部材２２の両端部には第１のノズル体２３が取り付けられ、中途部には複数の第２のノズル体２４が取り付けられている。これらノズル体２３，２４は上記取付け部材２２の長手方向に対して等間隔、この実施の形態ではピッチＰ２ の間隔で取付けられている。ここで、Ｐ１ ＝Ｐ２ に設定されている。
【００３３】
なお、基板Ｗの搬送方向において、隣り合う取付け部材２２に設けられた第１、第２のノズル体２３，２４は、基板Ｗの搬送方向と交差する幅方向に対して同じ位置に設けられている。
【００３４】
図３と図４（ａ），（ｂ）に示すように、第１、第２のノズル体２３，２４はノズルチップ２３ａ，２４ａを有する。第１のノズル体２３のノズルチップ２３ａには図４（ａ）に示すように上記ノズルチップ２３ａの下面に四角形、この実施の形態では正方形に開口した角錐状の噴射孔２３ｂが形成されている。噴射孔２３ｂの頂部には円柱状の供給孔２３ｃが連通し、処理液はこの供給孔２３ｃから噴射孔２３ｂに供給される。
【００３５】
上記第２のノズル体２４のノズルチップ２４ａには図４（ｂ）に示すように上記ノズルチップ２４ａの下面に円形に開口した円錐状の噴射孔２４ｂが形成されている。噴射孔２４ｂの頂部には円柱状の供給孔２４ｃが連通し、処理液はこの供給孔２４ｃから噴射孔２４ｂに供給される。
【００３６】
各ノズル体２３，２４に供給された処理液は、各ノズルチップ２３ａ，２４ａの噴射孔２３ｂ，２４ｂの形状に対応した形状、つまり第１のパターンとしての正方形状の四角形パタ−ンＳ１と、第２のパターンとしての円形パターンＳ２になって基板Ｗの上面に噴射される。
【００３７】
上記第１、第２のノズル体２３，２４が設けられた取付け部材２２の高さを後述する高さ調整機構２５によって設定することで、図６に示すように上記基板Ｗの上面の搬送方向と交差する幅方向の両端部には一対の第１のノズル体２３から処理液が正方形の四角形パターンＳ１で噴射供給され、一対の四角形パターンＳ１の間には複数の第２のノズル体２４から処理液が隣接する円形パターンＳ２で噴射供給される。このとき、四角形パターンＳ１の一辺の長さと、円形パターンＳ２の直径は同じ寸法になる。
【００３８】
一方、基板Ｗの搬送方向に対して隣り合う取付け部材２２に設けられた第１のノズル体２３の噴射孔２３ｂから噴射される処理液の四角形パターンＳ１は上記基板Ｗの搬送方向に対して隙間なく隣接した状態、つまり密の状態で噴射される。
【００３９】
隣り合う取付け部材２２に設けられた上記第２のノズル体２４の噴射孔２４ｂから噴射される処理液の円形パターンＳ２は上記四角形パターンＳ１が噴射された基板Ｗの幅方向の両端部間で行列状に隣接して噴射供給されることになる。
【００４０】
四角形パターンＳ１の処理液が基板Ｗの幅方向両端部に基板の搬送方向に沿って隣接した、隙間のない密の状態で噴射供給されると、基板Ｗの幅方向両端部では処理液の流動性が低減する。それによって、基板Ｗの板面が疎水面であっても、基板Ｗの幅方向両端部に供給された処理液が端部から外方へ流れ落ち難くなる。
【００４１】
基板Ｗの幅方向両端部の四角形パターンＳ１間には円形パターンＳ２の処理液が基板Ｗの幅方向及び搬送方向に対して隣接した状態で行列状に噴射供給される。円形パターンＳ２が基板Ｗの幅方向及び搬送方向に対して隣接しても、隣り合う円形パターンＳ２間には図６にＣで示す隙間が生じる。つまり、基板Ｗには円形パターンＳ２が隙間Ｃのある疎の状態で噴射供給される。
【００４２】
円形パターンＳ２間に隙間Ｃがあると、円形パターンＳ２を形成する処理液には上記隙間Ｃに向かう流れが生じる。つまり、基板Ｗの幅方向両端部の四角形パターンＳ１の間に供給された円形パターンＳ２の処理液は上記隙間Ｃが形成されることで流動性を有する。それによって、基板Ｗの幅方向両端部の四角形パターンＳ１の間に供給された円形パターンＳ２の処理液は上記隙間Ｃを埋めるよう流動しながら互いのパターンＳ２が交じり合って均一に分布することになる。
【００４３】
上記ノズル体２３，２４は、上記取付け部材２２の両端部に設けられた上記高さ調整機構２５によって基板Ｗの板面に対する高さ調整ができるようになっている。この高さ調整機構２５は、図３に示すようマウントロッド２７を有する。このマウントロッド２７の一端は上記取付け部材２２の両端に連結片２６を介して取付けられている。マウントロッド２７は軸線を上記取付け部材２２の軸線と平行にして設けられている。
【００４４】
上記チャンバ１内の幅方向両端にはガイド部材２８がＬ字状のブラケット２９を介して立設されている。このブラケット２９の下端は上記チャンバ１の側壁下部に固定されている。上記ガイド部材２８には上下方向に沿って細長いガイド孔３１が上記ガイド部材２８の厚さ方向に貫通して形成されている。
【００４５】
上記ガイド孔３１にはガイド部材２８の厚さ方向一端から上記マウントロッド２７の他端部がガイド孔３１の長手方向に沿ってスライド可能に挿入されている。上記ガイド部材２８の厚さ方向他端からは、上記マウントロッド２７の端面に蝶ねじ３２がワッシャ３３を介して螺合されている。
【００４６】
したがって、上記蝶ねじ３２を緩めれば、上記取付け部材２２をガイド部材２８のガイド孔３１に沿って上下方向にスライドさせることができ、上記蝶ねじ３２を締め込めば、上記取付け部材２２を所定の位置で固定できるようになっている。
【００４７】
上記マウントロッド２７にはアジャストねじ３４が螺合されている。このアジャストねじ３４は、上端部が上記ガイド部材２８の上端に設けられた支持部材３５に回転可能に挿通され、下端が上記ガイド部材２８を取付けたブラケット２９の上面に回転可能に支持されている。
【００４８】
上記アジャストねじ３４には、上記支持部材３５の上面側と下面側とに位置するナット３６が螺合されている。一対のナット３６のどちらか一方と上記マウントロッド２７に螺合された蝶ねじ３２とを緩め、上記アジャストねじ３４を回転させれば、上記マウントロッド２７を介して上記取付け部材２２の高さを上方或いは下方に微調整することができる。つまり、上記取付け部材２２に取付けられたノズル体２３，２４は上記高さ調整機構２５によって上記基板Ｗの板面に対する高さを調整できるようになっている。
【００４９】
ノズル体２３，２４の高さを変えることで、各ノズル体２３，２４から噴射されて基板Ｗの上面に到達する処理液の四角形パターンＳ１及び円形パターンＳ２の面積を変えることができる。それによって、基板Ｗの幅方向及びこの幅方向と交差する搬送方向において、上記第１、第２のパターンＳ１、Ｓ２を図６に示すように基板Ｗの上面に噴射供給することができる。
なお、図６に示すように、基板Ｗの搬送方向に所定間隔で配置された複数の取付け部材２２に設けられた上記第１、第２のノズル体２３，２４から噴射される処理液の基板Ｗの搬送方向に対する噴射領域Ｒは、基板Ｗの搬送方向に沿う長さ寸法よりも大きく設定されている。
【００５０】
つぎに、上記構成の処理装置によって基板Ｗを処理する手順を説明する。まず、駆動源１２を作動させて基板Ｗをチャンバ１の搬入口２から内部に搬入し、チャンバ１内に設けられた第１、第２のノズル体２３，２４から処理液を基板Ｗの板面に向けて噴射する。
【００５１】
基板Ｗの板面の搬送方向と交差する幅方向の両端部には、図６に示すように第１のノズル体２３から噴射された処理液が基板Ｗの搬送方向に対して隣接する四角形パターンＳ１によって密な状態で供給され、基板Ｗの幅方向の両端部間、つまり四角形パターンＳ１の間の部分には行列状に隣接し、かつ隣り合うパターン間に隙間Ｃが生じる疎の状態となる円形パターンＳ２によって処理液が噴射供給される。
【００５２】
基板Ｗの幅方向の両端部に処理液が四角形パターンＳ１によって基板Ｗの搬送方向に対して隙間のない密な状態で供給されると、処理液は基板Ｗの搬送方向にだけではなく、基板Ｗの幅方向に対しても流動性が制限される。それによって、基板Ｗの幅方向両端部に供給された処理液は、幅方向の端部から外方へ流れ落ち難くなる。
【００５３】
基板Ｗの幅方向両端部に密な状態で供給された四角形パターンＳ１の間に、隙間Ｃのある疎の状態で行列状に噴射供給された円形パターンＳ２の処理液は、各円形パターンＳ２を形成する処理液が上記隙間Ｃを埋めるよう流動する。
【００５４】
それによって、基板Ｗの幅方向両端部の間の部分では、上記隙間Ｃに向かって処理液が流れることで、分布状態が均一になるとともに、その流れによって基板Ｗ上での澱みが生じ難くなるから、処理液による処理がむらなく均一に行われ易くなる。
【００５５】
すなわち、基板Ｗの幅方向の両端部から処理液が流れ落ち難く、しかも他の部分では処理液が流動して均一に分布するため、結果的に基板Ｗの板面全体が均一に処理されることになる。
【００５６】
通常、上記チャンバ１の搬入口２から内部に搬入された基板Ｗは、搬出口３に向かって所定の速度で搬送される。そして、基板Ｗは上記チャンバ１を通過する間に、第１、第２のノズル体２３，２４から上述したように供給される処理液によって処理される。
【００５７】
一方、基板Ｗに対するエッチングや洗浄などの処理を確実に行いたいような場合、基板Ｗを処理液が第１、第２のノズル体２３，２４から噴射される領域Ｒ（図６に示す）から外れることのない範囲で往復動を繰り返すようにしてもよい。
【００５８】
上記一実施の形態では、上記基板Ｗの板面の処理液が四角形パターンＳ１で噴射供給される両端部の間の部分に、処理液を円形パターンＳ２で行列状に噴射供給するようにしたが、上記円形パターンＳ２を図７に示すように千鳥状になるよう噴射供給してもよい。
【００５９】
円形パターンＳ２の処理液を千鳥状で噴射供給すると、円形パターンＳ２の数が一列毎に１つずつ少なくなる。それによって、円形パターンＳ２を行列状で噴射供給する場合に比べ、数の少ない列では両端に位置する円形パターンＳ２と、幅方向両端部に噴射供給された矩形パターンＳ１との間に生じる隙間Ｃ２が他の部分の隙間Ｃ１に比べて大きくなるから、上記隙間Ｃ２によって流動性の少ない幅方向両端部での処理液の流動性を大きくすることができる。
【００６０】
なお、円形パターンＳ２を千鳥状にすると、基板Ｗの搬送方向に対して円形パターンＳ２のピッチは小さくなるから、その分、隣り合う矩形パターンＳ１がラップすることになる。
【００６１】
図８は処理液としてエッチング液を用い、図７に示すように四角形パターンＳ１と千鳥状に配置される円形パターンＳ２とでエッチング液を基板Ｗに噴射供給した場合と、円形パターンＳ２だけを千鳥状にして噴射供給した場合とのエッチング量を複数のポイントで測定した実験結果を示す。図８にＡで示す折れ線が前者の場合で、Ｂで示す折れ線が後者の場合である。なお、折れ線Ａと折れ線Ｂにおける測定ポイントは、各処理に用いられたそれぞれの基板Ｗの同じ位置（場所）を測定している。
【００６２】
折れ線Ａと折れ線Ｂを比較すると、処理液を基板Ｗの幅方向両端部に四角形パターンＳ１で供給し、その間の部分に円形パターンＳ２を千鳥状にして供給した曲線Ａの方が、全面に円形パターンＳ２で千鳥状に供給した場合よりも、エッチング量のばらつきが少ない、つまりエッチングを均一に行えることが確認できた。
【００６３】
なお、上記各実施の形態では四角形パターンとして処理液が正方形のパターンで噴射供給される場合について説明したが、四角形パターンとしては正方形でなく、矩形であってもよく、要は基板の幅方向の両端部に処理液を密な状態で噴射供給することができる形状であればよい。
【００６４】
また、基板の幅方向の両端部に処理液を噴射する四角形パターンは、基板の幅方向の端縁から一部が外方へ外れた状態であってもよい。
【００６５】
また、基板の幅方向両端部を除く部分に処理液を供給するパターンは、円形パターンに代えて楕円形パターンであってもよく、要は処理液を隙間が生じる疎の状態で供給することができる形状であればよい。
【００６６】
さらに、第１、第２のノズル体の支持高さを変え、隣り合う四角形パターンＳ１及び円形パターンＳ２を所定のラップ代でラップさせて処理液を供給するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００６７】
４…搬送軸（搬送手段）、５…搬送ローラ（搬送手段）、１２…駆動源（搬送手段）、２３…第１のノズル体、２４…第２のノズル体、２３ａ，２４ａ…ノズルチップ、２３ｂ，２４ｂ…噴射孔、Ｓ１…四角形パターン、Ｓ２…円形パターン。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の板面に処理液を供給してこの板面を処理する基板の処理装置であって、
上記基板を所定方向に搬送する搬送手段と、
上記基板の搬送方向と交差する幅方向の両端部に上記処理液を隙間が生じることのない密の状態で均一に噴射供給する第１のノズル体と、
上記基板の上記第１のノズル体によって処理液が供給された幅方向両端部を除く部分に上記処理液を上記基板の搬送方向及び搬送方向と交差する方向に対して隙間が生じる疎の状態で噴射供給する第２のノズル体と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置。
【請求項２】
上記第１のノスル体は上記処理液を四角形状の第１のパターンで噴射供給し、上記第２のノズル体は上記処理液を円形若しくは楕円形の第２のパターンで噴射供給することを特徴とする請求項１記載の基板の処理装置。
【請求項３】
上記基板の搬送方向と交差する幅方向の両端部には、上記第１のノズル体によって上記第１のパターンが上記基板の搬送方向に沿って一列になるよう上記処理液が噴射供給され、上記基板の上記幅方向の両端部の間の部分には、上記第２のノズル体によって上記第２のパターンが行列状或いは千鳥状になるよう上記処理液が噴射供給されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板の処理装置。
【請求項４】
基板の板面に処理液を供給してこの板面を処理する基板の処理方法であって、
上記基板を所定方向に搬送する工程と、
上記基板の搬送方向と交差する幅方向の両端部に上記処理液を隙間が生じることのない密の状態で均一に噴射供給する工程と、
上記基板の幅方向両端部を除く部分に上記処理液を上記基板の搬送方向及び搬送方向と交差する方向に対して隙間が生じる疎の状態で噴射供給する工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法。
【請求項１】
基板の板面に処理液を供給してこの板面を処理する基板の処理装置であって、
上記基板を所定方向に搬送する搬送手段と、
上記基板の搬送方向と交差する幅方向の両端部に上記処理液を隙間が生じることのない密の状態で均一に噴射供給する第１のノズル体と、
上記基板の上記第１のノズル体によって処理液が供給された幅方向両端部を除く部分に上記処理液を上記基板の搬送方向及び搬送方向と交差する方向に対して隙間が生じる疎の状態で噴射供給する第２のノズル体と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置。
【請求項２】
上記第１のノスル体は上記処理液を四角形状の第１のパターンで噴射供給し、上記第２のノズル体は上記処理液を円形若しくは楕円形の第２のパターンで噴射供給することを特徴とする請求項１記載の基板の処理装置。
【請求項３】
上記基板の搬送方向と交差する幅方向の両端部には、上記第１のノズル体によって上記第１のパターンが上記基板の搬送方向に沿って一列になるよう上記処理液が噴射供給され、上記基板の上記幅方向の両端部の間の部分には、上記第２のノズル体によって上記第２のパターンが行列状或いは千鳥状になるよう上記処理液が噴射供給されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板の処理装置。
【請求項４】
基板の板面に処理液を供給してこの板面を処理する基板の処理方法であって、
上記基板を所定方向に搬送する工程と、
上記基板の搬送方向と交差する幅方向の両端部に上記処理液を隙間が生じることのない密の状態で均一に噴射供給する工程と、
上記基板の幅方向両端部を除く部分に上記処理液を上記基板の搬送方向及び搬送方向と交差する方向に対して隙間が生じる疎の状態で噴射供給する工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０１１−５４７９０（Ｐ２０１１−５４７９０Ａ）
【公開日】平成２３年３月１７日（２０１１．３．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２０２８４３（Ｐ２００９−２０２８４３）
【出願日】平成２１年９月２日（２００９．９．２）
【出願人】（０００００２４２８）芝浦メカトロニクス株式会社 (907)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年３月１７日（２０１１．３．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年９月２日（２００９．９．２）
【出願人】（０００００２４２８）芝浦メカトロニクス株式会社 (907)
【Ｆターム（参考）】
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