【課題】隣接する処理室への処理液（ミスト）の侵入をより確実に防止する。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｓに薬液処理を施すウエット処理部２と、その前処理としてドライ洗浄等の処理を基板Ｓに施す前処理部１とを有する。各処理部１，２のチャンバ１０，２０は開口部１１ａを介して連通しており、この開口部１１ａは、前処理部１側に設けられるシャッタ装置１４と、ウエット処理部２側に設けられるシャッタ本体２５とにより開閉可能に設けられている。また、前処理部１のチャンバ１０内には、開口部１１ａの開放中、ウエット処理部２側に向かって開口部１１ａにエアを吐出するエアノズル１９ａ，１９ｂが配備されている。 （もっと読む）

【課題】 複数の処理液を用いる枚葉式のウエット処理装置において、高揮発性や反応性等の処理液について、その処理液及び処理液から発生するミストや気体の流出、及び、他の処理液の流入を防止することが可能なウエット処理装置を提案する。
【解決手段】第一のチャンバ１と、第一のチャンバ１の上方又は下方に位置する第二のチャンバ２とを備え、両チャンバ１，２には互いに対向する位置に開口部１ａ，２ａが設けられており、第一のチャンバ１と第二のチャンバ２の間にて二つの開口部１ａ，２ａを介して保持手段３を昇降させる昇降手段４と、第一のチャンバ１の開口部１ａを開閉する開閉手段１ｂと、第一のチャンバ１内に位置した保持手段３に保持される被処理物Ｗに処理液を供給する第一の供給手段６と、第二のチャンバ２内に位置した保持手段３に保持される被処理物Ｗに処理液を供給する第二の供給手段７とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ガラス基板エッチング方法及びその装置を開示する。
【解決手段】 ガラス基板エッチング方法が開示される。まず、エッチング領域と洗浄領域を含むベースに収容されたエッチング液にガラス基板を沈積して、前記ガラス基板をエッチングする。前記ガラス基板を前記ベースの洗浄領域へ移送し、前記エッチング領域と前記洗浄領域を分離する。前記洗浄領域のエッチング液を排出する。前記ガラス基板に洗浄液を加える。従って、ガラス基板エッチング工程の効率を改善し、ガラス基板の品質低下を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】基板を搬送しながら基板に対し処理液を循環させつつ供給して基板を処理する場合に、循環経路を通して循環する処理液の濃度を正確に管理することができる装置を提供する。
【解決手段】循環経路を通して循環する処理液の濃度を測定する濃度モニタ１４を備え、処理槽１８内で搬送ローラ２４により搬送されつつ処理された基板Ｗに付着して処理槽外へ持ち出される処理液の量を、基板１枚当たりの処理液の持ち出し量と基板の処理枚数とから算出し、算出された処理液の持ち出し量および濃度モニタ１４によって測定された処理液の濃度に基づいて、循環経路の途中に補充すべき薬液の量を算出し、算出された補充量の薬液を循環経路の途中に補充する。 （もっと読む）

【課題】処理液の消費量を抑えつつ、基板全体に均一な処理をより効率的に行う。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板Ｓを水平姿勢で搬送すると共に、エッチング処理中、所定の処理位置において基板Ｓを往復移動させる搬送ローラ１４と、往復移動に伴う基板端部の移動範囲Ｅを少なくとも含み、かつ当該移動範囲Ｅの上流側の位置に延設される液案内板１８と、この液案内板１８における前記移動範囲Ｅの外側の部分に、上流側から下流側に向かって斜め方向にエッチング液を吐出するノズル１６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】輸送や組み立て、メンテナンスを容易とした液処理装置を提供すること。
【解決手段】洗浄処理装置１は、基板が収納された容器の搬入出を行う容器搬入出部２と、基板に所定の液処理を施す液処理部３と、容器搬入出部２と液処理部３との間で基板を搬送する基板搬送部４と、液処理部３に供給する処理液の貯蔵および送液ならびに回収を行う処理液貯留部５と、基板搬送部４と液処理部３と処理液貯留部５をそれぞれ個別に制御する複数の制御部７ａ，７ｂ，１０と、基板搬送部４と液処理部３と処理液貯留部５に配設された電動駆動機構１６，２７および複数の制御部７ａ，７ｂ，１０を動作させるための電源部６と、複数の制御部７ａ，７ｂ，１０と電源部６からの排気を１箇所に集中させた後に外部に排気する排気システム８とを具備する。 （もっと読む）

本発明は、半導体基板表面に対するケミカル処理方法および装置を提供する。当該ケミカル処理方法は、ホルダー２を用いて、処理対象である半導体基板４の下面と化学溶液槽１に収容される化学溶液５の液面との間に一定の距離を有するように、半導体基板４を化学溶液５の上方に放置し、噴射装置３によって半導体基板４の下面に向け化学溶液５を噴射することで、当該下面にケミカル処理を施す方法である。当該装置は、化学溶液５を収容する化学溶液槽１と、半導体基板４を化学溶液５の上方に放置するためのホルダー２と、半導体基板４の下面に向け化学溶液５を噴射するための噴射装置３とを備える。当該方法によれば、半導体基板の一方の表面のみにケミカル処理を施すことができるとともに、他方の表面に如何なる保護も必要としない。
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【課題】加工ヘッドによりフッ酸等のエッチャントをガラス基板、半導体基板等の被加工物の表面との間に連続的に供給し吸引する際に、加工ヘッド側の先端面の形状が高平坦度の加工に影響を及ぼす。
【解決手段】被加工物３の表面と相対的に移動しながら、被加工物３の表面に液状のエッチャント５を供給口４４から連続的に供給しつつ排出口４５から吸引して排出し、供給口４４と排出口４５との間に形成される被加工物３の表面と接触するエッチング領域により、被加工物３の表面をエッチング加工するための加工ヘッド２における供給口４４と排出口４５とが設けられているヘッド前端部４１を１部材により形成して前端面を無段差の平坦面に形成した。 （もっと読む）

【課題】結晶物や剥離物等の異物を良好に捕捉する一方で、メンテナンスフリーやランニングコスト削減に貢献する。
【解決手段】剥離装置は、シャワーノズル１８を備えたチャンバ１０もつ処理部１と、薬液を貯溜するタンク２とを有し、このタンク２からシャワーノズル１８に薬液を送液しつつチャンバ１０内の使用済みの薬液をタンク２に回収して再使用するように構成される。チャンバ１０には、その内定部の一部に薬液の排出口１１が設けられ、さらに排出口１１と基板Ｓの処理位置（搬送ローラ１６の位置）との間の部分には、前記排出口１１よりも広い濾過面積をもつフィルタ部材２０が配備されている。 （もっと読む）

【課題】積層膜をウェットエッチングする場合のサイドエッチング量を制御し、膜端を均一化する。
【解決手段】提供される積層膜のエッチング方法は、基板３１上に順次成膜された、互いに膜質の異なるＡｌ膜（Ａｌ合金膜）３２とＭｏ膜（Ｍｏ合金膜）３３とを少なくとも含む積層膜を、複数種類のウェットエッチング手法を組み合わせて、一括エッチングするウェットエッチング方法であって、複数種類のウェットエッチング手法には、Ａｌ膜（Ａｌ合金膜）３２のサイドエッチングをＭｏ膜（Ｍｏ合金膜）３３のサイドエッチングよりも促進させるスプレーエッチングと、Ｍｏ膜（Ｍｏ合金膜）３３のサイドエッチングをＡｌ膜（Ａｌ合金膜）３２のサイドエッチングよりも促進させるパドルエッチングとが、少なくとも含まれている。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板を幅方向に傾斜させて搬送するとともに、その上面全体を処理液によって均一に処理することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】所定の角度で傾斜しその傾斜方向と交差する方向に搬送される基板の上面を処理液供給装置３１から供給される処理液によって処理する基板の処理装置であって、
処理液供給装置は、基板の傾斜方向に沿って配置され内部に処理液が供給貯留される容器本体３２と、容器本体の下面に開口形成され内部に供給貯留された処理液を基板の搬送方向と交差する方向に沿って直線状に流出させるノズル孔４０と、容器本体の下面側に設けられ基板の搬送方向下流側に向かって低く傾斜した傾斜面４５を有するとともに、傾斜面の下端縁４５ａが搬送される基板の傾斜した上面と平行に離間対向するよう傾斜して形成されていて、ノズル孔から流出する処理液を傾斜面で受けて傾斜面の下端縁から基板の上面に供給するガイド部材４２を具備する。 （もっと読む）

【課題】フラットパネルディスプレイ用ガラス基板の薄型化のためのエッチング装置を提供する。
【解決手段】前記エッチング装置は、ガラス基板２０が付着できるジグ１０と、ガラス基板２０にエッチング液を噴射する噴射手段５４と、ジグ１０をエッチング装置の中に移送する進行ライン１２とで構成される。噴射手段５４とガラス基板２０との距離は、１００ｍｍ超過１５０ｍｍ以下の範囲にし、噴射圧力は０．５ｋｇ／ｃｍ^２未満にすることを特徴とする。本発明によれば、十分なエッチングが行われながらも、エッチングされたガラス基板２０の均一度を向上させることができ、生産性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】非接触式の駆動力伝達装置において従動軸や駆動軸を比較的低剛性で支持できるようにする。
【解決手段】チャンバ１０内の主ローラ１６ａを当該チャンバ１０の外側から非接触で駆動する装置。側壁１１を挟んで主ローラ１６ａと駆動軸１７とが同軸上に配置される。主ローラ１６ａおよび駆動軸１７の末端には、回転体３０Ａ，３０Ｂがそれぞれ組み付けられる。これら回転体３０Ａ，３０Ｂには、主ローラ１６ａと駆動軸１７との間に磁気的吸引力を生じさせる第１磁石部と、磁気的反発力を生じさせる第２磁石部とが設けられる。第１磁石部は、軸心回りに極性の異なる磁石３４，３５が交互に配列されてなり、第２磁石部は、各回転体３０Ａ，３０Ｂの軸心にそれぞれ設けられる同極性の磁石３６からなる。 （もっと読む）

【課題】一括処理される基板群中の基板間における処理のバラツキを抑制する。
【解決手段】加熱された処理液中に基板Ｗ群を保持したリフター２０を浸漬する前に、リフター２０を加熱された燐酸溶液中に浸漬して燐酸溶液と略同じ温度にまで予め加熱しておくことにより、このリフター２０に基板Ｗ群を保持して燐酸溶液中に浸漬したときに、リフター２０の影響で燐酸溶液の温度が低下するのを阻止することができる。その結果、一括処理される基板Ｗ群中の基板間における処理のバラツキを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】、予め設定した複数の処理時間を参照することにより、処理液の劣化等を考慮した場合であっても効率的なスケジューリングを行うことができる基板処理装置のスケジュール作成方法を提供する。
【解決手段】制御部３７は、まず処理液のライフタイムに応じてそれぞれ異なる複数の処理時間ごとに、処理液を使用するリソースの使用タイミングを配置した処理ブロックを予め作成する。次いで、処理液を使用するリソースが使用されるタイミングに応じて、予め作成してある複数の処理ブロックの中から一つの処理ブロックだけを選択的に配置する。したがって、処理液の劣化等を考慮した場合であっても効率的なスケジューリングを行うことができる。また、処理時間を使用履歴に応じて自動的に変えるので、スケジュールを短縮することができ、装置の稼働率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】撹拌式ウェット製造工程機台の提供。
【解決手段】輸送システムと多数のジェットノズルを含む。該輸送システムは複数のローラーを含み、該各ローラーは該輸送システムの輸送ルートの上側と下側に位置し、該上、下側のローラーの間は板片状の加工待ち物を連動する。該ローラーはブレードを備え、化学薬剤を撹拌することができる。該ジェットノズルは輸送ルートの上方或いは下方に位置し、化学薬剤を加工待ち物上に噴射或いは補充する。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板を保持して処理槽の内部とその上方位置との間で昇降するリフタと複数枚の基板を支持して水平方向へ移動する基板搬送機構との間で基板の受け渡しを行う際に、リフタの保持溝の内面部分と基板の下端縁とが擦れて塵埃や汚染物が発生して基板を汚染したり、基板に無理な力が加わって基板を破損したりすることを防止できる装置を提供する。
【解決手段】基板搬送ロボットの一対のチャック２８の基板支持部３２に形成される下部支持溝３４ａの溝底の幅を、基板Ｗの厚みに、リフタ１２の基板保持部１８ａ、１８ｂ、１８ｃに対して基板支持部３２が長手方向において位置ずれする予定量を加えた第１の寸法とし、基板支持部３２に形成される上部支持溝３４ｂの溝底の幅を、基板支持部３２に支持される互いに隣り合う基板同士が接触しないように第１の寸法より小さい第２の寸法とする。 （もっと読む）

【課題】処理用チャンバ内の処理液を、簡素な構成で、かつ渦流を形成することなく効率的に排液できるようにする。
【解決手段】剥離装置は、薬液を供給するシャワーノズルを備えたチャンバ１０を有し、シャワーノズルから基板に供給された使用後の薬液をチャンバ１０の内底部に設けられる排出口１２を通じて排液するように構成される。チャンバ１０の内低部において、排出口１２の上方には、排出口１２を二等分するように径方向に横断し、かつ排出口１２に対して立設される板状部材からなる渦流防止部材２６が固定され、この渦流防止部材２６により薬液の流れを規制することにより排液時の渦流の発生を防止するように構成される。 （もっと読む）

【課題】基板にエッチング残渣が残ることを防止することができるウエットエッチング処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係るウエットエッチング処理装置は、基板を搬送する基板搬送手段３と、基板にエッチング液を吹きつけるスプレーノズル４ａを有しスプレーノズル４ａにエッチング液を供給するスプレー配管４と、基板２下方から光を照射する投光器５ｂ、投光器５ｂから出射された光を基板２上側にて受光する受光器５ａ、及び受光器５ａを支持する受光器台座５ｃとを有し基板上に形成される被エッチング物のエッチング状態を判断するエンドポイントセンサ５とを有し、受光器台座５ｃはスプレー配管４より上方に配置する。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス等の後の立ち上がり時間を短縮する。
【解決手段】基板処理装置１０は、温調設備２２を有する第１、第２のタンク２０Ａ，２０Ｂに定量の薬液を溜め、タンクを切り替えながら第１タンク２０Ａ（又は第２タンク２０Ｂ）から処理部１２に薬液を供給して基板Ｓを処理する。メンテナンス後等の初期温調では、両タンク２０Ａ，２０Ｂに定量よりも少ない処理液を溜めて目標温度まで当該処理液を温調し、温調された処理液を第２タンク２０Ｂ（又は第１タンク２０Ａ）から第１タンク２０Ａ（又は第２タンク２０Ｂ）に送液することにより当該第１タンク２０Ａ（又は第２タンク２０Ｂ）に前記定量の温調された処理液を溜める。そして、当該タンク２０Ａ（又は第２タンク２０Ｂ）から処理部１２に処理液を供給する。 （もっと読む）