【課題】洗浄品質の高い枚葉式ウェーハ洗浄装置を提供する。
【解決手段】チャンバー１１内においてウェーハ１を支持する回転テーブル１２と、ウェーハ１の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズル１３と、回転テーブル１２の外周部に設けられたスピンカップ１４と、回転テーブル１２の外周部に設けられた排気口１５と、スピンカップ１４を昇降制御するスピンカップ昇降機構１６と、チャンバー１１の側面側に設けられた排気口１７と、排気口１７を開閉するシャッター１８とを備え、シャッター１８は、スピンカップ１４に連動して昇降し、スピンカップ１４が上昇して排気口１５を開放しているときには排気口１７を閉止し、スピンカップ１４が降下して排気口１５を閉止しているときには排気口１７を開放する。これにより、チャンバー１１の内圧をほぼ一定に保持することができる。 （もっと読む）

【課題】基板を保持する機構を工夫することにより、自動化及びバッチ処理に好適な陽極化成装置を提供する。
【解決手段】貯留槽９内に配置されている第１支持ユニット５７と第２支持ユニット７３とが離反され、複数枚の基板が第１支持ユニット５７に載置されることにより、前記基板の周面のうちの下部だけが電解質溶液に対して液密に支持される。第２支持ユニット７３が第１支持ユニット５７に対して連結されると、前記基板の周面の残り部分が前記電解質溶液に対して液密にされた状態で前記複数枚の基板が支持され、これにより前記基板の周面が全周にわたって前記電解質溶液に対して液密にされる。第１支持ユニット５７と第２支持ユニット７３とを着脱自在な基板ホルダー４１とすることによって前記複数枚の基板を機械的に搬入搬出させ、自動化及びバッチ処理に好適な陽極化成装置を得る。 （もっと読む）

【課題】スループット良く、銅を、異方的にエッチングすることが可能なエッチング方法を提供すること。
【解決手段】 表面にマスク材１０２が形成された銅膜１０１に、マスク材１０２をマスクに用いて酸素イオン６を照射し、銅膜１０１内に、銅膜１０１の厚さ方向の全てに対して異方的に酸化された酸化銅１０３を形成する工程と、異方的に酸化された酸化銅１０３をエッチングする工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体ウエハ等といった複数の被処理物を処理液に浸漬するに際して、これら被処理物の間で処理具合にばらつきが生じないようにする。
【解決手段】処理装置１が、処理液３０が貯留される処理槽２と、処理槽２内に配置され、処理槽２内で回転する回転車４と、被処理物３２をそれぞれ保持し、回転車４に取り付けられ、回転車４の第１の回転軸６を中心にした円周方向に沿って配列された複数の保持具１０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】搬送ロボットの待機時間を短縮できるとともに、装置の大型化が抑制または防止された基板処理装置および基板搬送方法を提供すること。
【解決手段】インデクサロボットＩＲ１は、上下方向Ｄ１に配列された３個の基板保持部２７のうち上側の２個の基板保持部２７に基板Ｗを１枚ずつ搬入する。その後、３個の基板保持部２７は、回転軸線Ｌ１まわりに１８０度回転する。これにより、基板Ｗが搬入された上側の２個の基板保持部２７が下側に移動する。メイン搬送ロボットＴＲ１は、下側に移動した２個の基板保持部２７のうち上側の基板保持部２７から基板Ｗを搬出する。その後、インデクサロボットＩＲ１は、再び上側の２個の基板保持部２７に基板Ｗを一枚ずつ搬入する。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンからなる太陽電池ウエハに均一なテクスチャー構造を形成する。
【解決手段】フッ化水素を含む薬液３１中で、ピラミッドのテクスチャー構造が形成された型１を、ウエハ１０に接触させる。アクチュエータ２２は、制御装置８からの駆動信号を受けて上下方向に周期的に伸縮する。これにより、アクチュエータ２２は、本体部２３に対して取付部２１を周期的に上下動させ、型１とウエハ１０との接触と離間とを周期的に繰り返させる。 （もっと読む）

【課題】基板処理速度を向上できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、垂直姿勢で水平方向に積層された複数枚の基板Ｗに対して一括して処理を施す基板処理部２と、基板受け渡し位置Ｐ１，Ｐ２と基板処理部２との間で複数枚の基板Ｗを一括搬送する主搬送機構３と、フープＦに対して複数枚の基板Ｗを一括して搬出入するとともに、その複数枚の基板Ｗを水平姿勢と垂直姿勢との間で一括して姿勢変換させる搬出入機構４と、移載機構５と、第１および第２水平搬送機構６，７とを備えている。移載機構５は、移載位置Ｐ３において、搬出入機構４との間で基板Ｗを授受し、第１および第２水平搬送機構６，７との間で基板Ｗを授受する。第１および第２水平搬送機構は、それぞれ基板受け渡し位置Ｐ１，Ｐ２で、主搬送機構３との間で基板Ｗを授受し、移載位置と基板受け渡し位置Ｐ１，Ｐ２との間で基板Ｗを搬送する。 （もっと読む）

【課題】被処理物に対して所望のエッチング処理を行うことができる表面加工装置を提供すること。
【解決手段】表面加工装置１は、被処理物１０を支持する支持台２１と、支持台２１に支持された被処理物１０の被処理面１０１の各部の温度を独立して制御する温度制御手段９と、支持台２１に対して移動可能に設けられ、支持台２１に支持された被処理物１０の被処理面１０１に対してエッチング液を送出する送出口４ａおよび送出口４ａから送出されたエッチング液を吸引する吸引口４ｂを有するノズル４とを有している。温度制御手段９は、被処理面１０１の各部を、エッチング液が供給される前は所定温度に保ち、エッチング液が供給され吸引口４ｂから吸引された後に所定温度よりも低い温度に冷却するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】被処理物に対して所望のエッチング処理を行うことができる表面加工装置を提供すること。
【解決手段】表面加工装置１は、ワーク１０の被処理面１０１にエッチング液を供給することにより被処理面１０１を加工する装置である。表面加工装置１は、ワーク１０を支持するチャッキングプレート２１と、ワーク１の被処理面１０１に対してエッチング液を送出するノズル４と、シャッターブレード５１とを有している。シャッターブレード５１は、被処理面１０１とノズル４との間に位置し、ノズル４から被処理面１０１へのエッチング液の供給を遮断する第１の状態と、被処理面１０１とノズル４との間から退避し、ノズル４から被処理面１０１へのエッチング液の供給を許可する第２の状態とを選択できる。 （もっと読む）

【課題】基板表面の周縁部の処理幅を正確に制御することができる基板周縁処理装置および基板周縁処理方法を提供する。
【解決手段】この装置は、ウエハＷを保持して回転するスピンチャック１と、スピンチャック１の上方に配置された遮断板１０とを備える。遮断板１０は、ウエハＷの上面の周縁部に対向する位置に、環状部材３２を有する。環状部材３２は、ウエハＷの上面の周縁部に対向するウエハ対向面４５と、内側の空間と外側の空間とを連通させる気体流通路４９を有する。また環状部材３２の内側の空間に気体を供給する気体供給手段１８，３０を有する。中心軸ノズル５から、ウエハＷの下面中央に向けてエッチング液が供給されると、エッチング液は、ウエハＷの周端面を回り込んで、その上面に至り、ウエハ対向面４５に接触する液膜を形成する。この液膜は、環状部材３２の内周縁付近から内方へ入りこむことがない。 （もっと読む）

【課題】基板上に供給された処理液の逆流を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理対象となる基板Ｗはローラコンベア１０によって矢印ＦＷの基板進行方向に移動される。移動される基板Ｗの面上に液盛りノズル２０，３０によって現像液が隙間無く液盛りされて、現像処理が進行する。基板Ｗ上に液膜が形成されているときに、微差圧計４０が液盛りノズル２０よりも前方側に形成される前方側空間と後方側に形成される後方側空間との気圧差を検出する。制御部９０は、微差圧計４０の検出結果に基づいて、後方側空間が前方側空間よりも高圧となるように、ファンフィルタユニット５０から後方側空間に供給する空気の供給流量を制御する。液盛りノズル２０よりも後方側空間を前方側空間よりも高圧にすれば、現像液の逆流を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】洗浄ムラの発生を防止して、洗浄後の被洗浄物の品質の低下を防止することができる洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】洗浄装置１は、基板１２を搬送する搬送コンベア３と、搬送される基板１２に対して、搬送コンベアの搬送方向と直交する全幅に渡って、洗浄剤１０を帯状に連続的に吹き付けて、基板１２を洗浄する洗浄剤吹き付けノズル４とを備えている。 （もっと読む）

単結晶シリコン基板を加工する方法において、シリコン基板は水平方向の搬送経路に沿って平坦にして搬送され、表面を微細加工するエッチング溶液はノズルなどの手段によって上から供給される。エッチング溶液は、シリコン基板の上面に連続的に数回にわたって上から供給され、基板の上面に残り、シリコン基板と反応する。
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【課題】エッチング工程における不良の発生を減少させることができるエッチング装置を提供する。
【解決手段】本発明によるエッチング装置は、基板が挿入または排出されるように開放された開口を有する複数のチャンバーと、前記各チャンバーの内部に設置されて、薬液を噴射する噴射部材と、前記各チャンバーの前記開口と隣接するように設置されて、前記開口に流通する気体を吸入する遮断部材と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のエッチングにおいて、最適なエッチング速度でエッチング処理を施すことができ、配線パターンの粗密やパターン形状に依存せず、サイドエッチングや異方性エッチングを抑制し、且つエッチング残渣の発生を抑制するエッチング方法を提供すること。
【解決手段】 酸化亜鉛系結晶からなる薄膜を、エッチング液を用いてエッチングするエッチング方法であって、成膜基板上に前記薄膜を形成し、該薄膜の表面全体を亜鉛及び／又は亜鉛酸化物を構成成分とする炭化物系化合物からなる被膜によって被覆した後エッチング処理を施し、エッチング処理の途中から前記薄膜と前記エッチング液の相対関係を動的状態とすることを特徴とする酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のエッチング方法とする。 （もっと読む）

【課題】水平搬送方式の基板処理装置において、低濃度薬液の滞留によるエッチング速度の低下を抑えることのできる基板処理装置を得ること。
【解決手段】基板処理装置１は、基板１０６の表面処理を行う薬液１０２を収容する薬液槽１０１と、薬液槽１０１内に回転自在に設けられて基板１０６を搬送する複数の搬送ローラー１０３と、搬送ローラーの間に設けられて、薬液槽１０１に収容された薬液１０２を攪拌する攪拌手段１０７と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板厚が異なる基板に対しても同一条件でのエッチングを行い、均一に基板の表面処理を行うことができる基板表面処理装置、太陽電池セルの製造装置を得ること。
【解決手段】基板１１ａを保持する基板保持手段３５と、基板１１ａの基板厚に応じて基板保持手段３５の高さを調整する高さ調整手段３７と、基板１１ａを搬送する搬送手段と、上方に突出した壁部３１ｄに囲われた複数の突出口を基板１１ａの搬送方向において離間して有する液溜まり部が上面に設けられ、基板１１ａの表面処理に用いる処理液４０を突出口の内壁面での表面張力により突出口から突出した状態で保持する処理槽３１と、を備え、突出口から突出した処理液４０と処理面とが接触するとともに、液溜まり部の壁部３１ｄの最上部と処理面との距離が規定の距離となる高さ位置で基板１１ａを処理槽３１上において水平方向に搬送することにより処理面の表面処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 多量の処理液を消費することなく、基板の表面全域に有効に処理液を供給することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】 液寄せ部材７１は、搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００における搬送方向の両側の、ガラス基板１００の端縁に近接する位置において、ガラス基板１００の搬送方向に沿って配設されている。搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の端縁と液寄せ部材７１との距離Ｄは２ｍｍ以下となっている。また、液寄せ部材７１の上面の高さ位置は、ガラス基板１００の表面の高さ位置より、Ｈだけ高くなっている。このＨの値は、処理液吐出ノズル２からガラス基板１００の表面に供給された処理液の膜厚以上とすることが好ましい。 （もっと読む）