【課題】結晶成長用基板に形成した半導体結晶層を転写先基板に転写する場合の犠牲層のエッチング速度を高める。
【解決手段】半導体結晶層形成基板の上に犠牲層および半導体結晶層を順に形成するステップと、犠牲層の一部が露出するように半導体結晶層をエッチングし、半導体結晶層を複数の分割体に分割するステップと、転写先基板に接することとなる半導体結晶層形成基板側の第１表面と、第１表面に接することとなる転写先基板側の第２表面と、が向かい合うように、半導体結晶層形成基板と転写先基板とを貼り合わせるステップと、半導体結晶層形成基板および転写先基板をエッチング液に浸漬して犠牲層をエッチングし、半導体結晶層を転写先基板側に残した状態で、転写先基板と半導体結晶層形成基板とを分離するステップと、を有し、前記半導体結晶層が、Ｇｅ_ｘＳｉ_１−ｘ（０＜ｘ≦１）からなる、複合基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチング処理中において、ウェーハの厚み及び形状を監視し、ウェーハが所望の状態と異なる場合には、直ちにウェーハに対し修正を施す。
【解決手段】ウェットエッチング装置1は、回転テーブル２に保持されたウェーハ６の中心上方で供給ノズル３からエッチング液３ｂを滴下させるとともに回転テーブル２を所定の回転数で回転させエッチング液３ｂをウェーハ６の一方の面全体に広げ、厚み測定器４でウェーハ厚みを測定し、測定結果に基づきエッチング液３ｂの滴下量を制御する。そして、ウェットエッチング処理中にウェーハ６の厚み及び形状が所望の状態と異なる場合は、直ちに修正することができる。したがって、エッチング不足の修正のために再度エッチングを施したりエッチング過多によってウェーハを廃棄したりすることを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の素子形成領域へのクラックなどの伝播を確実に防止する。
【解決手段】ウェハ１上の素子形成領域を覆うガード領域４の外側に、ｎ型拡散層１５を形成する。ｎ型拡散層１５の上には、導電性リング３３，４８，５８を形成する。最上層の導電性リング４８の上に、導電層６５を形成する。導電層６５の端面６５Ｓは、導電性リング５８の端面５８Ｓから距離Ｌ１だけ内側に形成し、導電性リング５８の上面の一部を露出させる。この後、半導体基板をアミン系薬液に浸すと、ｎ型拡散層１５と導電層６５の間の導電性プラグ３３，４８，４８の導電性材料を溶出し、スリットが形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の再生に適した方法を提供する。
【解決手段】損傷半導体領域と絶縁層とを含む凸部が周縁部に存在する半導体基板に対し、絶縁層を除去するエッチング処理と、硝酸、硝酸によって酸化された半導体基板を構成する半導体材料を溶解する物質、半導体材料の酸化速度及び酸化された半導体材料の溶解速度を制御する物質、及び亜硝酸を含み、亜硝酸の濃度が１０ｍｇ／ｌ以上１０００ｍｇ／ｌ以下である混合液を用いて、未損傷の半導体領域に対して損傷半導体領域を選択的に除去するエッチング処理と、を行うことで半導体基板を再生する。 （もっと読む）

【課題】厚みのある半導体基板に対し、正確な位置でのへき開を可能とするような十分な深さのガイド溝を形成する半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体基板の製造方法は、インジウムリン化合物半導体またはガリウムヒ素化合物半導体からなる基板本体の表面に、開口幅が略４０ｕｍ以下である開口部が形成されたマスクを、その開口部が基板本体のへき開線に沿って延びるように転写する工程と、基板本体の表面に臭素系のエッチング液を用いてウエットエッチング処理を施すことによって、縦断面で略Ｖ字型を有するガイド溝を形成する工程と、ガイド溝に反応性ガスを用いてドライエッチング処理を施すことによって、底部の縦断面形状を略Ｖ字型に保持したままガイド溝の溝深さを深くする工程と、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜を基板上に形成した後剥離する方法において、剥離のためのエッチング液の浸透速度が高く、エッチング速度の均一性を高め、短時間で良好な半導体薄膜を得ることができるようにする。
【解決手段】複数の半導体薄膜（２０）が基板（１１）上にあるときに、複数の半導体薄膜（２０）を互いに連結して支持するための、感光性のシート状部分（１０１）を有する連結支持体（１００）を設ける。連結支持体（１００）のシート状部分（１０１）を半導体薄膜（２０）の上に設けた後、シート状部分（１０１）に貫通孔（１０３）を形成する。貫通孔（１０３）が、エッチング液を少なくとも基板（１１）の面に垂直な方向に通過させる。これにより、複数の半導体薄膜（２０）を基板（１１）から剥離する。 （もっと読む）

【課題】剥離面がナノオーダーの平坦性を持つ化合物半導体エピタキシャルフィルムを得る条件を備えた半導体ウェハ及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ１００は、半導体基板（例えば、ＧａＡｓ基板１０１及びバッファ層１０２）と、この上に形成された剥離層１０３と、この上に形成された化合物半導体エピタキシャル層１０４とを有し、剥離層１０３の厚さを２０ｎｍ以上２００ｎｍ未満にしたものである。また、半導体装置の製造方法は、前記半導体ウェハを用意する工程と、エッチングマスクにより、化合物半導体エピタキシャル層をパターニングし、エッチング溝を形成する工程と、剥離層をエッチングし、化合物半導体エピタキシャル層を剥離することによって得られた化合物半導体エピタキシャルフィルムを基板上にボンディングする工程とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】発光デバイスの製造において、基板を介して抽出される光の量を増大させる。
【解決手段】本発明にかかる発光デバイスの製造には、発光デバイスの基板をエッチングすることが含まれる。このエッチングは、基板を介して抽出される光の量を増大させるのに十分な、水溶液エッチングとすることができる。このエッチングは、炭化ケイ素基板の直接水溶液エッチングとすることができる。このエッチングは、基板を切断することに起因するダメージなどの、基板に対するその他の処理によって生じるダメージを取り除くことができる。このエッチングは、基板内の炭化ケイ素のアモルファス領域を取り除くことができる。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体基板から窒化物半導体エピタキシャル層を分離する際に窒化物半導体エピタキシャル層に与えるダメージが低く高品質な窒化物半導体エピタキシャル層の形成方法を提供する。
【解決手段】本窒化物半導体エピタキシャル層の形成方法は、転位密度が１×１０⁷ｃｍ^-2以下の窒化物半導体基板１０上に、ガスおよび電解液の少なくともいずれかにより化学的に分解する化学的分解層２０を介在させて、少なくとも１層の窒化物半導体エピタキシャル層３０を成長させる工程と、窒化物半導体エピタキシャル層３０を成長させる工程中およびこの工程後の少なくともいずれかにおいて、ガスおよび電解液の少なくともいずれかを用いて化学的分解層２０を分解させることにより、窒化物半導体基板１０から窒化物半導体エピタキシャル層３０を分離する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
半導体膜をパターニングする際に行われるウェットエッチングに対して十分な耐性を有するマスクを形成することにより、半導体膜のパターニングを適切に行うことができる半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
成長用基板の上に半導体膜を形成する。半導体膜の表面である−Ｃ面に凹凸を形成する。銀または銀を９０％以上含む合金からなり、半導体膜の凹凸面の一部を覆う金属膜を形成する。金属膜から露出した半導体膜の少なくとも一部をウェットエッチングにより除去する。半導体膜の凹凸の深さ寸法は、前記金属膜の厚さよりも大きく設定する。 （もっと読む）

【課題】薄い半導体ウェハを比較的短時間で容易に製造することができ、かつ製品率を向上させることのできる基板スライス方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に非接触にレーザ集光手段１６を配置する工程と、レーザ集光手段１６により、基板１０表面にレーザ光を照射し、基板１０内部にレーザ光２６を集光する工程と、レーザ集光手段１６と基板１０を相対的に移動させて、基板１０内部に改質層１２を形成する工程と、基板１０側壁に改質層１２を露出させる工程と、改質層１２をエッチングする工程とを有する基板スライス方法。 （もっと読む）

【課題】 一般的なエピタキシャルウエーハを用いて、部分ＳＯＩ基板を用いた場合と同様、更にはより広範な種類のパワー素子等の縦型素子構造を組み込んだ半導体素子を安価に製造することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｐ型シリコン単結晶基板に、Ｎ型エピタキシャル層と半導体エピタキシャル層を形成する工程と、半導体エピタキシャル層に半導体素子とトレンチを形成する工程と、半導体素子が形成された側の表面に保持基板を貼り合わせる工程と、Ｎ型エピタキシャル層に正電圧を印加して、Ｎ型エピタキシャル層をエッチストップ層として電気化学的エッチングによりＰ型シリコン単結晶基板を除去する工程と、露出した表面に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜のうち、縦型素子とする半導体素子が形成された領域に対応する位置の絶縁膜を除去する窓明けを行う工程と、窓明け部に、裏面電極を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板の付け替えに際して基板を適切に分離することができる化合物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上方に、第１のバンドギャップのＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ＜１）を含む第１の化合物半導体層を形成する。前記第１の化合物半導体層上に、前記第１のバンドギャップよりも広い第２のバンドギャップのＡｌ_yＩｎ_zＧａ_1-y-zＮ（０＜ｙ＜１、０＜ｙ＋ｚ≦１）を含む第２の化合物半導体層を形成する。前記第２の化合物半導体層の上方に、化合物半導体積層構造を形成する。前記第１のバンドギャップと前記第２のバンドギャップとの間のエネルギを有する光を前記第１の化合物半導体層に照射しながら前記第１の化合物半導体層を除去して、前記基板を前記化合物半導体積層構造から分離する。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体装置の製造方法および化合物半導体装置に関し、化合物半導体装置の製造コストを低減させることができる化合物半導体装置の製造方法及び化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に、Ｓｉ炭化物層２を形成する工程と、前記Ｓｉ炭化物層上に、化合物半導体層３を形成する工程と、少なくとも前記Ｓｉ炭化物層に、前記Ｓｉ炭化物のバンドギャップよりも高いエネルギーを有する光を照射しながら、前記Ｓｉ炭化物層を選択的に溶解除去し、前記基板１と前記化合物半導体層とを分離する工程とを含む化合物半導体装置の製造方法。化合物半導体層の形成に用いた基板を化合物半導体層から分離させて再利用することができるため、化合物半導体装置の製造コストを低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、イオン注入剥離法により剥離した場合に生ずるテラス幅を制御でき、また、歩留りの低下の原因となるテラス部のＳＯＩ島の発生を防止することができるＳＯＩウェーハの製造方法を提供することにある。
【解決手段】 ボンドウェーハの表面からガスイオンをイオン注入してイオン注入層を形成し、該ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して貼り合わせ、イオン注入層でボンドウェーハを剥離することによりＳＯＩウェーハを作製するＳＯＩウェーハの製造方法において、イオン注入層でボンドウェーハを剥離する前の貼り合わせウェーハを、絶縁膜が溶解可能な液体に浸漬するか、絶縁膜が溶解可能な気体に曝すことによって、ボンドウェーハとベースウェーハの間に位置する絶縁膜を、貼り合わせウェーハの外周端から中心方向へエッチングする工程を有することを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般に、エピタキシャルリフトオフ（ＥＬＯ）膜、およびそのような膜の製造方法に関する。実施形態は、数多くのエピタキシャル成長基板または面がタイル状に配列された共通の支持基板上に、複数のＥＬＯ膜またはスタックを同時かつ別個に成長させる方法を提供する。その後、ＥＬＯ膜は、ＥＬＯプロセス中にエッチングステップによってエピタキシャル成長基板から取り除かれる。支持基板上に配置されたエピタキシャル成長基板を含むタイル状成長基板は、ＥＬＯ膜をさらに成長させるために再使用することができる。一実施形態では、支持基板上に離して配置された２またはそれ以上のガリウムヒ素成長基板を含むタイル状成長基板が提供され、支持基板が、約５×１０−^６℃−^１から約９×１０−^６℃−^１までの範囲内の熱膨張係数を有する。 （もっと読む）

【課題】ウエットエッチングにより微細で高アスペクト比の構造を被加工材料に高精度に加工する。
【解決手段】水晶基板２０の表面に耐蝕膜２１を形成し、その上にフォトレジスト層２２を形成しかつ加工しようとする溝の開口形状をパターニングし、露出した耐蝕膜を除去して水晶基板表面が露出するパターン開口２４を形成する工程と、パターン開口内に露出した水晶表面をウエットエッチングして浅い凹部２５を形成する第１ウエットエッチング工程と、凹部及びパターン開口の内面をＣｒの保護膜２６で被覆し、かつ凹部底面の保護膜を除去して該底面の水晶面を露出させ、露出した凹部底面をウエットエッチングする第２ウエットエッチング工程とからなり、凹部が所望の溝の深さになるまで第２エッチング工程を繰り返し行う。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型固体撮像素子の製造方法に関し、異なるエッチャントを利用したエッチングを連続して行なう場合であっても良好にエッチングし、デバイス層の優れた膜厚均一性を確保することができるようにする。
【解決手段】２層エピ（Ｐ_-／Ｐ₊／Ｐ_-またはｎ基板）構造の第一シリコンウェーハのＰ_-層側に支持側の第二シリコンウェーハを貼り合わせる工程（Ｓ２０）の後に、Ｐ_-またはｎ基板及びＰ₊層をエッチングにより薄膜化する薄膜化工程として、Ｐ₊層をエッチストップ層としてＰ_-またはｎ基板を第一エッチャントでエッチングする第一エッチング工程（Ｓ３０）と、第一エッチング工程後にＰ₊層の表面にダメージを付加するダメージ層導入工程（Ｓ４０）と、ダメージ層導入工程後にＰ_-層をエッチストップ層としてＰ₊層を第二エッチャントでエッチングする第二エッチング工程（Ｓ５０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドの表面を任意の形状に加工できるダイヤモンドの表層加工方法であって、比較的簡易な方法によって、平坦性に優れた加工部分を形成できる方法を提供する。
【解決手段】下記（１）〜（３）の工程を含むダイヤモンドの表層加工方法：
（１） 処理対象のダイヤモンドの表面に、目的とするダイヤモンド加工面の凸部に対応する形状の遮蔽層を形成する工程、
（２） 上記（１）工程で遮蔽層を形成したダイヤモンドの表面からイオン注入を行い、その後、加熱してダイヤモンドの表面近傍にグラファイト化した非ダイヤモンド層を形成する工程、
（３） グラファイト化した非ダイヤモンド層をエッチングして、該非ダイヤモンド層より表層部分を分離する工程。 （もっと読む）