【課題】設置位置、形状および大きさが良好に制御されたバンプ構造体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のバンプ構造体１００は、絶縁層２０上に設けられ、液体材料を硬化させて得られた樹脂からなる凸状部１０と、凸状部１０を覆う導電層３０と、を含む。凸状部１０は、前記液体材料に対して撥液性を有する撥液部４０と、該液体材料に対する濡れ性が撥液部４０よりも高い親液部４２とを絶縁層２０の上面２０ａに形成した後、親液部４２に対して該液体材料を吐出して硬化させることにより得られる。 （もっと読む）

【課題】 接合基板の貼り合わせ所定位置に対して半導体部品を高精度で一括して貼り合わせることができる半導体部品接合装置および半導体部品接合方法を実現する。
【解決手段】 接合前の半導体部品７の位置と半導体部品接合位置とのズレ量を測長し、定盤１１上で定盤１１上の半導体部品７の位置を固定する固定ピン３を、上記ズレ量が所定値以下になるような半導体部品支持位置に配置し、上記固定ピン３で半導体部品７の位置が固定された状態で半導体部品７を半導体部品接合位置に接合させる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップが他の半導体チップなどの固体装置に対して平行に接合されているか否かを正確に判定することができる半導体チップおよび半導体装置を提供する。
【解決手段】子チップ２において、接続確認用バンプ１３は、機能バンプ１２よりも低く形成されている。そのため、子チップ２の表面１１が親チップ１の表面３に対して少しでも傾いていると、親チップ１の表面３と子チップ２の表面１１との間隔が広い部分において、接続確認用バンプ１３の先端部のはんだ接合材１６と接続確認用バンプ７の頂面との間に広い隙間が生じる。そのため、はんだ接合材１６が膨張しても、そのはんだ接合材１６が接続確認用バンプ７の頂面に届かず、接続確認用バンプ７，１３間の接続が達成されない。よって、子チップ２が親チップ１に対して平行に接合されているか否かを正確に判定することができる。 （もっと読む）

【課題】 多種類のチップサイズに対応可能であり、接続時の熱の影響が少なく残余接着剤の除去処理が容易なマルチチップ実装法とそれに用いる硬化性フィルム状接着剤を提供する。
【解決手段】下記工程よりなるマルチチップ実装法
（１）基板の同一方向に接続すべき複数個のチップ群の中の最大サイズのテ−プ幅を有する硬化性フィルム状接着剤を複数列分、複数準備する工程、
（２）基板の同一方向に接続すべき複数個のチップ群の中の最大サイズのテ−プ幅を、離して複数列、前記フィルム状接着剤を基板のチップ群搭載列に活性温度以下で仮接続して形成する工程、
（３）接続すべきチップの電極と前記（２）の接着剤付き基板の電極を位置合わせする工程、
（４）電極の位置合わせを終了したチップの電極と基板の電極を、接続すべき電極間で、活性温度以上で加熱加圧し、同一基板に複数列、複数個のチップの電気的接続を得る工程。 （もっと読む）

【課題】チップオンチップ構造の実装体を製造するための部品実装動作を効率よく行うことができる部品実装装置および部品実装方法を提供すること。
【解決手段】下チップ６に上チップ７を実装してチップオンチップ構造の半導体装置とする部品実装装置において、第１の部品トレイ５Ａから搭載ヘッド１６によって下チップ６を搭載ステージ９に移載した後、搭載ヘッド１６によって上チップ７を第２の部品トレイ５Ｂから取り出して、搭載ステージ９上の下チップ６に搭載して半田接合する。その後、下チップ６に上チップ７が実装された実装体は、搭載ヘッド１６によって上チップ７を保持した状態で搭載ステージ９から搬出され、第１の部品トレイ５Ａに収納される。このような構成を採用することにより、簡略な構成の部品実装装置によってチップオンチップ構造の実装体を製造するための部品実装動作を効率よく行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の有効面積率を向上させる。
【解決手段】 半導体基板の所定の位置に能動素子が設けられた第１の領域と、前記第１の領域の周囲に位置する半導体基板に設けられた外部接続用の第2の領域と、を有する半導体基板と、前記能動素子の電極と電気的に接続され、前記第2の領域の裏面を前記実装面とするために設けられたメッキ膜と、前記第１の領域の表面および前記第２の領域の表面を一体で被覆した絶縁性接着樹脂層と、前記絶縁性接着樹脂層の表面に設けられ、前記能動素子の電極と前記第２の領域の表面に位置する電極とを電気的に接続する配線とを有することで、外部電極と接続する金属製のリード端子、保護用の封止モールドを不要にでき、外観寸法を著しく小型化にすることができる。 （もっと読む）

【課題】 接合荷重を低減して接合部および基板の破損を防止でき、デバイス機能部の動作信頼性の向上をも図ることができる電子デバイス装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の電子デバイス装置２０は、デバイス機能部Ｐが形成された第１基板２１と、デバイス機能部Ｐを封止する中空部３０を形成するためのシール用バンプ２３および電気的接続のための導通用バンプ２４がそれぞれ形成された第２基板２２とが接合されることで製造され、第１基板２１と第２基板２２との接合が、シール用バンプ２３を加熱溶融させる工程と、導通用バンプ２４を第１基板２１上に熱圧着させる工程とを有する。この構成により、接合荷重は主として導通用バンプ２４の熱圧着接合に要する荷重だけで足りるのでトータル荷重が大幅に低減され、接合部の破損を防止できる。また、接合部のシール性が高められるのでデバイス機能部の動作信頼性を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子と金属板との接合部にクラックが発生するのを抑え、半導体素子の破壊を防止する。
【解決手段】 金属板１０が、本体をなす第１の金属１１（純アルミニウム）とこれに埋め込まれた第２の金属１２（純銅）からなり、実装面に第１の金属から形成された第１領域Ｒ１と第２の金属で形成された第２領域Ｒ２を備える。半導体素子２０はそのコーナー部Ｋを第２領域Ｒ２に直接接合して金属板に取り付ける。第２の金属は第１の金属よりも破断までの変形量が大きいので、熱応力による歪を吸収し、熱応力の集中するコーナー周辺のクラックの発生や半導体素子の破壊が防止されて信頼性が向上する。 （もっと読む）

アセンブリ１００は、電気素子２０が規定される横方向に限定された半導体基板領域１５を有する。この上に、相互接続構造２１が存在する。これは、第１の面１０１において、電気デバイス３０に結合するコンタクトパッド２５、２６を備え、第２の面１０２において、電気素子１１に対する接続２０を提供される。端子５２、５３は、相互接続構造２１の第２の面１０２に存在し、横方向に配置され、半導体基板領域１５から絶縁されるエクステンション２２、２３を通って相互接続構造２１に結合される。電気デバイス３０は、相互接続構造２１の第１の面にアセンブルされ、相互接続構造２１の第１の面１０１上に延在し、相互接続構造２１を支持し、電気デバイス３０を封止する封止部４０が存在する。
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【課題】 接着信頼性が高いバンプ付き半導体チップと基板の接続方法を提供する。
【解決手段】 高さが１０〜３０μｍのバンプ付き半導体チップと基板間に異方導電性接着剤２０を介在させ、圧着装置の圧着ヘッドにより加熱加圧して接続する方法において、異方導電性接着剤２０は、ラジカル重合性物質、ラジカル重合開始剤及び加圧により変形する導電性粒子２４を含有し、加熱時間Ｓ（分）が１≦Ｓ≦１０であり、ラジカル重合開始剤の１分間半減期温度をＴ_１（℃）、圧着温度をＴ_２（℃）としたとき、以下の式を満たすバンプ付き半導体チップと基板の接続方法。
Ｔ_１＋ｘ＝Ｔ_２
１５≦ｘ≦７０ （もっと読む）

【課題】 熱的な応力を緩和させる。
【解決手段】

配線基板６５としてシリコン基板を用いる事で、基板６０と固着したときに両基板６０、６５が共にシリコン基板であると熱膨張係数αが等しいため外部加熱或いは自己発熱による熱発生が生じた場合でも上下で同一応力が加わり相殺するために基板６０、６５の歪による悪影響を抑制することができる。よってシリコン基板から成る半導体チップ実装基板を採用し、その上に設けられたチップも含めてモジュール化することにより、高信頼の製品が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 サイズの異なるチップを基板の電極面に配置し、一度に実装することができる効率のよいＭＣＭ(マルチチップモジュール)の製造が可能なマルチチップ実装法を提供する。
【解決手段】 次の工程よりなるマルチチップ実装法、（１）硬化性材料からなるフィルム状接着剤層を用い、チップの電極形成面の大きさと略同一面積のフィルム状接着剤層を、前記チップの電極面に形成してなる複数の接着剤付チップを得る工程、（２）接続すべき複数の接着剤付チップの電極と基板の電極を対向させて、それぞれ位置合わせする工程、（３）電極の位置合わせを終了した複数のチップの電極と基板の電極を、接続すべき電極間で同時に加熱圧着し、同一基板に複数のチップの電気的接続を得る工程。 （もっと読む）

自己不動態化相互接続を形成する方法が提供される。対を成す２つの接合構造（213、223）の少なくとも一方は、少なくとも部分的に、第１の金属と第２の金属（又はその他の元素）との合金から形成される。第２の金属は第１の金属を通って、対になった２つの接合構造の自由表面まで移動することが可能である。接合処理中、対を成す２つの接合構造（213、223）は互いに接合されて相互接続を形成し、第２の金属はこの相互接続の自由表面まで移動してパッシベーション層（240）を形成する。その他の実施形態も開示される。

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Ｘ線及びガンマ線放射エネルギー撮像デバイスにおける放射線検出器／撮像基板アレイ（２０）が記載され、それらはデバイスの検出器と読出し基板（２１）の間の電荷信号接続を提供するために電導性接着剤（３８）を使用する。本装置は複数の電導性ボンド（２５）を利用し、それらのそれぞれは画素パターンの画素コンタクト（２２）を信号コンタクトパターンの信号コンタクトに個別的に連結し、ボンド（２５）は電導性接着剤（３８）である。この結合技術はカドミウムテルル組成物を含む検出器基板を持つ検出／撮像アレイで特に有用である。本発明は“バンプ”電気コンタクトを持つまたは持たない半導体検出器及び読出し基板で実行できる。電導性ボンド（２５）は等方または異方伝導性接着剤（３８）のいずれかを利用する。
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【課題】回路基板に半導体部品をフリップチップ実装し、半導体部品と回路基板の間にアンダーフィル樹脂の注入する発振器構造において、アンダーフィル樹脂の流れ込みを疎外することのない回路基板構造を提供する。
【解決手段】回路基板３０の一方主面に半導体部品３が配置されたキャビティー部を有する容器体の、他方主面に水晶振動子を配置し、水晶振動子を気密封止して成る水晶発振器を用い、回路基板３０に半導体部品３をフリップチップ実装し、半導体部品３と回路基板３０の間にアンダーフィル樹脂を注入する回路基板構造において、回路基板３０の一方主面の半導体部品３を搭載する面に形成する半導体部品３との導通パッド３２と水晶振動子２のモニター電極パッド３１のパッド形状を、回路基板３０の端面方向に向かって頂点を持つ略菱形形状にした。 （もっと読む）

【課題】 ＩＣチップのチップ電極と外部配線の外部電極端子との間に十分な数量の導電粒子を介在させることにより、チップ電極と外部電極端子とを確実に導通させる。
【解決手段】 液晶駆動用ＩＣチップ１１の出力端子１２ａおよび入力端子１２ｂと液晶表示パネル１のパネル電極端子６とを接続する際に、流動する導電粒子１４を堰き止めるための導電粒子用堰１７を、出力端子１２ａおよび入力端子１２ｂにおけるパネル電極端子６と対向する一面であって導電粒子１４の流動方向における下流側の一端部分に、パネル電極端子６側に突出して形成する。 （もっと読む）

フリップチップマウントの際に、ウェーハ（１）内に製造された複数の半導体部品（２）の複数の接続コンタクト（３）上への複数のさらなる接続コンタクト（５）を有する、複数の半導体チップ（４）の表面に、液状層（６）が提供される。その液状層は、ウェーハ（１）上への複数の半導体チップ（４）の配置の際に、固まり、それにより、半導体チップを固定する。その構造は、真空オーブン内において、高温状態においてはんだ付けされ得、その際、付着剤は蒸発する。複数の半導体チップ（４）は、その際、ウェーハ上において加圧され得る。
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【解決課題】
ウェハを積層して積層型半導体装置を製造するとき、重ね合わせるウェハ上のマークを検出してウェハ間のアライメントを行う。この時、すでに積層されたウェハを観察するとウェハ上のアライメントマークが複数個視野内に入り、検出精度が低下する。このために重ね精度が低下して積層型半導体装置の製造歩留まりが悪くなる。
【解決手段】
隣接して積層されるウェハ上のマークを互いに所定の間隔を有して形成する。これにより、例え同じ視野内に複数のマークが入ってもマークの分離が容易になる。
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本発明は、フリップチップ集積回路及びその作製方法を提案するものである。本発明による作製方法は、ウェハ上に複数の能動半導体デバイスを形成するステップと、能動半導体デバイスを分離するステップとを有している。回路基板の表面に受動素子及びインターコネクトを形成し、回路基板を貫通する少なくとも１つの導電性ビアを形成する。能動半導体デバイスのうち少なくとも１つを回路基板上にフリップチップ実装して、ボンディングパッドのうちの少なくとも１つを導電性ビアのうちの１つに電気接続させる。本発明によるフリップチップ集積回路は、一方の表面に受動素子とインターコネクトとを有する回路基板を備え、それを貫通する導電性ビアを有することができる。回路基板上に能動半導体デバイスをフリップチップ実装し、少なくとも１つの導電性ビアのうちの１つを、少なくとも１つのデバイスの端子のうちの１つに接触させる。本発明は、ＳｉＣ基板上で成長させたＩＩＩ族窒化物ベースの能動半導体デバイスに特に適用できる。次いで、ＧａＡｓ又はＳｉからなる低コストで大径のウェハ上に受動素子及びインターコネクトを形成することができる。分離後、ＧａＡｓ又はＳｉ基板上にＩＩＩ族デバイスをフリップチップ実装することができる。
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【課題】低コストで、かつ、半導体装置の厚さを薄くできる、半導体の実装基板にチップを実装する半導体装置の実装方法を提供する。
【解決手段】先ず、実装基板２２０の半導体チップが実装される表面２３０に金属配線２４０が形成された当該実装基板を用意する。さらに、半導体チップ１１０の実装基板と対向する面１１１に形成された凹部８５内に導電端子９０が備えられる当該半導体チップを用意する。次に、金属配線と導電端子とを導電性接着剤２４０を介して接着する。 （もっと読む）