【課題】より多くの導電粒子を電極間に捕捉可能な導電接合構造と、導電接合構造によって実装基板に実装部品を接合した実装構造体、及び、この導電接合構造によって２つの被接合部材を接合するための導電接合方法を得る。
【解決手段】基板側電極１８には接合用凹部２４が形成され、部品側電極２０には接合用凸部２６が形成される。接合用凹部２４と、接合用凸部２６の間に、異方性導電接合材２２の導電粒子２２Ｐを捕捉する捕捉間隙３０が構成されている。 （もっと読む）

【課題】空気のかみ込みによるボイドの発生を低減して、信頼性の高いバンプ接続を行うことのできる半導体素子の接合方法を提供する。
【解決手段】バンプを有する半導体素子と、電極部を有する基板又は他の半導体素子とを、接着剤を介して接合する半導体素子の接合方法であって、バンプを有する半導体素子と、電極部を有する基板又は他の半導体素子とを、接着剤を介して前記バンプと前記電極部とが対応するように位置合わせする位置合わせ工程（１）と、加熱により前記接着剤を濡れ広がらせ、前記バンプと前記電極部とを接触させる予備加熱工程（２）と、前記バンプと前記電極部とを溶融接合する電極接続工程（３）とを有し、前記予備加熱工程（２）において、前記接着剤のレオメーターにより測定した周波数１Ｈｚ、歪量１ｒａｄにおける複素粘度η^＊が２〜１０Ｐａ・ｓとなるように前記接着剤を加熱する半導体素子の接合方法。 （もっと読む）

【課題】注入された接着剤に、基板内部に残留するガスによるボイドが形成されることを防止する。
【解決手段】基板Ｗの周側面には、接着剤注入口１０１ａと排気口１０１ｂを有するシール材１０１が形成されている。シール材１０１の接着剤注入口１０１ａを接着剤１０２中に浸漬し、排気口１０１ｂを排気用ノズル１１０で覆う。真空ポンプＰ１に接続されたポンプ側継手１２２が嵌合されたノズル用継手１２１を、排気用ノズル１１０に接続する。真空ポンプＰ1により、排気口１０１ｂを介して基板Ｗ内部の空隙に残留するガスを吸気し、接着剤１０２を注入する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体ダイの表面上に形成された複数のバンプを有する、半導体ダイを提供するステップと、基板を提供するステップと、露出側壁を有し、ＳＲＯ＋２＊ＳＲＲ−２Ｘによって定義される設計規則に従ってサイズ決定される相互接続部位を伴って、前記基板上に複数の伝導性トレースを形成するステップであって、式中、ＳＲＯは、前記相互接続部位上の開口部であり、ＳＲＲは、製造工程のための位置合わせであり、Ｘは、接触パッドの前記露出側壁の厚さの関数である、ステップと、前記バンプが前記相互接続部位の頂面および側面を覆うように、前記バンプを前記相互接続部位に接着するステップと、前記半導体ダイと基板との間で前記バンプの周囲に封入材を堆積させるステップとを含む、半導体素子を作製する方法。 （もっと読む）

【課題】積層する基板の電極端子同士の間での接合不良を防止できる３次元集積化技術を提供する。
【解決手段】基板１上にトランジスタ６と多層配線２、絶縁膜３を形成する。絶縁膜３に配線が露出するように開口部４を形成する。開口部内を含む絶縁膜上に、銅などからなる複数の導電体微粒子５を含む有機溶剤を回転塗布する。第１の熱処理により溶剤と有機成分を除去した後、ＣＭＰ法で外側部分の導電体微粒子を除去する。開口部内に導電体微粒子から構成された電極端子９が形成される。第２の基板５１の貫通電極５２を開口部に合わせ、加圧して押し合わせる。第１の熱処理より高温の第２の熱処理を行い、導電体微粒子を部分的に溶融させ、貫通電極と接合する。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯやＩＺＯからなる接続端子の溶出を抑制し、優れた接着強度が得られ、信頼性試験後でも安定した性能を維持できる接着剤組成物を提供する。
【解決手段】第一の接続端子３２を有する第一の回路部材３０と第二の接続端子４２を有する第二の回路部材４０とを接続する接着剤組成物であり、第一の回路部材及び／又は第二の回路部材はＴｇが２００℃以下の熱可塑性樹脂を含む基材から構成され、第一の接続端子及び／又は第二の接続端子はＩＴＯ及び／又はＩＺＯから構成され、接着剤組成物は（ａ）熱可塑性樹脂、（ｂ）ラジカル重合性化合物、（ｃ）ラジカル重合開始剤、（ｄ）リン酸基を有するビニル化合物を含有し、（ｃ）ラジカル重合開始剤はパーオキシケタール、ジアルキルパーオキサイド、ハイドロパーオキサイドの１種以上を含有する、接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】透明性が高く、半導体チップボンディング時のパターン又は位置表示の認識を容易なものとする半導体接合用接着剤を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂、無機フィラー及び硬化剤を含有する半導体接合用接着剤であって、前記無機フィラーは、半導体接合用接着剤中の含有量が３０〜７０重量％であり、かつ、平均粒子径が０．１μｍ未満のフィラーＡと、平均粒子径が０．１μｍ以上１μｍ未満のフィラーＢとを含有し、前記フィラーＡは、前記フィラーＢに対する重量比が１／９〜６／４である半導体接合用接着剤である。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、半導体素子と導電パターンとの隙間が確保され難く、アンダーフィル材にて充填していたため、放熱性が悪く、量産性に適さないという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、半導体素子２と導電パターン９Ａ〜９Ｃとの間にはスペーサー１１Ａ〜１１Ｄが配置され、半導体素子２と導電パターン９Ａ〜９Ｃとの間隙間の幅Ｗ１は、スペーサー１１Ａ〜１１Ｄの膜厚となる。この構造により、半導体素子２下面の隙間の幅Ｗ１が一定に保たれ、その隙間への樹脂の充填性が向上される。そして、トランスファーモールドを用いることが可能となり、量産性に適した構造となる。 （もっと読む）

【課題】 接触熱抵抗を考慮してヒーター制御を行うことにより、半導体ウエハ同士の接合面の温度を制御するようにして、より最適に半導体ウエハ同士の接合を行うことができる加熱加圧システムを提供する。
【解決手段】 加熱加圧システム（７０）は２つの物体（Ｗ１，Ｗ２）の一方を加熱する第一のヒーター部（ＨＴ）と、他方を加熱する第二のヒーター部（ＨＴ）と、物体の加熱加圧の条件を入力する入力部（９２）と、入力された条件に基づいて二つの物体（Ｗ１，Ｗ２）の接合面の温度が目標温度になるように第一のヒーター部及び第二のヒーター部をそれぞれ制御する温度制御部（９６）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、対向する接続端子間において、良好な電気的接続と隣接端子間において高い絶縁信頼性を得ることを可能にする、樹脂成分を含有する樹脂組成物層と金属層の積層構造を有する導電接続材料の製造方法を提供することである。
【解決手段】上記課題は、樹脂成分を含有する樹脂組成物層に、支持基材上に真空スパッタリング法または真空蒸着法により形成した金属層を転写させることにより解決することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板間のボイドの発生を抑制しつつ、基板の同士の接合を適切に効率よく行う。
【解決手段】接合装置４１には、搬送領域Ｔ１と処理領域Ｔ２が形成されている。搬送領域Ｔ１には、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌ、重合ウェハＷ_Ｔを搬送するウェハ搬送体８２と、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌの水平方向の向きを調節する位置調節機構９０と、上ウェハＷ_Ｕの表裏面を反転させる反転機構１３０とが設けられている。処理領域Ｔ２には、上面に下ウェハＷ_Ｌを載置して保持する下部チャック１００と、下面に上ウェハＷ_Ｕを保持する上部チャック１０１と、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌの接合時に下ウェハＷ_Ｌの一端部と上ウェハＷ_Ｕの一端部とを当接させて押圧する押動部材１２０とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】小さな圧力を用い電極同士を接合可能とすること。
【解決手段】規則性を有し配列した複数の突起１４を備えた第１電極１２を含む第１基体１０と、前記複数の突起１４とそれぞれ嵌合した複数の嵌合部２６を備え、前記第１電極１２と機械的かつ電気的に接続された第２電極２２を含む第２基体２０と、を具備する電子装置。 （もっと読む）

【課題】半導体回路基板に形成された高周波回路の高周波特性への影響を抑えることができるフリップチップ実装装置を提供する。
【解決手段】基板２６の一面上に、導体層２３、誘電体層２５、及び導体層と対向するように配された配線層２１が順に積層されてなる実装基板２上に、半導体回路基板１をフリップチップ接合させたフリップチップ実装装置であって、実装基板は、基板の一部が露呈する開口部Ａを備え、実装基板と半導体回路基板とが、バンプ３１を介して電気的に接続されており、実装基板と半導体回路基板との間には、開口部による空間３が設けられていることを特徴とするフリップチップ実装装置。 （もっと読む）

本発明は、電子集積回路パッケージの製作、より具体的には３次元でパッケージされた集積回路を製造する際の静電放電ダメージの軽減に関する。一実施形態では、第２層ダイが第１層ダイと接触して配置されるとき、第２層ダイおよび第１層ダイ上の他の信号導電バンプおよびパワー導電バンプが電気的に接触する前に、第２層の基板と電気的に結合された第２層の周辺部付近の導電バンプが、第１層の基板と電気的に結合された第１層の対応する導電バンプと接触する。
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【課題】低コストで高密度な接続パッド及び接続ビアを構成できる配線基板を提供する。
【解決手段】酸化アルミニウム基板１０と、酸化アルミニウム基板１０の厚み方向に貫通して形成された多数の貫通導体ＴＣと、酸化アルミニウム基板１０の上に形成され、接続パッドＰが配置される部分に開口部２０ａが設けられた絶縁層２０と、絶縁層２０の開口部２０ａに形成され、複数の貫通導体ＴＣの一端側に接続された接続パッドＰとを含み、貫通導体ＴＣが酸化アルミニウム基板１０の外面から突出するか又は沈み込むことで凹凸が設けられている。 （もっと読む）

【課題】エッジ配線を用いた３次元半導体集積回路の製造方法を提供する。
【解決手段】３次元半導体集積回路の製造方法は、第１の半導体チップ１０の少なくとも一つのエッジを含む表面にインクジェット機構３０を用いて第１の配線１４を形成する工程と、第２の半導体チップ２０の少なくとも一つのエッジを含む表面にインクジェット機構３０を用いて第２の配線２４を形成する工程と、第１及び第２の配線１４，２４の位置に基づき第１の半導体チップ１０と第２の半導体チップ２０とを積層することにより、第１の配線１４と第２の配線２４とを導通させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】接合熱処理温度が低くて済み、凝固後は高い融点を確保し得る高耐熱性の電子デバイス及びその製造方法の提供。
【解決手段】複数枚の基板ＷＦ１〜ＷＦｒのそれぞれは、縦導体３１と、接続導体４とを有している。複数枚の基板ＷＦ１〜ＷＦｒのうち、隣接する基板ＷＦ１、ＷＦ２は、一方の基板ＷＦ２の接続導体（縦導体）３１が、他方の基板ＷＦ１の接続導体４と、接合膜５によって接合されている。接合膜５は、第１金属または合金成分と、それよりも融点の高い第２金属または合金成分とを含み、凝固後の溶融温度が第１金属または合金成分の融点よりも高くなっている。 （もっと読む）

【課題】 基板上のはんだバンプを形成するための、マスクを用いない直接ＩＭＳ（射出成形はんだ）法を提供する。
【解決手段】 基板と、基板の表面上に形成された複数の濡れ性パッドと、基板の表面上に堆積され、外面を有するはんだレジスト層とを含むアセンブリが取得される。少なくともはんだレジスト層は、濡れ性パッドに隣接した容積を定める陥凹領域を有するように形成される。濡れ性パッドに隣接した容積内に溶融はんだを直接射出して、濡れ性パッドに隣接した容積をはんだで充填する。はんだが固化するのを可能にする。はんだは、濡れ性パッドに付着された複数のはんだ構造体を形成する。固化後、基板及びはんだを再加熱してはんだをリフローさせ、はんだレジスト層の外面より上方に延びるほぼ球形のボールにする。濡れ性パッドに隣接した容積は、射出するステップにおいて十分なはんだを受け取るような構成及び寸法にされ、再加熱するステップの結果として、ほぼ球状のボールは、はんだレジスト層の外面より上方に延びる。代替的な手法においては、はんだの射出及び固化は、窒素環境又はフォーミング・ガス環境において実施され、リフロー・ステップを省略することができる。 （もっと読む）

【課題】接合バンプを用いたフリップチップ実装する製品において、配線基板等に反り等があっても、接続不良をなくし、かつ容易にアラインメントをとることができる、実装製品の製造方法等を提供することを目的とする。
【解決手段】フォトダイオードアレイの電極１１とＲＯＩＣ５０の電極７１とが、接合バンプ７９，９を介在させて接合された実装製品の製造において、ＲＯＩＣの電極７１に接合バンプ７９を形成する工程と、ＲＯＩＣの全体の接合バンプ７９を化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）