電子パッケージシステムにおける改良された接着のための表面処理を提供する。本方法は、結合面上にパッシベーション層を堆積するステップと、パッシベーション層の少なくとも一部を粗面化するステップとを含む。パッシベーション層上に被覆材料を堆積する。結合面は、半導体またはパッケージ基板の一部であり得る。粗面化工程は、化学的または機械的工程によって実施することができる。別の実施形態では、電子パッケージシステムは、半導体またはパッケージ基板の結合面を備える。結合面上にはパッシベーション層が堆積され、接着力の向上のために粗面化されている。パッシベーション層の粗面化された部分の上に被覆材料が堆積されている。
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【課題】半導体基板の側面を基点としたクラックが半導体装置の多層配線層に伝播することを抑制する。
【解決手段】半導体装置１００は実装基板１０上に、バンプ１３０を用いてフリップチップ実装されている。アンダーフィル樹脂層２００は、半導体装置１００の能動面と実装基板１０の間の空間を封止している。また半導体装置１００の多層配線層１２０は半導体基板１１０の能動面側の面に形成されており、かつ半導体基板１１０の縁に位置する部分１２２が全周にわたって除去されている。多層配線層１２０のうち除去されている部分１２２の幅をｗとして、半導体基板１１０の厚さをｈとしたときに、ｗ＞ｈである。 （もっと読む）

【課題】 ハイブリッド型撮像装置などの検出装置等において、その電極／接合バンプの接触抵抗を低くし、接合強度を高くすることができ、かつ受光素子アレイ等の本体にダメージが生じにくい、検出装置等を提供する。
【解決手段】近赤外域の受光素子アレイ５０と、読み出し回路を構成するＣＭＯＳ７０とを備え、１つまたは２つの接合バンプ７９，９を挟んで、受光素子アレイの電極１１と読み出し回路の電極７１とが接合され、読み出し回路において、電極の対応部に開口部７８をあけられて、該電極が設けられた側の面７４を覆う樹脂層７５を備え、樹脂層の開口部の壁面等被覆するカップ状金属Ｋと、電解めっきで形成された接合バンプ７９とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フリップチップボンディングによる接続時の電子部品間の位置ずれを抑制する。
【解決手段】複数の第１バンプが配設された第１電子部品と、その複数の第１バンプに対応する位置に複数の第２バンプが配設された第２電子部品とを準備する（ステップＳ１）。第１，第２電子部品のうち、一方の第１電子部品について、その複数の第１バンプの先端がそれぞれ第１電子部品の中央から外周に向かう方向に偏心した形状となるように、バンプ成型処理を行う（ステップＳ３）。その後、第１，第２電子部品を対向配置し（ステップＳ４）、それらの第１，第２バンプを溶融することで（ステップＳ５）、第１，第２電子部品を接続する。 （もっと読む）

【課題】接合時の半田の非合金化に起因する再リフロー時の半田接合部の外れを防止する半田フリップチップ実装方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ１００ａを基板１００ｂに実装する方法は、半導体チップ１００aおよび基板１００ｂの接合部の何れか一方に半田バンプ１０５を形成し、他方に凹凸部ＰＲを有する金バンプ１０６を形成するステップと、半導体チップ１００ａおよび基板１００ｂを互いに押しつけて、凹凸部ＰＲと半田バンプ１０５とを互いに当接させるステップと、互いに当接された凹凸部ＰＲと半田バンプ１０５を第１の所定の温度Ｔで第１の所定時間ｔだけ加熱保持して、半田バンプ１０５と金バンプ１０６との合金を形成させるステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の電極パッド間の距離の縮小や半導体素子のサイズを拡大することなく多ピン化への対応が可能となり、回路コア部の電源の出力電圧が降下するＩＲドロップ現象を防止することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子３の回路形成領域４の外周部に外周部電極パッド５が形成され、各外周部電極パッド５に外周部バンプ１０が形成され、回路形成領域４の範囲内に内部電極パッド１４が形成され、内部電極パッド１４に内部バンプ１６が形成され、フリップチップ実装により、半導体素子３と半導体基板との間にエポキシ系樹脂材を介在させて、各外周部および内部バンプ１０，１６と半導体基板の各配線電極部とが接続される。 （もっと読む）

【課題】両被接合物の相互間の電気的接続を実現するに際して、樹脂層を設けることを必ずしも要することなく、両被接合物の接合強度を良好に確保することが可能な接合技術を提供する。
【解決手段】この接合システムは、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）およびＡｌ（アルミニウム）のいずれかで構成される接合部分ＰＴ１とＳｉ（シリコン）、ＳｉＯ_２（二酸化シリコン）およびガラスのいずれかで構成される接合部分ＰＴ２とをその接合表面にそれぞれ有する２つの被接合物９１，９２を接合する。当該接合システムは、２つの被接合物９１，９２の各接合表面に対してエネルギー波による親水化処理を行い、その後、２つの被接合物９１，９２における接合部分ＰＴ１同士を接触させ且つ２つの被接合物９１，９２における接合部分ＰＴ２同士を接触させた状態で２つの被接合物９１，９２を加圧し接合する。 （もっと読む）

【課題】小型で信頼性の高いセンサーユニットと、このようなセンサーユニットを簡便に製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】センサーユニット１は、ピエゾ抵抗素子を用いたセンサー２と、このセンサーに接合された能動素子モジュール５とを備えたものであり、センサー２は、可動機能領域２Ａ内に位置するピエゾ抵抗素子と、これに電気的に接続され可動機能領域２Ａの外側に位置する複数のバンプ６を有するセンサー本体と、センサー本体に接合された保護用蓋部材と、を有し、能動素子モジュール５は、複数のコンタクト電極５４を有し、このコンタクト電極５４がバンプ６に接続するようにセンサー２と対向し、センサーとの間隙９には、可動機能領域２Ａを囲む堰部材７が位置し、この堰部材７の外側の間隙９には弾性率が１〜１０ＧＰａの範囲にある封止樹脂８が存在する。 （もっと読む）

【課題】基板上に搭載される部品を加熱することなく精度良く簡単に実装できること。
【解決手段】集積デバイスは、光素子であるＬＤ１２１，波長変換素子１２２と、電気素子であるドライバＩＣ１２３とを基板１００上に混載して実装する。光素子と電気素子とは、基板１００上に形成された金属材料からなる接合部１１０，１１１，１１２に表面活性化接合により接合される。この接合部１１０，１１１，１１２にはマイクロバンプが形成され、原子間の凝着力を利用して常温で接合できる。 （もっと読む）

【課題】 電子機器類において、その電極／接合バンプの接触抵抗を低くし、かつ接合強度を高くすることができる、電子機器、バンプ接合された複合型電子機器、検出装置、受光素子アレイ、および、これらの製造方法を提供する。
【解決手段】 接合バンプ９に接合される電極を有する電子機器５０,７０であって、電極１１，７１，１２，７２に、凹部Ｋが、該凹部の底部と該凹部以外の電極の面である頂部との平均垂直距離が１００ｎｍ以上となるように、該電極の面にわたって形成されており、かつ、凹部がエッチングにより付されたものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半田バンプ同士の位置合せ精度や接続性を維持しつつ、フラックス剤を用いることなく、半田バンプ表面の酸化膜に起因するボイドや接続不良の発生を有効に抑制することを可能にした半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の半田バンプ１と第２の半田バンプ３とを位置合せして接触させた後、半田バンプ１、３の融点以上の温度に加熱し、第１の半田バンプ１と第２の半田バンプ３とを溶融させて仮接続した後に冷却する。仮接続体１３を還元性雰囲気中で半田バンプ１、３の融点以上の温度に加熱し、仮接続体１３の表面に存在する酸化膜７を除去しつつ、仮接続体１３を溶融させて本接続体１９を形成する。 （もっと読む）

【課題】２枚の半導体チップをフリップチップ接続したＣＯＣ構造の半導体装置を製造するにあたり、半導体チップの反りの発生を抑え、バンプ接続部における接続不良の発生を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の半導体チップ１１の表面に絶縁樹脂の硬化膜１４を形成する工程（ａ）と、絶縁樹脂の硬化膜が形成された第１の半導体チップ上に第２の半導体チップ１２をバンプ１６を介してフリップチップ接続する工程（ｂ）と、を含む半導体装置の製造方法であって、工程（ａ）では、前記絶縁樹脂を（Ａ−５０）℃以上（Ａ＋５０）℃以下の温度（ここで、Ａは前記バンプの凝固点である）で硬化させる半導体装置１０の製造方法。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体チップを実装精度の低下を招くことなく積層して実装することができる実装装置を提供する。
【解決手段】基板３に複数の半導体チップＴを積層して実装する実装装置であって、２つ目以降の半導体チップを実装ツール５によってすでに実装ステージ１に供給された半導体チップに積層して実装するため、上下撮像カメラ１４によって実装ツールに保持された２つ目以降の半導体チップと実装ステージにすでに供給された半導体チップを撮像する際、制御装置は、実装ツールと上下撮像カメラの高さを変えずに、実装ステージの高さを前の回に上記実装ステージに供給された半導体チップの厚さ分だけ下方に駆動して位置決めする。 （もっと読む）

【課題】処理対象物を直接的に冷却することができ、別途の冷却板を設置する必要がない加熱溶融処理装置を提供する。
【解決手段】
本発明の加熱溶融処理装置は、半田を含む処理対象物１００についてカルボン酸蒸気を含む雰囲気中で加熱溶融処理する加熱溶融処理装置１であって、加熱溶融処理した処理対象物１００を載せて搬送するためのハンド部４を冷却板として兼用する。 （もっと読む）

基板を支持するためのプレースステージを含むプレースステージ組立体と、基板における清浄環境をもたらすためのカバー部であって、載置動作が基板の制限された範囲に実行され得るカバー部の第1の面に第1の開口部を含むカバー部とを備え、プレースステージおよびカバー部は、相対移動によって、開口部が基板の上方に選択された相対位置を得ることが可能になるように取り付けられる、ピックアンドプレースマシン用のプレースステーション。
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【課題】レーザビームの照射以外の手段で、補強材を含むプリプレグを硬化することで形成された絶縁膜に開口を形成した端子構造およびその作製方法、ならびに電子装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】端子部を構成する凸部１２０を有する導電体を形成する。補強材を有する未硬化のプリプレグ１３０をこの導電体に密着させ、プリプレグ１３０を硬化して、補強材１３１を含む絶縁膜１４０を形成する。プリプレグ１３０を密着させる際に、凸部１２０に密着している領域にプリプレグ１３０の厚さが他の領域よりも薄い部分を形成することができる。そして、この絶縁膜全体の厚さを薄くすることで、膜厚が薄い部分に開口１４３を形成することができる。この薄膜化はエッチングで行うことができる。また、この工程で補強材１３１を除去しないことが好ましい。開口１４３に補強材１３１を残すことで端子および電子装置の強度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】安定した半導体チップ間の導通信頼性および隣接する半導体チップの接続電極の高い絶縁信頼性、さらに、更なる高密度化の要求に対応しうるチップオンチップ型の半導体装置、および半導体装置の製造方法及び電子部品を提供する。
【解決手段】樹脂組成物と、半田箔又は錫箔から選ばれる金属箔とから構成される積層構造を有する導電接続材料を半導体チップ２０，３０間に介在させ、熱融着させることにより、電気的接続及び封止を一括で行う。 （もっと読む）

【課題】基板に実装される複数の半導体素子間の接続端子数を増やし、モジュール性能を高めるとともに、必要とされるインターポーザのサイズを小さくし、コストの低減化に寄与すること。
【解決手段】半導体装置５０は、最外層の配線層の所要の箇所に画定されたパッド１１Ｐを有する配線基板１０と、この配線基板上にフェイスアップの態様で並列して実装された複数の半導体素子（チップ）２０ａ，２０ｂと、各チップ上にまたがって実装されたインターポーザ３０とを備える。各チップ２０ａ，２０ｂは、そのフェイス面側に配列された電極パッドのうち一部の電極パッド２１が導電性ワイヤ２４を介して配線基板１０の対応するパッド１１Ｐに接続されている。残りの電極パッド２２は、インターポーザ３０を介して相互に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子に設けられた突起電極と回路基板に設けられたはんだ電極とを接合する際に、突起電極とはんだ電極との位置ずれを低減し、突起電極を被覆した鼓状の接合電極を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】突起電極１５が設けられた半導体素子１０と、固相液相共存領域を有する組成のはんだ電極２５ｃが設けられた回路基板２０とを、突起電極とはんだ電極とが対向するように位置合わせする第１工程と、はんだ電極を固相液相共存領域まで加熱し、所定時間保持する第２工程と、第２工程の後、はんだ電極を液相領域まで加熱する第３工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】バンプ電極によって半導体チップ間あるいは半導体チップと配線基板とを電気的に接続する半導体装置において、特に、接続部の高密度化や狭ピッチ化が進んでも、接続不良の発生を低減できる技術を提供する。
【解決手段】接続部ＣＮＴにバンプ電極ＢＭＰ１を押し付けることにより、接続部ＣＮＴを構成する梁ＢＭが曲がる（たわむ）。そして、さらに、バンプ電極ＢＭＰ１を接続部ＣＮＴに押し付けると、バンプ電極ＢＭＰ１の先端部が空洞部ＣＡの底面に到達する。このとき、押し曲げられた梁ＢＭには復元力が働き、空洞部ＣＡの底面にまで挿入されたバンプ電極ＢＭＰ１を左右から挟む。このため、空洞部ＣＡに挿入されたバンプ電極ＢＭＰ１は、左右から梁ＢＭの復元力により固定される。 （もっと読む）