【課題】大きな面積のウェハを貼り合わせた場合に該ウェハ間に形成される間隙にも十分に注入することができ、かつ注入途中で硬化しない接着部材を提供する。
【解決手段】接続領域を有する接着基板および被接着基板と、接着基板および被接着基板の各接続領域の間に配置された接続部材と、接続部材を囲み、接着基板と被接着基板とを接着する接着部材とを備えた半導体装置であって、接着部材は、官能基を有する主剤と、エネルギーの付与により官能基の活性化機能を発現する硬化剤と、を含み、硬化剤により活性化された官能基が他の官能基と結合することによって硬化する樹脂である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップをガラスのようなリジット基板にフリップチップ実装する場合でも、電気的接続性が良好で信頼性の高い電子装置を提供する。
【解決手段】電子素子１上に形成された複数の金属バンプ２と実装回路用基板６に形成された複数の電極パッド３とが接着剤層５を介して電気的に接続された電子装置であって、前記基板と各電極パッドとの間には柔軟層５が形成されており、該柔軟層の形状が電極パッド１個または数個ごとに分断された島状であることを特徴とする電子装置。 （もっと読む）

【課題】半導体素子間の電気的な接続を確実にとりながら、半導体素子の損傷を防止して半導体素子を積み重ねて搭載することを可能にするとともに、装置の小型化を図り、取り扱いの容易な半導体装置を提供する。また、この半導体装置の製造方法およびこの半導体装置を用いた実装構造を提供する。
【解決手段】デバイス層２２を対向させて２つの半導体素子２０ａ、２１ａが一体に接合されて形成された半導体装置４０であって、少なくとも一つの半導体素子２０ａ、２１ａのデバイス層２２の表面には、信号の送受信用あるいは給電用としてのインダクタパターン２６、２７と、前記半導体素子２０ａ、２１ａ間を電気的に接続し、かつ前記インダクタパターンと対向配置される半導体素子とを電気的に絶縁して支持するバンプ３０とが設けられ、前記半導体素子２０ａ、２１ａの対向面間に電気的絶縁性材３２が充填されている。 （もっと読む）

【課題】室温でも接合面の洗浄することができ、容易に基板同士を接合できる接合方法及び接合装置を提供する。
【解決手段】接合装置１は、処理室としてのチャンバー２と、チャンバー２内に設けられ基板３を設置するステージ４と、チャンバー２に連通されたガス導入路５及びガス排出路６とを備える。ガス導入路５に紫外光照射部20が設けられており、供給される酸素ガスを紫外光照射部20によって励起して第１の洗浄ガスを生成し得るように構成されている。第１の洗浄ガスがチャンバー２内へ供給されると、第１の接合面10a及び第２の接合面11aに付着した有機物と酸化反応する。これにより、接合装置１は、第１の接合面10a及び第２の接合面11aから有機物を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】対向する２個の部材にそれぞれバンプを設け、これら両部材のバンプの先端部同士を接触させた状態で当該両バンプを接合するにあたって、バンプサイズを大きくすることなく、当該接触時における両バンプの相対的な位置ずれを規制する。
【解決手段】第１のバンプ３１の先端部に、当該先端部より第２のバンプ３２側へ向かって突出する突起４０を設けておき、その後、突起４０を第２のバンプ３２の先端部に突き刺して両バンプ３１、３２の先端部同士を接触させる。 （もっと読む）

【課題】電極数を極力低減すると共に、実装時に実装基板との平行度を保って接続不良の防止を図り、且つ半導体回路の破壊をも抑制した半導体チップを提供すること。
【解決手段】例えば、所定の間隙を持って対向させた各メモリバンク２２Ａ〜２２Ｄ間により形成された十字状の接続バンプ配置領域２３が設けられている。そして、十字状の接続バンプ配置領域２３における領域２３Ａに、信号入出力用接続バンプ２１Ａ（第１の電極）が群をなして配設させている。一方で、当該信号入出力用接続バンプ２１Ａが群をなす領域２３Ａに直交する領域２３Ｂ内に電力・接地用接続バンプ２１Ｂの群を配設させることで、記憶装置チップ２０を配線チップ１０に実装した際、当該記憶装置チップ２０が傾くのを当該電力・接地用接続バンプ２１Ｂが支持し（半田を介して支持し）、最小限のバンプ数で平行度が保たれる。このように、例えば記憶装置チップ２０を構成する。 （もっと読む）

【課題】部品実装機の吸着ノズルでＢＧＡ型の半導体部品を吸着して他のＢＧＡ型の半導体部品上又は基板上に実装する場合に、半導体部品のクラック・破損を防止しながら半導体部品のバンプの接続信頼性を向上できるようにする。
【解決手段】吸着ノズル２５で各段の半導体部品２３，２４を吸着する際に、半導体部品２３，２４の上面に当接する部分（以下「ノズル当接部」という）２５ａが当該半導体部品２３，２４下面のいずれかのバンプ２１，２２の真上に位置するように吸着する。また、上側の半導体部品２３を下側の半導体部品２４上に実装する場合、上側の半導体部品２３下面のバンプ２１のうちの少なくともノズル当接部２５ａの真下に位置するバンプ２１が、下側の半導体部品２４のいずれかのバンプ２２の真上に位置するように積み重ね、その状態で、吸着ノズル２５により押圧力を作用させて上下の半導体部品２３，２４間をバンプ２１で接合する。 （もっと読む）

【課題】複数個のバンプを介して２枚の半導体チップを超音波接合するにあたり、数のバンプを一括して超音波接合するにときに、各バンプの接合状態を均一化するのに適した製造方法を提供する。
【解決手段】それぞれ複数個のバンプ３１、３２が一面側に平面的に配置された第１の半導体チップ１０、第２の半導体チップ２０を用意し、第１の半導体チップ１０の他面に、超音波を発振するホーン１００を当てて、両半導体チップ１０、２０の各バンプ３１、３２同士を接触させ、ホーン１００によって第１の半導体チップ１０のバンプ３１に超音波を印加する半導体装置の製造方法において、第１の半導体チップ１０の一面のうち超音波による第１の半導体チップ１０の振動方向Ｘにおける中央部に位置するバンプ３１よりも周辺部に位置するバンプ３１の方が、印加される超音波エネルギーが大きくなるようにする。 （もっと読む）

【課題】製造工程においてチッピングが発生しにくい積層型半導体装置を提供する。
【解決手段】所定分布密度のバンプ７が形成された回路領域９を有する半導体基板８同士が、バンプ７を接合することにより積層されて形成された積層型半導体素子であって、半導体基板１の周辺部１０には、回路領域９のバンプ７の分布密度より高い分布密度で、半導体基板１に密着してダミーバンプ１１が形成され、半導体基板１同士において、ダミーバンプ１１同士の接合がなされていることを特徴とする積層型半導体装置。 （もっと読む）

【課題】配線の断線を防止することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】フィルム基板に実装されたインターポーザ基板と、インターポーザ基板に実装された半導体素子とを備え、インターポーザ基板は、複数個の第１基板金属バンプと、複数個の第１基板パッドメタル２３と、複数本の基板配線２４とを有し、半導体素子は、第１基板金属バンプとそれぞれ熱圧着により接合した複数個の素子金属バンプと、複数個の素子パッドメタル１３と、複数本の素子配線１４とを有する半導体装置であって、第１基板パッドメタル２３および素子パッドメタル１３は、各角が外側に向かって突き出る多角形状をしており、基板配線２４は、それぞれ対応する第１基板パッドメタル２３の角の頂点から間隔を空けた位置に接続され、素子配線１４は、それぞれ対応する素子パッドメタル１３の角の頂点から間隔を空けた位置に接続されている。 （もっと読む）

【課題】電子部品間の接合信頼性を向上させることができる電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第一電子部品１１と第二電子部品１２とを有し、第一電子部品１１の接合部１１１と、第二電子部品１２の接合部１２５とが接合された電子装置を製造するための製造方法であり、第一電子部品１１の金属製の接合部１１１と、第二電子部品１２の金属製の接合部１２５とを当接させ、第一電子部品１１および第二電子部品１２を加圧し、接合部１１１，１２５同士を金属接合した後、第一電子部品１１および第二電子部品１２への加圧を解除する第一の工程と、接合した第一電子部品１１および第二電子部品１２の位置関係を固定部材Ｐにより固定し、第一電子部品１１および第二電子部品１２を所定の温度で加熱保持する第二の工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】
３次元実装工法の１つであるＣＯＷ工法では全数チップの組み立てに極めて長い時間を要する、半田接合が使えない、樹脂封止に長い時間を要する、封止樹脂に気泡が混入するなどの問題があった。
【解決手段】
本発明は３次元実装工法の１つであるＣＯＷ工法の改良発明である。半田バンプが設けられたＩＣチップの電極と基板の電極を接合に際しＩＣチップの電極と基板の電極の接合を仮接合と本接合の二段階で実現する方法、装置を提案する。仮接合はＩＣチップまたは基板に機械的圧力を加えて半田バンプの一部を変形させて行うことを特徴とする。本接合はＩＣチップおよび基板全体を加熱し、リフロー接合し半田バンプの溶融に伴う半田のセルフアライメントを利用することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 接触熱抵抗を考慮してヒーター制御を行うことにより、半導体ウエハ同士の接合面の温度を制御するようにして、より最適に半導体ウエハ同士の接合を行うことができる加熱加圧システムを提供する。
【解決手段】 熱加圧システム（７０）は、少なくとも２つの物体（Ｗ）を加熱し且つ加圧し一体物に加工する加熱加圧システムである。そして加熱加圧システムは、物体の加熱加圧の条件を入力する入力部（９２）と、物体を加熱するヒーター部（ＨＴ）と、物体からヒーター部に至る構成部材同士の接触部分及び構成部材と物体との接触部分に存在する接触熱抵抗及び入力された条件に基づいて、ヒーター部の制御を行う温度制御部（９６）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高密度に集積化して高機能な電子装置を製造するにあたり、ＩＣチップやパッケージ設計上の制約が少なく生産性を向上し、汎用化が容易な電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】金属バンプ電極すなわちＡｕスタッドバンプ１を有する第１の電子装置すなわち親チップ２に搭載されると共に親チップ２のＡｕスタッドバンプ１に接続される電極を備える第２の電子装置すなわち子チップ３の前記電極形成面のほぼ全面を被覆する様に子チップ３に接着材層５を形成する工程と、親チップ２に子チップ３を搭載する工程とより成り、親チップ２に子チップ３を搭載する工程で親チップ２のＡｕスタッドバンプ１が接着材層５を貫通して子チップ３上の電極と電気的に接続すると共に親チップ２と子チップ３間が接着材層５により封止される。 （もっと読む）

【課題】対向配置されたウエハ間において電極部同士の接続されない部分が発生しにくい半導体装置を提供する。
【解決手段】貫通配線部９とバンプ２６とが電気的に接続されることにより複数のウエハ間接続部３０ｃが形成されて所望の半導体回路が形成されている半導体装置において、ウエハ間接続部３０ｃが、隣接する別のウエハ間接続部３０ｃと絶縁されたものであり、バンプ２６の貼り合わせ面３０ｂにおける平面形状が、貼り合わされるウエハ同士の位置合わせを行う際の位置合わせマージン寸法の幅で、ウエハ１ＷＡに設けられた貫通配線部９の貼り合わせ面３０ａにおける面積の半分が重なり合う平面形状を取り囲んでなる位置合わせマージン形状よりも大きいものである半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】マスク／ヘッド間へのはんだボールの挟み込みを起こすことなく、微小はんだボール等の導電性ボールを基板の接続パッドに搭載する装置および方法を提供する。
【解決手段】導電性ボール搭載装置は、外枠１０とその内部の内筒２０とを有するヘッド３０を有し、外枠１０の下端に、導電性ボールの搭載位置に開口１２を有するマスク１４と、マスクの上面から外部へ排気する排気口１６とを備えている。内筒２０は、外枠１０内のマスク１４上方に配置され、篩２２によって上部と下部の空間に仕切られている。上部の空間２４は内筒２０上端に導電性ボール供給口２８が開口した導電性ボール仮貯留室を構成し、下部の空間２６は下端が開放され、篩の下方へ外部から給気する給気口を有している。振動装置により、内筒２０は外枠１０に実質的に拘束されずに振動可能であり、これにより基板上の各導電性ボール配列対象区域毎に導電性ボール搭載を行なう。 （もっと読む）

【課題】積層された半導体ウエハーが備える接続部間の電気的な接続を安定的に行い得るとともに、効率よく複数の半導体素子を製造し得る半導体ウエハーの接合方法および信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体ウエハーの接合方法では、半導体ウエハー２１０と半導体ウエハー２２０との間に、フラックス活性を有する硬化剤と、熱硬化性樹脂とを含む接合層６０を介在させて、半導体ウエハー２１０、２２０が積層された半導体ウエハー積層体２３０を得た後に、半導体ウエハー積層体２３０を、加熱しつつ、その厚さ方向に加圧することにより、半田バンプ２２４を溶融・固化するとともに、前記熱硬化性樹脂を硬化して、半導体ウエハー２１０と半導体ウエハー２２０とが固着することにより、接続部（半田バンプの固化物）２２５で、接続部２１２と接続部２２２とが電気的に接続された半導体ウエハー接合体２４０を得る。 （もっと読む）

【課題】半導体発光デバイスを実装するために前処理する方法を提供する。
【解決手段】発光デバイスは、サブマウントへの実装のための実装面を有する。本方法は、実装面以外の発光デバイスの少なくとも１つの表面を、その少なくとも１つの表面の表面エネルギーを低下させるように処理する段階を含み、これにより、発光デバイスが実装されるときに、実装面とサブマウントとの間に施工されるアンダーフィル材料が、少なくとも１つの表面を汚染しないようにされる。 （もっと読む）

【課題】複数の下段側半導体素子にまたがって上段側半導体素子を積層するにあたって、積層した半導体素子間の接続精度の向上と接続距離の短縮とを両立させる。
【解決手段】積層型半導体装置１は、配線基板２上に並列して搭載された複数の半導体素子６を有する下段側半導体素子群を具備する。下段側半導体素子群上には複数の半導体素子６にまたがって上段側半導体素子１０が積層されている。下段側半導体素子６と上段側半導体素子１０とはフリップチップ接続されている。上段側半導体素子１０は半田のセルフアライメント効果に基づいて位置決め用基板上に位置決めされた複数の下段側半導体素子６に対してフリップチップ接続される。 （もっと読む）

【課題】貫通電極付基板において、貫通電極とパッドとの間の電気的な接触不良の発生を防止できるようにする。
【解決手段】貫通電極３を高さをほぼ同一にできる突起状電極１０にする。そして、第１半導体基板１に形成しておいた電極用貫通孔２ａに挿入したのち、第２半導体基板５に形成しておいたパッド６と電気的に接続し、その後、封止用貫通孔９を通じて封止樹脂４を充填する。これにより、突起状電極１０にて構成した貫通電極３とパッド６との電気的な接続を確実に行うことが可能となる。また、貫通電極３とパッド６との接続を行ってから、封止樹脂４での封止を行うようにしているため、封止樹脂４によって貫通電極３とパッド８との電気的接続が行えなくなることを防止することもできる。 （もっと読む）