【課題】電気的特性を損なうことなく、接続信頼性の高い電子装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】電子装置は、基板と、基板にバンプを介して実装された電子素子と、基板と電子素子との間に配される封止樹脂と、を備える。電子素子は、バンプと電気的に接続された第１パッドを有する。基板は、導電性樹脂層を有する。導電性樹脂層は、バンプと電気的に接続された第２パッドと、第２パッドから連続的に延在する配線と、を形成する。第２パッドの厚さは、配線の厚さよりも厚い。第２パッドは、バンプの押圧によって凹状となっていない。 （もっと読む）

【課題】バンプを介して接合された一対の実装体間の隙間へのアンダーフィル樹脂の適切な充填を行うことができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、ダム３３で囲まれた樹脂溜め領域３６を有する第１の実装体１１と、バンプ２１を介して第１の実装体１１に実装された第２の実装体１２と、第１の実装体１１と第２の実装体１２との間の隙間２０に充填されバンプ２１を覆う絶縁性のアンダーフィル樹脂２２と、を備え、ダム３３は、樹脂溜め領域３６と隙間２０との間を仕切る内側隔壁部３４を有し、内側隔壁部３４の一部は開口されている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ上に積層された半導体チップの放熱を改善することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】周辺部に接続パッド２２を有するパッケージ基板２１、上面の周辺部に形成された接続パッド１２、及び上面の接続パッド１２より内側に形成され、接続パッド１２に接続された接続パッド１３を有し、下面をパッケージ基板２１に固定された半導体チップ１１、下面の最も外側の周辺部を取り巻く１列が、電源または接地に接続された接続パッド１６を有し、下面の接続パッド１６の列より内側に、信号線に接続された接続パッド１７を有し、接続パッド１６及び接続パッド１７が半田バンプ２５を介して対応する位置の接続パッド１３に電気的に接続且つ固定された半導体チップ１５、並びに、接続パッド１６が半田バンプ２５及び接続パッド１３を経由して接続された接続パッド１２と、接続パッド２２とを電気的に接続する金属細線２７を備える。 （もっと読む）

【課題】高さの相違する電子部品を基板に圧着実装する場合または裏面に電子部品が実装された基板に他の電子部品を圧着実装する場合においても、圧着部に均一な圧力を加える。
【解決手段】圧着装置１００は、第１押圧部としての下部押圧部１０２と第２押圧部としての上部押圧部１０４とを備え、下部押圧部１０２および上部押圧部１０４に挟まれた、たとえば基板および複数の電子部品を押圧して、基板と複数の電子部品とを圧着する圧着装置であって、下部押圧部１０２または上部押圧部１０４は、ダイラタンシー流体１１６を有する。 （もっと読む）

【課題】既存の装置を大幅に設計変更することなく、ウエハ上にチップを積層することができ、精度良く、確実にボンディングすることができる半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１のポジション１と第２のポジション２との間の往復動が可能な吸着コレット４を備え、第１のポジション１で吸着コレット４にてチップ３をピックアップし、このチップ３を第２のポジション２に搬送して、第２のポジション２のウエハ上にチップ３をボンディングして半導体装置を形成し、第２のポジション２で吸着コレット４にて半導体装置をピックアップし、半導体装置を第３のポジション９へ搬送する。 （もっと読む）

【課題】 ３次元集積回路構造の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の方法に従うと、第１の能動回路層ウエハが準備される。第１の能動回路層ウエハは、能動回路を含むＰ−層により覆われているＰ＋部分を有する。第１の能動回路層ウエハは第１配線層を含むインターフェース・ウエハにフェイス・ダウン・ボンディングされ、次いで、第１の能動回路層ウエハのＰ−層を残すように第１の能動回路層ウエハのＰ＋部分が選択的に除去される。次に、Ｐ−層の背面に配線層が形成される。更に本発明に従うと、３次元集積回路構造及びこの３次元集積回路構造を製造するための手順を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。 （もっと読む）

【課題】 特に、シリコン基板に作用する回路基板との熱膨張差に起因した応力を低減でき、さらに、簡単且つ適切に、圧力センサが回路基板上に半田付けされていることを確認できる物理量センサ及びその製造方法、ならびに、物理量センサ実装構造を提供することを目的としている。
【解決手段】 シリコン基板２、３と、シリコン基板２，３に形成された変位部（ダイアフラム）８と、変位部の変位量を検出するための検出素子と、検出素子に電気的に接続され、前記シリコン基板に形成された電極パッド１１と、前記電極パッド１１に接合されたインターポーザ１５と、を有する。インターポーザ１５は、支持基板１７と、電極パッド１１との接合面（第１面）から第２面にかけて形成される導通部１８と、前記導通部１８の第２面側と電気的に接続され、側面に露出して形成された半田フィレット形成部２２と、を有して構成される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板同士の接合工程の歩留まりを向上させることが可能な接合方法を提供することにある。
【解決手段】各半導体基板１，２それぞれに対して、半導体基板１，２において接合相手の半導体基板２，１に対向させる面側に絶縁層１２，２２を形成する絶縁層形成工程と、絶縁層１２，２２の表面をＣＭＰにより平坦化する第１の平坦化工程と、絶縁層１２，２２に貫通孔１２ｃ，２２ｃを形成する貫通孔形成工程と、貫通孔１２ｃ，２２ｃの内側に貫通配線１５，２５を形成する貫通配線形成工程と、貫通配線形成工程の後に絶縁層１２，２２の表面側をＣＭＰにより平坦化する第２の平坦化工程を行った後に、絶縁層１２，２２の表面上に接合用パッド１４，２４を形成する接合用パッド形成工程を行い、その後、接合用パッド１４，２４同士を常温接合する接合工程を行う。 （もっと読む）

【課題】接合装置のスループットを向上させる。
【解決手段】複数の基板を重ねて接合する基板接合装置であって、複数の基板を保持する複数の基板ホルダを加熱しつつ加圧する加圧部と、加圧部から搬出され、保持していた基板を離した基板ホルダの熱分布を、放置する場合よりも早く均一にする温度制御部とを備える。温度制御部は、気体の冷媒を用いてもよい。加圧部から搬出され、基板を保持している基板ホルダを冷却する冷却室をさらに備えてもよい。冷却室は、液体の冷媒を用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】 回路基板及びその製造方法に関し、はんだボールと接続電極との接合部に実際に印加される応力を確実に緩和して電気的接合を十分に維持する。
【解決手段】 第１の接続導体を備えた電子部品と、前記電子部品が実装されると共に、側面が前記第１の接続導体の側面と対向する第２の接続導体を備えた配線基板とからなり、前記第１の接続導体と前記第２の接続導体とを互いに対向する側面において接合させる。 （もっと読む）

【課題】基板にチップ等の部品を効率よく高精度に実装することができる実装装置を提供することを目的とする。
【解決手段】開口部Ｋ５を有する回転テーブル２２の上面にウエハを載置し、開口部Ｋ５において、バックアップ部とチップを保持したヘッド部を昇降してウエハおよびチップを当接して局所的に挟持し、加熱接合する。その後、バックアップ部およびヘッド部を退避し、保持テーブルに備えられたリフトアームをウエハと回転テーブル２２の間に挿入してウエハを上昇し、回転テーブル２２を回転移動してウエハに対して開口部Ｋ５を移動させる。そして、再びウエハを回転テーブル２２の上面に載置して、接合動作を行う。 （もっと読む）

半導体構造を結合するための改善された装置が、第１の半導体構造の第１の表面及び第２の半導体構造の第１の表面を蟻酸で処理するための装置と、第１の半導体構造の第１の表面を第２の半導体構造の第１の表面と向かい合わせに、かつ接触させて配置するための装置と、第１の半導体構造及び第２の半導体構造を互いに押圧することによって、第１の半導体構造の処理された第１の表面と第２の半導体構造の処理された第１の表面との間に結合界面を形成するための装置とを備える。第１の半導体構造の表面及び第２の半導体構造の表面を蟻酸で処理するための装置は、一部を液体蟻酸で、及び一部を蟻酸蒸気で満たされた密閉タンクを備える。入口バルブを開くことによって、タンクが窒素ガス源に接続されて、窒素ガスがタンクに流れ込むことができるようになる。出口バルブを開くことによって、蟻酸蒸気と窒素ガスとの混合物が、タンクから流れ出ることができるようになる。混合物は、第１の半導体構造の表面及び第２の半導体構造の表面を処理するために用いられる。 （もっと読む）

【課題】接合後の形状を安定させ、接合界面の密着性を高め、それにより強度が増し、さらにメッキの成長界面の密着性も向上させることを安価で短時間に行う。
【解決手段】上方から加圧・加熱用ジグ１１を押し当て突起物１２の頭頂部１２ａを１つの凸形状に整形する。加圧・加熱工程により頭頂部１２ａが形成された接合用突起物１２によって第１基板と第２基板の接合を行う。これにより、接合の際に、突起物１２の凸形状が複数あると凸形状間で空隙ができてしまうことを回避し、また、頭頂部１２ａを形成する角度を浅くして、接合時の変形量を減少、接合時の加重を低く、デバイスの他の薄膜層へのダメージを低減する。さらに、接合する第１基板と第２基板に傾きがあっても接合界面に生じる空隙を減らし、メッキ成長界面からの剥離を抑制して、所望の接合形状で十分な接合強度を確保できる。 （もっと読む）

マイクロエレクトロニクスパッケージは、基板（１１０）と、基板に埋め込まれたシリコンパッチ（１２０）と、シリコンパッチの第１位置の第１インターコネクト構造（１３１）およびシリコンパッチの第２位置の第２インターコネクト構造（１３２）と、第１インターコネクト構造と第２インターコネクト構造とを互いに接続するシリコンパッチ中の電気的導電線（１５０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】金属接合を利用したフリップチップ実装において、実装信頼性を低下させることなく、接合強度の高い実装が可能である半導体装置を提供する。
【解決手段】金属接合による接合および電気的接続に使用される半田層１００と、半田層１００との相互拡散により金属間化合物を形成するためのＣｕ層３０と、を備えるメタルバンプ層が、半導体基板１に設けられた、電極２およびＣｕバンプ４に堆積されている。 （もっと読む）

【課題】１０秒以下の短時間でも硬化可能であり、かつＯＳＰ処理された基板の接続に安定した接続信頼性を与える回路接続材料、及びそれを用いた回路部材の接続構造を提供する。
【解決手段】対向する回路電極同士を電気的に接続する回路接続材料であって、遊離ラジカルを発生する硬化剤と、ラジカル重合性物質と、リン酸エステルと、導電粒子を含有し、導電粒子を除く、回路接続材料全体を１００重量部とした場合、それに占めるリン酸エステルの割合が０．５重量部から２．５重量部の範囲である、回路接続材料。 （もっと読む）

【課題】対向配置された回路電極同士の接続抵抗を小さくし、かつ、隣り合う回路電極間が導通し短絡してしまう可能性を低減することができる回路接続材料及び回路部材の接続構造を提供する。
【解決手段】回路接続材料１２は、接着剤組成物と、第１の粒子６と、第２の粒子８と、を備える。第１の粒子６は、低融点金属を主成分とするコア２と、該コア２の表面を被覆しており低融点金属の融点よりも低い軟化点を有する樹脂組成物からなる絶縁層４と、を有し、第２の粒子８は、コア２よりも平均粒径が小さく、低融点金属の融点よりも高い融点又は軟化点を有する材料を主成分とする。第１の粒子６は、絶縁層４が軟化して一部除去され、絶縁層４から露出したコア２と回路電極とが金属接合することによって回路電極間の導通を図り、第２の粒子８は、接続条件下においてスペーサとして機能する。 （もっと読む）

【課題】１５０℃以下の低温でも硬化可能であり、かつＰＥＴ上に形成された基板の接続に十分な接着強度を与える回路接続材料、及びそれを用いた回路部材の接続構造を提供することを目的とする。
【解決手段】対向する回路電極同士を電気的に接続する回路接続材料であって、破断伸度が１００％以上１０００％未満のポリエステルウレタン樹脂を含有する回路接続材料。 （もっと読む）

【課題】実装密度の向上に伴い微細化され、再配線基板や半導体ウエハなどの半導体実装用基板に設けられる電極に、はんだ合金を高品質にプリコートする方法を提供する。
【解決手段】前記基板上の電極が設けられている領域に、はんだ紛とビヒクル成分とを含有するペースト材料１３を供給し、該領域と隣接する電極が設けられていない領域５には、はんだ紛を含有せず、前記ビヒクル成分からなるペースト材料１４を供給し、しかる後、前記基板を加熱して前記はんだ紛を溶融することにより、前記電極にはんだ合金をプリコートすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の貫通電極の接続状態を、容易に検査し得る半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１に開口面積が大、中、小の少なくとも３種類の貫通孔３、４、５ａ、５ｂ、５ｃを形成する工程と、開口面積が異なる少なくとも３種類の貫通孔に導電層を形成し貫通電極４、５ａ、５ｂ、５ｃを作成する工程と、３種類の貫通電極のうち、開口面積が大の貫通孔を有する貫通電極及び小の貫通孔を有する貫通電極の接続抵抗をそれぞれ測定することにより貫通電極の接続状態を判定する工程と、を有する。 （もっと読む）