【課題】従来の上層集積回路の下面と下層集積回路の上面とを接着剤によって接着して形成される半導体装置に比べて、放熱性及び接続信頼性を向上する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１Ａは、Ｓｉ基板７Ａの第１の面に設けられたトランジスタ形成層２０と、トランジスタ形成層２０のトランジスタと電気的に接続されてＳｉ基板７Ａを貫通して第２の面から突出して形成された貫通電極２２とを有する上層集積回路２と、半導体基板に形成されたトランジスタ形成層３０と、トランジスタ形成層３０のトランジスタと電気的に接続され第３の面に設けられるパッド３１と、パッド３１と貫通電極２２の先端とを電気的に接続するバンプ３２とを有する下層集積回路３とを備え、上層集積回路２の第２の面と下層集積回路の第３の面は接触せずに構成される。 （もっと読む）

【課題】配線を設計通りの形状に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板と、前記半導体基板の第１の面に位置する電極と、前記第１の面に設けられ、前記電極とオーバーラップする位置に開口部を有する絶縁膜と、を有する構造体を用意する工程と、前記絶縁膜の前記第１の面側の面とは反対側の第２の面に、樹脂突起を形成する工程と、前記電極および前記樹脂突起を覆う第１導電膜を前記第２の面に形成する工程と、前記第１導電膜の前記第２の面側の面とは反対側の第３の面に、前記第１導電膜の前記第３の面より反射率の低い第２導電膜を形成する工程と、前記第２導電膜の前記第３の面側の面とは反対側の第４の面に、フォトレジスト層を形成する工程と、前記フォトレジスト層の一部をマスク層で覆った状態で、前記フォトレジスト層を露光する工程と、前記フォトレジスト層を現像し、フォトレジストパターンを形成する工程と、前記フォトレジストパターンをマスクとして前記第１導電膜および前記第２導電膜をエッチングすることにより、前記第１導電膜から形成された配線であって、前記樹脂突起の少なくとも一部を覆い、かつ、前記電極と接続する前記配線を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の実装時等において発生し得る基板の反りを低減すること。
【解決手段】配線基板１０は、複数の配線層が絶縁層を介在させて積層され、半導体素子が搭載される第１面側と、これと反対側に位置する第２面側とを有している。第１面側に位置する最外層の絶縁層１２には、搭載される半導体素子と電気的に接続されるインターポーザ３０が埋設され、第２面側に位置する最外層の絶縁層２０には、シート状部材４０が埋設されている。インターポーザ３０とシート状部材４０は、互いに対称となる位置に配設されている。 （もっと読む）

【課題】外からの圧力を用いることなく、低温または室温でウエーハーを貼り合わせる。
【解決手段】貼り合わされたデバイス構造であって、デバイスまたは回路に接続された第１の組の金属ボンディングパッドおよび第１の基板１０上の金属ボンディングパッドに隣接する第１の非金属領域を有する第１の基板、デバイスまたは回路に接続された第１の組の金属ボンディングパッドに隣接する第２の組の金属ボンディングパッド、および第２の基板１３上の金属ボンディングパッドに隣接する第２の非金属領域を有する第２の基板、および第２の非金属領域に対して第１の非金属領域を接触ボンディングさせることにより形成される第１と第２の組の金属ボンディングパッドの間の接触ボンディングされた界面を含むボンディングされたデバイス構造。第１と第２の基板の少なくとも一方は弾性的に変形され得る。 （もっと読む）

【課題】貫通電極を有する半導体基板の積層時に、半導体基板の破損を防止する。
【解決手段】突起電極１１７が形成された第２基板１００上に、貫通電極４０が形成された第１基板１０が積層され、貫通電極４０には凹部２８を有し、凹部２８に突起電極１１７が入り込んで積層され、凹部２８の開口幅に対して、突起電極１１７の先端幅が小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】電極間の導通信頼性を高めることができる接続構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る接続構造体１の製造方法は、電極２ｂを上面２ａに有する第１の接続対象部材２上に、異方性導電材料を用いた異方性導電材料層３Ａを配置する工程と、異方性導電材料層３Ａに光を照射することにより硬化を進行させて、ゲル分率が５重量％以上、３０重量％以下となるように、異方性導電材料層３ＡをＢステージ化する工程と、Ｂステージ化された異方性導電材料層３Ｂの上面３ａに、電極４ｂを下面４ａに有する第２の接続対象部材４をさらに積層する工程とを備える。上記異方性導電材料として、熱硬化性化合物と、光硬化性化合物と、熱硬化剤と、光硬化開始剤と、導電性粒子５とを含有する異方性導電材料が用いられる。 （もっと読む）

【課題】電子部品を接続して半導体装置を製造する際に、加熱加圧ツールに接続材料が付着することを防止するツール保護材において不具合を発生させることなく、加熱加圧ツールの汚染を防止し、歩留りを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】相対向する第１電子部品１及び第２電子部品２の間に接続材料４を介在させ、第１電子部品１を加熱加圧ツール３によって加熱及び加圧し、第１電子部品１及び第２電子部品２を接続して半導体装置を製造する際、加熱加圧ツール３の加熱加圧面３１と第１電子部品１の被加熱加圧面である背面１３との間に、加熱加圧面３１と同等の大きさで、金属箔、シリコンチップ、及びセラミックシートのいずれか一つからなるツール保護材５を介在させて加熱及び加圧を行う。 （もっと読む）

【課題】積層半導体チップ、半導体装置およびこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】積層半導体チップは、第１チップと、第１チップ上に積層された第２チップと、第１チップの上部面と第２チップの下部面との間に形成された導電性バンプと、第１チップと第２チップとの間に介在し、導電性バンプを封止し、第２チップの側壁に沿って形成され、第２チップの上部面に隣接して形成された上部面を有するアンダーフィル物質と、第１チップの上部面上のアンダーフィル物質の外側面上に配置され、第２チップとアンダーフィル物質を含む断面において、アンダーフィル物質によって第２チップの側壁から離隔され、第２チップの側壁と接しないモールディング材と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板と基板との突き合わせ接続時に、２つの基板の間の相対的な位置がずれていても、２つの基板が電気的に接続される基板の接続構造を提供する。
【解決手段】本明細書に開示する基板の接続構造は、複数の第１電極１５が配置された第１電極面１２を有する第１基板１１と、複数の第２電極１６が配置された第２電極面１４を有し、第２電極面１４が第１電極面１２と対向する第２基板１３と、を備え、複数の第２電極１６それぞれは、第２電極面１４の中心Ｃ２を除いて、第１電極１５と対向する第２電極面１４上の位置に対して、第２電極面の中心Ｃ２とは反対の方向にずれて配置されており、複数の第２電極１６それぞれは、対向する第１電極１５とバンプ１７を介して電気的に接続している。 （もっと読む）

【課題】接続電極を覆うアンダーフィル樹脂が形成されている場合にも、アライメントマークの認識が容易な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子１１と、半導体素子１１に形成されたパッド電極１２と、半導体素子１１に形成されたアライメントマーク１５と、パッド電極１２上に形成された接続電極と、接続電極を覆うように形成されたアンダーフィル樹脂１８とを備える半導体装置１０を構成する。そして、この半導体装置１０は、半導体素子１１からの高さが接続電極よりも大きいアライメントマーク１５を備える。 （もっと読む）

【課題】 素子部品の搭載を容易にする。
【解決手段】 金属膜が設けられた素子部品が収納されたパレットに、素子部品が搭載される位置に導電性接着剤が設けられたウェハを重ねて、素子部品を前記位置に搭載する素子部品搭載装置であって、ウェハを吸引する吸引部とウェハを反転させる反転部とパレットの方向へ移動するＺ方向移動部とを備える吸引移動反転手段と、素子部品が搭載される２つの所定の位置とパレットに設けられた凹部の２つの所定の位置とをカメラを用いて認識し位置データを生成する位置認識手段と、Ｘ方向及びＹ方向のズレ量を算出してズレ量データを生成する制御手段と、ズレ量データで示された距離を移動するＸＹ方向移動ステージと、制御手段が、
ＸＹ方向移動ステージが移動した場合に、吸引移動反転手段の吸引部を移動させて素子搭載部材ウェハをパレットに重ねることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高精細回路における隣接する回路間の絶縁性の確保と、対向する回路間の導通性の確保とを両立させることが可能な回路接続材料を提供すること。
【解決手段】 相対峙する回路電極間に介在され、相対向する回路電極を加圧し加圧方向の電極間を電気的に接続する回路接続材料であって、有機絶縁物質中に導電性微粒子を分散させた異方導電粒子を含有する、回路接続材料。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子間の接続不良の発生を低減可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 下部構造体１１０ｃと第１半導体素子１１０ａとを連結する第１連結構造体１４０ａは、複数の連結部１４１および複数の補助部１４２を有する。また、第１半導体素子１１０ａと第２半導体素子１１０ｂとを連結する第２連結構造体１４０ｂは、複数の連結部１４１を有する。第１連結構造体１４０ａの連結部１４１および補助部１４２の数に比べて、第２連結構造体１４０ｂの連結部１４１の数は小さい。これにより、第１半導体素子１１０ａを下部構造体１１０ｃに連結するときのボンディング力に比べて、小さいボンディング力で第２半導体素子１１０ｂを第１半導体素子１１０ａに連結することができる。したがって、第１連結構造体１４０ａが変形または変性することなく、半導体素子間の接続不良の発生を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】チップ間に保護材を有する信頼性の高いチップオンチップ構造体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】一実施の形態によるチップオンチップ構造体は、対向する第１のチップおよび第２のチップと、前記第１のチップの前記第２のチップ側の面上の第１の電極端子と、前記第２のチップの前記第１のチップ側の面上の第２の電極端子と、前記第１の電極端子と前記第２の電極端子とを電気的に接続するバンプと、前記第１のチップと前記第２のチップの間の前記バンプの周囲に形成され、感熱接着性を有する材料からなる層を含む保護材と、を有する。 （もっと読む）

【課題】フィレット形状を、凸形状にならないように制御し、信頼性の高い半導体装置を製造することのできる半導体チップ接合用接着材料を提供する。
【解決手段】粘弾性測定装置で測定した２５℃せん断弾性率Ｇｒが１×１０^６Ｐａ以上、レオメーターで測定したハンダ融点までの最低複素粘度η＊ｍｉｎが５×１０^１Ｐａ・ｓ以下であり、温度１４０℃、歪量１ｒａｄ、周波数１Ｈｚで測定した複素粘度η＊（１Ｈｚ）が温度１４０℃、歪量１ｒａｄ、周波数１０Ｈｚで測定した複素粘度η＊（１０Ｈｚ）の０．５〜４．５倍である半導体チップ接合用接着材料３。 （もっと読む）

【課題】電子部品を配線基板から離した状態で実装する電子部品装置において、信頼性を向上させること。
【解決手段】基板１０ｘと、基板１０ｘの上に立設する金属材料からなる電極ポスト３０と、電極ポスト３０に接続電極４２が接合された電子部品４０とを含み、電極ポスト３０と電子部品４０の接続電極４２とは電極ポスト３０の金属材料と異なる金属を含む合金層３１（金・インジウム合金層など）によって接合されている。 （もっと読む）

【課題】高密度のフリップチップ接合方式に用いて、実質的な面積の増大なしにバンプ同士の短絡を生じにくいバンプ配列を備える、半導体素子等を提供する。
【解決手段】バンプ９辺長Ｒの正方格子状に配列された電極１１とを備え、正方格子を４つまとめた拡張正方格子において、コーナーではバンプは電極に合わせており、拡張正方格子の向かい合う第１組の２辺では中央のバンプは、該辺から直交方向にａ（＞０）だけずれ、また他の第２組の２辺では中央のバンプは、該辺から直交方向にｂ（＞０）だけずれ、拡張正方格子の中心に位置するバンプは、上記のずれａとずれｂとの合成分だけずれ、Ｒ、ａおよびｂは、｛（ａ／Ｒ）−１｝^２＋｛（ｂ／Ｒ）−１｝^２＞１・・・・（１）、を満たしていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｂステージにおいてタックフリーを実現することができ、ボンディング時に溶融粘度を低下させることができるとともに、適度な速度で硬化反応を進行させて、ポストキュア時の剥離や流れ出しを抑制し、優れた接着強度を有し、優れた接着性を維持することができるエポキシ樹脂組成物及びそれを使用した半導体素子を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）特定構造のジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、及び式（２）


で示されるナフタレン型エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも１種の結晶性エポキシ樹脂１５〜５７．５質量％、（Ｂ）硬化剤として酸無水物及びフェノール樹脂の合計量３〜５０質量％、（Ｃ）硬化促進剤０．１〜２質量％を含むエポキシ樹脂組成物及びそれを使用する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】樹脂組成物層内にボイドが生じることを防止することができる接合方法、このような接合方法を用いて製造される半導体装置、多層回路基板および電子部品を提供する。
【解決手段】本発明の接合方法は、端子５２を有する半導体チップ５と、端子４４を有する回路基板４とを、半導体チップ５の端子５２が設置された面と、回路基板４の端子４４が設置された面とが対向するように配置し、端子５２とそれに対応する端子４４とを電気的に接続するとともに、半導体チップ５の端子５２が形成された第１の領域に設けられた樹脂組成物層１で、その第１の領域および回路基板４の端子４４が形成された第２の領域を覆うように、半導体チップ５と回路基板４とを接着する接合方法であって、端子５２と端子４４とを電気的に接続するに際し、減圧雰囲気下で、半導体チップ５と回路基板４とを樹脂組成物層１を介して圧着する。 （もっと読む）

【課題】第１のウェーハを第２のウェーハに直接ボンディングする新規な方法を提供する。
【解決手段】本発明の方法は、固有湾曲を有する第１のウェーハ（１００）を固有湾曲を有する第２のウェーハ（２００）に直接ボンディングする方法であり、２枚のウェーハのうちの少なくとも一方（１００）が少なくとも一組のマイクロコンポーネント（１１０）を備える。本方法は、２枚のウェーハ間でのボンディング波の伝搬を開始させるように、２枚のウェーハ（１００、２００）を互いに接触させる少なくとも１つのステップを含む。接触させるステップ中に、回転放物面の形態の所定のボンディング湾曲（ＫＢ）が、ウェーハ（１００）のボンディング前の固有湾曲に依存して２枚のウェーハのうちの一方に与えられ、他方のウェーハが所定のボンディング湾曲（ＫＢ）と一致するように自由である。 （もっと読む）