半導体装置の製造方法
【課題】配線を設計通りの形状に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板と、前記半導体基板の第１の面に位置する電極と、前記第１の面に設けられ、前記電極とオーバーラップする位置に開口部を有する絶縁膜と、を有する構造体を用意する工程と、前記絶縁膜の前記第１の面側の面とは反対側の第２の面に、樹脂突起を形成する工程と、前記電極および前記樹脂突起を覆う第１導電膜を前記第２の面に形成する工程と、前記第１導電膜の前記第２の面側の面とは反対側の第３の面に、前記第１導電膜の前記第３の面より反射率の低い第２導電膜を形成する工程と、前記第２導電膜の前記第３の面側の面とは反対側の第４の面に、フォトレジスト層を形成する工程と、前記フォトレジスト層の一部をマスク層で覆った状態で、前記フォトレジスト層を露光する工程と、前記フォトレジスト層を現像し、フォトレジストパターンを形成する工程と、前記フォトレジストパターンをマスクとして前記第１導電膜および前記第２導電膜をエッチングすることにより、前記第１導電膜から形成された配線であって、前記樹脂突起の少なくとも一部を覆い、かつ、前記電極と接続する前記配線を形成する工程と、を有する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板と、前記半導体基板の第１の面に位置する電極と、前記第１の面に設けられ、前記電極とオーバーラップする位置に開口部を有する絶縁膜と、を有する構造体を用意する工程と、前記絶縁膜の前記第１の面側の面とは反対側の第２の面に、樹脂突起を形成する工程と、前記電極および前記樹脂突起を覆う第１導電膜を前記第２の面に形成する工程と、前記第１導電膜の前記第２の面側の面とは反対側の第３の面に、前記第１導電膜の前記第３の面より反射率の低い第２導電膜を形成する工程と、前記第２導電膜の前記第３の面側の面とは反対側の第４の面に、フォトレジスト層を形成する工程と、前記フォトレジスト層の一部をマスク層で覆った状態で、前記フォトレジスト層を露光する工程と、前記フォトレジスト層を現像し、フォトレジストパターンを形成する工程と、前記フォトレジストパターンをマスクとして前記第１導電膜および前記第２導電膜をエッチングすることにより、前記第１導電膜から形成された配線であって、前記樹脂突起の少なくとも一部を覆い、かつ、前記電極と接続する前記配線を形成する工程と、を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、液晶表示装置等のガラス基板へのＣＯＧ実装用半導体装置またはプラスチック等からなるフィルム基板へのＣＯＦ実装用半導体装置として、樹脂突起と、その上に形成された複数の配線から構成された外部端子を有する半導体装置が知られている（特許文献１）。このような半導体装置を用いることで、外部端子を配線基板に押し当てて電気的に接続する際、外部端子の樹脂突起の弾性力でもって物理的ダメージを回避しながら導通性を確保することができる。近年は、このような半導体装置において、集積回路の高集積化が進み、これに伴って、外部端子の数が高密度化した形態が提案されている（特許文献１）。
【０００３】
このような半導体装置を製造する場合、樹脂突起を形成した後、導電膜をスパッタ法などによって成膜し、該導電膜を所望の形状にパターニングすることで、配線を形成することが知られている（特許文献２）。導電膜をパターニングする工程は、例えば、該導電膜の上に感光性レジスト膜を成膜し、マスクを用いて露光処理した後、現像処理を行って、導電層をエッチング等の技術によりパターニングを行う。
【０００４】
外部端子の数が高密度化した半導体装置を製造する場合や、Ｔ字形状の配線を有した半導体装置を製造する場合、感光性レジスト膜を露光する際、樹脂突起の上に形成された導電層からの反射光のために、配線が所望の形状にパターニングされず、配線の形状欠陥が発生することがある。以下に図面を参照してその詳細を説明する。
【０００５】
図７（Ａ）及び図７（Ｂ）は、前述された半導体装置の例である半導体装置１０００及び半導体装置２０００を説明する平面図である。図８（Ａ）は、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）のＶＩＩＩＡ−ＶＩＩＩＡ線における断面図である。図８（Ｂ）は、図７（Ａ）のＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ線における断面図である。図８（Ｃ）は、図７（Ｂ）のＶＩＩＩＣ−ＶＩＩＩＣ線における断面図である。
【０００６】
図７（Ａ）〜図８（Ｃ）に示すように、半導体装置１０００、２０００は、電極１０１４、２０１４が形成される半導体基板１０１０と、半導体基板１０１０の電極１０１４、２０１４が形成された面の上方に設けられた樹脂突起１０２０と、電極１０１４と接続し、樹脂突起１０２０の少なくとも一部を覆う配線１０７０、２０７０と、を含む。ここで、配線１０７０、２０７０の樹脂突起１０２０を覆う部分が外部端子（コンプライアンスバンプ）となる。
【０００７】
半導体装置１０００では、図７（Ａ）に示すように、電極１０１４は、半導体基板１０１０の周縁部に沿って延びた形状（例えば、長方形形状）を有し、配線１０７０は、電極１０１４に沿って延びる部分と、樹脂突起１０２０側へ延びる部分と、を有し、Ｔ字形状である。
【０００８】
また、半導体装置２０００では、図７（Ｂ）に示すように、電極２０１４は、半導体装置１０００と同様に半導体基板２０１０の周縁部に沿って延びた形状を有するものと、より正方形に近い形状を有するものと、から構成される。したがって、配線２０７０は、Ｔ字形状を有するものと、電極２０１４から樹脂突起１０２０側へ延びる部分のみからなる形状を有するものと、から構成される。
【０００９】
半導体装置１０００、２０００に形成される樹脂突起１０２０、２０２０は、電極１０１４、２０１４に沿って延びるように形成される。図８（Ａ）〜図８（Ｃ）に示すように、樹脂突起１０２０、２０２０が延びる方向と垂直な面における、樹脂突起１０２０、２０２０の断面形状は、略半円形状である。
【００１０】
また、このような半導体装置１０００、２０００では、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示すように、電極１０１４、２０１４、樹脂突起１０２０、２０２０及び配線１０７０、２０７０が複数形成されて、外部端子の高密度化が図られている。したがって、図８（Ｂ）に示すように、電極１０１４を覆う配線１０７０に、配線が形成されない樹脂突起１０２０が隣接して配置される部分や、図８（Ｃ）に示すように、樹脂突起２０２０を覆う配線２０７０に、配線が形成されない樹脂突起２０２０が隣接して配置される部分が形成される。
【００１１】
図９（Ａ）及び図９（Ｂ）は、半導体装置１０００及び半導体装置２０００の製造方法の露光工程を説明する断面図である。図９（Ａ）は、図７（Ａ）のＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ線における断面図に対応し、図９（Ｂ）は、図７（Ｂ）のＶＩＩＩＣ−ＶＩＩＩＣ線における断面図に対応する。
【００１２】
図９（Ａ）及び図９（Ｂ）に示すように、感光性レジスト１０５０、２０５０が、パターニング前の導電膜１０３１、２０３１の上に形成され、所望の形状のマスク１０６０、２０６０によって覆われている。露光工程においては、マスク１０６０、２０６０の上方の図示されない光源から例えば紫外線などの光線Ｌ１が照射され、例えば、光線Ｌ１に露光された感光性レジスト１０５０、２０５０は改質され、次の現像工程において除去される。
【００１３】
しかしながら、図９（Ａ）に示すように、樹脂突起１０２０の上方から入射した光線Ｌ１は、樹脂突起１０２０の上に形成された導電膜１０３１において反射する。これにより反射光Ｌ２が形成され、マスク１０６０で覆われた感光性レジスト１０５０の一部を間接的に露光してしまう。
【００１４】
また、図９（Ｂ）に示すように、隣接する２つ樹脂突起２０２０において、一方の樹脂突起２０２０の上方から入射した光線Ｌ１は、同様に導電膜２０３１において反射し、反射光Ｌ２が形成される。これにより、マスク２０６０で覆われた感光性レジスト２０５０の一部を間接的に露光してしまう。
【００１５】
以上のように、上述された半導体装置の製造方法において、樹脂突起の上方において反射光が発生し、感光性レジストのマスクにより遮光された部分が発生し、配線が所望の形状にパターニングされず、配線の形状欠陥が発生する。したがって、上述の半導体装置の製造方法であって、配線を設計通りの形状に形成することができる半導体装置の製造方法が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】特開２００７−４８８１２号公報
【特許文献２】特開２００７−１２８１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明のいくつかの態様によれば、配線を設計通りの形状に形成することができる半導体装置の製造方法を提供することができる。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
（１）本形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板と、前記半導体基板の第１の面に位置する電極と、前記第１の面に設けられ、前記電極とオーバーラップする位置に開口部を有する絶縁膜と、を有する構造体を用意する工程と、前記絶縁膜の前記第１の面側の面とは反対側の第２の面に、樹脂突起を形成する工程と、前記電極および前記樹脂突起を覆う第１導電膜を前記第２の面に形成する工程と、前記第１導電膜の前記第２の面側の面とは反対側の第３の面に、前記第１導電膜の前記第３の面より反射率の低い第２導電膜を形成する工程と、前記第２導電膜の前記第３の面側の面とは反対側の第４の面に、フォトレジスト層を形成する工程と、前記フォトレジスト層の一部をマスク層で覆った状態で、前記フォトレジスト層を露光する工程と、前記フォトレジスト層を現像し、フォトレジストパターンを形成する工程と、前記フォトレジストパターンをマスクとして前記第１導電膜および前記第２導電膜をエッチングすることにより、前記第１導電膜から形成された配線であって、前記樹脂突起の少なくとも一部を覆い、かつ、前記電極と接続する前記配線を形成する工程と、を有する。
【００１９】
本発明によれば、第１導電膜を第１導電膜の第３の面より反射率の低い第２導電膜で覆った状態でフォトレジスト層を露光するので、露光する工程での反射光を第１導電膜よりも抑えることができ、第２導電幕を設けない場合よりも、配線をより設計通りに形成することができる。
【００２０】
（２）本形態に係る半導体装置の製造方法において前記配線を形成する工程の後、前記配線の上の前記第２導電膜を除去する工程を有していてもよい。
【００２１】
（３）本形態に係る半導体装置の製造方法において、前記配線は、前記電極を覆う第１の部分と、前記第１の部分と連続し、前記樹脂突起を覆う第２の部分と、を有し、前記配線は、前記第１の部分および前記第２の部分とでＴ字形状をなしてもよい。
【００２２】
（４）本形態に係る半導体装置の製造方法において、前記第１導電膜は複数の導電層の積層体であって、前記第１導電膜を形成する工程は、第１の導電層と第２の導電層を積層して形成する工程を含んでいてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す断面図。
【図２Ａ】本実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す平面図及び断面図。
【図２Ｂ】本実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す平面図及び断面図。
【図３】本実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す平面図及び断面図。
【図４Ａ】本実施形態に係る半導体装置の製造方法の変形例を模式的に示す平面図及び断面図。
【図４Ｂ】本実施形態に係る半導体装置の製造方法の変形例を模式的に示す平面図及び断面図。
【図５】本実施形態に係る半導体装置の製造方法を適用した半導体装置を用いた電子部品の製造方法を模式的に示す断面図。
【図６】本実施形態に係る半導体装置の製造方法を適用した半導体装置を有する電子部品の一例を模式的に示す斜視図。
【図７】本実施形態に係る半導体装置の製造方法を適用していない半導体装置を模式的に示す平面図。
【図８】本実施形態に係る半導体装置の製造方法を適用していない半導体装置を模式的に示す断面図。
【図９】本実施形態に係る半導体装置の製造方法を適用していない半導体装置の製造方法を模式的に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下に、本発明を適用した実施形態の一例について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施形態のみに限定されるものではない。本発明は、以下の実施形態及びその変形例を自由に組み合わせたものを含むものとする。
【００２５】
１． 半導体装置の製造方法
以下、図面を参照して、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。なお、以下に説明する本実施形態に係る半導体装置の製造方法を適用することで、前述された、図７（Ａ）〜図８（Ｃ）に示される半導体装置と同様の形態を備えた半導体装置が製造される。
【００２６】
図１（Ａ）〜図１（Ｅ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を模式的に説明する平面図及び断面図である。図２Ａ（Ａ）は本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を模式的に説明する平面図であり、図２Ａ（Ｂ）は、図２Ａ（Ａ）のＩＩＡＢ−ＩＩＡＢ線における断面図であり、図２Ａ（Ｃ）は、図２Ａ（Ａ）のＩＩＡＣ−ＩＩＡＣ線における断面図である。図２Ｂ（Ａ）は本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を模式的に説明する平面図であり、図２Ｂ（Ｂ）は、図２Ｂ（Ａ）のＩＩＢＢ−ＩＩＢＢ線における断面図であり、図２Ｂ（Ｃ）は、図２Ｂ（Ａ）のＩＩＢＣ−ＩＩＢＣ線における断面図である。図３（Ａ）は本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を模式的に説明する平面図であり、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）のＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ線における断面図であり、図３（Ｃ）は、図３（Ａ）のＩＩＩＣ−ＩＩＩＣ線における断面図である。
【００２７】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、構造体を用意する工程（Ｓ１）と、樹脂突起を形成する工程（Ｓ２）と、第１導電膜を形成する工程（Ｓ３）と、第２導電膜を形成する工程（Ｓ４）と、フォトレジスト層を形成する工程（Ｓ５）と、マスク層を形成する工程（Ｓ６）と、フォトレジスト層を露光する工程（Ｓ７）と、フォトレジストパターンを形成する工程（Ｓ８）と、配線を形成する工程（Ｓ９）と、を有する。
【００２８】
１．１ 構造体を用意する工程（Ｓ１）
本工程においては、図１（Ａ）に示すように、半導体基板１０と、半導体基板１０の第１の面１１に位置する電極１４と、第１の面１１に設けられ、電極１４とオーバーラップする位置に開口部１６ａを有する絶縁膜１６と、を有する構造体を用意する。
【００２９】
半導体基板１０は、チップ状をなしていてもよい。半導体基板１０は、例えば、長手方向の２つの辺と短手方向の２つの辺（長手方向の辺よりも短い辺）とを有する半導体チップであってもよい。あるいは、半導体基板１０は、複数の半導体基板１０からなる半導体ウエハであってもよい。例えば、半導体基板１０は、シリコン基板であってもよい。図１（Ａ）に示すように、半導体基板１０には、集積回路１が形成される。集積回路１の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスタ等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサ等の受動素子を含んでいてもよい。
【００３０】
図１（Ａ）に示すように、半導体基板１０は、第１の面１１を有する。第１の面１１は、後述される電極１４等が形成される面である。
【００３１】
図１（Ａ）に示すように、半導体基板１０は、第１の面１１上に電極１４が形成される。電極１４は、半導体基板１０の内部に形成された集積回路１と内部配線（図示せず）によって電気的に接続されてもよい。電極１４は、半導体基板１０の内部配線の一部であってもよい。電極１４は複数形成されてもよい。例えば、複数の電極１４は、半導体基板１０の周縁部に沿って形成されてもよい（図７（Ａ）及び図７（Ｂ）参照）。電極１４の材質は、導電性を有する限り、特に限定されない。例えば、電極１４は、アルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）等の金属で形成されてもよい。電極１４は、単層の導電層であってもよいし、アルミニウム等の金属拡散を防止するバリア層を含む、複数の導電層の積層体であってもよい。
【００３２】
また、電極１４の形状は、略正方形（四辺の長さが実質的に等しい）であってもよいし、略長方形（長手方向の二辺と短手方向の二辺とを有する）であってもよい。言い換えれば、電極１４は、半導体基板１０の周縁部を構成する１辺に沿って延びるような形状を有していてもよい（図７（Ａ）及び図７（Ｂ）参照）。
【００３３】
図１（Ｂ）に示すように、半導体基板１０は、第１の面１１の上に形成された絶縁膜１６を有する。絶縁膜１６はパッシベーション膜であってもよい。絶縁膜１６は、半導体基板１０の第１の面１１側の面とは反対側の第２の面１６ｂを有する。
【００３４】
絶縁膜１６は、電極１４の少なくとも一部を、それぞれ露出させるように形成される。つまりは、絶縁膜１６は、電極１４とオーバーラップする位置に開口部１６ａを有する。絶縁膜１６は、電気的絶縁性を有する膜であれば、特に限定されない。例えば、絶縁膜１６は、ＳｉＯ２やＳｉＮ等の無機絶縁膜であってもよい。あるいは、絶縁膜１６は、ポリイミド樹脂等の有機絶縁膜であってもよい。
【００３５】
１．２ 樹脂突起を形成する工程（Ｓ２）
本工程においては、図１（Ｂ）〜図１（Ｄ）に示すように、絶縁膜１６の第１の面１１側の面とは反対側の第２の面１６ｂに、樹脂突起２０を形成する。
【００３６】
本工程は、図１（Ｂ）〜図１（Ｄ）に示すように、電極１４が露出した絶縁膜１６の第２の面１６ｂに、樹脂前駆体組成物からなる樹脂材料膜２６を形成する工程と、樹脂材料膜２６をパターニングする工程と、パターニング後、熱処理する工程と、を含む。
【００３７】
図１（Ｂ）に示すように、電極１４および絶縁膜１６の上に、樹脂前駆体組成物からなる樹脂材料膜２６が形成する。樹脂材料膜２６は、熱硬化性を有した熱硬化性樹脂組成物であってもよいし、感光性を有した感光性樹脂組成物であってもよい。以下の本実施形態では、感光性を有した樹脂材料膜２６を用いた場合の製造方法の一例について説明する。
【００３８】
樹脂材料膜２６は、半導体装置１０の第１の面１１の上方において全面的に塗布されて形成されてもよい。また、樹脂材料膜２６は、塗布された後、プリベークされてもよい。また、樹脂材料膜２６は、例えばシート状物であってもよい。樹脂材料膜２６は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）、フェノール樹脂、アクリル樹脂等の樹脂であってもよい。
【００３９】
次に、パターニング工程においては、図１（Ｃ）に示すように、樹脂材料膜２６の樹脂突起を形成する領域の上に所望の形状を有したマスク層を形成し、図示しない露光装置によって露光した後、現像液によって現像し、パターニングを行って、樹脂層２７を形成する。樹脂層２７は、キュアリングの後に樹脂突起２０となる樹脂層である。図示はされないが、樹脂層２７は、例えば、第１の面１１の長辺に沿って延びるように形成されてもよい（図７（Ａ）および図７（Ｂ）参照）。
【００４０】
本工程における露光現像処理は、公知のフォトリソグラフィー技術を用いることができる。例えば、樹脂材料膜２６がポジ型のレジストである場合、マスク層（図示せず）は、樹脂突起２０が形成される領域において、樹脂材料膜２６が露光処理されないように配置される。また、樹脂材料膜２６がネガ型のレジストである場合は、樹脂突起２０が形成される領域においてマスク層は配置されない。マスク層は、遮光性を有していればよく、例えば、クロム等の遮光膜が形成されたガラス板であってもよい。マスクが所定配置に配置された後、図示しない光源ランプから例えば紫外線の照射が行われて、露光処理が行われる。現像処理に用いられる現像液は、不要な樹脂層を除去できる公知の現像液であればよく、例えば、有機アルカリ現像液であってもよい。
【００４１】
次に、熱処理する工程においては、図１（Ｄ）に示すように、樹脂層２７を熱処理（キュアリング）することによって、樹脂層２７を変形させる工程をさらに含む。樹脂層２７を加熱する手段は特に限定されず、図示しない熱源から赤外線を照射することによって加熱してもよい。樹脂層２７が加熱されることによって粘性が低下し、樹脂層２７の自重と表面張力の作用によって、樹脂層２７は形状を変形することができる。その結果、図１（Ｄ）に示すように、上面形状が滑らかな曲線を有し、その断面が略半円形状である樹脂突起２０が形成される。
【００４２】
１．３ 第１導電膜を形成する工程（Ｓ３）
本工程においては、図１（Ｅ）に示すように、絶縁膜１６の第２の面１６ｂに、電極１４および樹脂突起２０を覆う第１導電膜３０を形成する。
【００４３】
ここで、図１（Ｅ）に示すように、第１導電膜３０は、複数の導電層の積層体であって、第１導電膜３０を形成する工程は、第１の導電層３１と第２の導電層３２を積層して形成する工程を含んでいてもよい。また、図示はされないが、第１導電膜３０は単層であってもよいし、図示されない第３の導電層を含んでいてもよい。以下の本実施形態では、第１導電膜３０が２つの導電層の積層体である場合の製造方法の一例について説明する。
【００４４】
図１（Ｅ）に示すように、第１の導電層３１および第２の導電層３２を積層して形成する。具体的には、第２の面１６ｂに第１の導電層３１を形成した後、連続して、第２の導電層３２を形成すればよい。第１の導電層３１および第２の導電層３２の成膜方法は特に限定されず、公知の成膜方法を用いることができる。例えば、第１の導電層３１および第２の導電層３２は、スパッタリングにて形成してもよい。
【００４５】
第１の導電層３１の材質は、例えば、絶縁膜１６の材質と密着性の高い材質から選択され、第２の導電層３２の材質は、第１の導電層３１よりも良好な導電性を有する材質から選択されてもよい。具体的には、第１の導電層３１は、チタンタングステン（ＴｉＷ）、チタン（Ｔｉ）及びニッケルクロム合金（Ｎｉ−Ｃｒ）などの少なくとも１つを含む層であってもよい。第２の導電層３２は、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）及び銅（Ｃｕ）などの少なくとも１つを含む層であってもよい。
【００４６】
以上により、第１導電膜３０が形成される。第１導電膜３０は、図１（Ｅ）に示すように、絶縁膜１６の第２の面１６ｂ側の面とは反対側の第３の面３３を有する。
【００４７】
１．４ 第２導電膜を形成する工程（Ｓ４）
本工程においては、図１（Ｅ）に示すように、第１導電膜３０の第３の面３３に、第１導電膜３０（表層である第２の導電層３２）より反射率の低い第２導電膜４０を形成する。第２の導電膜４０は、第１導電膜３０の第３の面３３より反射率の低い。
【００４８】
第２導電膜４０の成膜方法は特に限定されず、公知の成膜方法を用いることができる。例えば、第２導電膜４０は、スパッタリングにて形成してもよい。また、第２導電膜４０を形成する方法は、導電膜を成膜した後、熱酸化処理や、窒化処理を行うことを含んでいてもよい。
【００４９】
ここで「反射率」とは、所定の波長の光が真空中より物体表面に垂直に入射した場合、反射光のエネルギーと入射光のエネルギーとの比を百分率で表した数値とする。したがって、第１導電膜３０より反射率の低い第２導電膜４０とは、所定の波長λの光を第１導電膜３０に垂直に入射した場合の反射光のエネルギーＥ１とし、所定の波長λの光を第２導電膜４０に垂直に入射した場合の反射光のエネルギーＥ２とした場合に、Ｅ１＞Ｅ２となることを意味する。
【００５０】
第２導電膜４０の材質は、上述のように、第１導電膜３０（表層である第２の導電層３２）より反射率の低い材質から選択されるため、第１導電膜３０（表層である第２の導電層３２）の材質により相対的に決定される。したがって、第１導電膜３０の表層である第２の導電層３２の材質が、金（Ａｕ）であった場合に選択される第２導電膜４０の材質の例について説明する。
【００５１】
第１導電膜３０の表層が金（Ａｕ）である場合、第２導電膜４０は、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、及びチタンタングステン（ＴｉＷ）の少なくとも１つを含む導電膜であってもよい。例えば、第２導電膜４０は、酸化チタン（ＴｉＯ２）や酸化銅（ＣｕＯ）などの酸化膜であってもよい。また、例えば、第２導電膜４０は、窒化チタン（ＴｉＮ）などの窒化膜であってもよい。第２導電膜４０が酸化膜である場合の酸化処理および窒化処理の方法は、特に限定されず、公知の方法を用いることができる。例えば、酸素雰囲気または窒素雰囲気にて熱処理すればよい。具体的には、チャンバー等の中で、酸素（大気）または窒素の導入を行いながら、例えば、１００℃以上、３００℃以下の温度範囲で熱処理を行えばよい。
【００５２】
以上により、第２導電膜４０が形成される。第２導電膜４０は、図１（Ｅ）に示すように、第１導電膜３０の第３の面３３側の面とは反対側の第４の面４１を有する。
【００５３】
１．５ フォトレジスト層を形成する工程（Ｓ５）
本工程においては、図２Ａ（Ａ）〜図２Ａ（Ｃ）に示すように、第２導電膜４０の第４の面４１に、フォトレジスト層５０を形成する。フォトレジスト層５０は、感光性を有した感光性樹脂組成物である。
【００５４】
フォトレジスト層５０は、第２導電膜４０の第４の面４１の上方において全面的に塗布されて形成されてもよい。また、フォトレジスト層５０は、塗布された後、プリベークされてもよい。また、フォトレジスト層５０は、例えばシート状物であってもよい。フォトレジスト層５０は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）、フェノール樹脂、アクリル樹脂等の樹脂であってもよい。
【００５５】
以上により、フォトレジスト層５０が形成される。フォトレジスト層５０は、図２Ａ（Ｂ）及び図２Ａ（Ｃ）に示すように、第２導電膜４０の第４の面４１側の面とは反対側の第５の面５１を有する。
【００５６】
１．６ マスク層を配置する工程（Ｓ６）
本工程においては、図２Ａ（Ａ）〜図２Ａ（Ｃ）に示すように、フォトレジスト層５０の第５の面５１に、電極１４および樹脂突起２０の少なくとも一部とオーバーラップするマスク層６０を配置する。マスク層６０は、遮光性を有していればよく、例えば、クロム等の遮光膜が形成されたガラス板であってもよい。
【００５７】
フォトレジスト層５０がポジ型のレジストである場合、マスク層６０は、配線７０が形成される領域において、フォトレジスト層５０が露光処理さないように配置される。また、フォトレジスト層５０がネガ型のレジストである場合は、配線７０が形成される領域においてマスク層６０は配置されない。以下の本実施形態では、フォトレジスト層５０がポジ型の場合の製造方法の一例について説明する。
【００５８】
図２Ａ（Ｂ）に示すように、マスク層６０は、電極１４および樹脂突起２０の少なくとも一部とオーバーラップするように形成される。また、電極１４が略長方形（長手方向の二辺と短手方向の二辺とを有する）である場合、図２Ａ（Ｃ）に示すように、マスク層６０は、電極１４のみとオーバーラップする部分も有する。
【００５９】
１．７ フォトレジスト層を露光する工程（Ｓ７）
本工程においては、図２Ａ（Ｂ）及び図２Ａ（Ｃ）に示すように、フォトレジスト層５０及びマスク層６０の上方の図示しない光源ランプから光線Ｌ（例えば紫外線）の照射が行われて、露光処理が行われる。図２Ａ（Ｂ）及び図２Ａ（Ｃ）に示すように、マスク層６０の下方のフォトレジスト層５０は遮光される。また、図２Ａ（Ｃ）に示すように、樹脂突起２０の上に形成されたフォトレジスト層５０であって、マスク層６０が配置されていないフォトレジスト層５０においては、第１導電膜３０よりも反射率が低い第２導電膜４０が形成されているため、光線Ｌは第２導電膜４０の第４の面４１において反射しにくい。言い換えれば、反射率が低い第２導電膜４０においては、第２導電膜４０が形成されず第１導電膜３０に光線Ｌが照射される場合と比べて、反射光が形成されにくくなっている。したがって、フォトレジスト層５０のマスク層６０に覆われた部分は、より確実に遮光される。
【００６０】
１．８ フォトレジストパターンを形成する工程（Ｓ８）
本工程においては、図２Ｂ（Ａ）〜図２Ｂ（Ｃ）に示すように、フォトレジスト層５０を現像し、フォトレジストパターン５２を形成する。フォトレジストパターン５２のパターンは、後述される配線７０のパターンと同じである。
【００６１】
現像工程は、不要なフォトレジスト層５０を除去できる公知の現像液であればよく、例えば、有機アルカリ現像液であってもよい。
【００６２】
１．９ 配線を形成する工程（Ｓ９）
本工程においては、図３（Ａ）〜図３（Ｃ）に示すように、フォトレジストパターン５２をマスクとして第１導電膜３０および第２導電膜４０をエッチングすることにより、第１導電膜３０から形成された配線７０であって、樹脂突起２０の少なくとも一部を覆い、かつ、電極１４と接続する配線７０を形成する。ここで、配線７０の樹脂突起２０を覆う部分が、半導体装置１００の外部端子（コンプライアンスバンプ）でなる。
【００６３】
まず、図３（Ａ）〜図３（Ｃ）に示すように、公知のエッチング技術により、フォトレジストパターン５２をマスクとして、第１導電膜３０及び第２導電膜４０をエッチングする。適用されるエッチングはドライエッチングであってもよいし、ウェットエッチングであってもよい。ドライエッチングを行う場合、例えば、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）のような高密度プラズマ装置を用いたドライエッチングを行ってもよい。
【００６４】
本工程は、例えば、第２導電膜４０をエッチングする第１エッチング工程と、第１導電膜３０をエッチングする第２エッチング工程を含んでいてもよい。また、第２エッチング工程は、フォトレジストパターン５２およびエッチングされた第２導電膜４０を除去する工程を含んでいてもよい。
【００６５】
第１エッチング工程においては、エッチングガスとして、例えば、塩素ガス（ＢＣｌ３、Ｃｌ２）を用いて、第２導電膜４０をドライエッチングしてもよい。
【００６６】
第２エッチング工程は、第１導電膜３０が第１の導電層３１および第２の導電層３２から構成されている場合、第１の導電層３１および第２の導電層３２を個別にエッチングする工程を含んでいてもよい。例えば、第２の導電層３２を、フォトレジストパターン５２をマスクとしてエッチングした後、フォトレジストパターン５２を除去し、第２の導電層３２の上に残留している第２導電膜４０をドライエッチングにより除去してもよい。第２導電膜４０を除去した後、パターニングされた第２の導電層３２をマスクとして第１の導電層３１をエッチングしてもよい。
【００６７】
以上により、図３（Ａ）〜図３（Ｃ）に示すように、樹脂突起２０の少なくとも一部を覆い、かつ、電極１４と接続する配線７０が形成される。
【００６８】
図３（Ａ）〜図３（Ｃ）に示すように、配線７０は、絶縁層１６の開口部１６ａ内の電極１４に接続し（導通し）、開口部１６ａから絶縁層１６の上を介して樹脂突起２０の上に至るように設けられる。配線７０は、樹脂突起２０の頂点（最も厚みがある部分）を覆うように形成される。配線７０は、電極１４から樹脂突起２０に延びるように形成され、樹脂突起２０を覆った後、再度、絶縁層１６の上に延びるように形成されてもよい。
【００６９】
また、配線７０のパターンは特に限定されず、図３（Ａ）〜図３（Ｃ）に示すように、配線７０は、電極１４を覆う第１の部分７１と、第１の部分７１と連続し、樹脂突起２０を覆う第２の部分７２と、を有し、配線７０は、第１の部分７１および第２の部分７２とで、Ｔ字形状を為していてもよい。また、配線７０は、電極１４から樹脂突起２０を一定の配線幅で覆うように延びる形状であってもよい。
【００７０】
以上の製造方法によって、半導体装置１００の製造することができる。また、図示はされないが、半導体基板１０が半導体ウエハである場合、さらに所望のサイズに切断され、半導体装置１００を形成してもよい。
【００７１】
本実施形態に係る半導体装置１００の製造方法は、例えば、以下の特徴を有する。
【００７２】
本実施形態に係る半導体装置１００の製造方法によれば、第１導電膜３０の第３の面３３に、第１導電膜３０より反射率の低い第２導電膜４０を形成する工程を有する。これによれば、フォトレジスト層を露光する工程（Ｓ７）において照射される光線は、第２導電膜４０の第４の面４１において反射しにくい。したがって、フォトレジスト層５０のマスク層６０に覆われた部分は、より確実に遮光されるため、配線７０を設計通りの形状に形成することができる。
【００７３】
（変形例）
以下、図面を参照して、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の変形例について説明する。
【００７４】
図４Ａ（Ａ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法のフォトレジスト層を露光する工程（Ｓ７）の変形例を説明する平面図であり、図４Ａ（Ｂ）は、図４Ａ（Ａ）のＩＶＡＢ−ＩＶＡＢ線における断面図である。また、図４Ｂ（Ａ）は本実施形態に係る半導体装置の製造方法のフォトレジスト層を露光する工程（Ｓ７）の変形例を説明する平面図であり、図４Ｂ（Ｂ）は、図４Ｂ（Ａ）のＩＶＢＢ−ＩＶＢＢ線における断面図である。
【００７５】
図４Ａ（Ａ）および図４Ａ（Ｂ）に示すように、樹脂突起２０の電極１４が形成される側とは反対側において、もう１つの樹脂突起２０（以下、「第２の樹脂突起２９」とも言う）が隣り合うように形成される。この第２の樹脂突起２９は、その他の外部端子を形成するための樹脂突起であってもよい。フォトレジスト層を露光する工程（Ｓ７）において、第２の樹脂突起２９にはマスク層７０に覆われず、露光される領域に形成される。
【００７６】
このような場合であっても、図４Ａ（Ｂ）に示すように、第２の樹脂突起２９の上には、第１導電膜３０よりも反射率が低い第２導電膜４０が形成されているため、光線Ｌは第２導電膜４０の第４の面４１において反射しにくい。したがって、このような場合であってもフォトレジスト層５０のマスク層６０に覆われた部分は、より確実に遮光され、図４Ｂ（Ａ）及び図４Ｂ（Ｂ）に示すように、配線７０を設計通りの形状に形成することができる。
【００７７】
２． 電子部品
以下、図面を参照して、本実施形態に係る半導体装置の製造方法により製造された半導体装置１００を適用した電子部品１００００、およびその製造方法について説明する。
【００７８】
図５（Ａ）および図５（Ｂ）は、電子部品１００００の製造方法を説明する図である。
【００７９】
電子部品１００００の製造方法は、半導体装置１００を用意することを含む。半導体装置１００は、既に上述された、いずれかの構成をなしていればよい。
【００８０】
電子部品１００００の製造方法は、配線基板８０を用意することを含む（図５（Ａ）参照）。配線基板８０は、図５（Ａ）に示すように、リード部である配線パターン８１とベース基板８３とを含む。
【００８１】
配線パターン８１は、電気的接続部８２を有する。電気的接続部８２は、配線パターン８１のうち、他の部材との電気的な接続に利用される部分である。配線パターン８１は、例えば、液晶を駆動する電極（走査電極、信号電極、対向電極等）に電気的に接続されていてもよい。配線パターン８１は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン（Ｔｉ−Ｗ）等の金属膜、金属化合物膜、又は、それらの複合膜によって形成されていてもよい。また、配線パターン８１は、その一部がベース基板８３の内側を通るように形成されていてもよい。
【００８２】
ベース基板８３は、光透過性を有する材料であってもよい。例えば、ベース基板８３の材料は、無機系の材料であることができる。このとき、ベース基板８３は、ガラス基板やセラミックス基板であってもよい。ベース基板８３が、ガラス基板である場合、配線基板８０は、電気光学パネル（液晶パネル・エレクトロルミネッセンスパネル等）の一部であってもよい。あるいは、ベース基板８３は、有機系の材料であってもよく、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる基板又はフィルムであってもよい。あるいは、ベース基板８３としてポリイミド樹脂からなるフレキシブル基板を使用してもよい。フレキシブル基板としてＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）や、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術で使用されるテープを使用してもよい。
【００８３】
電子部品１００００の製造方法は、半導体装置１００を配線基板８０に搭載することを含む。本工程によって、外部端子と配線パターン８１の電気的接続部８２とを接触させて電気的に接続する。これによって、半導体装置１００が、配線基板８０に電気的に接続される。
【００８４】
半導体装置１００を配線基板８０に搭載する方法は、外部端子を、配線基板８０の電気的接続部８２に押し当てることができる限り、特に限定されない。以下に半導体装置１００を配線基板８０に搭載する方法の一例を説明する。
【００８５】
はじめに、図５（Ａ）に示すように、半導体装置１００を配線基板８０上方に配置して、半導体装置１００の樹脂突起２０の上に形成された配線７０と、配線基板８０の配線パターン８１（電気的接続部８２）とが対向するように位置合わせをする。ここで、図５（Ａ）に示すように、半導体装置１００の第１の面１１と、配線基板８０との間に接着剤９０を設ける。本工程では、予め、配線基板８０側に接着剤９０を設けておいてもよいが、特に限定されるものではなく、半導体装置１００側に設けられていてもよい。接着剤９０は、例えば、フィルム状の接着剤を利用してもよい。接着剤９０は、絶縁性の接着剤であってもよい。接着剤９０は、公知のＮＣＦ（Ｎｏｎ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）接着剤であってもよい。
【００８６】
次に、図５（Ｂ）に示すように、半導体装置１００と配線基板８０との間に押圧力を加えることで押圧して、樹脂突起２０上の配線７０と配線パターン８１（電気的接続部８２）とをそれぞれ接触させる。これによれば、押圧力によって、配線７０と、樹脂突起２０を弾性変形させることができる。このとき、樹脂突起２０の弾性力によって、発生する応力を緩和しつつ、配線７０と電気的接続部８２（配線パターン８１）とを押し付けることができるため、半導体装置の信頼性を低下させることなく、電気的な接続信頼性の高い電子部品を提供することができる。
【００８７】
図５（Ｂ）に示すように、半導体装置１００を配線基板８０に押圧する工程によって、電子部品１００００は、半導体装置１００の配線７０と、配線基板８０の電気的接続部８２との接触部分以外において、接着剤９０が充填された構造となる。
【００８８】
次に、半導体装置１００を配線基板８０に搭載する工程の後に、接着剤９０を硬化させて、接着層を形成してもよい（図示せず）。接着層によって、半導体装置１００と配線基板８０との間隔を維持してもよい。すなわち、接着層によって、樹脂突起２０が弾性変形した状態を維持してもよい。
【００８９】
図示はしないが、さらに検査工程や切り出し工程等を経て、本実施の形態に係る電子部品１００００を製造してもよい。
【００９０】
図６には、電子部品１００００の一例として、表示デバイスである場合の電子部品１００００を示す。表示デバイスは、例えば液晶表示デバイスやＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示デバイスであってもよい。そして、半導体装置１００は、表示デバイスである電子部品１００００を制御するドライバＩＣであってもよい。
【００９１】
なお、上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば各実施形態および各変形例は、複数を適宜組み合わせることが可能である。
【００９２】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、さらに種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【符号の説明】
【００９３】
１０ 半導体基板、１１ 第１の面、１４ 電極、１６ 絶縁膜、１６ａ 開口部、
１６ｂ 第２の面、２０ 樹脂突起、２６ 樹脂材料膜、２７ 樹脂層、
２９ 第２の樹脂突起、３０ 第１導電膜、３１ 第１の導電層、３２ 第２の導電層、
３３ 第３の面、４０ 第２導電膜、４１ 第４の面、５０ フォトレジスト層、
５１ 第５の面、５２ フォトレジストパターン、６０ マスク層、７０ 配線、
７１ 第１の部分、７２ 第２の部分、８０ 配線基板、８１ 配線パターン、
８２ 電気的接続部、９０ 接着剤、１００ 半導体装置、
１０００、２０００ 半導体装置、１０１０、２０１０ 半導体基板、
１０１４、２０１４ 電極、１０１６、２０１６ 絶縁膜、
１０２０、２０２０ 樹脂突起、１０５０、２０５０ フォトレジスト層、
１０６０、２０６０マスク層、１０７０、２０７０ 配線、１００００ 電子部品。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、液晶表示装置等のガラス基板へのＣＯＧ実装用半導体装置またはプラスチック等からなるフィルム基板へのＣＯＦ実装用半導体装置として、樹脂突起と、その上に形成された複数の配線から構成された外部端子を有する半導体装置が知られている（特許文献１）。このような半導体装置を用いることで、外部端子を配線基板に押し当てて電気的に接続する際、外部端子の樹脂突起の弾性力でもって物理的ダメージを回避しながら導通性を確保することができる。近年は、このような半導体装置において、集積回路の高集積化が進み、これに伴って、外部端子の数が高密度化した形態が提案されている（特許文献１）。
【０００３】
このような半導体装置を製造する場合、樹脂突起を形成した後、導電膜をスパッタ法などによって成膜し、該導電膜を所望の形状にパターニングすることで、配線を形成することが知られている（特許文献２）。導電膜をパターニングする工程は、例えば、該導電膜の上に感光性レジスト膜を成膜し、マスクを用いて露光処理した後、現像処理を行って、導電層をエッチング等の技術によりパターニングを行う。
【０００４】
外部端子の数が高密度化した半導体装置を製造する場合や、Ｔ字形状の配線を有した半導体装置を製造する場合、感光性レジスト膜を露光する際、樹脂突起の上に形成された導電層からの反射光のために、配線が所望の形状にパターニングされず、配線の形状欠陥が発生することがある。以下に図面を参照してその詳細を説明する。
【０００５】
図７（Ａ）及び図７（Ｂ）は、前述された半導体装置の例である半導体装置１０００及び半導体装置２０００を説明する平面図である。図８（Ａ）は、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）のＶＩＩＩＡ−ＶＩＩＩＡ線における断面図である。図８（Ｂ）は、図７（Ａ）のＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ線における断面図である。図８（Ｃ）は、図７（Ｂ）のＶＩＩＩＣ−ＶＩＩＩＣ線における断面図である。
【０００６】
図７（Ａ）〜図８（Ｃ）に示すように、半導体装置１０００、２０００は、電極１０１４、２０１４が形成される半導体基板１０１０と、半導体基板１０１０の電極１０１４、２０１４が形成された面の上方に設けられた樹脂突起１０２０と、電極１０１４と接続し、樹脂突起１０２０の少なくとも一部を覆う配線１０７０、２０７０と、を含む。ここで、配線１０７０、２０７０の樹脂突起１０２０を覆う部分が外部端子（コンプライアンスバンプ）となる。
【０００７】
半導体装置１０００では、図７（Ａ）に示すように、電極１０１４は、半導体基板１０１０の周縁部に沿って延びた形状（例えば、長方形形状）を有し、配線１０７０は、電極１０１４に沿って延びる部分と、樹脂突起１０２０側へ延びる部分と、を有し、Ｔ字形状である。
【０００８】
また、半導体装置２０００では、図７（Ｂ）に示すように、電極２０１４は、半導体装置１０００と同様に半導体基板２０１０の周縁部に沿って延びた形状を有するものと、より正方形に近い形状を有するものと、から構成される。したがって、配線２０７０は、Ｔ字形状を有するものと、電極２０１４から樹脂突起１０２０側へ延びる部分のみからなる形状を有するものと、から構成される。
【０００９】
半導体装置１０００、２０００に形成される樹脂突起１０２０、２０２０は、電極１０１４、２０１４に沿って延びるように形成される。図８（Ａ）〜図８（Ｃ）に示すように、樹脂突起１０２０、２０２０が延びる方向と垂直な面における、樹脂突起１０２０、２０２０の断面形状は、略半円形状である。
【００１０】
また、このような半導体装置１０００、２０００では、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示すように、電極１０１４、２０１４、樹脂突起１０２０、２０２０及び配線１０７０、２０７０が複数形成されて、外部端子の高密度化が図られている。したがって、図８（Ｂ）に示すように、電極１０１４を覆う配線１０７０に、配線が形成されない樹脂突起１０２０が隣接して配置される部分や、図８（Ｃ）に示すように、樹脂突起２０２０を覆う配線２０７０に、配線が形成されない樹脂突起２０２０が隣接して配置される部分が形成される。
【００１１】
図９（Ａ）及び図９（Ｂ）は、半導体装置１０００及び半導体装置２０００の製造方法の露光工程を説明する断面図である。図９（Ａ）は、図７（Ａ）のＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ線における断面図に対応し、図９（Ｂ）は、図７（Ｂ）のＶＩＩＩＣ−ＶＩＩＩＣ線における断面図に対応する。
【００１２】
図９（Ａ）及び図９（Ｂ）に示すように、感光性レジスト１０５０、２０５０が、パターニング前の導電膜１０３１、２０３１の上に形成され、所望の形状のマスク１０６０、２０６０によって覆われている。露光工程においては、マスク１０６０、２０６０の上方の図示されない光源から例えば紫外線などの光線Ｌ１が照射され、例えば、光線Ｌ１に露光された感光性レジスト１０５０、２０５０は改質され、次の現像工程において除去される。
【００１３】
しかしながら、図９（Ａ）に示すように、樹脂突起１０２０の上方から入射した光線Ｌ１は、樹脂突起１０２０の上に形成された導電膜１０３１において反射する。これにより反射光Ｌ２が形成され、マスク１０６０で覆われた感光性レジスト１０５０の一部を間接的に露光してしまう。
【００１４】
また、図９（Ｂ）に示すように、隣接する２つ樹脂突起２０２０において、一方の樹脂突起２０２０の上方から入射した光線Ｌ１は、同様に導電膜２０３１において反射し、反射光Ｌ２が形成される。これにより、マスク２０６０で覆われた感光性レジスト２０５０の一部を間接的に露光してしまう。
【００１５】
以上のように、上述された半導体装置の製造方法において、樹脂突起の上方において反射光が発生し、感光性レジストのマスクにより遮光された部分が発生し、配線が所望の形状にパターニングされず、配線の形状欠陥が発生する。したがって、上述の半導体装置の製造方法であって、配線を設計通りの形状に形成することができる半導体装置の製造方法が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】特開２００７−４８８１２号公報
【特許文献２】特開２００７−１２８１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明のいくつかの態様によれば、配線を設計通りの形状に形成することができる半導体装置の製造方法を提供することができる。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
（１）本形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板と、前記半導体基板の第１の面に位置する電極と、前記第１の面に設けられ、前記電極とオーバーラップする位置に開口部を有する絶縁膜と、を有する構造体を用意する工程と、前記絶縁膜の前記第１の面側の面とは反対側の第２の面に、樹脂突起を形成する工程と、前記電極および前記樹脂突起を覆う第１導電膜を前記第２の面に形成する工程と、前記第１導電膜の前記第２の面側の面とは反対側の第３の面に、前記第１導電膜の前記第３の面より反射率の低い第２導電膜を形成する工程と、前記第２導電膜の前記第３の面側の面とは反対側の第４の面に、フォトレジスト層を形成する工程と、前記フォトレジスト層の一部をマスク層で覆った状態で、前記フォトレジスト層を露光する工程と、前記フォトレジスト層を現像し、フォトレジストパターンを形成する工程と、前記フォトレジストパターンをマスクとして前記第１導電膜および前記第２導電膜をエッチングすることにより、前記第１導電膜から形成された配線であって、前記樹脂突起の少なくとも一部を覆い、かつ、前記電極と接続する前記配線を形成する工程と、を有する。
【００１９】
本発明によれば、第１導電膜を第１導電膜の第３の面より反射率の低い第２導電膜で覆った状態でフォトレジスト層を露光するので、露光する工程での反射光を第１導電膜よりも抑えることができ、第２導電幕を設けない場合よりも、配線をより設計通りに形成することができる。
【００２０】
（２）本形態に係る半導体装置の製造方法において前記配線を形成する工程の後、前記配線の上の前記第２導電膜を除去する工程を有していてもよい。
【００２１】
（３）本形態に係る半導体装置の製造方法において、前記配線は、前記電極を覆う第１の部分と、前記第１の部分と連続し、前記樹脂突起を覆う第２の部分と、を有し、前記配線は、前記第１の部分および前記第２の部分とでＴ字形状をなしてもよい。
【００２２】
（４）本形態に係る半導体装置の製造方法において、前記第１導電膜は複数の導電層の積層体であって、前記第１導電膜を形成する工程は、第１の導電層と第２の導電層を積層して形成する工程を含んでいてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す断面図。
【図２Ａ】本実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す平面図及び断面図。
【図２Ｂ】本実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す平面図及び断面図。
【図３】本実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す平面図及び断面図。
【図４Ａ】本実施形態に係る半導体装置の製造方法の変形例を模式的に示す平面図及び断面図。
【図４Ｂ】本実施形態に係る半導体装置の製造方法の変形例を模式的に示す平面図及び断面図。
【図５】本実施形態に係る半導体装置の製造方法を適用した半導体装置を用いた電子部品の製造方法を模式的に示す断面図。
【図６】本実施形態に係る半導体装置の製造方法を適用した半導体装置を有する電子部品の一例を模式的に示す斜視図。
【図７】本実施形態に係る半導体装置の製造方法を適用していない半導体装置を模式的に示す平面図。
【図８】本実施形態に係る半導体装置の製造方法を適用していない半導体装置を模式的に示す断面図。
【図９】本実施形態に係る半導体装置の製造方法を適用していない半導体装置の製造方法を模式的に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下に、本発明を適用した実施形態の一例について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施形態のみに限定されるものではない。本発明は、以下の実施形態及びその変形例を自由に組み合わせたものを含むものとする。
【００２５】
１． 半導体装置の製造方法
以下、図面を参照して、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。なお、以下に説明する本実施形態に係る半導体装置の製造方法を適用することで、前述された、図７（Ａ）〜図８（Ｃ）に示される半導体装置と同様の形態を備えた半導体装置が製造される。
【００２６】
図１（Ａ）〜図１（Ｅ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を模式的に説明する平面図及び断面図である。図２Ａ（Ａ）は本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を模式的に説明する平面図であり、図２Ａ（Ｂ）は、図２Ａ（Ａ）のＩＩＡＢ−ＩＩＡＢ線における断面図であり、図２Ａ（Ｃ）は、図２Ａ（Ａ）のＩＩＡＣ−ＩＩＡＣ線における断面図である。図２Ｂ（Ａ）は本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を模式的に説明する平面図であり、図２Ｂ（Ｂ）は、図２Ｂ（Ａ）のＩＩＢＢ−ＩＩＢＢ線における断面図であり、図２Ｂ（Ｃ）は、図２Ｂ（Ａ）のＩＩＢＣ−ＩＩＢＣ線における断面図である。図３（Ａ）は本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を模式的に説明する平面図であり、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）のＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ線における断面図であり、図３（Ｃ）は、図３（Ａ）のＩＩＩＣ−ＩＩＩＣ線における断面図である。
【００２７】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、構造体を用意する工程（Ｓ１）と、樹脂突起を形成する工程（Ｓ２）と、第１導電膜を形成する工程（Ｓ３）と、第２導電膜を形成する工程（Ｓ４）と、フォトレジスト層を形成する工程（Ｓ５）と、マスク層を形成する工程（Ｓ６）と、フォトレジスト層を露光する工程（Ｓ７）と、フォトレジストパターンを形成する工程（Ｓ８）と、配線を形成する工程（Ｓ９）と、を有する。
【００２８】
１．１ 構造体を用意する工程（Ｓ１）
本工程においては、図１（Ａ）に示すように、半導体基板１０と、半導体基板１０の第１の面１１に位置する電極１４と、第１の面１１に設けられ、電極１４とオーバーラップする位置に開口部１６ａを有する絶縁膜１６と、を有する構造体を用意する。
【００２９】
半導体基板１０は、チップ状をなしていてもよい。半導体基板１０は、例えば、長手方向の２つの辺と短手方向の２つの辺（長手方向の辺よりも短い辺）とを有する半導体チップであってもよい。あるいは、半導体基板１０は、複数の半導体基板１０からなる半導体ウエハであってもよい。例えば、半導体基板１０は、シリコン基板であってもよい。図１（Ａ）に示すように、半導体基板１０には、集積回路１が形成される。集積回路１の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスタ等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサ等の受動素子を含んでいてもよい。
【００３０】
図１（Ａ）に示すように、半導体基板１０は、第１の面１１を有する。第１の面１１は、後述される電極１４等が形成される面である。
【００３１】
図１（Ａ）に示すように、半導体基板１０は、第１の面１１上に電極１４が形成される。電極１４は、半導体基板１０の内部に形成された集積回路１と内部配線（図示せず）によって電気的に接続されてもよい。電極１４は、半導体基板１０の内部配線の一部であってもよい。電極１４は複数形成されてもよい。例えば、複数の電極１４は、半導体基板１０の周縁部に沿って形成されてもよい（図７（Ａ）及び図７（Ｂ）参照）。電極１４の材質は、導電性を有する限り、特に限定されない。例えば、電極１４は、アルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）等の金属で形成されてもよい。電極１４は、単層の導電層であってもよいし、アルミニウム等の金属拡散を防止するバリア層を含む、複数の導電層の積層体であってもよい。
【００３２】
また、電極１４の形状は、略正方形（四辺の長さが実質的に等しい）であってもよいし、略長方形（長手方向の二辺と短手方向の二辺とを有する）であってもよい。言い換えれば、電極１４は、半導体基板１０の周縁部を構成する１辺に沿って延びるような形状を有していてもよい（図７（Ａ）及び図７（Ｂ）参照）。
【００３３】
図１（Ｂ）に示すように、半導体基板１０は、第１の面１１の上に形成された絶縁膜１６を有する。絶縁膜１６はパッシベーション膜であってもよい。絶縁膜１６は、半導体基板１０の第１の面１１側の面とは反対側の第２の面１６ｂを有する。
【００３４】
絶縁膜１６は、電極１４の少なくとも一部を、それぞれ露出させるように形成される。つまりは、絶縁膜１６は、電極１４とオーバーラップする位置に開口部１６ａを有する。絶縁膜１６は、電気的絶縁性を有する膜であれば、特に限定されない。例えば、絶縁膜１６は、ＳｉＯ２やＳｉＮ等の無機絶縁膜であってもよい。あるいは、絶縁膜１６は、ポリイミド樹脂等の有機絶縁膜であってもよい。
【００３５】
１．２ 樹脂突起を形成する工程（Ｓ２）
本工程においては、図１（Ｂ）〜図１（Ｄ）に示すように、絶縁膜１６の第１の面１１側の面とは反対側の第２の面１６ｂに、樹脂突起２０を形成する。
【００３６】
本工程は、図１（Ｂ）〜図１（Ｄ）に示すように、電極１４が露出した絶縁膜１６の第２の面１６ｂに、樹脂前駆体組成物からなる樹脂材料膜２６を形成する工程と、樹脂材料膜２６をパターニングする工程と、パターニング後、熱処理する工程と、を含む。
【００３７】
図１（Ｂ）に示すように、電極１４および絶縁膜１６の上に、樹脂前駆体組成物からなる樹脂材料膜２６が形成する。樹脂材料膜２６は、熱硬化性を有した熱硬化性樹脂組成物であってもよいし、感光性を有した感光性樹脂組成物であってもよい。以下の本実施形態では、感光性を有した樹脂材料膜２６を用いた場合の製造方法の一例について説明する。
【００３８】
樹脂材料膜２６は、半導体装置１０の第１の面１１の上方において全面的に塗布されて形成されてもよい。また、樹脂材料膜２６は、塗布された後、プリベークされてもよい。また、樹脂材料膜２６は、例えばシート状物であってもよい。樹脂材料膜２６は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）、フェノール樹脂、アクリル樹脂等の樹脂であってもよい。
【００３９】
次に、パターニング工程においては、図１（Ｃ）に示すように、樹脂材料膜２６の樹脂突起を形成する領域の上に所望の形状を有したマスク層を形成し、図示しない露光装置によって露光した後、現像液によって現像し、パターニングを行って、樹脂層２７を形成する。樹脂層２７は、キュアリングの後に樹脂突起２０となる樹脂層である。図示はされないが、樹脂層２７は、例えば、第１の面１１の長辺に沿って延びるように形成されてもよい（図７（Ａ）および図７（Ｂ）参照）。
【００４０】
本工程における露光現像処理は、公知のフォトリソグラフィー技術を用いることができる。例えば、樹脂材料膜２６がポジ型のレジストである場合、マスク層（図示せず）は、樹脂突起２０が形成される領域において、樹脂材料膜２６が露光処理されないように配置される。また、樹脂材料膜２６がネガ型のレジストである場合は、樹脂突起２０が形成される領域においてマスク層は配置されない。マスク層は、遮光性を有していればよく、例えば、クロム等の遮光膜が形成されたガラス板であってもよい。マスクが所定配置に配置された後、図示しない光源ランプから例えば紫外線の照射が行われて、露光処理が行われる。現像処理に用いられる現像液は、不要な樹脂層を除去できる公知の現像液であればよく、例えば、有機アルカリ現像液であってもよい。
【００４１】
次に、熱処理する工程においては、図１（Ｄ）に示すように、樹脂層２７を熱処理（キュアリング）することによって、樹脂層２７を変形させる工程をさらに含む。樹脂層２７を加熱する手段は特に限定されず、図示しない熱源から赤外線を照射することによって加熱してもよい。樹脂層２７が加熱されることによって粘性が低下し、樹脂層２７の自重と表面張力の作用によって、樹脂層２７は形状を変形することができる。その結果、図１（Ｄ）に示すように、上面形状が滑らかな曲線を有し、その断面が略半円形状である樹脂突起２０が形成される。
【００４２】
１．３ 第１導電膜を形成する工程（Ｓ３）
本工程においては、図１（Ｅ）に示すように、絶縁膜１６の第２の面１６ｂに、電極１４および樹脂突起２０を覆う第１導電膜３０を形成する。
【００４３】
ここで、図１（Ｅ）に示すように、第１導電膜３０は、複数の導電層の積層体であって、第１導電膜３０を形成する工程は、第１の導電層３１と第２の導電層３２を積層して形成する工程を含んでいてもよい。また、図示はされないが、第１導電膜３０は単層であってもよいし、図示されない第３の導電層を含んでいてもよい。以下の本実施形態では、第１導電膜３０が２つの導電層の積層体である場合の製造方法の一例について説明する。
【００４４】
図１（Ｅ）に示すように、第１の導電層３１および第２の導電層３２を積層して形成する。具体的には、第２の面１６ｂに第１の導電層３１を形成した後、連続して、第２の導電層３２を形成すればよい。第１の導電層３１および第２の導電層３２の成膜方法は特に限定されず、公知の成膜方法を用いることができる。例えば、第１の導電層３１および第２の導電層３２は、スパッタリングにて形成してもよい。
【００４５】
第１の導電層３１の材質は、例えば、絶縁膜１６の材質と密着性の高い材質から選択され、第２の導電層３２の材質は、第１の導電層３１よりも良好な導電性を有する材質から選択されてもよい。具体的には、第１の導電層３１は、チタンタングステン（ＴｉＷ）、チタン（Ｔｉ）及びニッケルクロム合金（Ｎｉ−Ｃｒ）などの少なくとも１つを含む層であってもよい。第２の導電層３２は、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）及び銅（Ｃｕ）などの少なくとも１つを含む層であってもよい。
【００４６】
以上により、第１導電膜３０が形成される。第１導電膜３０は、図１（Ｅ）に示すように、絶縁膜１６の第２の面１６ｂ側の面とは反対側の第３の面３３を有する。
【００４７】
１．４ 第２導電膜を形成する工程（Ｓ４）
本工程においては、図１（Ｅ）に示すように、第１導電膜３０の第３の面３３に、第１導電膜３０（表層である第２の導電層３２）より反射率の低い第２導電膜４０を形成する。第２の導電膜４０は、第１導電膜３０の第３の面３３より反射率の低い。
【００４８】
第２導電膜４０の成膜方法は特に限定されず、公知の成膜方法を用いることができる。例えば、第２導電膜４０は、スパッタリングにて形成してもよい。また、第２導電膜４０を形成する方法は、導電膜を成膜した後、熱酸化処理や、窒化処理を行うことを含んでいてもよい。
【００４９】
ここで「反射率」とは、所定の波長の光が真空中より物体表面に垂直に入射した場合、反射光のエネルギーと入射光のエネルギーとの比を百分率で表した数値とする。したがって、第１導電膜３０より反射率の低い第２導電膜４０とは、所定の波長λの光を第１導電膜３０に垂直に入射した場合の反射光のエネルギーＥ１とし、所定の波長λの光を第２導電膜４０に垂直に入射した場合の反射光のエネルギーＥ２とした場合に、Ｅ１＞Ｅ２となることを意味する。
【００５０】
第２導電膜４０の材質は、上述のように、第１導電膜３０（表層である第２の導電層３２）より反射率の低い材質から選択されるため、第１導電膜３０（表層である第２の導電層３２）の材質により相対的に決定される。したがって、第１導電膜３０の表層である第２の導電層３２の材質が、金（Ａｕ）であった場合に選択される第２導電膜４０の材質の例について説明する。
【００５１】
第１導電膜３０の表層が金（Ａｕ）である場合、第２導電膜４０は、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、及びチタンタングステン（ＴｉＷ）の少なくとも１つを含む導電膜であってもよい。例えば、第２導電膜４０は、酸化チタン（ＴｉＯ２）や酸化銅（ＣｕＯ）などの酸化膜であってもよい。また、例えば、第２導電膜４０は、窒化チタン（ＴｉＮ）などの窒化膜であってもよい。第２導電膜４０が酸化膜である場合の酸化処理および窒化処理の方法は、特に限定されず、公知の方法を用いることができる。例えば、酸素雰囲気または窒素雰囲気にて熱処理すればよい。具体的には、チャンバー等の中で、酸素（大気）または窒素の導入を行いながら、例えば、１００℃以上、３００℃以下の温度範囲で熱処理を行えばよい。
【００５２】
以上により、第２導電膜４０が形成される。第２導電膜４０は、図１（Ｅ）に示すように、第１導電膜３０の第３の面３３側の面とは反対側の第４の面４１を有する。
【００５３】
１．５ フォトレジスト層を形成する工程（Ｓ５）
本工程においては、図２Ａ（Ａ）〜図２Ａ（Ｃ）に示すように、第２導電膜４０の第４の面４１に、フォトレジスト層５０を形成する。フォトレジスト層５０は、感光性を有した感光性樹脂組成物である。
【００５４】
フォトレジスト層５０は、第２導電膜４０の第４の面４１の上方において全面的に塗布されて形成されてもよい。また、フォトレジスト層５０は、塗布された後、プリベークされてもよい。また、フォトレジスト層５０は、例えばシート状物であってもよい。フォトレジスト層５０は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）、フェノール樹脂、アクリル樹脂等の樹脂であってもよい。
【００５５】
以上により、フォトレジスト層５０が形成される。フォトレジスト層５０は、図２Ａ（Ｂ）及び図２Ａ（Ｃ）に示すように、第２導電膜４０の第４の面４１側の面とは反対側の第５の面５１を有する。
【００５６】
１．６ マスク層を配置する工程（Ｓ６）
本工程においては、図２Ａ（Ａ）〜図２Ａ（Ｃ）に示すように、フォトレジスト層５０の第５の面５１に、電極１４および樹脂突起２０の少なくとも一部とオーバーラップするマスク層６０を配置する。マスク層６０は、遮光性を有していればよく、例えば、クロム等の遮光膜が形成されたガラス板であってもよい。
【００５７】
フォトレジスト層５０がポジ型のレジストである場合、マスク層６０は、配線７０が形成される領域において、フォトレジスト層５０が露光処理さないように配置される。また、フォトレジスト層５０がネガ型のレジストである場合は、配線７０が形成される領域においてマスク層６０は配置されない。以下の本実施形態では、フォトレジスト層５０がポジ型の場合の製造方法の一例について説明する。
【００５８】
図２Ａ（Ｂ）に示すように、マスク層６０は、電極１４および樹脂突起２０の少なくとも一部とオーバーラップするように形成される。また、電極１４が略長方形（長手方向の二辺と短手方向の二辺とを有する）である場合、図２Ａ（Ｃ）に示すように、マスク層６０は、電極１４のみとオーバーラップする部分も有する。
【００５９】
１．７ フォトレジスト層を露光する工程（Ｓ７）
本工程においては、図２Ａ（Ｂ）及び図２Ａ（Ｃ）に示すように、フォトレジスト層５０及びマスク層６０の上方の図示しない光源ランプから光線Ｌ（例えば紫外線）の照射が行われて、露光処理が行われる。図２Ａ（Ｂ）及び図２Ａ（Ｃ）に示すように、マスク層６０の下方のフォトレジスト層５０は遮光される。また、図２Ａ（Ｃ）に示すように、樹脂突起２０の上に形成されたフォトレジスト層５０であって、マスク層６０が配置されていないフォトレジスト層５０においては、第１導電膜３０よりも反射率が低い第２導電膜４０が形成されているため、光線Ｌは第２導電膜４０の第４の面４１において反射しにくい。言い換えれば、反射率が低い第２導電膜４０においては、第２導電膜４０が形成されず第１導電膜３０に光線Ｌが照射される場合と比べて、反射光が形成されにくくなっている。したがって、フォトレジスト層５０のマスク層６０に覆われた部分は、より確実に遮光される。
【００６０】
１．８ フォトレジストパターンを形成する工程（Ｓ８）
本工程においては、図２Ｂ（Ａ）〜図２Ｂ（Ｃ）に示すように、フォトレジスト層５０を現像し、フォトレジストパターン５２を形成する。フォトレジストパターン５２のパターンは、後述される配線７０のパターンと同じである。
【００６１】
現像工程は、不要なフォトレジスト層５０を除去できる公知の現像液であればよく、例えば、有機アルカリ現像液であってもよい。
【００６２】
１．９ 配線を形成する工程（Ｓ９）
本工程においては、図３（Ａ）〜図３（Ｃ）に示すように、フォトレジストパターン５２をマスクとして第１導電膜３０および第２導電膜４０をエッチングすることにより、第１導電膜３０から形成された配線７０であって、樹脂突起２０の少なくとも一部を覆い、かつ、電極１４と接続する配線７０を形成する。ここで、配線７０の樹脂突起２０を覆う部分が、半導体装置１００の外部端子（コンプライアンスバンプ）でなる。
【００６３】
まず、図３（Ａ）〜図３（Ｃ）に示すように、公知のエッチング技術により、フォトレジストパターン５２をマスクとして、第１導電膜３０及び第２導電膜４０をエッチングする。適用されるエッチングはドライエッチングであってもよいし、ウェットエッチングであってもよい。ドライエッチングを行う場合、例えば、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）のような高密度プラズマ装置を用いたドライエッチングを行ってもよい。
【００６４】
本工程は、例えば、第２導電膜４０をエッチングする第１エッチング工程と、第１導電膜３０をエッチングする第２エッチング工程を含んでいてもよい。また、第２エッチング工程は、フォトレジストパターン５２およびエッチングされた第２導電膜４０を除去する工程を含んでいてもよい。
【００６５】
第１エッチング工程においては、エッチングガスとして、例えば、塩素ガス（ＢＣｌ３、Ｃｌ２）を用いて、第２導電膜４０をドライエッチングしてもよい。
【００６６】
第２エッチング工程は、第１導電膜３０が第１の導電層３１および第２の導電層３２から構成されている場合、第１の導電層３１および第２の導電層３２を個別にエッチングする工程を含んでいてもよい。例えば、第２の導電層３２を、フォトレジストパターン５２をマスクとしてエッチングした後、フォトレジストパターン５２を除去し、第２の導電層３２の上に残留している第２導電膜４０をドライエッチングにより除去してもよい。第２導電膜４０を除去した後、パターニングされた第２の導電層３２をマスクとして第１の導電層３１をエッチングしてもよい。
【００６７】
以上により、図３（Ａ）〜図３（Ｃ）に示すように、樹脂突起２０の少なくとも一部を覆い、かつ、電極１４と接続する配線７０が形成される。
【００６８】
図３（Ａ）〜図３（Ｃ）に示すように、配線７０は、絶縁層１６の開口部１６ａ内の電極１４に接続し（導通し）、開口部１６ａから絶縁層１６の上を介して樹脂突起２０の上に至るように設けられる。配線７０は、樹脂突起２０の頂点（最も厚みがある部分）を覆うように形成される。配線７０は、電極１４から樹脂突起２０に延びるように形成され、樹脂突起２０を覆った後、再度、絶縁層１６の上に延びるように形成されてもよい。
【００６９】
また、配線７０のパターンは特に限定されず、図３（Ａ）〜図３（Ｃ）に示すように、配線７０は、電極１４を覆う第１の部分７１と、第１の部分７１と連続し、樹脂突起２０を覆う第２の部分７２と、を有し、配線７０は、第１の部分７１および第２の部分７２とで、Ｔ字形状を為していてもよい。また、配線７０は、電極１４から樹脂突起２０を一定の配線幅で覆うように延びる形状であってもよい。
【００７０】
以上の製造方法によって、半導体装置１００の製造することができる。また、図示はされないが、半導体基板１０が半導体ウエハである場合、さらに所望のサイズに切断され、半導体装置１００を形成してもよい。
【００７１】
本実施形態に係る半導体装置１００の製造方法は、例えば、以下の特徴を有する。
【００７２】
本実施形態に係る半導体装置１００の製造方法によれば、第１導電膜３０の第３の面３３に、第１導電膜３０より反射率の低い第２導電膜４０を形成する工程を有する。これによれば、フォトレジスト層を露光する工程（Ｓ７）において照射される光線は、第２導電膜４０の第４の面４１において反射しにくい。したがって、フォトレジスト層５０のマスク層６０に覆われた部分は、より確実に遮光されるため、配線７０を設計通りの形状に形成することができる。
【００７３】
（変形例）
以下、図面を参照して、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の変形例について説明する。
【００７４】
図４Ａ（Ａ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法のフォトレジスト層を露光する工程（Ｓ７）の変形例を説明する平面図であり、図４Ａ（Ｂ）は、図４Ａ（Ａ）のＩＶＡＢ−ＩＶＡＢ線における断面図である。また、図４Ｂ（Ａ）は本実施形態に係る半導体装置の製造方法のフォトレジスト層を露光する工程（Ｓ７）の変形例を説明する平面図であり、図４Ｂ（Ｂ）は、図４Ｂ（Ａ）のＩＶＢＢ−ＩＶＢＢ線における断面図である。
【００７５】
図４Ａ（Ａ）および図４Ａ（Ｂ）に示すように、樹脂突起２０の電極１４が形成される側とは反対側において、もう１つの樹脂突起２０（以下、「第２の樹脂突起２９」とも言う）が隣り合うように形成される。この第２の樹脂突起２９は、その他の外部端子を形成するための樹脂突起であってもよい。フォトレジスト層を露光する工程（Ｓ７）において、第２の樹脂突起２９にはマスク層７０に覆われず、露光される領域に形成される。
【００７６】
このような場合であっても、図４Ａ（Ｂ）に示すように、第２の樹脂突起２９の上には、第１導電膜３０よりも反射率が低い第２導電膜４０が形成されているため、光線Ｌは第２導電膜４０の第４の面４１において反射しにくい。したがって、このような場合であってもフォトレジスト層５０のマスク層６０に覆われた部分は、より確実に遮光され、図４Ｂ（Ａ）及び図４Ｂ（Ｂ）に示すように、配線７０を設計通りの形状に形成することができる。
【００７７】
２． 電子部品
以下、図面を参照して、本実施形態に係る半導体装置の製造方法により製造された半導体装置１００を適用した電子部品１００００、およびその製造方法について説明する。
【００７８】
図５（Ａ）および図５（Ｂ）は、電子部品１００００の製造方法を説明する図である。
【００７９】
電子部品１００００の製造方法は、半導体装置１００を用意することを含む。半導体装置１００は、既に上述された、いずれかの構成をなしていればよい。
【００８０】
電子部品１００００の製造方法は、配線基板８０を用意することを含む（図５（Ａ）参照）。配線基板８０は、図５（Ａ）に示すように、リード部である配線パターン８１とベース基板８３とを含む。
【００８１】
配線パターン８１は、電気的接続部８２を有する。電気的接続部８２は、配線パターン８１のうち、他の部材との電気的な接続に利用される部分である。配線パターン８１は、例えば、液晶を駆動する電極（走査電極、信号電極、対向電極等）に電気的に接続されていてもよい。配線パターン８１は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン（Ｔｉ−Ｗ）等の金属膜、金属化合物膜、又は、それらの複合膜によって形成されていてもよい。また、配線パターン８１は、その一部がベース基板８３の内側を通るように形成されていてもよい。
【００８２】
ベース基板８３は、光透過性を有する材料であってもよい。例えば、ベース基板８３の材料は、無機系の材料であることができる。このとき、ベース基板８３は、ガラス基板やセラミックス基板であってもよい。ベース基板８３が、ガラス基板である場合、配線基板８０は、電気光学パネル（液晶パネル・エレクトロルミネッセンスパネル等）の一部であってもよい。あるいは、ベース基板８３は、有機系の材料であってもよく、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる基板又はフィルムであってもよい。あるいは、ベース基板８３としてポリイミド樹脂からなるフレキシブル基板を使用してもよい。フレキシブル基板としてＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）や、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術で使用されるテープを使用してもよい。
【００８３】
電子部品１００００の製造方法は、半導体装置１００を配線基板８０に搭載することを含む。本工程によって、外部端子と配線パターン８１の電気的接続部８２とを接触させて電気的に接続する。これによって、半導体装置１００が、配線基板８０に電気的に接続される。
【００８４】
半導体装置１００を配線基板８０に搭載する方法は、外部端子を、配線基板８０の電気的接続部８２に押し当てることができる限り、特に限定されない。以下に半導体装置１００を配線基板８０に搭載する方法の一例を説明する。
【００８５】
はじめに、図５（Ａ）に示すように、半導体装置１００を配線基板８０上方に配置して、半導体装置１００の樹脂突起２０の上に形成された配線７０と、配線基板８０の配線パターン８１（電気的接続部８２）とが対向するように位置合わせをする。ここで、図５（Ａ）に示すように、半導体装置１００の第１の面１１と、配線基板８０との間に接着剤９０を設ける。本工程では、予め、配線基板８０側に接着剤９０を設けておいてもよいが、特に限定されるものではなく、半導体装置１００側に設けられていてもよい。接着剤９０は、例えば、フィルム状の接着剤を利用してもよい。接着剤９０は、絶縁性の接着剤であってもよい。接着剤９０は、公知のＮＣＦ（Ｎｏｎ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）接着剤であってもよい。
【００８６】
次に、図５（Ｂ）に示すように、半導体装置１００と配線基板８０との間に押圧力を加えることで押圧して、樹脂突起２０上の配線７０と配線パターン８１（電気的接続部８２）とをそれぞれ接触させる。これによれば、押圧力によって、配線７０と、樹脂突起２０を弾性変形させることができる。このとき、樹脂突起２０の弾性力によって、発生する応力を緩和しつつ、配線７０と電気的接続部８２（配線パターン８１）とを押し付けることができるため、半導体装置の信頼性を低下させることなく、電気的な接続信頼性の高い電子部品を提供することができる。
【００８７】
図５（Ｂ）に示すように、半導体装置１００を配線基板８０に押圧する工程によって、電子部品１００００は、半導体装置１００の配線７０と、配線基板８０の電気的接続部８２との接触部分以外において、接着剤９０が充填された構造となる。
【００８８】
次に、半導体装置１００を配線基板８０に搭載する工程の後に、接着剤９０を硬化させて、接着層を形成してもよい（図示せず）。接着層によって、半導体装置１００と配線基板８０との間隔を維持してもよい。すなわち、接着層によって、樹脂突起２０が弾性変形した状態を維持してもよい。
【００８９】
図示はしないが、さらに検査工程や切り出し工程等を経て、本実施の形態に係る電子部品１００００を製造してもよい。
【００９０】
図６には、電子部品１００００の一例として、表示デバイスである場合の電子部品１００００を示す。表示デバイスは、例えば液晶表示デバイスやＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示デバイスであってもよい。そして、半導体装置１００は、表示デバイスである電子部品１００００を制御するドライバＩＣであってもよい。
【００９１】
なお、上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば各実施形態および各変形例は、複数を適宜組み合わせることが可能である。
【００９２】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、さらに種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【符号の説明】
【００９３】
１０ 半導体基板、１１ 第１の面、１４ 電極、１６ 絶縁膜、１６ａ 開口部、
１６ｂ 第２の面、２０ 樹脂突起、２６ 樹脂材料膜、２７ 樹脂層、
２９ 第２の樹脂突起、３０ 第１導電膜、３１ 第１の導電層、３２ 第２の導電層、
３３ 第３の面、４０ 第２導電膜、４１ 第４の面、５０ フォトレジスト層、
５１ 第５の面、５２ フォトレジストパターン、６０ マスク層、７０ 配線、
７１ 第１の部分、７２ 第２の部分、８０ 配線基板、８１ 配線パターン、
８２ 電気的接続部、９０ 接着剤、１００ 半導体装置、
１０００、２０００ 半導体装置、１０１０、２０１０ 半導体基板、
１０１４、２０１４ 電極、１０１６、２０１６ 絶縁膜、
１０２０、２０２０ 樹脂突起、１０５０、２０５０ フォトレジスト層、
１０６０、２０６０マスク層、１０７０、２０７０ 配線、１００００ 電子部品。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、前記半導体基板の第１の面に位置する電極と、前記第１の面に設けられ、前記電極とオーバーラップする位置に開口部を有する絶縁膜と、を有する構造体を用意する工程と、
前記絶縁膜の前記第１の面側の面とは反対側の第２の面に、樹脂突起を形成する工程と、
前記電極および前記樹脂突起を覆う第１導電膜を前記第２の面に形成する工程と、
前記第１導電膜の前記第２の面側の面とは反対側の第３の面に、前記第１導電膜の前記第３の面より反射率の低い第２導電膜を形成する工程と、
前記第２導電膜の前記第３の面側の面とは反対側の第４の面に、フォトレジスト層を形成する工程と、
前記フォトレジスト層の一部をマスク層で覆った状態で、前記フォトレジスト層を露光する工程と、
前記フォトレジスト層を現像し、フォトレジストパターンを形成する工程と、
前記フォトレジストパターンをマスクとして前記第１導電膜および前記第２導電膜をエッチングすることにより、前記第１導電膜から形成された配線であって、前記樹脂突起の少なくとも一部を覆い、かつ、前記電極と接続する前記配線を形成する工程と、
を有する、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記配線を形成する工程の後、前記配線の上の前記第２導電膜を除去する工程を有する、半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記配線は、前記電極を覆う第１の部分と、前記第１の部分と連続し、前記樹脂突起を覆う第２の部分と、を有し、
前記配線は、前記第１の部分および前記第２の部分とでＴ字形状をなす、半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項において、
前記第１導電膜は複数の導電層の積層体であって、
前記第１導電膜を形成する工程は、
第１の導電層と第２の導電層を積層して形成する工程を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項１】
半導体基板と、前記半導体基板の第１の面に位置する電極と、前記第１の面に設けられ、前記電極とオーバーラップする位置に開口部を有する絶縁膜と、を有する構造体を用意する工程と、
前記絶縁膜の前記第１の面側の面とは反対側の第２の面に、樹脂突起を形成する工程と、
前記電極および前記樹脂突起を覆う第１導電膜を前記第２の面に形成する工程と、
前記第１導電膜の前記第２の面側の面とは反対側の第３の面に、前記第１導電膜の前記第３の面より反射率の低い第２導電膜を形成する工程と、
前記第２導電膜の前記第３の面側の面とは反対側の第４の面に、フォトレジスト層を形成する工程と、
前記フォトレジスト層の一部をマスク層で覆った状態で、前記フォトレジスト層を露光する工程と、
前記フォトレジスト層を現像し、フォトレジストパターンを形成する工程と、
前記フォトレジストパターンをマスクとして前記第１導電膜および前記第２導電膜をエッチングすることにより、前記第１導電膜から形成された配線であって、前記樹脂突起の少なくとも一部を覆い、かつ、前記電極と接続する前記配線を形成する工程と、
を有する、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記配線を形成する工程の後、前記配線の上の前記第２導電膜を除去する工程を有する、半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記配線は、前記電極を覆う第１の部分と、前記第１の部分と連続し、前記樹脂突起を覆う第２の部分と、を有し、
前記配線は、前記第１の部分および前記第２の部分とでＴ字形状をなす、半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項において、
前記第１導電膜は複数の導電層の積層体であって、
前記第１導電膜を形成する工程は、
第１の導電層と第２の導電層を積層して形成する工程を含む、半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１２−１９５３６０（Ｐ２０１２−１９５３６０Ａ）
【公開日】平成２４年１０月１１日（２０１２．１０．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−５６６４６（Ｐ２０１１−５６６４６）
【出願日】平成２３年３月１５日（２０１１．３．１５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月１１日（２０１２．１０．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月１５日（２０１１．３．１５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]