【課題】実装後のリペア作業が容易になるとともに、製造コストを抑えることができる半導体チップとその実装方法、及び半導体チップが実装された半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板１の裏面上に突起電極３を形成する。次に、半導体基板１の裏面上に封止樹脂５を選択的に形成する。突起電極３の少なくとも一部は封止樹脂５で被覆されず、個々の半導体チップの外周方向から露出されるようにする。次に、所定のダイシングラインＤＬに沿って半導体基板１を切断し、半導体チップ１０に分割する。次に、突起電極３とパッド電極１１とを接続させ、この状態で熱処理を加えると突起電極３とパッド電極１１とが接合される。この際、半硬化状態の封止樹脂５は軟化して半導体チップ１０と実装基板１２との間の一部に充填され、半導体チップ１０と実装基板１２とが接着される。 （もっと読む）

【課題】無電解めっきによるフリップチップ接続で、レドックス系金属の還元剤の存在下で無電解めっきにより行うことを特徴とし、高密度実装が可能で、製造が容易であり、低コストで製造でき、接合部が均一かつ信頼性が高く、かつ低抵抗の製造可能な半導体チップの積層実装方法を提供すること。
【解決手段】配線基板１上に、外部引き出し電極に突起電極（バンプ）６を有する下部半導体チップ５を搭載し、この半導体チップ５の上に上部半導体チップ８を搭載する。配線基板１の配線層２と下部半導体チップ５の突起電極（バンプ）６との間、下部半導体チップ５の突起電極（バンプ）７と上部半導体チップ８の突起電極（バンプ）９の突起電極（バンプ）同士をレドックス系金属の還元剤を用いた無電解めっきにより電気的に接続させる。配線層２と突起電極（バンプ）６との間および半導体チップ５と８の突起電極（バンプ）同士はめっき膜１０により同時に安定して接続される。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＤ保護素子対策が十分の特定の端子を優先的に最初に除電する事により、残りの端子の保護素子のサイズを小さくでき、チップ全体としてＥＳＤ保護素子サイズを小さくできる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の端子を有する半導体チップを複数個積層する半導体装置の製造方法において、隣接する２つの半導体チップ１Ａ、１Ｂを電気的に接続する前記複数の端子のうち、少なくとも一方の半導体チップ１Ａの端子２、３の一部（ボール端子３）は、一方の半導体チップ１の残りの端子（ボール端子２）より先に他方の半導体チップ１Ｂの端子（金バンプ１０）に接触する。即ち、ボール端子３はボール端子２よりも径が大きいので高さが高く、他の端子より先に金バンプ１０に接触する。 （もっと読む）

【課題】 切削加工された保護膜の表面粗さを小さくすることができる半導体装置の金属電極形成方法を実現する。
【解決手段】 半導体基板１１の下地電極１２を覆って開口部１３ａを有する保護膜１３を形成し、保護膜１３及び下地電極１２の表面１２ａを覆って金属膜１４を形成し、バイト２１を用いてピッチＰで金属膜１４の表面から切削を行う切削加工により、金属膜１４をパターニングして金属電極１５を形成する。ここで、バイト２１の曲率半径Ｒと、保護膜１３の切込み深さｄと、ピッチＰとの間に、０＜Ｐ≦２／３（２Ｒｄ−ｄ^２）^１／２なる関係が成り立つようにピッチＰを設定することにより、表面粗さが大きくなった領域を、バイト２１がピッチＰだけ移動した後の切削において切削することができるため、切削加工された保護膜１３の表面粗さを小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】低背化が可能なこと、または、アンダーフィル材を簡単に形成することができること。
【解決手段】本発明は、半導体ウエハ１０上に柱状電極４０を形成する工程と、半導体ウエハ１０上に第２半導体チップ２０をフリップチップボンディングする工程と、半導体ウエハ１０上に、柱状電極４０及び第２半導体チップ２０を覆うように封止する封止部３０を形成する工程と、柱状電極４０の上面及び第２半導体チップ２０の上面が露出するように封止部３０及び第２半導体チップ２０を研削または研磨する工程と、封止部３０および半導体ウエハ１０を切断し第２半導体チップ２０がフリップチップボンディングされ、柱状電極４０が設けられた第１半導体チップ１１を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体素子に設けられた可動部の動作を阻害することなく、可動部を外部雰囲気から保護することができる半導体装置を容易に製造することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】センサ基体１１に可動部１２が形成されたセンサ素子１０において、可動部１２の周辺に４つのセンサ側バンプ１３を形成し（突起部形成工程）、可動部１２に対向する領域を含む４つのセンサ側バンプ１３によって囲まれる領域を覆いつつ、その領域の外部まで達する接着フィルム２０を４つのセンサ側バンプ１３上に被せ（被覆工程）、センサ素子１０における接着フィルム２０との対向面の反対面からホットプレート５０によって加熱して、接着フィルム２０とセンサ基体１１とを接着して可動部１２と接着フィルム２０との間に中空部４０を形成する（中空部形成工程）。 （もっと読む）

【課題】低コストで高さが均一且つ平滑であり、低荷重で接続される金属端子の形成が可能であり、低ダメージの実装を可能とし、高信頼性を有する半導体装置を実現する。
【解決手段】電極５及び絶縁膜６を共に常温では固体であり接着性を示さず、これより高温の第１の温度以上で接着性を発現し、これよりも高温の第２の温度以上で硬化する性質を有する材料から形成し、ダイヤモンド等からなる硬質のバイトを用いて、半導体チップ１ａの電極５の表面及び絶縁膜６の表面が連続して平坦となるように切削加工し、平坦化処理する。 （もっと読む）

【課題】第１の回路基板と第２の回路基板との接合信頼性を向上させる回路基板接合構造体を提供する。
【解決手段】第１のバンプ電極２の第１の中心線Ｌ１と、第２のバンプ電極４の第２の中心線Ｌ２とが、重ならずに偏移するように、上記第１のバンプ電極２の頂面と上記第２のバンプ電極４の頂面とが、対向して接合されている。小面積の第２のバンプ電極４が塑性変形するときに、大面積の第１のバンプ電極２の側面までの距離が短い方は、自由端となり、バンプ電極の変形拘束をうけないため、小面積バンプ電極４が塑性変形するとき、大面積バンプ電極２の自由端の方向へ接合界面での横すべりが生じやすく、その結果、小面積バンプ電極４が容易に変形しやすくなる。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップとインターポーザ基板との位置決めを効率よく実行できるＩＣチップ（液晶ドライバ）実装パッケージを提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態である液晶ドライバ実装パッケージ１は、インターポーザ基板４ａを介してフィルム基材２と液晶ドライバ３とが接続している。液晶ドライバ３は、インターポーザ基板４ａとの対向面に第１アライメントマーク１１を有し、インターポーザ基板４ａは、液晶ドライバ３との対向面に第２アライメントマーク１２を有している。第１アライメントマーク１１と第２アライメントマーク１２とを、インターポーザ基板４ａの上記対向面に対して垂直方向からみると、互いが、液晶ドライバ３とインターポーザ基板４ａを貼り合せる際の貼り合わせ位置として許容できる範囲の距離ほど離間されている。 （もっと読む）

【課題】ウェハボンディングによる電子回路及び光学回路集積を提供する。
【解決手段】本発明に係る装置は、光学回路ウェハ（１０２）と、集積回路ウェハ（１０４）とを備え、前記光学回路ウェハおよび前記集積回路ウェハは、ウェハボンディング工程によって共に接合される。また、前記ウェハボンディング工程は、共晶接合、圧着、融着、陽極接合、プラズマ接合および接着から成る群から選択される。また、前記集積回路ウェハの側面（１２６）は、前記光学回路ウェハを越えて突出し、電気的結合を収容するように構成されるボンドパッド（１１６）を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体素子とインタポーザ基板との接合品質を安定化させる。
【解決手段】半導体装置１は、フィルム基板８に実装されてシリコンにより構成されたインタポーザ基板２と、液晶を駆動するためにインタポーザ基板２に実装された半導体素子３とを備え、インタポーザ基板２は、半導体素子３側に形成された基板突起電極４を有し、半導体素子３は、基板突起電極４と接合する素子突起電極５を有し、素子突起電極５の素子接合面の面積が、基板突起電極４の基板接合面の面積よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡素化しつつ、接続信頼性を向上することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】ウエハの、各半導体チップ形成領域における電極形成面上に突起部をそれぞれ形成し、突起部の形成されたウエハに対し、突起部を含んで半導体チップ形成領域の電極形成面全面を覆うように、電気絶縁性を有する接着部材を配置する。次に、接着部材の配置されたウエハを切り分けて複数の半導体チップとした後、接着部材を加圧して、突起部の先端部位を接着部材から露出させる。そして、接着部材から露出させた突起部を光学的な位置基準として、接着部材が配置された半導体チップと異なる半導体チップとを位置決めし、この位置決め状態でバンプを介して２枚の半導体チップの電極間を電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】簡便に、かつ効率的に得ることができ、バンプの接続信頼性を高めることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】片面１１ａにバンプ４が設けられた第１の半導体装置構成部材１１と、片面に電気接続端子が設けられた第２の半導体装置構成部材とを用意し、第１の半導体装置構成部材１１のバンプ４が設けられている側の表面１１ａに、バンプ４よりも柔らかい第１の接着剤層６を形成し、押圧部材１２を用いて、接着剤層６の表面６ａを押圧し、接着剤層６にバンプ４を押し込んで、接着剤層６の表面６ａからバンプ４を露出させ、露出されたバンプ４と電気接続端子とを対向させて接続しつつ、接着剤層６を介して第１、第２の半導体装置構成部材を接合する、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】インナーリード剥がれやテープの波打ちを回避できるＩＣチップ実装パッケージを実現する。
【解決手段】ＩＣチップ実装パッケージ１は、インターポーザ４を介してフィルム基材２とＩＣチップ３とが接続されている。インターポーザ４におけるフィルム基材２側の接続端子は、ＩＣチップ３側の接続端子よりもピッチが大きく形成されている。フィルム基材２にデバイスホール８が設けられており、ＩＣチップ３はデバイスホール８内に配設されている。フィルム基材２におけるインナーリード先端からデバイスホール８の縁までの距離Ａは、１０μｍ以上に設定される。 （もっと読む）

【課題】傷及び汚染をできる限り回避したウエハ用の極めて緩やかに作動する装置及び対応する処理を提供すること。
【解決手段】本発明は、少なくとも２枚の基板（１、２）、特に半導体基板またはウエハをボンディングするための処理及び装置に関し、基板（１、２）を保持し、圧力を伝達し、特に基板（１、２）を加熱するための下側の加圧プレート（５）と、上側の加圧プレート（５）と反対側に配置され、圧力を伝達し、特に基板（１、２）を加熱するための上側の加圧プレート（６）と、基板（１、２）を、特に１００℃を超える温度、特に２５０℃を超える温度まで加熱するための加熱手段（７、８）と、下側（５）及び／または上側の加圧プレート（６）に押圧力Ｆ、特に５００Ｎより高く好ましくは１０００Ｎよりも高い押圧力をかけるための圧力付与手段、具体的にはアクチュエータ（９）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 ワイヤ接合部及びはんだ接合部を形成する方法を提供すること。
【解決手段】 一実施形態において、この方法は、ワイヤ接合部のためのワイヤ接合金属領域及びはんだ接合部のためのはんだ接合金属領域を含む構造体を準備するステップであって、両領域がシリコン酸化物層の上のシリコン窒化物層で覆われたステップと、ワイヤ接合金属領域の上のシリコン酸化物層に至る第１の開口部と、はんだ接合金属領域を露出する第２の開口部とを材料内に形成するステップと、ワイヤ接合金属領域が覆われた状態を保ちながら、はんだ接合金属領域に対するはんだ接合部を形成するステップと、シリコン酸化物層をワイヤ接合金属領域に至るまで除去するステップを含む、ワイヤ接合金属領域を露出させるステップと、ワイヤ接合金属領域に対するワイヤ接合部を形成するステップとを含む。ワイヤ接合部及びはんだ接合部は、必要に応じて、単一のマルチパート・ウェハ（ＭＰＷ）上又は単一チップ上でアクセス可能にすることができ、実質的に同時に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】センサチップを回路チップに対してバンプを介してフリップチップ接続するものにあって、それらの接合強度を高める。
【解決手段】センサチップ１２を回路チップ１３に対しフェースダウン状態とし、４個のバンプ２９により接続する。このとき、センサチップ１２と回路チップ１３との間に、バンプ２９に加えて、両者の機械的な接続を行う８個のダミーバンプ３１を設ける。ダミーバンプ３１（ダミーパッド２３）を、第１〜第４の仮想線Ｌ１〜Ｌ４が形成する仮想四角形の各頂点部に４個配置すると共に、第３の仮想線Ｌ３に沿って、各頂点と第３の電極パッド２１との中間点に位置して２個、第４の仮想線Ｌ４に沿って、各頂点と第４の電極パッド２２との中間点に位置して２個配置する。各バンプ２９及び各ダミーバンプ３１の、原点ＯからのＸ軸方向の距離の総和ΣＸと、原点ＯからのＸ軸方向の距離の総和ΣＹとの関係が、ΣＸ＞ΣＹとなる。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージ及びこれを用いた表示装置において、ＩＣチップの入力端子と出力端子数が異なる場合、インターポーザ基板を必要以上に大型化させることなく、接続端子及び配線を配置することを可能とするテープキャリア型半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体チップ２が、インターポーザ基板３を介してフィルム基板４に接続される半導体パッケージにおいて、半導体チップは、対向する２辺に、複数の端子６，７をそれぞれ有し、さらに、インターポーザ基板において、インターポーザ基板の中心より、２辺のうち端子数が少ない一方の側にずれて接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】一面に可動部を有するセンサチップと回路チップとをバンプを介して電気的に接続するとともに、可動部を接着フィルムの中空部で保護してなる角速度センサ装置において、接着フィルムの貼り付け後において中空部の形状を適切に保持する。
【解決手段】一面に可動部１０を有するセンサチップ１００を、その一面を回路チップ２００に対向させた状態でバンプ８０を介して回路チップ２００に重ねて電気的に接続するとともに、バンプ８０によって両チップ１００、２００を離間させ、センサチップ１００の一面に、電気絶縁性を有するフィルム状の接着フィルム４００を貼り付け、この接着フィルム４００のうち可動部１０に対応する部位を、可動部１０とは空隙を有して離れた中空部４１０として構成し、中空部４１０の内部の圧力を、中空部４１０の外部の圧力よりも高いものとている。 （もっと読む）

【課題】バンプ電極の形成にあたり物理的被着法とめっき法の２種類の方法を用いることによって、半導体装置の小型化、高集積化及び鉛（Ｐｂ）フリー化への対応を図りつつ製造の歩留まりを上げて生産性の向上を図るとともに、高い信頼性を確保した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板３上の外部端子５を覆う絶縁膜６に外部端子５に通じる開口Ｈを形成する工程と、開口Ｈ内において外部端子５上に物理的被着法によりバンプ電極７を生成する第１の金属膜９を形成する工程と、第１の金属膜９及び絶縁膜６の開口Ｈ周縁上において無電解めっき法によりバンプ電極７を生成する第２の金属膜１１を形成する工程と、第１の金属膜９と第２の金属膜１１を溶融しつつ、絶縁膜６上の第２の金属膜１１を開口Ｈ内に集めてバンプ電極７を形成する工程とを備える。 （もっと読む）