端子構造およびその作製方法、ならびに電子装置およびその作製方法
【課題】レーザビームの照射以外の手段で、補強材を含むプリプレグを硬化することで形成された絶縁膜に開口を形成した端子構造およびその作製方法、ならびに電子装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】端子部を構成する凸部１２０を有する導電体を形成する。補強材を有する未硬化のプリプレグ１３０をこの導電体に密着させ、プリプレグ１３０を硬化して、補強材１３１を含む絶縁膜１４０を形成する。プリプレグ１３０を密着させる際に、凸部１２０に密着している領域にプリプレグ１３０の厚さが他の領域よりも薄い部分を形成することができる。そして、この絶縁膜全体の厚さを薄くすることで、膜厚が薄い部分に開口１４３を形成することができる。この薄膜化はエッチングで行うことができる。また、この工程で補強材１３１を除去しないことが好ましい。開口１４３に補強材１３１を残すことで端子および電子装置の強度を向上させることができる。
【解決手段】端子部を構成する凸部１２０を有する導電体を形成する。補強材を有する未硬化のプリプレグ１３０をこの導電体に密着させ、プリプレグ１３０を硬化して、補強材１３１を含む絶縁膜１４０を形成する。プリプレグ１３０を密着させる際に、凸部１２０に密着している領域にプリプレグ１３０の厚さが他の領域よりも薄い部分を形成することができる。そして、この絶縁膜全体の厚さを薄くすることで、膜厚が薄い部分に開口１４３を形成することができる。この薄膜化はエッチングで行うことができる。また、この工程で補強材１３１を除去しないことが好ましい。開口１４３に補強材１３１を残すことで端子および電子装置の強度を向上させることができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書では、絶縁膜で覆われた導電体を含む端子構造について説明する。また、このような構造の端子を備えた電子装置について説明する。
【背景技術】
【０００２】
ガラス繊維、ガラスフィラーなどの補強材を含んだプリプレグを硬化することで形成された樹脂層が、プリント配線や電子装置などの支持体、絶縁膜、および保護材などに適用されている（例えば、特許文献１−４参照）。また、配線の多層化のため、外部との電気的な接続部を形成するために、プリプレグからなる樹脂層には、この層を貫通する開口が設けられている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、プリント配線基板の絶縁層をプリプレグで形成し、この絶縁層にレーザー加工、ドリル加工、および抜き打ち加工で開口を形成することが記載されている。
【０００４】
また、特許文献２、３には、硬化されたプリプレグで封止された電子装置に接続端子を形成するために、レーザビームを照射する工程、あるいはフォトリソグラフィー工程を適用することで、硬化されたプリプレグに開口を形成することが記載されている。
【０００５】
また、特許文献４には、プリプレグで電子部品の支持体を形成すること、および、電子部品と同部品に電気的に接続する導電体とを埋め込んだ樹脂層を形成し、この樹脂層の表面を研削することで、導電体を露出させることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−０９１８２２号公報
【特許文献２】特開２００８−２５７７１０号公報
【特許文献３】特開２００８−２６２５４７号公報
【特許文献４】特開２００２−２９０００６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
補強材を含んだプリプレグを用いることで、補強材を含んだ樹脂膜で電子素子を封止することができるので、電子素子の強度を向上させることができる。その反面、電子素子の取り出し端子を封止膜から露出させるために封止膜に開口を形成する場合には、樹脂膜と共に補強材をも除去する必要がある。樹脂膜に開口を形成するには、この補強材は厄介である。
【０００８】
特許文献１に記載されているように、プリプレグから形成された樹脂膜に開口を形成するには、ドリル加工、パンチング加工、レーザビームによる加工が用いられている。電子素子を封止している樹脂膜に開口を形成するには、電子素子を損傷させないようにするため、ドリル加工やパンチング加工は不向きであり、レーザビームによる加工が採用されている。
【０００９】
しかしながら、レーザビームによる開口工程は時間を要する工程であり、また樹脂層と補強材双方が除去されているかの判断が難しく、熟練を要する工程である。そのため、加工者の習熟度により、樹脂層および／または補強材の除去不足や、開口によって露出される領域の面積のばらつきが生じやすい。このため、開口を経て電気的に接続されている２つの導電体の接続抵抗値がばらつき、設計値通りの電気的特性を備えた電気素子を作製することを困難にしている。
【００１０】
また、レーザビームによる開口工程は、ドリル加工やパンチング工程と比較し、電子素子への機械的な衝撃は小さいが、レーザビームのエネルギーによって電子素子の性能を劣化させる可能性を完全に排除することができない。本願の発明者らの研究において、寸法の小さな電子素子、および駆動電圧値が低い高性能な電子素子については、封止層の開口工程でのレーザビームの照射が原因と考えられる電子素子の特性劣化が、発見されることがあった。
【００１１】
本明細書の技術的課題の１つは、補強材を含むプリプレグを硬化することで形成された絶縁膜を含む端子構造の信頼性を向上することである。
【００１２】
また、他の１つの技術的課題は、補強材を含むプリプレグを硬化することで形成された絶縁膜に、レーザビームの照射以外の手段で、開口を精度良く形成する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一態様に係る端子構造は、第１の導電体と、第１の導電体を覆い、補強材を含む樹脂膜と、樹脂膜の第１の導電体に重なる領域に形成され、かつ補強材が存在している開口と、開口において第１の導電体に接している第２の導電体とを有する。
【００１４】
また、本発明の一態様に係る電子装置は、絶縁膜と、絶縁膜に覆われている１または複数の電子素子と、絶縁膜上に形成され、電子素子の少なくとも１つに電気的に接続される導電体と、第１の絶縁膜および導電体を覆っており補強材を含む樹脂膜と、樹脂膜の導電体に重なる領域に形成され、かつ補強材が存在している開口とを有する。本態様では、電子素子に電気的に接続されている導電体を導通領域として、アンテナ、配線基板、集積回路などの他の電子装置と電気的に接続することが可能である。
【００１５】
また、この態様に係る電子装置には、開口において導電体に密着している他の導電体を設けることができる。
【００１６】
また、開口が形成される膜として、補強材を含まない樹脂膜を適用することができる。
【００１７】
本発明の一態様に係る電子装置は、第１の絶縁膜上に形成されている複数の電子素子を含む回路と、複数の電子素子を覆う第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上に形成され、電子素子の少なくとも１つに電気的に接続されている第１の導電体と、第１の補強材を含み、第２の絶縁膜および第１の導電体を覆う第１の樹脂膜と、第１の樹脂膜の第１の導電体に重なる領域に形成され、かつ第１の補強材が存在している開口と、開口において、第１の導電体に接する第２の導電体と、第２の補強材を含み、複数の電子素子の第１の絶縁膜側を覆う第２の樹脂膜とを有する電子装置である。例えば、第２の導電体には、アンテナを電気的に接続することができる。
【００１８】
本発明の一態様に係る端子構造の作製方法は、絶縁表面に凸部を有する導電体を形成することと、絶縁表面および導電体の表面に補強材を含むプリプレグを密着させて、プリプレグにおいて、導電体に密着している領域にプリプレグの厚さが他の領域よりも薄い部分を形成することと、絶縁表面および導電体の表面に密着されたプリプレグを硬化して、補強材を含む絶縁膜を形成することと、補強材を除去せずに絶縁膜を薄くして、第１の導電体に重なる開口を絶縁膜に形成することと、開口において第１の導電体に接している第２の導電体を形成することと、を有する。
【００１９】
上記態様では、レーザビームの照射以外の手段で、補強材を含むプリプレグを硬化することで形成された絶縁膜に、開口を精度良く、また容易に形成することが可能である。それは、この態様では、開口が形成される位置は、凸部を有する導電体を形成する位置によりセルフアライン的に決定することができるからである。また、開口が形成される位置の精度は、凸部を有する導電体を形成する位置の精度で確保することができるからであり、また、開口の形状やその大きさは、この導電体の高さや形状で制御することができるからである。よって、開口を形成する工程では、レーザビームの照射位置を決定するような精度の高い位置合わせを行う必要がない。
【００２０】
また、この態様において、補強材を含まない未硬化の樹脂膜を硬化させることで絶縁膜を形成することも可能である。この場合でも、上述の効果を得ることができる。
【００２１】
本発明の一態様に係る電子装置の作製方法は、電子素子の少なくとも１つに電気的に接続されている凸部を有する導電体を第１の絶縁膜上に形成することと、第１の絶縁膜の上面および導電体の表面に補強材を含むプリプレグを密着させて、プリプレグにおいて、導電体に密着している領域にプリプレグの厚さが他の領域よりも薄い部分を形成することと、第１の絶縁膜の上面および導電体の表面に密着されたプリプレグを硬化して、補強材を含む第２の絶縁膜を形成することと、補強材を除去せずに第２の絶縁膜を薄くして、導電体に重なる開口を第２の絶縁膜に形成することを有する。
【００２２】
よって、上記態様に係る電子装置の作製方法においても、上述したように、補強材を含むプリプレグを硬化することで形成された絶縁膜に、レーザビームの照射以外の手段で、精度良く、また容易に開口を形成することが可能である。
【００２３】
また、上記態様に係る作製方法において、補強材を含む絶縁膜を薄くする工程で、導電体の一部が除去されてもよい。また、エッチングによりこの絶縁膜を薄くすることで、この絶縁膜に開口を形成することができる。
【００２４】
また、上記態様に係る作製方法に、導電体に電気的に接続されている他の導電体を形成する工程を付加することができる。
【００２５】
また、上記態様に係る作製方法において、電子素子がその作製時に使用された基板に設けられている場合、この基板を分離する工程を行ってもよい。例えば、この工程は、第２の絶縁膜を形成して、電子素子がこの第２の絶縁膜で封止された状態で行うことが好ましい。この場合、基板の分離は第２の絶縁膜に開口を形成する前に行ってもよいし、または、開口を形成した後に行ってもよい。
【発明の効果】
【００２６】
補強材を含む樹脂膜に形成されている開口に補強材を存在させることで、端子、および電子装置の強度を高めることができる。
【００２７】
また、補強材を含む絶縁膜（硬化されたプリプレグ）に開口を形成する位置の精度は、凸部を有する導電体を形成する位置の精度によりセルフアライン的に確保され、また、開口の形状やその大きさは、この導電体の高さや形状で制御することができる。したがって、レーザビームの照射以外の手段で、補強材を含む絶縁膜に開口を精度良く、また容易に形成することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】Ａ−Ｄ：本発明の一態様に係る電子装置の作製方法の一例を説明する断面図。
【図２】Ａ−Ｃ：図１Ｄに続く工程の一例を説明する断面図。
【図３】Ａ、Ｂ：図２Ｃに続く工程の一例を説明する断面図。
【図４】Ａ−Ｃ：図３Ａに続く工程の一例を説明する断面図。
【図５】Ａ−Ｃ：図３Ａに続く工程の一例を説明する断面図。
【図６】Ａ：図１Ｄのプリプレグに適用されるシート状繊維体の構成の一例を説明する平面図。Ｂ：切断線Ａ１−Ａ２に沿った図６Ａの断面図。
【図７】図１Ｄのプリプレグに適用されるシート状繊維体の構成の一例を説明する平面図。
【図８】図１Ｄのプリプレグに適用されるシート状繊維体の構成の一例を説明する平面図。
【図９】本発明の一態様に係る電子装置の構成例を説明するブロック図。
【図１０】本発明の一態様に係る電子装置の構成例を説明するブロック図。
【図１１】本発明の一態様に係る電子装置の構成例を説明するブロック図。
【図１２】Ａ−Ｄ：本発明の一態様に係る電子装置の作製方法の一例を説明する断面図。
【図１３】Ａ−Ｄ：図１２Ｄに続く工程の一例を説明する断面図。
【図１４】Ａ−Ｃ：図１３Ｄに続く工程の一例を説明する断面図。
【図１５】Ａ、Ｂ：図１４Ｃに続く工程の一例を説明する断面図。
【図１６】Ａ、Ｂ：図１５Ｂに続く工程の一例を説明する断面図。
【図１７】図１６Ｂに続く工程の一例を説明する断面図。
【図１８】Ａ：図１７に続く工程の一例を説明する断面図であり、電子装置の構成例を説明する断面図である。Ｂ−Ｄ：図１８Ａの電子装置の構成例を説明する平面図。
【図１９】Ａ、Ｂ：図１４Ｃに続く工程の他の構成例を説明する断面図。
【図２０】Ａ、Ｂ：図１９Ｂに続く工程の一例を説明する断面図。
【図２１】Ａ、Ｂ：図２０Ｂに続く工程の一例を説明する断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、図面を用いて、本明細書で開示される発明を実施するための形態を説明する。なお、本明細書で参照される図面において、異なる図面間で同じ符号が付されている構成要素は、同一の構成要素を表している。そのため、このような構成要素に関する説明は、重複するため、省略することがある。
【００３０】
また、本明細書で開示される発明の態様は、実施の形態の記載内容に限定されるものではなく、様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。つまり、本明細書で開示される発明は、実施の形態の記載内容に限定して解釈されるべきではない。
【００３１】
（実施の形態１）
本実施の形態では、硬化したプリプレグからなる樹脂膜または補強材を含む絶縁膜で覆われている端子構造とその作製方法について説明する。さらに、本実施の形態では、このような構造の端子を備えた電子装置およびその作製方法についても説明する。
【００３２】
本実施の形態の端子構造は、第１の導電体と、第１の導電体を覆い、補強材を含む樹脂膜と、樹脂膜の第１の導電体に重なる領域に形成され、かつ補強材が存在している開口と、開口において第１の導電体に接している第２の導電体とを有する。
【００３３】
この端子構造において、第１の導電体は、例えば、絶縁表面上に形成される。絶縁表面は、例えば、ＣＶＤ法やＰＶＤ法などの堆積法、酸化処理などで形成された絶縁膜、樹脂基板、樹脂フィルム、ガラス基板、石英基板などの絶縁物の表面が挙げられる。
【００３４】
本実施の形態の電子装置は、少なくとも１つの電子素子、この電子素子の少なくとも１つに電気的に接続される凸状または凸部を備えた第１の導電体、補強材を含み、電子素子および第１の導電体を覆う樹脂膜と、樹脂膜の第１の導電体に重なる領域に形成され、かつ補強材が存在している開口、および、開口において第１の導電体に電気的に接続されている第２の導電体を有している。
【００３５】
以下、図１Ａ乃至図５Ｃを参照して、本実施の形態の端子構造および電子装置の作製方法を説明し、合わせてこれらの構成について説明する。
【００３６】
図１Ａに示すように、絶縁膜１０１を介して、少なくとも１つ以上の電子素子１１０が作製されている基板１００を用意する。電子素子１１０については特段の制約はなく、種類、構造、個数および作製方法などを実施者が決定することができる。例えば、電子素子１１０の具体例として、トランジスタ、抵抗素子、整流素子、容量素子、記憶素子、光電変換素子、発光素子、センサ素子および配線基板などが挙げられる。
【００３７】
図１Ａには、電子素子１１０の一例としてＳＯＩ構造のトランジスタが図示され、図面が煩雑にならないように、トランジスタの数を１つにしている。図１Ａに示すように、絶縁膜１０１上には、トランジスタの半導体層１１１、そのゲート電極として機能する導電膜１１２、ならびにソース電極および／またはドレイン電極として機能する導電膜１１３が形成されている。ここでは、絶縁膜１０１は、トランジスタの下地絶縁膜として機能する膜である。半導体層１１１には、少なくともチャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域が形成されている。トランジスタの半導体層１１１は絶縁膜１０２に覆われ、絶縁膜１０２上に導電膜１１２が形成されている。ここでは、トランジスタのゲート絶縁膜は絶縁膜１０２で形成される。導電膜１１２は絶縁膜１０３に覆われており、絶縁膜１０３上に導電膜１１３が形成されている。
【００３８】
基板１００には、半導体基板、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、ステンレス基板、金属基板、などの基板を用いることができる。半導体基板としては、インゴットをスライスしたシリコンウエハ、絶縁膜を介して単結晶半導体層が基板上に形成されているＳＯＩ基板などを用いることができる。また、基板１００にインゴットをスライスしたシリコンウエハを適用した場合は、シリコンウエハ（基板１００）に半導体領域を含む電子素子１１０を作製することができる。
【００３９】
絶縁膜１０１−１０３は単層構造でも積層構造でもよい。絶縁膜１０１−１０３を構成する絶縁膜は、電子素子１１０の作製工程の条件、およびこれらの膜の機能を考慮して選択される。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化ゲルマニウム膜、窒化ゲルマニウム膜、酸化窒化ゲルマニウム膜、窒化酸化ゲルマニウム膜などのシリコンおよび／またはゲルマニウムを組成に含む絶縁膜を用いることができる。また、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ハフニウムなどの金属酸化物でなる絶縁膜、窒化アルミニウムなどの金属窒化物でなる絶縁膜、酸化窒化アルミニウムなどの金属酸化窒化物でなる絶縁膜、窒化酸化アルミニウムなどの金属窒化酸化物でなる絶縁膜を用いることもできる。また、アクリル、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテンなどの樹脂材料でなる樹脂膜を用いることもできる。なお、本明細書では、酸化窒化物とは、窒素よりも酸素の含有量が多い物質であり、窒化酸化物とは酸素よりも窒素の含有量が多い物質である。
【００４０】
これら絶縁膜の形成方法は、代表例は次の方法があり、ＰＥＣＶＤ（プラズマ励起ＣＶＤ）法・熱ＣＶＤ法などのＣＶＤ法（化学気相成長法）、スパッタ法・蒸着法などのＰＶＤ法（物理気相成長法）、ＡＬＤ法（原子層堆積法）、スピンコート法・液滴吐出法・ディップコート法などの液体状またはペースト状の材料から膜を形成する方法、ならびに、プラズマや熱などによる固相酸化処理および固相窒化処理などがある。
【００４１】
また、導電膜１１２、１１３は単層構造または積層構造でもよい。導電膜１１２、１１３を構成する膜には、例えば、タンタル、タングステン、チタン、モリブデン、アルミニウム、クロム、ニオブ、金、銀、銅、プラチナ等から選択された単体金属を主成分とする金属膜、合金膜、および金属化合物膜などがある。例えば、金属膜には、銅膜、純アルミニウム膜、およびＳｉ、Ｎｂなどを添加したアルミニウム膜がある。合金膜には、アルミニウム−銅合金膜、アルミニウム−ネオジム合金膜がある。金属化合物膜には、窒化チタン膜、窒化タングステン膜などの金属窒化物膜、ニッケルシリサイド膜、コバルトシリサイド膜などのシリサイド膜がある。これらの導電膜は、スパッタ法・蒸着法などのＰＶＤ法、印刷法・液滴吐出法・ディップコート法などの液体状またはペースト状の材料から膜を形成する方法、ハンダ法、ならびに、メッキ法などで形成することができる。
【００４２】
次に、図１Ｂに示すように、電子素子１１０を覆って、絶縁膜１０４を形成し、絶縁膜１０４上に、電子素子１１０の導電膜１１３に電気的に接続される導電膜１１４を形成する。導電膜１１４は、電子素子１１０に絶縁膜１０４上に形成される導電性の突起を電気的に接続するために形成され、電子装置に含まれる電子素子１１０の接続部を構成する。よって、導電膜１１４は少なくとも１つの電子素子１１０に電気的に接続されている。
【００４３】
絶縁膜１０４は、絶縁膜１０１−１０３と同様に形成することができる。例えば、絶縁膜１０４を窒化酸化シリコン膜と樹脂膜でなる２層構造とする場合、次のように開口を有する絶縁膜１０４を形成することができる。まず、ＰＥＣＶＤ装置でソースガスにＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３およびＨ２を用いて、厚さ５０ｎｍ−３００ｎｍ程度の窒化酸化シリコン膜を絶縁膜１０３上に形成する。次いで、印刷法により、未硬化の感光性のエポキシ−フェノール系樹脂材料でなる膜を窒化酸化シリコン膜上に形成する。次いで、適切な波長の光を未硬化の樹脂膜に照射することで、樹脂膜を硬化させ、厚さ１−３０μｍ程度の樹脂膜を形成する。このとき、導電膜１１３と導電膜１１４との導通領域となる部分を硬化させない。次いで、１層目の窒化酸化シリコン膜をエッチングして、開口を有する絶縁膜１０４が完成する。
【００４４】
次に、絶縁膜１０４上に導電膜１１４を形成する。導電膜１１４は導電膜１１２、１１３と同様に形成することができる。例えば、スパッタ法などによりチタン膜を形成し、このチタン膜をエッチングして導電膜１１４を形成する。
【００４５】
次に、図１Ｃに示すように絶縁膜１０４（絶縁表面）上に、導電体でなる突起１２０を形成する。導電体でなる突起１２０はバンプ（ｂｕｍｐ）と呼ばれることもあり、凸部を有する導電体ということもできる。導電体でなる突起１２０（以下、「突起１２０」と呼ぶ。）は、電子装置に含まれる少なくとも１つの電子素子１１０に電気的に接続される。本実施の形態では、突起１２０を導電膜１１４に密接して形成することで、突起１２０を電子素子１１０に電気的に接続している。また、導電膜１１４を形成せずに、突起１２０を導電膜１１３に接して形成することもできる。
【００４６】
突起１２０は、導電性微粒子、導電性粉末を含む導電性ペースト、または、導電性微粒子、導電性粉末を含む導電性液体のような流動性を有する導電性材料で形成することが好ましい。なぜなら、このような導電性材料を用いることで、液滴吐出法（インクジェット法、ディスペンス法などの方法が含まれる。）、スクリーン印刷法などの印刷法などにより、突起１２０を形成することが可能である。これらの方法は、ＣＶＤ装置、スパッタ装置のような複雑な成膜装置での成膜工程、およびフォトマスクを形成するための露光工程を行うことなく、必要な箇所に凸状の導電体を形成することが可能であるとの利点がある。
【００４７】
導電性ペーストおよび導電性液体は、導電性微粒子、導電性粉末が分散された材料、またはこれらが溶解している導電性材料である。例えば、導電性液体に含まれる導電性粉体または導電性微粒子の材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｂなどの金属、これらの金属材料の合金（例えば、Ａｇ−Ｐｄ）、酸化インジウム、酸化亜鉛などの導電性酸化物材料などが挙げられる。また、導電性粉体、または導電性微粒子を溶解させるまたは分散させるための媒質（溶媒、分散媒）としては、例えば、光硬化性樹脂、および熱硬化性樹脂の前駆体材料が挙げられる。紫外線硬化性樹脂としてはアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂が挙げられる。また、熱硬化性樹脂としてはポリイミド系樹脂が挙げられる。
【００４８】
また、ソルダーペーストで突起１２０を形成することもできる。
【００４９】
ここでは、市販の銀ペーストにより突起１２０を形成する。印刷法により突起１２０を形成する領域に、銀ペーストを凸状に形成する。そして、オーブンにおいて銀ペーストを焼成し、銀を含む突起１２０を形成する。突起１２０は、絶縁膜１０４上面のどの箇所よりも突出させる。
【００５０】
次に、補強材１３１を含む未硬化（完全に硬化していない）のプリプレグ１３０を準備し、未硬化のプリプレグ１３０（以下、「プリプレグ１３０」と呼ぶ。）を絶縁膜１０４および突起１２０表面に密着する。この状態でプリプレグ１３０を硬化し、補強材１３１を含む絶縁膜１４０で絶縁膜１０４および突起１２０の表面を覆う（図１Ｄ−図２Ｂ参照）。絶縁膜１４０は電子素子１１０（電子装置）の封止膜として機能する。
【００５１】
図１Ｄに示すように、未硬化のプリプレグ１３０は補強材１３１を含む未硬化の樹脂１３２でなる。なお、補強材１３１を含まない未硬化の樹脂膜を用いることができる。補強材１３１を含むプリプレグ１３０を用いる方が、端子構造および電子装置を補強できるため好ましい。
【００５２】
未硬化の樹脂１３２（以下、「樹脂１３２」と呼ぶ。）の樹脂材料として、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、またはシアネート樹脂等の熱硬化性樹脂材料を用いることができる。また、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、またはフッ素樹脂等の熱可塑性樹脂材料を用いることができる。例えば、ポリイミド樹脂材料でなる樹脂１３２であれば、これを硬化することによりポリイミド樹脂でなる樹脂層が形成される。なお、未硬化の樹脂１３２に適用される樹脂材料は１つに限定されるものではなく、複数の樹脂材料を適用することができる。
【００５３】
なお、本明細書において、未硬化の樹脂層、および未硬化のプリプレグとは、硬化していない状態、および完全に硬化していない状態の両方の状態を含む。後者の状態は、半硬化と呼ばれることがある。
【００５４】
プリプレグ１３０に適用される補強材１３１には、繊維、シート状の繊維体（繊維シートと呼ぶこともできる。）、およびフィラーなどがある。シート状繊維体とは繊維でなるシート状物体であり、例えば、織布、および不織布が該当する。シート状繊維体に適用される織布の織り方に特段の制限はなく、シート状繊維体として、例えば、平織り、綾織り、繻子織りなどの織布を適用することができる。
【００５５】
補強材１３１に適用される繊維としては、高強度繊維が好ましい。高強度繊維とは、具体的には引張弾性率が高い繊維である。または、ヤング率が高い繊維である。高強度繊維として、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、および炭素繊維などが挙げられる。ガラス繊維材料として、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラスなどが挙げられる。例えば、ガラス繊維でなる織布はガラスクロスと呼ばれている。
【００５６】
補強材１３１に適用される糸束について（断面形状、加工方法など）、特段の制限はない。その断面の形状は、円形でも、楕円形でも、平板状でもよい。開繊加工された糸束でなるシート状繊維体を補強材１３１に用いることが好ましい。なぜなら、開繊加工された糸束は、糸束幅が広くなり、厚み方向の単糸数が少なくなるため、容易に糸束の断面を扁平にすることができるからである。糸束の断面を扁平にすることで、シート状繊維体が薄くなるので補強材１３１が薄くなり、その結果、未硬化のプリプレグ１３０も薄くすることができるからである。
【００５７】
樹脂１３２が熱硬化性樹脂材料である場合、プリプレグ１３０を絶縁膜１０４および突起１２０表面に密着させる工程、およびプリプレグ１３０を硬化する工程は、真空熱プレス機で行うことができる。図１Ｄに示すように、プリプレグ１３０を絶縁膜１０４側に置き、真空熱プレス機でプリプレグ１３０と基板１００をプレスし、図２Ａに示すように、プリプレグ１３０を絶縁膜１０４および突起１２０表面に密着させる。そして、真空プレス機でプレスした状態で、プリプレグ１３０を加熱することで硬化（固体化）する。その結果、図２Ｂに示すように、補強材１３１を含む絶縁膜１４０を形成する。絶縁膜１４０において、樹脂１４２は硬化した樹脂１３２に対応する。よって、絶縁膜１４０は補強材１３１を含む樹脂膜ということもできる。
【００５８】
また、樹脂１３２が光硬化性樹脂である場合は、真空プレス機（または真空熱プレス機）で、プリプレグ１３０と基板１００とをプレスすることで、図２Ａのようにプリプレグ１３０を絶縁膜１０４と突起１２０に密着させた後、光を照射してプリプレグ１３０を硬化すればよい。
【００５９】
本実施の形態では、プリプレグ１３０を絶縁膜１０４に貼り付ける工程（図２Ａの工程）において、プリプレグ１３０の突起１２０を覆う領域が他の領域よりも薄い部分を含むように、絶縁膜１０４の上面および突起１２０の表面にプリプレグ１３０を密着させる。図２Ａを参照して、このことを説明する。
【００６０】
プリプレグ１３０において、突起１２０に密着している領域（点線で囲んだ領域１３３）に、厚さが他の領域よりも薄い部分を形成する。突起１２０が絶縁膜１０４上面よりも突出しているので、プリプレグ１３０を絶縁膜１０４および突起１２０に密着させることで未硬化の樹脂１３２が突起１２０により延伸され、領域１３３において、プリプレグ１３０の厚さを他の領域よりも薄くすることができる。
【００６１】
プリプレグ１３０が突起１２０と接している領域１３３が他の領域（絶縁膜１０４と接している領域）よりも薄い部分を含むように、プリプレグ１３０の貼り付けを生産性良く行うためには、突起１２０が絶縁膜１０４上面から突出している高さＨ（厚さＨ）が、貼り付け工程前のプリプレグ１３０の厚さＴの半分以上であることが好ましい（図１Ｄ参照。）。つまり、Ｈ≧Ｔ／２であることが好ましい。
【００６２】
次に、図２Ｃに示すように、絶縁膜１４０全体を薄くして、絶縁膜１４０の領域１３３に開口１４３を形成する。開口１４３の形成は、例えば、絶縁膜１４０全体をエッチングすることで行うことができる。また、エッチングは、ドライエッチングのような異方性エッチングが好ましい。なぜなら、異方性エッチングは、垂直方向のエッチング速度が水平方向のエッチング速度よりも速いからである。図２Ｂの構造では、領域１３３において、突起１２０の上部を覆っている樹脂１４２は他の部分よりも薄い。よって、絶縁膜１４０に対して異方性エッチングを行うことで、先ずこの部分の樹脂１４２が除去されるため、他の領域に存在する樹脂１４２がエッチングされる量を少なくできる。このように、異方性エッチングを適用することで、等方性エッチングよりもエッチング時間の許容範囲が広くなるので、封止膜または保護膜としての絶縁膜１４０の機能の確保が容易である。
【００６３】
なお、ウエットエッチングのような等方性エッチングは、水平方向と垂直方向でエッチングが等方的に進行するので、等方性エッチングで開口１４３を形成する場合は、エッチング終了時点で、絶縁膜１４０が封止膜または保護膜として機能できる程度に、樹脂１４２が残るようにすればよい。そのためには、例えば、使用するプリプレグ１３０を厚くする、領域１３３の上部に存在する樹脂１４２と、他の領域に存在する樹脂１４２の厚さの差を大きくするとよい。
【００６４】
また、突起１２０としては、開口１４３を形成する領域（領域１３３）に凸部が存在している導電体を設けることもできる。このように一部に凸部を備えた導電体には、電子装置の端子を構成する部分と、電極や配線を構成する部分を含ませることができる。
【００６５】
また、この工程は、絶縁膜１４０の樹脂１４２を除去し、補強材１３１を除去しないエッチング処理で行うことが好ましい。なぜなら、突起１２０上方に補強材１３１が存在することで、電子装置の端子部の強度を高めることができるからである。このようなエッチング処理として、例えば、酸素ガスなどをエッチングガスに用いたエッチング（アッシング）処理が挙げられる。
【００６６】
絶縁膜１４０の薄膜化は、領域１３３に存在する樹脂１４２が全て除去されるまで行う必要はない。図２Ｃに示すように、基板１００に形成されている全ての突起１２０に対して、開口１４３が形成されていればよい。
【００６７】
また、この工程をエッチングで行う場合、樹脂１４２と共に、突起１２０が除去されてもよい。この場合、図１Ｃの工程では、エッチングで除去される突起１２０の厚さを考慮して、突起１２０の厚さ（高さＨ）を決定すればよい。突起１２０の高さＨを高くすることで、エッチング処理時間の調節が容易になり、エッチング処理のばらつきを抑えることができる。また、絶縁膜１４０を除去する厚さにより、絶縁膜１４０に形成される開口１４３の大きさを調節することができる。
【００６８】
したがって、レーザビームを使用して開口１４３を形成する工程よりも、本実施の形態では、開口１４３の面積のばらつきが抑えられる。その結果、電子装置の電気的特性のばらつきが抑えられ、電子装置自体の信頼性を高くすることができる。
【００６９】
よって、図１Ｃの工程で突起１２０を高く形成するほど、同一基板１００上に形成される複数の開口１４３の面積がばらつく許容範囲を広くすることができる。基板寸法が大きいほど、同一基板１００上に形成される絶縁膜１４０の開口１４３の面積がばらつきやすいため、突起１２０を高くすることは有効である。また、絶縁膜１４０に複数の開口１４３をより確実に形成するには、絶縁膜１４０を除去する厚さを大きくするとよい。または、突起１２０を高くし、かつ絶縁膜１４０の除去量を大きくしてもよい。
【００７０】
本実施の形態の開口１４３の形成は、開口１４３を形成したい領域１３３に、絶縁膜１４０の厚さが他の領域よりも薄い部分を形成し、そして、絶縁膜１４０全体を薄膜化することで行うため、突起１２０が存在している部分に開口１４３を選択的に容易に形成することができる。つまり、絶縁膜１４０に開口１４３が形成される位置は突起１２０の位置によりセルフアライン的に決定される。よって、このエッチング処理を行うために、フォトレジストマスクを形成する露光工程は不要である。また、開口１４３を形成するためのアライメント精度は、突起１２０を形成する工程でのアライメント精度により担保されている。したがって、本実施の形態の開口１４３の形成工程は、レーザビームを使用する工程よりも作業者の習熟度が要求されない。
【００７１】
次に、図３Ａに示すように、開口１４３において突起１２０に電気的に導通する導電体１２１を形成する。導電体１２１の形成は、図１Ｃの突起１２０と同様に、導電性微粒子、導電性粉末を含む導電性ペースト、または導電性微粒子、導電性粉末を含む導電性の液体のような流動性を有する導電性材料で形成することができる。液滴吐出法（インクジェット法、ディスペンス法などの方法が含まれる。）、スクリーン印刷法などの印刷法などにより、このような導電性材料を開口１４３および絶縁膜１４０上に所定の形状に設ける。導電性材料は補強材１３１の隙間を通過するので、突起１２０に接触した状態で導電性材料を開口１４３に設けることができる。そして、加熱処理、または光照射などの適切な方法により導電性材料を硬化（固体化）することで導電体１２１を形成することができる。
【００７２】
以上により、電子装置において、突起１２０および導電体１２１でなる端子部１２５が形成される。また、導電体１２１は、電子装置の端子部１２５を構成する部分だけでなく、配線や他の電極となる部分を含んでいてもよい。
【００７３】
なお、導電体１２１を形成せずに、突起１２０により、他の電子装置と電気的に接続することができる場合は、導電体１２１を形成しなくともよい。
【００７４】
図３Ａに示す工程を完了し、次いで、基板１００を切断して、基板１００上に形成されている積層物を個々の電子装置１５１に分割する（図３Ｂ参照）。この工程は、ダイシング、スクライブなどの処理で行うことができる。基板１００を切断する前に、研削処理または研磨処理などにより基板１００を薄くしてもよい。
【００７５】
図３Ｂに示すように、電子装置１５１は、絶縁膜１０４に覆われた少なくとも１つの電子素子１１０と、絶縁膜１０４上に形成され、電子素子１１０の少なくとも１つに電気的に接続されている導電体でなる突起１２０と、突起１２０および絶縁膜１０４を覆う補強材１３１を含む絶縁膜１４０を有する。絶縁膜１４０は電子装置１５１の端子部１２５側の封止膜を構成する。さらに、絶縁膜１４０には突起１２０が存在している部分に開口１４３が形成されている。導電体１２１は、開口１４３において突起１２０に電気的に接続され、また他の電子装置と電気的に接続可能な構造になっている。このように、電子装置１５１は、導電体１２１を介して他の電子装置（集積回路、配線回路、アンテナなど）と電気的に接続可能な構造を有している。
【００７６】
本実施の形態の端子部１２５の作製方法では、端子部１２５にも補強材１３１を存在させることができるので、レーザビームによる開口形成工程を経て作製された装置よりも、電子装置１５１の強度を向上させことができる。
【００７７】
また、図４Ａに示すように、基板１００を切断する前に、基板１００側にも補強材１３１を有するプリプレグ１３０を貼り付けてもよい。そして、プリプレグ１３０を硬化し、図４Ｂに示すように、基板１００裏面側を覆う絶縁膜１６０を形成する。絶縁膜１６０は絶縁膜１４０と同様に、補強材１３１を含む樹脂１４２でなる。なお、絶縁膜１６０を、補強材１３１を含まない未硬化の樹脂膜を硬化することで形成することもできる。そして、図４Ｃに示すように、絶縁膜１４０および絶縁膜１６０で挟まれた積層物を切断して、個々の電子装置１５２に分割する。絶縁膜１６０は基板１００側の封止膜として機能する。電子装置１５２の構造は、基板１００の裏面に補強材１３１を含む絶縁膜１６０が存在している他は、図３Ｂの電子装置１５１と同様である。
【００７８】
また、図５Ａに示すように、電子素子１１０の作製のために使用した基板１００と電子素子１１０と分離してもよい。そして、絶縁膜１０１に補強材１３１を含むプリプレグ１３０を貼り付け、しかる後、このプリプレグを硬化して、絶縁膜１０１を覆う絶縁膜１６１を形成する。絶縁膜１６１は絶縁膜１４０と同様に、補強材１３１を含む樹脂１４２でなる。なお、絶縁膜１６１を、補強材１３１を含まないプリプレグから形成することもできる。
【００７９】
そして、図５Ｃに示すように、絶縁膜１４０および絶縁膜１６１で挟まれた積層物を切断して、個々の電子装置１５３に分割する。絶縁膜１６１は絶縁膜１０１側の封止層膜として機能する。
【００８０】
基板１００を分離する工程は、絶縁膜１４０に開口を形成する前に行うこともできる。この場合、図２Ｂの工程までを行い、基板１００を分離し、絶縁膜１６１を形成する。そして、図２Ｃに示すように、絶縁膜１４０に開口１４３を形成する。
【００８１】
電子装置１５３の構造は、基板１００が除去され、代わりに絶縁膜１０１に補強材１３１を含む絶縁膜１６１が存在している他は、図３Ｂの電子装置１５１と同様である。このように、基板１００を除去することで、撓めたり、または曲げたりすることが可能な電子装置１５３を作製することができる。
【００８２】
以上述べたように、本実施の形態では、補強材を含む絶縁膜（樹脂膜）に開口を形成する位置の精度は、凸部を有する導電体（または突起）を形成する位置の精度によりセルフアライン的に確保され、また、開口の形状やその大きさは、凸部を有する導電体（または突起）の高さや形状で制御することができる。したがって、本実施の形態を適用することで、補強材を含む絶縁膜に開口を形成することが、レーザビームを使用する場合よりも精度良く、格段に容易に行うことが可能である。その結果、端子構造および電子装置の信頼性を向上することができる。
【００８３】
なお、本実施の形態では、補強材を含むプリプレグから形成された絶縁膜に開口を形成する方法を説明したが、補強材を含まない絶縁膜に開口を形成する場合にも、本実施の形態を適用することができ、同様の効果を得ることができる。
【００８４】
また、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。
【００８５】
（実施の形態２）
本実施の形態では、図１Ｄに示すプリプレグ１３０の補強材１３１に適用可能なシート状繊維体について説明する。
【００８６】
［シート状繊維体の構成例１］
図６Ａは、シート状繊維体２５１の構成例を示す平面図であり、図６Ｂは、シート状繊維体２５１の構成例を示す断面図である。なお、図６Ｂは図６Ａを線Ａ１−Ａ２で切った断面図である。
【００８７】
図６Ａに示すようにシート状繊維体２５１は、一本の経糸２６１および一本の緯糸２６２を交互に交差させて織られた平織りの織布である。シート状繊維体２５１は、経糸２６１および緯糸２６２が存在しない領域であるバスケットホール２６３を有する。導電体１２１を形成するために設けた導電性材料がバスケットホール２６３を通過するため、導電体１２１と突起１２０を接触させることができる。
【００８８】
シート状繊維体２５１に適用される糸束（経糸２６１、緯糸２６２）について（断面形状、加工方法など）、特段の制限はない。その断面の形状は、円形でも、楕円形でも、平板状でもよい。開繊加工された糸束を経糸２６１および緯糸２６２に用いることが好ましい。なぜなら、開繊加工された糸束はその幅が広くなり、厚み方向の単糸数が少なくなるため、容易に糸束の断面を扁平にすることができるからである。例えば、図６Ｂに示すように、断面が扁平な経糸２６１、同様に断面が扁平な緯糸２６２で織られたシート状繊維体２５１はその厚さを薄くすることができる。
【００８９】
［シート状繊維体の構成例２］
硬化されたプリプレグの強度を高めるための１つの手段として、シート状繊維体のバスケットホールを小さくすることが挙げられる。図７にそのような構成例のシート状繊維体２５２の平面図を示す。図７に示すように、シート状繊維体２５２は、シート状繊維体２５１と同様に、一本の経糸２６１および一本の緯糸２６２を交互に交差させて織られた平織りの織布である。シート状繊維体２５２は、シート状繊維体２５１よりも経糸２６１と緯糸２６２の密度が高く、バスケットホール２６３が狭い。
【００９０】
［シート状繊維体の構成例３］
また、シート状繊維体に適用される織布は、平織りに限定されない。図８にこのようなシート状繊維体の構成例を示す。図８はシート状繊維体２５３の平面図である。図８に示すように、シート状繊維体２５３は１０本の経糸２６１と、１０本の緯糸２６２を交互に交差させて織られた織布である。
【００９１】
また、硬化されたプリプレグで電子装置をより効果的に保護するには、使用時に電子装置が局所的に押圧される面積よりも、シート状繊維体（２５１−２５３）のバスケットホール２６３が狭い方がよい。例えば、ペンや鉛筆などの筆記具などのような先端が細い器具で電子装置を押すことが必要な場合は、バスケットホール２６３の形状を一辺が０．０１ｍｍ以上０．２ｍｍ以下の四角形とすることが好ましい。
【００９２】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。
【００９３】
（実施の形態３）
本実施の形態では、電子装置の一例として、無線通信によりデータの送受信が可能な電子装置の構成、およびその作製方法を説明する。
【００９４】
図９は、本実施の形態に係る電子装置３００の構成例を説明するブロック図である。図９に示すように、電子装置３００は、アンテナ３０１および複数の電子素子を含む機能回路３０２を有する。アンテナ３０１は搬送波の授受を行う。アンテナ３０１には、通信を行う周波数帯域に適切な構造のものが選択される。機能回路３０２は、アンテナ３０１で受信された搬送波を処理する機能、および／またはアンテナ３０１から送信する搬送波を生成する機能を少なくとも有する。
【００９５】
搬送波とはキャリアとも呼ばれる交流波の信号である。無線通信においては、搬送波の周波数又は振幅を、情報を表す信号に応じて変化（変調という）させて変調波を生成し、この変調波の送受信によって、情報が伝達される。搬送波の変調方式にはいくつかの種類があり、搬送波の振幅の大小により情報を表す変調方式を振幅変調と呼び、搬送波の周波数の高低により情報を表す変調方式を周波数変調と呼ぶ。
【００９６】
電子装置３００の具体例として、非接触でデータの交信をおこなうＩＣチップ（無線チップとも呼ばれる。）が挙げられる。また、非接触で個体認識を行うＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ＩＤｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）タグが挙げられる。ＲＦＩＤタグは、ＲＦタグ、無線タグ、電子タグ、ＩＣタグとも呼ばれる。
【００９７】
図１０および図１１を参照して、ＩＣチップや、ＲＦＩＤタグに適用できる電子装置３００の構成例を説明する。図１０は、電子装置３００の構成の一例を示すブロック図であり、図１１は電子装置３００の構成の別の一例を示すブロック図である。
【００９８】
まず、図１０の電子装置３００の構成を説明する。図１０の電子装置３００において、機能の面から、機能回路３０２は電源部３１１とロジック回路部３１２と区分することができる。
【００９９】
電源部３１１は、電子装置３００に電力を供給するための装置である。そのため、例えば、電源部３１１は整流回路３２１、蓄電部３２２、および定電圧回路３２３を有する。整流回路３２１は、アンテナ３０１で受信された信号（搬送波）から直流電圧を生成する回路である。蓄電部３２２は、整流回路３２１で生成された直流電圧を保持するための回路であり、そのため、蓄電部３２２は例えば複数の容量素子を含む。定電圧回路３２３は、整流回路３２１で生成された電圧の値を一定にするための回路である。
【０１００】
ロジック回路部３１２は、アンテナ３０１で受信された信号（搬送波）からデータを取り出す、アンテナ３０１から送信するデータを表す搬送波を生成するなどの機能を有する。例えば、ロジック回路部３１２は、復調回路３３１、クロック生成・補正回路３３２、コード認識・判定回路３３３、メモリコントローラ３３４、記憶装置３３５、符号化回路３３６、および変調回路３３７を有する。
【０１０１】
復調回路３３１は、アンテナ３０１で受信された搬送波を復調する回路である。クロック生成・補正回路３３２は、復調回路３３１から出力された信号をもとに、クロック信号を生成し、そのクロック信号を補正する回路である。
【０１０２】
コード認識・判定回路３３３は、アンテナ３０１で受信された搬送波に含まれるコードを認識し、判定する。さらに、コード認識・判定回路３３３は、送信エラーを識別する巡回冗長検査（ＣＲＣ：ｃｙｃｌｉｃ ｒｅｄｕｎｄａｎｃｙ ｃｈｅｃｋ）機能を有する。コード認識・判定回路３３３で認識されるコードには、フレーム終了信号（ＥＯＦ：ｅｎｄ ｏｆ ｆｒａｍｅ）、フレーム開始信号（ＳＯＦ：ｓｔａｒｔ ｏｆ ｆｒａｍｅ）、フラグ、コマンドコード、マスク長（ｍａｓｋ ｌｅｎｇｔｈ）、マスク値（ｍａｓｋ ｖａｌｕｅ）等が挙げられる。
【０１０３】
メモリコントローラ３３４は、コード認識・判定回路３３３で認識されたコードをもとに、記憶装置３３５からデータを読み出すための信号を生成する。記憶装置３３５は、少なくとも読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）を含む。ＲＯＭとして、例えば、マスクＲＯＭ、ＰＲＯＭ等がある。また、記憶装置３３５はランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）のような書き換え可能な記憶回路を有してもよい。書き換え可能な記憶回路として、例えば、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、ＦｅＲＡＭ、ＥＥＰＲＯＭおよびフラッシュメモリ等を用いることができる。
【０１０４】
符号化回路３３６は、記憶装置３３５から読み出されたデータ等、電子装置３００から送信するための情報を符号化する。変調回路３３７は、符号化回路３３６で符号化された情報をもとに信号を変調して、アンテナ３０１から送信可能な搬送波を生成する。
【０１０５】
次に、図１１の電子装置３００の構成を説明する。この電子装置３００は、外部装置と無線通信を行って動作する演算処理装置として機能する。図１１の電子装置３００において、機能の面から、機能回路３０２は、アナログ回路部３４１、デジタル回路部３４２、および蓄電部３４３に区分することができる。
【０１０６】
アナログ回路部３４１は、共振容量を有する共振回路３５１、定電圧回路３５２、整流回路３５３、復調回路３５４、変調回路３５５、リセット回路３５６、発振回路３５７および電源管理回路３５８を有する。
【０１０７】
デジタル回路部３４２は、ＲＦインターフェース３６１、制御レジスタ３６２、クロックコントローラ３６３、ＣＰＵ（中央演算処理ユニット）３６４、ＣＰＵインターフェース３６５、ＲＡＭ３６６、ＲＯＭ３６７を有する。
【０１０８】
図１１の電子装置３００の動作の概要は以下の通りである。アンテナ３０１で受信された信号（搬送波）はアナログ回路部３４１に入力され、共振回路３５１では誘導起電力が生じる。誘導起電力は、整流回路３５３を経て蓄電部３４３に充電される。この蓄電部３４３はセラミックコンデンサや電気二重層コンデンサ等のキャパシタで形成することができる。
【０１０９】
リセット回路３５６は、デジタル回路部３４２をリセットし初期化する信号を生成する。例えば、電源電圧の上昇に遅延して立ち上がる信号がリセット信号として生成される。発振回路３５７は、定電圧回路３５２で生成される制御信号に応じて、クロック信号の周波数とデューティー比を変更する。復調回路３５４は、受信信号を復調する回路であり、変調回路３５５は、送信する情報を搬送波に含ませるために信号を変調する回路である。
【０１１０】
例えば、電子装置３００で処理される信号の変調方式が、振幅変調方式の１種であるＡＳＫ（Ａｍｐｌｉｔｕｄｅ Ｓｈｉｆｔ Ｋｅｙｉｎｇ）方式である場合、復調回路３５４をローパスフィルタで形成すればよい。復調回路３５４では、受信信号をその振幅の変動をもとに二値化する。他方、変調回路３５５では、共振回路３５１の共振点を変化させることで信号の振幅を変化させればよい。
【０１１１】
クロックコントローラ３６３は、電源電圧またはＣＰＵ３６４での消費電流に応じてクロック信号の周波数とデューティー比を変更するための制御信号を生成している。電源電圧の監視は電源管理回路３５８が行っている。
【０１１２】
アンテナ３０１で受信された信号は復調回路３５４で復調される。この復調された信号はＲＦインターフェース３６１で制御コマンドやデータ等に分解される。制御コマンドは制御レジスタ３６２に格納される。制御コマンドには、デジタル回路部３４２に含まれる回路への命令が含まれており、例えば、ＲＯＭ３６７からデータを読み出すための命令、ＲＡＭ３６６にデータを書き込むための命令、ＣＰＵ３６４での演算命令等が含まれている。
【０１１３】
ＣＰＵ３６４は、ＣＰＵインターフェース３６５を介してＲＯＭ３６７、ＲＡＭ３６６および制御レジスタ３６２にアクセスする。ＣＰＵインターフェース３６５は、ＣＰＵ３６４が要求するアドレスにしたがって、ＲＯＭ３６７、ＲＡＭ３６６および制御レジスタ３６２のいずれかにＣＰＵ３６４がアクセスするためのアクセス信号を生成する。
【０１１４】
ＣＰＵ３６４での演算処理方式にはいくつかあり、その１つは演算をソフトウェアで処理する方法である。この方式では、例えば、ＲＯＭ３６７にＯＳ（オペレーティングシステム）を記憶させておき、ＣＰＵ３６４がＲＯＭ３６７に記憶されているプログラムを読み出し、それを実行する方式である。他の１つは、専用の演算回路で演算を行う方式、つまりハードウェアで演算を処理する方式である。他の１つは、ソフトウェアとハードウェアを組み合わせた方式であり、この方式では、専用の演算回路で一部の演算処理を行い、プログラムを使って、残りの演算をＣＰＵ３６４が処理するようにすることができる。
【０１１５】
次に、本実施の形態の電子装置３００の作製方法を説明する。この作製方法は、機能回路３０２を構成する電子素子の作製に使用した基板を分離する工程を含む。
【０１１６】
例えば、実施の形態１の作製方法において、基板１００と下地となる絶縁膜１０１の間に剥離膜（例えば、シリコンでなる膜）を形成し、この剥離膜をエッチングして除去することで、基板１００から電子装置を分離することができる。また、基板１００と下地となる絶縁膜１０１の間に金属を主成分とする剥離膜を形成し、この剥離膜に物理的な力を加えて、剥離膜で剥離を生じさせることで、基板１００から電子装置を分離することもできる。以下、図１２Ａ−図１８Ｄを参照して、後者の方法が適用された電子装置３００の作製方法の一例を説明する。
【０１１７】
まず、図１２Ａに示すように、機能回路３０２の電子素子を作製するための基板を用意する。ここでは、この基板としてガラス基板４００が用いられる。機能回路３０２はガラス基板４００上に形成される下地絶縁膜４０１上に形成される。機能回路３０２の作製後、機能回路３０２をガラス基板４００から分離するため、下地絶縁膜４０１とガラス基板４００の間に剥離膜４０２が形成される。
【０１１８】
剥離膜４０２の形成前に、下地膜４０３をガラス基板４００上に密着して形成する。この下地膜４０３は、剥離膜４０２に対する下地膜であり、剥離膜４０２とガラス基板４００との密着性を高めるために、形成される。下地膜４０３は単層構造または積層構造の絶縁膜で形成することができる。下地膜４０３を構成する絶縁膜として、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜および金属酸化物膜などが挙げられる。ここでは、ＰＥＣＶＤ法で厚さ１００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成する。
【０１１９】
次に、下地膜４０３に接して剥離膜４０２を形成する。ここでは、剥離膜４０２としてスパッタ法で厚さ５０ｎｍのタングステン膜を形成する。
【０１２０】
本作製方法では、機能回路３０２をガラス基板４００から分離するため、剥離膜４０２に力学的な力を加えることで、剥離膜４０２の内部、および／または剥離膜４０２と下地絶縁膜４０１との界面に優先的に剥離を生じさせることとする。このような剥離を生じさせるためには、剥離膜４０２は、例えば、タングステン膜、モリブデン膜、タングステンとモリブデンの合金膜、タングステンおよび／またはモリブデンの酸化物膜、酸化窒化物膜、窒化酸化物膜、窒化物膜で形成することができる。また剥離膜４０２は、これらの膜から選ばれた積層構造の膜で形成することができる。これらの膜は、スパッタ法、ＰＥＣＶＤ法および液滴吐出法などで形成することができる。
【０１２１】
剥離膜４０２の形成方法には、例えば、１層目にタングステン膜、モリブデン膜、またはタングステンとモリブデンの合金膜を形成し、２層目に１層目の膜の酸化物膜、酸化窒化物膜、窒化酸化物膜または窒化物膜を形成する方法がある。また、タングステン膜、モリブデン膜、またはタングステンとモリブデンの合金膜のいずれかの膜を下地膜４０３上に形成した後、この膜を酸化処理する方法がある。この酸化処理としては、熱酸化処理、酸素またはＮ２Ｏプラズマによるプラズマ酸化処理、オゾン水などの酸化力の強い溶液による表面処理などがある。
【０１２２】
次に、剥離膜４０２上に接して単層構造または積層構造の下地絶縁膜４０１を形成する。下地絶縁膜４０１を構成する絶縁膜としては、電子装置３００の作製工程に耐えうる膜が選択され、図１Ａの絶縁膜１０１と同様に形成することができる。ここでは、下地絶縁膜４０１を３層構造とし、１層目に厚さ１００−７００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成し、２層目に厚さ２０−１００ｎｍの窒化酸化シリコン膜を形成し、３層目に厚さ５０−１５０ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成する。これらの膜はＰＥＣＶＤ法で形成される。
【０１２３】
次いで、下地絶縁膜４０１上に機能回路３０２を作製する。また、同じプロセスにおいて、複数の機能回路３０２が同時に１枚のガラス基板４００上に作製される。以下の説明で参照される図面には、２つの機能回路３０２の作製過程を示し、また、機能回路３０２としてｎチャネル型トランジスタ、およびｐチャネル型トランジスタの作製過程を示す。
【０１２４】
図１２Ｂに示すように、機能回路３０２を作製するために、下地絶縁膜４０１上に半導体膜４０５を形成する。ここでは、半導体膜４０５として結晶性シリコン膜を形成する。例えば、結晶性シリコン膜の形成は、ＰＥＣＶＤ法により、Ｈ２とＳｉＨ４の混合ガスから、厚さ４０−８０ｎｍの非晶質シリコン膜を形成し、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザー（基本波１０６４ｎｍ）の第２高調波を照射することにより、非晶質シリコン膜を結晶化することで行うことができる。ほか、加熱炉での熱処理によって非晶質シリコン膜を結晶化することもできる。
【０１２５】
次に、半導体膜４０５上にレジストマスクを形成し、このレジストマスクを用いて、半導体膜４０５を所望の形状にエッチングする。図１２Ｃに示すように、下地絶縁膜４０１上に、半導体膜４２０および半導体膜４３０を形成する。半導体膜４２０はｎチャネル型トランジスタの半導体層であり、半導体膜４３０はｐチャネル型トランジスタの半導体層である。半導体膜４０５をエッチングするために用いたレジストマスクを除去した後、必要があれば、トランジスタのしきい値電圧を制御するために、ドナーまたはアクセプタとなる不純物元素を半導体膜４２０および／または半導体膜４３０に添加する。また、この不純物元素の添加工程は、半導体膜４０５をエッチングする前に行うこともでき、以降の工程でも、必要に応じて行えばよい。
【０１２６】
次に、図１２Ｃに示すように、半導体膜４２０および半導体膜４３０を覆う絶縁膜４０６を形成する。絶縁膜４０６はトランジスタのゲート絶縁膜を構成する。絶縁膜４０６は、図１Ａの絶縁膜１０２と同様に形成することができる。ここでは、ＰＥＣＶＤ法で、厚さ１０−１００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成する。また、ＰＥＣＶＤ法などで絶縁膜を形成した後、マイクロ波励起された高密度プラズマにより絶縁膜に対して窒化処理を行ってもよい。
【０１２７】
次に、図１２Ｃに示すように、絶縁膜４０６上に導電膜４４１、および導電膜４４２を形成する。導電膜４４１はｎチャネル型トランジスタのゲート電極（またはゲート配線）を構成し、導電膜４４２はｐチャネル型トランジスタのゲート電極（またはゲート配線）を構成する。ここでは、導電膜４４１、４４２を２層構造の導電膜で形成する。まず、スパッタ法で、厚さ２０−５０ｎｍの窒化タンタル膜を絶縁膜４０６上に形成し、スパッタ法で厚さ１００ｎｍ−３００ｎｍのタングステン膜をこの窒化タンタル膜上に形成する。次に、タングステン膜上にレジストマスクを形成する。このレジストマスクを用いて、窒化タンタル膜およびタングステン膜の積層膜をエッチングして、導電膜４４１、４４２を形成する。
【０１２８】
次いで、図１２Ｄに示すように、半導体膜４２０にｎ型低濃度不純物領域４２３、半導体膜４３０にｐ型高濃度不純物領域４３２を形成する。ｎ型低濃度不純物領域４２３はｎチャネル型トランジスタの高抵抗領域を構成し、ｐ型高濃度不純物領域４３２はｐチャネル型トランジスタのソース領域、またはドレイン領域として機能する領域である。
【０１２９】
これらの領域を形成するには、まず、半導体膜４３０を覆うレジストマスクを形成する。導電膜４４１をマスクとして半導体膜４２０にｎ型を付与する不純物元素を添加し、ｎ型低濃度不純物領域４２３を半導体膜４２０に形成する。この工程で半導体膜４２０の不純物元素が添加されない領域がチャネル形成領域４２１となる。次に、半導体膜４３０を覆うレジストマスクを除去した後、半導体膜４２０を覆うレジストマスクを形成する。導電膜４４２をマスクとして半導体膜４３０にｐ型を付与する不純物元素を添加し、ｐ型高濃度不純物領域４３２を半導体膜４３０に形成する。そして、レジストマスクを除去する。この不純物添加工程で半導体膜４３０の不純物元素が添加されない領域がチャネル形成領域４３１となる。
【０１３０】
なお、図１２Ｄの工程は、ｐ型高濃度不純物領域４３２を形成した後に、ｎ型低濃度不純物領域４２３を形成してもよい。
【０１３１】
本実施の形態では、ｎ型を付与する不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）などを用いることができ、ｐ型を付与する不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）などを用いることができる。
【０１３２】
次いで、図１３Ａに示すように、絶縁膜４０６、導電膜４４１および導電膜４４２を覆う絶縁膜４０７を形成する。絶縁膜４０７は、図１Ａの絶縁膜１０３と同様に形成することができる。ここでは、絶縁膜４０７を２層構造とし、１層目に、ＰＥＣＶＤ法で厚さ５０−１５０ｎｍの酸化シリコン膜を形成し、２層目に、プロセス温度が２００℃乃至５００℃の熱ＣＶＤ法で、厚さ１００−２５０ｎｍの低温酸化物（ＬＴＯ：Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｏｘｉｄｅ）膜を形成する。
【０１３３】
次に、絶縁膜４０７および絶縁膜４０６をエッチングする。このエッチング工程は垂直方向のエッチングを主体とする異方性エッチングで行う。このような異方性エッチングにより、図１３Ｂに示すように、導電膜４４１および導電膜４４２の側面に、絶縁膜４０７でなるサイドウォールを形成することができる。また、このエッチング工程では、絶縁膜４０６は導電膜４４１、導電膜４４２および絶縁膜４０７で覆われている領域が残り、その他の領域は除去される。
【０１３４】
次に、図１３Ｃに示すように、半導体膜４２０に、ソース領域またはドレイン領域として機能するｎ型高濃度不純物領域４２２を形成する。そこで、半導体膜４３０を覆うレジストマスクを形成し、半導体膜４２０にｎ型の導電性を付与する不純物元素を添加する。この不純物添加工程で、導電膜４４１および絶縁膜４０７がマスクとなり、半導体膜４２０にセルフアライン的にｎ型高濃度不純物領域４２２が形成され、図１２Ｄの工程で形成されたｎ型低濃度不純物領域は、絶縁膜４０７と重なっている部分に残る。
【０１３５】
次に、半導体膜４２０、半導体膜４３０、導電膜４４１、および導電膜４４２を覆って絶縁膜４０８を形成する。そして、絶縁膜４０８上に、導電膜４４３−４４５を形成する。
【０１３６】
絶縁膜４０８は、図１Ａの絶縁膜１０３と同様に形成することができる。ここでは、３層構造の絶縁膜４０８を形成する。まず、１層目に、ＰＥＣＶＤ法で厚さ２０−１００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成する。そして、加熱処理を行い、半導体膜４２０および半導体膜４３０に添加された不純物元素を活性化する。そして、２層目に、ＰＥＣＶＤ法で厚さ１００−３００ｎｍの窒化酸化シリコン膜を形成し、３層目に、ＰＥＣＶＤ法で厚さ２００ｎｍ−１μｍの酸化窒化シリコン膜を形成する。
【０１３７】
次に、導電膜４４３をｎ型高濃度不純物領域４２２に、導電膜４４４をｐ型高濃度不純物領域４３２に電気的に接続するために、絶縁膜４０８をエッチングして開口を形成する。そして、絶縁膜４０８上に、導電膜４４３−４４５を構成する導電膜を形成する。この導電膜は、図１Ａの導電膜１１３と同様に形成することができる。ここでは、この導電膜として、スパッタ法で３層の導電膜を形成する。１層目は厚さ５０−１５０ｎｍのチタン膜であり、２層目は厚さ２００−４００ｎｍの純アルミニウム膜であり、３層目は、１層目と同じチタン膜である。そして、この３層構造の導電膜上にレジストマスクを形成し、このレジストマスクを用いてこの導電膜をエッチングして、導電膜４４３−４４５を形成する。
【０１３８】
導電膜４４３はｎ型高濃度不純物領域４２２に電気的に接続されており、ｎチャネル型トランジスタのソース電極、ソース配線、ドレイン電極またはドレイン配線として機能する。導電膜４４４はｐ型高濃度不純物領域４３２に電気的に接続されており、ｐチャネル型トランジスタのソース電極、ソース配線、ドレイン電極またはドレイン配線として機能する。また、導電膜４４５は機能回路３０２のアンテナ３０１との電気的な接続部を構成する。
【０１３９】
以上の工程で、機能回路３０２の電子素子（ｎチャネル型トランジスタ４９１およびｐチャネル型トランジスタ４９２）が完成する。次に、図１４Ａ−図１５Ｂを参照して、機能回路３０２とアンテナ３０１との接続端子を形成する工程の一例を説明する。
【０１４０】
図１４Ａに示すように、導電膜４４３−４４５を覆う絶縁膜４０９を形成する。ここでは、絶縁膜４０９を２層構造とし、１層目には、機能回路３０２の電子素子の保護するために緻密な絶縁膜を形成する。そこで、ＰＥＣＶＤ法で、厚さ５０−２００ｎｍの窒化シリコン膜を形成する。２層目には、機能回路３０２の上面を平坦にするため感光性樹脂材料により、厚さ１−３μｍの樹脂膜（例えば、ポリイミド膜）を形成する。露光処理により、この樹脂膜には、導電膜４４５に対応する部分に開口が形成される。そして、１層目の窒化シリコン膜をエッチングして、樹脂膜の開口と重なる部分に窒化シリコン膜にも開口を形成する。
【０１４１】
次に、絶縁膜４０９上に、導電膜４４５に電気的に接続される導電膜４５１を形成し、さらに導電膜４５１に対応して突起４５２を形成する。ここでは、導電膜４５１として、スパッタ法により厚さ１００ｎｍ−３００ｎｍのチタン膜を形成する。
【０１４２】
突起４５２は図１Ｃの突起１２０と同様に形成することができる。ここでは、スクリーン印刷法で銀ペーストを導電膜４５１上に塗布する。そして、この銀ペーストを焼成することで銀を含む突起４５２を形成する。ガラス基板４００上において、突起４５２をどの箇所よりも突出させる。突起４５２は凸部を有する導電体と呼ぶこともできる。
【０１４３】
導電膜４４５、導電膜４５１および突起４５２は機能回路３０２の端子部を構成する。端子部はアンテナ３０１との電気的な接続部である。また、導電膜４５１を形成せずに、突起４５２を導電膜４４５と密接して形成することもできる。
【０１４４】
次に、補強材４６１を含む未硬化の樹脂４６２でなるプリプレグ４６０を準備する。プリプレグ４６０は、図１Ｄのプリプレグ１３０と同様のものを用いることができる。プリプレグ４６０は、硬化された状態でその厚さが１０−１００μｍであることが好ましい。それは、硬化後のプリプレグ４６０により機能回路３０２を保護し、かつ機能回路３０２に柔軟性を持たせるためである。また、プリプレグ４６０の厚さの半分以上の高さを有するように突起４５２を形成するため、および機能回路３０２を薄くするために、硬化後のプリプレグ４６０の厚さは１０−３０μｍがより好ましい。
【０１４５】
そして、図１４Ｂに示すように、未硬化のプリプレグ４６０を電子装置の絶縁膜４０９側に配置し、プリプレグ４６０を絶縁膜４０９、導電膜４５１および突起４５２表面に密着する。プリプレグ４６０において、突起４５２を覆っている領域４６４の厚さが他の領域よりも薄くなっている。
【０１４６】
そして、プリプレグ４６０を硬化し、図１４Ｃに示すように、補強材４６１を含む絶縁膜４６５を形成する。絶縁膜４６５において樹脂４６３は硬化された樹脂４６２に対応する。つまり、絶縁膜４６５は、補強材４６１を含む樹脂膜ということもできる。また、絶縁膜４６５は機能回路３０２の封止膜として機能する。
【０１４７】
ここでは、プリプレグ４６０の補強材４６１にガラス繊維でなるシート繊維体を適用し、その樹脂４６２の樹脂材料には熱硬化性樹脂を適用する。そして、真空熱プレス機を用いて、図１４Ｂおよび図１４Ｃの工程を一連の工程として行う。つまり、絶縁膜４０９側にプリプレグ４６０を重ねた状態で、真空熱プレス機でプリプレグ４６０をガラス基板４００にプレスし、この状態でプリプレグ４６０を硬化（固体化）し、絶縁膜４６５を形成する。
【０１４８】
次に、絶縁膜４６５全体を薄膜化する。絶縁膜４６５において、突起４５２に接している領域４６４には他の領域よりも薄い部分が形成されているため、図１５Ａに示すように、この領域４６４に開口４６６を形成することができる。図１５Ａにおいて、一点鎖線で示されている部分は、薄膜化される前の絶縁膜４６５を表している。この工程は、図２Ｃの開口１４３の形成工程と同様に行うことができ、異方性エッチングで行うことが好ましい。この工程で、絶縁膜４６５を構成する樹脂４６３が除去され、補強材４６１は除去されず、開口４６６には補強材４６１が存在している。
【０１４９】
本実施の形態では、開口４６６の形成にレーザビームが用いられないので、レーザビームによって機能回路３０２に損傷を与えることがない。そのため、機能回路３０２の電子素子を微細化して、高性能化することが容易になる。したがって、図１１に示すＣＰＵ３６４を含む機能回路３０２のような高性能な回路を歩留まり良く作製することが可能になる。
【０１５０】
次に、図１５Ｂに示すように、開口４６６において、突起４５２に密接して導電体４５３を形成する。この工程は、図３Ａの導電体１２１の形成工程と同様に行うことができる。ここでは、導電体４５３を銀ペーストから形成する。
【０１５１】
以上により、端子部４５０を備えた機能回路３０２が作製される。端子部４５０は、アンテナ３０１との電気的な接続部であり、導電膜４４５、導電膜４５１、突起４５２および導電体４５３を含む。次に、ガラス基板４００から機能回路３０２を分離する工程を行う。この分離工程は、例えば、次のように行うことができる。
【０１５２】
ＵＶレーザビームを絶縁膜４６５側から照射して、ガラス基板４００に形成されている積層物に剥離膜４０２に達する溝（図示しない）を形成する。この溝を形成することで、剥離膜４０２の内部、および／または下地絶縁膜４０１と剥離膜４０２との界面で剥離が生じる。そのため、比較的小さな力（人の手で加えることができる程度の力）で、複数の機能回路３０２をガラス基板４００から分離することが可能になる。次に、図１６Ａに示すようにＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムなどの樹脂フィルムでなる熱剥離型粘着フィルム４７０（以下、「フィルム４７０」と呼ぶ）を絶縁膜４６５側に貼り付ける。そして、図１６Ａに示すように、ガラス基板４００から、下地絶縁膜４０１上の積層物を剥離する。この剥離工程は、巻き取りローラを備えた剥離装置によって行うことができる。あるいは人の手や、ピンセットでフィルム４７０を引っ張ることで行うこともできる。
【０１５３】
次に、ガラス基板４００が除去されたことで露出された下地絶縁膜４０１を保護する。そのため、補強材を含むプリプレグから保護膜を形成する。また、保護膜の形成には、絶縁膜４６５を形成するために使用されるプリプレグ４６０と同様のものを使用することができる。下地絶縁膜４０１に未硬化のプリプレグ４６０を貼り付け、真空熱プレス機で、プリプレグ４６０を下地絶縁膜４０１に密着させ、硬化する。その結果、図１６Ｂに示すように、補強材４６１を含む絶縁膜４６７が下地絶縁膜４０１側に形成される。絶縁膜４６７は補強材４６１を含む樹脂膜であり、機能回路３０２の封止膜としても機能する。
【０１５４】
次に、フィルム４７０に支持されている積層物を個々の機能回路３０２に切り分ける。この工程は、ダイシング、スクライブなどの処理で行うことができる。ここでは、レーザビームを用いたスクライブを行うこととする。ＵＶレーザビームを絶縁膜４６７側から照射することでフィルム４７０に支持されている積層物に溝を形成する。溝を形成することで、図１７に示すように、フィルム４７０に支持されている複数の機能回路３０２が形成される。フィルム４７０から機能回路３０２を分離するには、フィルム４７０を加熱し、その粘着力を低下させればよい。
【０１５５】
次に、機能回路３０２にアンテナ３０１を電気的に接続する。ここでは、アンテナ３０１に、ポリエステルなどの樹脂でなるフィルム５００と、フィルム５００上に形成された導電膜５０１とを含むフィルムアンテナを用いる。フィルム５００には、柔軟性があり、絶縁材料でなるフィルムを適用することが好ましい。それは、機能回路３０２は、電子素子が樹脂でなる絶縁膜４６５および絶縁膜４６７で封止された構造であるため、柔軟性があり、曲げることが可能であり、アンテナ３０１にも曲げることが可能なフィルムアンテナを用いることで、電子装置３００も柔軟性のある装置とすることができるからである。
【０１５６】
例えば、フィルム５００として、ポリエステルフィルム、ポリカーボネートフィルム、アクリルフィルム、およびポリイミドフィルムなどの樹脂フィルムが挙げられる。導電膜５０１は、アンテナ本体を構成する部分と、機能回路３０２との電気的な接続部である端子部を有する。導電膜５０１は、この端子部を除いて、表面が樹脂などの絶縁材料でなる層に覆われている。
【０１５７】
図１８Ａに示すように、アンテナ３０１の導電膜５０１と機能回路３０２の端子部４５０（突起４５２）とを電気的に接続する。ここでは、導電性ペーストから形成された導電体５１０により、導電膜５０１と突起４５２とを電気的に接続する。もちろん、導電膜５０１と突起４５２とを接続する手段は、導電性ペーストに限定されない。導電膜５０１および突起４５２の構造（形状、材料、作製方法など）などを考慮して、実施者がその手段を選択することができる。例えば、異方性導電膜やソルダーペーストで導電体５１０を形成することも可能である。
【０１５８】
導電膜５０１の構造（形状、大きさなど）は、電子装置３００で送受信する搬送波の周波数帯域や、その通信距離等に適切な形状とすればよい。図１８Ｂ−図１８Ｄを参照して、アンテナ３０１（導電膜５０１）の３つの構成例を説明する。
【０１５９】
例えば、周波数帯域が１２５乃至１３５ｋＨｚ帯、および１３．５６ＭＨｚ帯の場合は、アンテナ３０１にはループアンテナ、コイルアンテナ、およびスパイラルアンテナを用いればよい。図１８Ｂに、ループアンテナがアンテナ３０１に適用された電子装置３００の平面図を示す。また、図１８Ｃおよび図１８Ｄに、ＵＨＦ帯（８６０−９６０ＭＨｚ帯）、および２．４５ＧＨｚ帯で利用される電子装置３００の構成例を示す。図１８Ｃの電子装置３００のアンテナ３０１はダイポールアンテナであり、図１８Ｄの電子装置３００のアンテナ３０１はパッチアンテナである。
【０１６０】
また、本実施の形態の電子装置３００を紙にすき込む、あるいは２枚のプラスチック基板の間に挟むことでＩＣカードを作製することが可能である。また、図１８Ａの電子装置３００を紙にすき込み、この紙を用いて、紙幣、有価証券類、無記名債券類、証書を作製することができる。電子装置３００を組み込むことで、これら証書等に認証機能を持たせることができ、偽造防止効果が得られる。
【０１６１】
また、電子装置３００を様々な物品、物体に固定することで使用してもよい。電子装置３００を物品、物体に固定する方法には、物品、物体に埋め込む、その表面に貼り付ける、などの方法がある。本実施の形態の電子装置３００は柔軟性があるため、取り付ける物体の外観を損なうことが少なく、また、湾曲した面に取り付けることもできる。電子装置３００を固定する物品、物体としては、例えば、包装用容器類（包装紙、ボトルなど）、記録媒体（ブルーレイディスク、ＤＶＤ、ＵＳＢメモリなど）、服飾品（鞄、眼鏡、衣服など）、食品類、植物類、動物類（家畜、ペットなど）、生活用品類、商品や荷物の荷札やラベル、などが挙げられる。これらの物品、物体に電子装置３００を取り付けることにより、検品や、物流の管理、物品の履歴管理などをシステム化することが容易になる。
【０１６２】
例えば、商品の荷札や値札に電子装置３００を取り付け、電子装置３００に記録された情報を、ベルトコンベヤの脇に設けられたリーダライタで読み取り、製造過程、流通過程および納入先などの情報を得ることで、商品の検品や在庫管理などを効率良く行うことができる。
【０１６３】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０１６４】
（実施の形態４）
実施の形態３の電子装置３００の作製方法は、突起４５２を覆う絶縁膜４６５に開口４６６を形成する工程を行った後、ガラス基板４００を機能回路３０２から分離する工程を行っている（図１５Ａ、図１５Ｂ参照）。本実施の形態では、これらの工程の順序を逆にした電子装置３００の作製方法の一例を説明する。説明には、図１９Ａ−図２１Ｂを参照する。
【０１６５】
まず、図１４Ｃの工程までを行う。次に、図１９Ａに示すように、絶縁膜４６５側に熱剥離型粘着フィルム４７１を貼り付ける。そして、下地絶縁膜４０１上に形成されている積層物をガラス基板４００から分離する。この工程は図１５Ｂの工程と同様に行うことができる。次に、図１９Ｂに示すように、下地絶縁膜４０１を保護するための絶縁膜４６７を形成する。この工程は、図１６Ｂの工程と同様に行うことができる。
【０１６６】
次に、熱剥離型粘着フィルム４７１を加熱して、剥離する。そして、絶縁膜４６７側に別の熱剥離型粘着フィルム４７２（以下、「フィルム４７２」と呼ぶ。）を貼り付ける。絶縁膜４６５全体の厚さを薄くして、図２０Ａに示すように、領域４６４に開口４６６を形成する。この工程は、図１５Ａの工程と同様に行うことができる。
【０１６７】
次に、フィルム４７２に支持されている積層物を個々の機能回路３０２に切り分ける。この工程は、図１７Ａの工程と同様に、ダイシング、スクライブなどの処理で行うことができる。ここでは、レーザビームを用いたスクライブを行うこととする。ＵＶレーザビームを絶縁膜４６５側から照射することでフィルム４７２に支持されている積層物に溝を形成する。その結果、図２０Ａに示すように、フィルム４７２に支持されている複数の機能回路３０２が形成される。
【０１６８】
そして、フィルム４７２を加熱して、フィルム４７２から機能回路３０２を分離し、機能回路３０２にアンテナ３０１を電気的に接続し、電子装置３００を完成させる（図２１Ｂ参照）。アンテナ３０１との接続は、図１８Ａの工程と同様に行うことができる。
【０１６９】
また、図２０Ｂの工程では、フィルム４７２の代わりに、ガラス基板および石英基板などの剛体でなる基板を支持基板に使用してもよい。開口４６６を形成した後、この支持基板を分離し、絶縁膜４６５側または絶縁膜４６７側に熱剥離型粘着フィルムを貼り付けて、図２１Ａ、図２１Ｂの工程を行い、電子装置３００を完成させることもできる。
【０１７０】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【符号の説明】
【０１７１】
１００ 基板
１０１ 絶縁膜
１０２ 絶縁膜
１０３ 絶縁膜
１０４ 絶縁膜
１１０ 電子素子
１１１ 半導体層
１１２ 導電膜
１１３ 導電膜
１１４ 導電膜
１２０ 突起
１２１ 導電体
１２５ 端子部
１３０ 未硬化のプリプレグ
１３１ 補強材
１３２ 未硬化の樹脂
１３３ 領域
１４０ 絶縁膜
１４２ 硬化された樹脂
１４３ 開口
１５１ 電子装置
１５２ 電子装置
１５３ 電子装置
１６０ 絶縁膜
１６１ 絶縁膜
【技術分野】
【０００１】
本明細書では、絶縁膜で覆われた導電体を含む端子構造について説明する。また、このような構造の端子を備えた電子装置について説明する。
【背景技術】
【０００２】
ガラス繊維、ガラスフィラーなどの補強材を含んだプリプレグを硬化することで形成された樹脂層が、プリント配線や電子装置などの支持体、絶縁膜、および保護材などに適用されている（例えば、特許文献１−４参照）。また、配線の多層化のため、外部との電気的な接続部を形成するために、プリプレグからなる樹脂層には、この層を貫通する開口が設けられている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、プリント配線基板の絶縁層をプリプレグで形成し、この絶縁層にレーザー加工、ドリル加工、および抜き打ち加工で開口を形成することが記載されている。
【０００４】
また、特許文献２、３には、硬化されたプリプレグで封止された電子装置に接続端子を形成するために、レーザビームを照射する工程、あるいはフォトリソグラフィー工程を適用することで、硬化されたプリプレグに開口を形成することが記載されている。
【０００５】
また、特許文献４には、プリプレグで電子部品の支持体を形成すること、および、電子部品と同部品に電気的に接続する導電体とを埋め込んだ樹脂層を形成し、この樹脂層の表面を研削することで、導電体を露出させることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−０９１８２２号公報
【特許文献２】特開２００８−２５７７１０号公報
【特許文献３】特開２００８−２６２５４７号公報
【特許文献４】特開２００２−２９０００６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
補強材を含んだプリプレグを用いることで、補強材を含んだ樹脂膜で電子素子を封止することができるので、電子素子の強度を向上させることができる。その反面、電子素子の取り出し端子を封止膜から露出させるために封止膜に開口を形成する場合には、樹脂膜と共に補強材をも除去する必要がある。樹脂膜に開口を形成するには、この補強材は厄介である。
【０００８】
特許文献１に記載されているように、プリプレグから形成された樹脂膜に開口を形成するには、ドリル加工、パンチング加工、レーザビームによる加工が用いられている。電子素子を封止している樹脂膜に開口を形成するには、電子素子を損傷させないようにするため、ドリル加工やパンチング加工は不向きであり、レーザビームによる加工が採用されている。
【０００９】
しかしながら、レーザビームによる開口工程は時間を要する工程であり、また樹脂層と補強材双方が除去されているかの判断が難しく、熟練を要する工程である。そのため、加工者の習熟度により、樹脂層および／または補強材の除去不足や、開口によって露出される領域の面積のばらつきが生じやすい。このため、開口を経て電気的に接続されている２つの導電体の接続抵抗値がばらつき、設計値通りの電気的特性を備えた電気素子を作製することを困難にしている。
【００１０】
また、レーザビームによる開口工程は、ドリル加工やパンチング工程と比較し、電子素子への機械的な衝撃は小さいが、レーザビームのエネルギーによって電子素子の性能を劣化させる可能性を完全に排除することができない。本願の発明者らの研究において、寸法の小さな電子素子、および駆動電圧値が低い高性能な電子素子については、封止層の開口工程でのレーザビームの照射が原因と考えられる電子素子の特性劣化が、発見されることがあった。
【００１１】
本明細書の技術的課題の１つは、補強材を含むプリプレグを硬化することで形成された絶縁膜を含む端子構造の信頼性を向上することである。
【００１２】
また、他の１つの技術的課題は、補強材を含むプリプレグを硬化することで形成された絶縁膜に、レーザビームの照射以外の手段で、開口を精度良く形成する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一態様に係る端子構造は、第１の導電体と、第１の導電体を覆い、補強材を含む樹脂膜と、樹脂膜の第１の導電体に重なる領域に形成され、かつ補強材が存在している開口と、開口において第１の導電体に接している第２の導電体とを有する。
【００１４】
また、本発明の一態様に係る電子装置は、絶縁膜と、絶縁膜に覆われている１または複数の電子素子と、絶縁膜上に形成され、電子素子の少なくとも１つに電気的に接続される導電体と、第１の絶縁膜および導電体を覆っており補強材を含む樹脂膜と、樹脂膜の導電体に重なる領域に形成され、かつ補強材が存在している開口とを有する。本態様では、電子素子に電気的に接続されている導電体を導通領域として、アンテナ、配線基板、集積回路などの他の電子装置と電気的に接続することが可能である。
【００１５】
また、この態様に係る電子装置には、開口において導電体に密着している他の導電体を設けることができる。
【００１６】
また、開口が形成される膜として、補強材を含まない樹脂膜を適用することができる。
【００１７】
本発明の一態様に係る電子装置は、第１の絶縁膜上に形成されている複数の電子素子を含む回路と、複数の電子素子を覆う第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上に形成され、電子素子の少なくとも１つに電気的に接続されている第１の導電体と、第１の補強材を含み、第２の絶縁膜および第１の導電体を覆う第１の樹脂膜と、第１の樹脂膜の第１の導電体に重なる領域に形成され、かつ第１の補強材が存在している開口と、開口において、第１の導電体に接する第２の導電体と、第２の補強材を含み、複数の電子素子の第１の絶縁膜側を覆う第２の樹脂膜とを有する電子装置である。例えば、第２の導電体には、アンテナを電気的に接続することができる。
【００１８】
本発明の一態様に係る端子構造の作製方法は、絶縁表面に凸部を有する導電体を形成することと、絶縁表面および導電体の表面に補強材を含むプリプレグを密着させて、プリプレグにおいて、導電体に密着している領域にプリプレグの厚さが他の領域よりも薄い部分を形成することと、絶縁表面および導電体の表面に密着されたプリプレグを硬化して、補強材を含む絶縁膜を形成することと、補強材を除去せずに絶縁膜を薄くして、第１の導電体に重なる開口を絶縁膜に形成することと、開口において第１の導電体に接している第２の導電体を形成することと、を有する。
【００１９】
上記態様では、レーザビームの照射以外の手段で、補強材を含むプリプレグを硬化することで形成された絶縁膜に、開口を精度良く、また容易に形成することが可能である。それは、この態様では、開口が形成される位置は、凸部を有する導電体を形成する位置によりセルフアライン的に決定することができるからである。また、開口が形成される位置の精度は、凸部を有する導電体を形成する位置の精度で確保することができるからであり、また、開口の形状やその大きさは、この導電体の高さや形状で制御することができるからである。よって、開口を形成する工程では、レーザビームの照射位置を決定するような精度の高い位置合わせを行う必要がない。
【００２０】
また、この態様において、補強材を含まない未硬化の樹脂膜を硬化させることで絶縁膜を形成することも可能である。この場合でも、上述の効果を得ることができる。
【００２１】
本発明の一態様に係る電子装置の作製方法は、電子素子の少なくとも１つに電気的に接続されている凸部を有する導電体を第１の絶縁膜上に形成することと、第１の絶縁膜の上面および導電体の表面に補強材を含むプリプレグを密着させて、プリプレグにおいて、導電体に密着している領域にプリプレグの厚さが他の領域よりも薄い部分を形成することと、第１の絶縁膜の上面および導電体の表面に密着されたプリプレグを硬化して、補強材を含む第２の絶縁膜を形成することと、補強材を除去せずに第２の絶縁膜を薄くして、導電体に重なる開口を第２の絶縁膜に形成することを有する。
【００２２】
よって、上記態様に係る電子装置の作製方法においても、上述したように、補強材を含むプリプレグを硬化することで形成された絶縁膜に、レーザビームの照射以外の手段で、精度良く、また容易に開口を形成することが可能である。
【００２３】
また、上記態様に係る作製方法において、補強材を含む絶縁膜を薄くする工程で、導電体の一部が除去されてもよい。また、エッチングによりこの絶縁膜を薄くすることで、この絶縁膜に開口を形成することができる。
【００２４】
また、上記態様に係る作製方法に、導電体に電気的に接続されている他の導電体を形成する工程を付加することができる。
【００２５】
また、上記態様に係る作製方法において、電子素子がその作製時に使用された基板に設けられている場合、この基板を分離する工程を行ってもよい。例えば、この工程は、第２の絶縁膜を形成して、電子素子がこの第２の絶縁膜で封止された状態で行うことが好ましい。この場合、基板の分離は第２の絶縁膜に開口を形成する前に行ってもよいし、または、開口を形成した後に行ってもよい。
【発明の効果】
【００２６】
補強材を含む樹脂膜に形成されている開口に補強材を存在させることで、端子、および電子装置の強度を高めることができる。
【００２７】
また、補強材を含む絶縁膜（硬化されたプリプレグ）に開口を形成する位置の精度は、凸部を有する導電体を形成する位置の精度によりセルフアライン的に確保され、また、開口の形状やその大きさは、この導電体の高さや形状で制御することができる。したがって、レーザビームの照射以外の手段で、補強材を含む絶縁膜に開口を精度良く、また容易に形成することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】Ａ−Ｄ：本発明の一態様に係る電子装置の作製方法の一例を説明する断面図。
【図２】Ａ−Ｃ：図１Ｄに続く工程の一例を説明する断面図。
【図３】Ａ、Ｂ：図２Ｃに続く工程の一例を説明する断面図。
【図４】Ａ−Ｃ：図３Ａに続く工程の一例を説明する断面図。
【図５】Ａ−Ｃ：図３Ａに続く工程の一例を説明する断面図。
【図６】Ａ：図１Ｄのプリプレグに適用されるシート状繊維体の構成の一例を説明する平面図。Ｂ：切断線Ａ１−Ａ２に沿った図６Ａの断面図。
【図７】図１Ｄのプリプレグに適用されるシート状繊維体の構成の一例を説明する平面図。
【図８】図１Ｄのプリプレグに適用されるシート状繊維体の構成の一例を説明する平面図。
【図９】本発明の一態様に係る電子装置の構成例を説明するブロック図。
【図１０】本発明の一態様に係る電子装置の構成例を説明するブロック図。
【図１１】本発明の一態様に係る電子装置の構成例を説明するブロック図。
【図１２】Ａ−Ｄ：本発明の一態様に係る電子装置の作製方法の一例を説明する断面図。
【図１３】Ａ−Ｄ：図１２Ｄに続く工程の一例を説明する断面図。
【図１４】Ａ−Ｃ：図１３Ｄに続く工程の一例を説明する断面図。
【図１５】Ａ、Ｂ：図１４Ｃに続く工程の一例を説明する断面図。
【図１６】Ａ、Ｂ：図１５Ｂに続く工程の一例を説明する断面図。
【図１７】図１６Ｂに続く工程の一例を説明する断面図。
【図１８】Ａ：図１７に続く工程の一例を説明する断面図であり、電子装置の構成例を説明する断面図である。Ｂ−Ｄ：図１８Ａの電子装置の構成例を説明する平面図。
【図１９】Ａ、Ｂ：図１４Ｃに続く工程の他の構成例を説明する断面図。
【図２０】Ａ、Ｂ：図１９Ｂに続く工程の一例を説明する断面図。
【図２１】Ａ、Ｂ：図２０Ｂに続く工程の一例を説明する断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、図面を用いて、本明細書で開示される発明を実施するための形態を説明する。なお、本明細書で参照される図面において、異なる図面間で同じ符号が付されている構成要素は、同一の構成要素を表している。そのため、このような構成要素に関する説明は、重複するため、省略することがある。
【００３０】
また、本明細書で開示される発明の態様は、実施の形態の記載内容に限定されるものではなく、様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。つまり、本明細書で開示される発明は、実施の形態の記載内容に限定して解釈されるべきではない。
【００３１】
（実施の形態１）
本実施の形態では、硬化したプリプレグからなる樹脂膜または補強材を含む絶縁膜で覆われている端子構造とその作製方法について説明する。さらに、本実施の形態では、このような構造の端子を備えた電子装置およびその作製方法についても説明する。
【００３２】
本実施の形態の端子構造は、第１の導電体と、第１の導電体を覆い、補強材を含む樹脂膜と、樹脂膜の第１の導電体に重なる領域に形成され、かつ補強材が存在している開口と、開口において第１の導電体に接している第２の導電体とを有する。
【００３３】
この端子構造において、第１の導電体は、例えば、絶縁表面上に形成される。絶縁表面は、例えば、ＣＶＤ法やＰＶＤ法などの堆積法、酸化処理などで形成された絶縁膜、樹脂基板、樹脂フィルム、ガラス基板、石英基板などの絶縁物の表面が挙げられる。
【００３４】
本実施の形態の電子装置は、少なくとも１つの電子素子、この電子素子の少なくとも１つに電気的に接続される凸状または凸部を備えた第１の導電体、補強材を含み、電子素子および第１の導電体を覆う樹脂膜と、樹脂膜の第１の導電体に重なる領域に形成され、かつ補強材が存在している開口、および、開口において第１の導電体に電気的に接続されている第２の導電体を有している。
【００３５】
以下、図１Ａ乃至図５Ｃを参照して、本実施の形態の端子構造および電子装置の作製方法を説明し、合わせてこれらの構成について説明する。
【００３６】
図１Ａに示すように、絶縁膜１０１を介して、少なくとも１つ以上の電子素子１１０が作製されている基板１００を用意する。電子素子１１０については特段の制約はなく、種類、構造、個数および作製方法などを実施者が決定することができる。例えば、電子素子１１０の具体例として、トランジスタ、抵抗素子、整流素子、容量素子、記憶素子、光電変換素子、発光素子、センサ素子および配線基板などが挙げられる。
【００３７】
図１Ａには、電子素子１１０の一例としてＳＯＩ構造のトランジスタが図示され、図面が煩雑にならないように、トランジスタの数を１つにしている。図１Ａに示すように、絶縁膜１０１上には、トランジスタの半導体層１１１、そのゲート電極として機能する導電膜１１２、ならびにソース電極および／またはドレイン電極として機能する導電膜１１３が形成されている。ここでは、絶縁膜１０１は、トランジスタの下地絶縁膜として機能する膜である。半導体層１１１には、少なくともチャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域が形成されている。トランジスタの半導体層１１１は絶縁膜１０２に覆われ、絶縁膜１０２上に導電膜１１２が形成されている。ここでは、トランジスタのゲート絶縁膜は絶縁膜１０２で形成される。導電膜１１２は絶縁膜１０３に覆われており、絶縁膜１０３上に導電膜１１３が形成されている。
【００３８】
基板１００には、半導体基板、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、ステンレス基板、金属基板、などの基板を用いることができる。半導体基板としては、インゴットをスライスしたシリコンウエハ、絶縁膜を介して単結晶半導体層が基板上に形成されているＳＯＩ基板などを用いることができる。また、基板１００にインゴットをスライスしたシリコンウエハを適用した場合は、シリコンウエハ（基板１００）に半導体領域を含む電子素子１１０を作製することができる。
【００３９】
絶縁膜１０１−１０３は単層構造でも積層構造でもよい。絶縁膜１０１−１０３を構成する絶縁膜は、電子素子１１０の作製工程の条件、およびこれらの膜の機能を考慮して選択される。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化ゲルマニウム膜、窒化ゲルマニウム膜、酸化窒化ゲルマニウム膜、窒化酸化ゲルマニウム膜などのシリコンおよび／またはゲルマニウムを組成に含む絶縁膜を用いることができる。また、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ハフニウムなどの金属酸化物でなる絶縁膜、窒化アルミニウムなどの金属窒化物でなる絶縁膜、酸化窒化アルミニウムなどの金属酸化窒化物でなる絶縁膜、窒化酸化アルミニウムなどの金属窒化酸化物でなる絶縁膜を用いることもできる。また、アクリル、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテンなどの樹脂材料でなる樹脂膜を用いることもできる。なお、本明細書では、酸化窒化物とは、窒素よりも酸素の含有量が多い物質であり、窒化酸化物とは酸素よりも窒素の含有量が多い物質である。
【００４０】
これら絶縁膜の形成方法は、代表例は次の方法があり、ＰＥＣＶＤ（プラズマ励起ＣＶＤ）法・熱ＣＶＤ法などのＣＶＤ法（化学気相成長法）、スパッタ法・蒸着法などのＰＶＤ法（物理気相成長法）、ＡＬＤ法（原子層堆積法）、スピンコート法・液滴吐出法・ディップコート法などの液体状またはペースト状の材料から膜を形成する方法、ならびに、プラズマや熱などによる固相酸化処理および固相窒化処理などがある。
【００４１】
また、導電膜１１２、１１３は単層構造または積層構造でもよい。導電膜１１２、１１３を構成する膜には、例えば、タンタル、タングステン、チタン、モリブデン、アルミニウム、クロム、ニオブ、金、銀、銅、プラチナ等から選択された単体金属を主成分とする金属膜、合金膜、および金属化合物膜などがある。例えば、金属膜には、銅膜、純アルミニウム膜、およびＳｉ、Ｎｂなどを添加したアルミニウム膜がある。合金膜には、アルミニウム−銅合金膜、アルミニウム−ネオジム合金膜がある。金属化合物膜には、窒化チタン膜、窒化タングステン膜などの金属窒化物膜、ニッケルシリサイド膜、コバルトシリサイド膜などのシリサイド膜がある。これらの導電膜は、スパッタ法・蒸着法などのＰＶＤ法、印刷法・液滴吐出法・ディップコート法などの液体状またはペースト状の材料から膜を形成する方法、ハンダ法、ならびに、メッキ法などで形成することができる。
【００４２】
次に、図１Ｂに示すように、電子素子１１０を覆って、絶縁膜１０４を形成し、絶縁膜１０４上に、電子素子１１０の導電膜１１３に電気的に接続される導電膜１１４を形成する。導電膜１１４は、電子素子１１０に絶縁膜１０４上に形成される導電性の突起を電気的に接続するために形成され、電子装置に含まれる電子素子１１０の接続部を構成する。よって、導電膜１１４は少なくとも１つの電子素子１１０に電気的に接続されている。
【００４３】
絶縁膜１０４は、絶縁膜１０１−１０３と同様に形成することができる。例えば、絶縁膜１０４を窒化酸化シリコン膜と樹脂膜でなる２層構造とする場合、次のように開口を有する絶縁膜１０４を形成することができる。まず、ＰＥＣＶＤ装置でソースガスにＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３およびＨ２を用いて、厚さ５０ｎｍ−３００ｎｍ程度の窒化酸化シリコン膜を絶縁膜１０３上に形成する。次いで、印刷法により、未硬化の感光性のエポキシ−フェノール系樹脂材料でなる膜を窒化酸化シリコン膜上に形成する。次いで、適切な波長の光を未硬化の樹脂膜に照射することで、樹脂膜を硬化させ、厚さ１−３０μｍ程度の樹脂膜を形成する。このとき、導電膜１１３と導電膜１１４との導通領域となる部分を硬化させない。次いで、１層目の窒化酸化シリコン膜をエッチングして、開口を有する絶縁膜１０４が完成する。
【００４４】
次に、絶縁膜１０４上に導電膜１１４を形成する。導電膜１１４は導電膜１１２、１１３と同様に形成することができる。例えば、スパッタ法などによりチタン膜を形成し、このチタン膜をエッチングして導電膜１１４を形成する。
【００４５】
次に、図１Ｃに示すように絶縁膜１０４（絶縁表面）上に、導電体でなる突起１２０を形成する。導電体でなる突起１２０はバンプ（ｂｕｍｐ）と呼ばれることもあり、凸部を有する導電体ということもできる。導電体でなる突起１２０（以下、「突起１２０」と呼ぶ。）は、電子装置に含まれる少なくとも１つの電子素子１１０に電気的に接続される。本実施の形態では、突起１２０を導電膜１１４に密接して形成することで、突起１２０を電子素子１１０に電気的に接続している。また、導電膜１１４を形成せずに、突起１２０を導電膜１１３に接して形成することもできる。
【００４６】
突起１２０は、導電性微粒子、導電性粉末を含む導電性ペースト、または、導電性微粒子、導電性粉末を含む導電性液体のような流動性を有する導電性材料で形成することが好ましい。なぜなら、このような導電性材料を用いることで、液滴吐出法（インクジェット法、ディスペンス法などの方法が含まれる。）、スクリーン印刷法などの印刷法などにより、突起１２０を形成することが可能である。これらの方法は、ＣＶＤ装置、スパッタ装置のような複雑な成膜装置での成膜工程、およびフォトマスクを形成するための露光工程を行うことなく、必要な箇所に凸状の導電体を形成することが可能であるとの利点がある。
【００４７】
導電性ペーストおよび導電性液体は、導電性微粒子、導電性粉末が分散された材料、またはこれらが溶解している導電性材料である。例えば、導電性液体に含まれる導電性粉体または導電性微粒子の材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｂなどの金属、これらの金属材料の合金（例えば、Ａｇ−Ｐｄ）、酸化インジウム、酸化亜鉛などの導電性酸化物材料などが挙げられる。また、導電性粉体、または導電性微粒子を溶解させるまたは分散させるための媒質（溶媒、分散媒）としては、例えば、光硬化性樹脂、および熱硬化性樹脂の前駆体材料が挙げられる。紫外線硬化性樹脂としてはアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂が挙げられる。また、熱硬化性樹脂としてはポリイミド系樹脂が挙げられる。
【００４８】
また、ソルダーペーストで突起１２０を形成することもできる。
【００４９】
ここでは、市販の銀ペーストにより突起１２０を形成する。印刷法により突起１２０を形成する領域に、銀ペーストを凸状に形成する。そして、オーブンにおいて銀ペーストを焼成し、銀を含む突起１２０を形成する。突起１２０は、絶縁膜１０４上面のどの箇所よりも突出させる。
【００５０】
次に、補強材１３１を含む未硬化（完全に硬化していない）のプリプレグ１３０を準備し、未硬化のプリプレグ１３０（以下、「プリプレグ１３０」と呼ぶ。）を絶縁膜１０４および突起１２０表面に密着する。この状態でプリプレグ１３０を硬化し、補強材１３１を含む絶縁膜１４０で絶縁膜１０４および突起１２０の表面を覆う（図１Ｄ−図２Ｂ参照）。絶縁膜１４０は電子素子１１０（電子装置）の封止膜として機能する。
【００５１】
図１Ｄに示すように、未硬化のプリプレグ１３０は補強材１３１を含む未硬化の樹脂１３２でなる。なお、補強材１３１を含まない未硬化の樹脂膜を用いることができる。補強材１３１を含むプリプレグ１３０を用いる方が、端子構造および電子装置を補強できるため好ましい。
【００５２】
未硬化の樹脂１３２（以下、「樹脂１３２」と呼ぶ。）の樹脂材料として、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、またはシアネート樹脂等の熱硬化性樹脂材料を用いることができる。また、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、またはフッ素樹脂等の熱可塑性樹脂材料を用いることができる。例えば、ポリイミド樹脂材料でなる樹脂１３２であれば、これを硬化することによりポリイミド樹脂でなる樹脂層が形成される。なお、未硬化の樹脂１３２に適用される樹脂材料は１つに限定されるものではなく、複数の樹脂材料を適用することができる。
【００５３】
なお、本明細書において、未硬化の樹脂層、および未硬化のプリプレグとは、硬化していない状態、および完全に硬化していない状態の両方の状態を含む。後者の状態は、半硬化と呼ばれることがある。
【００５４】
プリプレグ１３０に適用される補強材１３１には、繊維、シート状の繊維体（繊維シートと呼ぶこともできる。）、およびフィラーなどがある。シート状繊維体とは繊維でなるシート状物体であり、例えば、織布、および不織布が該当する。シート状繊維体に適用される織布の織り方に特段の制限はなく、シート状繊維体として、例えば、平織り、綾織り、繻子織りなどの織布を適用することができる。
【００５５】
補強材１３１に適用される繊維としては、高強度繊維が好ましい。高強度繊維とは、具体的には引張弾性率が高い繊維である。または、ヤング率が高い繊維である。高強度繊維として、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、および炭素繊維などが挙げられる。ガラス繊維材料として、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラスなどが挙げられる。例えば、ガラス繊維でなる織布はガラスクロスと呼ばれている。
【００５６】
補強材１３１に適用される糸束について（断面形状、加工方法など）、特段の制限はない。その断面の形状は、円形でも、楕円形でも、平板状でもよい。開繊加工された糸束でなるシート状繊維体を補強材１３１に用いることが好ましい。なぜなら、開繊加工された糸束は、糸束幅が広くなり、厚み方向の単糸数が少なくなるため、容易に糸束の断面を扁平にすることができるからである。糸束の断面を扁平にすることで、シート状繊維体が薄くなるので補強材１３１が薄くなり、その結果、未硬化のプリプレグ１３０も薄くすることができるからである。
【００５７】
樹脂１３２が熱硬化性樹脂材料である場合、プリプレグ１３０を絶縁膜１０４および突起１２０表面に密着させる工程、およびプリプレグ１３０を硬化する工程は、真空熱プレス機で行うことができる。図１Ｄに示すように、プリプレグ１３０を絶縁膜１０４側に置き、真空熱プレス機でプリプレグ１３０と基板１００をプレスし、図２Ａに示すように、プリプレグ１３０を絶縁膜１０４および突起１２０表面に密着させる。そして、真空プレス機でプレスした状態で、プリプレグ１３０を加熱することで硬化（固体化）する。その結果、図２Ｂに示すように、補強材１３１を含む絶縁膜１４０を形成する。絶縁膜１４０において、樹脂１４２は硬化した樹脂１３２に対応する。よって、絶縁膜１４０は補強材１３１を含む樹脂膜ということもできる。
【００５８】
また、樹脂１３２が光硬化性樹脂である場合は、真空プレス機（または真空熱プレス機）で、プリプレグ１３０と基板１００とをプレスすることで、図２Ａのようにプリプレグ１３０を絶縁膜１０４と突起１２０に密着させた後、光を照射してプリプレグ１３０を硬化すればよい。
【００５９】
本実施の形態では、プリプレグ１３０を絶縁膜１０４に貼り付ける工程（図２Ａの工程）において、プリプレグ１３０の突起１２０を覆う領域が他の領域よりも薄い部分を含むように、絶縁膜１０４の上面および突起１２０の表面にプリプレグ１３０を密着させる。図２Ａを参照して、このことを説明する。
【００６０】
プリプレグ１３０において、突起１２０に密着している領域（点線で囲んだ領域１３３）に、厚さが他の領域よりも薄い部分を形成する。突起１２０が絶縁膜１０４上面よりも突出しているので、プリプレグ１３０を絶縁膜１０４および突起１２０に密着させることで未硬化の樹脂１３２が突起１２０により延伸され、領域１３３において、プリプレグ１３０の厚さを他の領域よりも薄くすることができる。
【００６１】
プリプレグ１３０が突起１２０と接している領域１３３が他の領域（絶縁膜１０４と接している領域）よりも薄い部分を含むように、プリプレグ１３０の貼り付けを生産性良く行うためには、突起１２０が絶縁膜１０４上面から突出している高さＨ（厚さＨ）が、貼り付け工程前のプリプレグ１３０の厚さＴの半分以上であることが好ましい（図１Ｄ参照。）。つまり、Ｈ≧Ｔ／２であることが好ましい。
【００６２】
次に、図２Ｃに示すように、絶縁膜１４０全体を薄くして、絶縁膜１４０の領域１３３に開口１４３を形成する。開口１４３の形成は、例えば、絶縁膜１４０全体をエッチングすることで行うことができる。また、エッチングは、ドライエッチングのような異方性エッチングが好ましい。なぜなら、異方性エッチングは、垂直方向のエッチング速度が水平方向のエッチング速度よりも速いからである。図２Ｂの構造では、領域１３３において、突起１２０の上部を覆っている樹脂１４２は他の部分よりも薄い。よって、絶縁膜１４０に対して異方性エッチングを行うことで、先ずこの部分の樹脂１４２が除去されるため、他の領域に存在する樹脂１４２がエッチングされる量を少なくできる。このように、異方性エッチングを適用することで、等方性エッチングよりもエッチング時間の許容範囲が広くなるので、封止膜または保護膜としての絶縁膜１４０の機能の確保が容易である。
【００６３】
なお、ウエットエッチングのような等方性エッチングは、水平方向と垂直方向でエッチングが等方的に進行するので、等方性エッチングで開口１４３を形成する場合は、エッチング終了時点で、絶縁膜１４０が封止膜または保護膜として機能できる程度に、樹脂１４２が残るようにすればよい。そのためには、例えば、使用するプリプレグ１３０を厚くする、領域１３３の上部に存在する樹脂１４２と、他の領域に存在する樹脂１４２の厚さの差を大きくするとよい。
【００６４】
また、突起１２０としては、開口１４３を形成する領域（領域１３３）に凸部が存在している導電体を設けることもできる。このように一部に凸部を備えた導電体には、電子装置の端子を構成する部分と、電極や配線を構成する部分を含ませることができる。
【００６５】
また、この工程は、絶縁膜１４０の樹脂１４２を除去し、補強材１３１を除去しないエッチング処理で行うことが好ましい。なぜなら、突起１２０上方に補強材１３１が存在することで、電子装置の端子部の強度を高めることができるからである。このようなエッチング処理として、例えば、酸素ガスなどをエッチングガスに用いたエッチング（アッシング）処理が挙げられる。
【００６６】
絶縁膜１４０の薄膜化は、領域１３３に存在する樹脂１４２が全て除去されるまで行う必要はない。図２Ｃに示すように、基板１００に形成されている全ての突起１２０に対して、開口１４３が形成されていればよい。
【００６７】
また、この工程をエッチングで行う場合、樹脂１４２と共に、突起１２０が除去されてもよい。この場合、図１Ｃの工程では、エッチングで除去される突起１２０の厚さを考慮して、突起１２０の厚さ（高さＨ）を決定すればよい。突起１２０の高さＨを高くすることで、エッチング処理時間の調節が容易になり、エッチング処理のばらつきを抑えることができる。また、絶縁膜１４０を除去する厚さにより、絶縁膜１４０に形成される開口１４３の大きさを調節することができる。
【００６８】
したがって、レーザビームを使用して開口１４３を形成する工程よりも、本実施の形態では、開口１４３の面積のばらつきが抑えられる。その結果、電子装置の電気的特性のばらつきが抑えられ、電子装置自体の信頼性を高くすることができる。
【００６９】
よって、図１Ｃの工程で突起１２０を高く形成するほど、同一基板１００上に形成される複数の開口１４３の面積がばらつく許容範囲を広くすることができる。基板寸法が大きいほど、同一基板１００上に形成される絶縁膜１４０の開口１４３の面積がばらつきやすいため、突起１２０を高くすることは有効である。また、絶縁膜１４０に複数の開口１４３をより確実に形成するには、絶縁膜１４０を除去する厚さを大きくするとよい。または、突起１２０を高くし、かつ絶縁膜１４０の除去量を大きくしてもよい。
【００７０】
本実施の形態の開口１４３の形成は、開口１４３を形成したい領域１３３に、絶縁膜１４０の厚さが他の領域よりも薄い部分を形成し、そして、絶縁膜１４０全体を薄膜化することで行うため、突起１２０が存在している部分に開口１４３を選択的に容易に形成することができる。つまり、絶縁膜１４０に開口１４３が形成される位置は突起１２０の位置によりセルフアライン的に決定される。よって、このエッチング処理を行うために、フォトレジストマスクを形成する露光工程は不要である。また、開口１４３を形成するためのアライメント精度は、突起１２０を形成する工程でのアライメント精度により担保されている。したがって、本実施の形態の開口１４３の形成工程は、レーザビームを使用する工程よりも作業者の習熟度が要求されない。
【００７１】
次に、図３Ａに示すように、開口１４３において突起１２０に電気的に導通する導電体１２１を形成する。導電体１２１の形成は、図１Ｃの突起１２０と同様に、導電性微粒子、導電性粉末を含む導電性ペースト、または導電性微粒子、導電性粉末を含む導電性の液体のような流動性を有する導電性材料で形成することができる。液滴吐出法（インクジェット法、ディスペンス法などの方法が含まれる。）、スクリーン印刷法などの印刷法などにより、このような導電性材料を開口１４３および絶縁膜１４０上に所定の形状に設ける。導電性材料は補強材１３１の隙間を通過するので、突起１２０に接触した状態で導電性材料を開口１４３に設けることができる。そして、加熱処理、または光照射などの適切な方法により導電性材料を硬化（固体化）することで導電体１２１を形成することができる。
【００７２】
以上により、電子装置において、突起１２０および導電体１２１でなる端子部１２５が形成される。また、導電体１２１は、電子装置の端子部１２５を構成する部分だけでなく、配線や他の電極となる部分を含んでいてもよい。
【００７３】
なお、導電体１２１を形成せずに、突起１２０により、他の電子装置と電気的に接続することができる場合は、導電体１２１を形成しなくともよい。
【００７４】
図３Ａに示す工程を完了し、次いで、基板１００を切断して、基板１００上に形成されている積層物を個々の電子装置１５１に分割する（図３Ｂ参照）。この工程は、ダイシング、スクライブなどの処理で行うことができる。基板１００を切断する前に、研削処理または研磨処理などにより基板１００を薄くしてもよい。
【００７５】
図３Ｂに示すように、電子装置１５１は、絶縁膜１０４に覆われた少なくとも１つの電子素子１１０と、絶縁膜１０４上に形成され、電子素子１１０の少なくとも１つに電気的に接続されている導電体でなる突起１２０と、突起１２０および絶縁膜１０４を覆う補強材１３１を含む絶縁膜１４０を有する。絶縁膜１４０は電子装置１５１の端子部１２５側の封止膜を構成する。さらに、絶縁膜１４０には突起１２０が存在している部分に開口１４３が形成されている。導電体１２１は、開口１４３において突起１２０に電気的に接続され、また他の電子装置と電気的に接続可能な構造になっている。このように、電子装置１５１は、導電体１２１を介して他の電子装置（集積回路、配線回路、アンテナなど）と電気的に接続可能な構造を有している。
【００７６】
本実施の形態の端子部１２５の作製方法では、端子部１２５にも補強材１３１を存在させることができるので、レーザビームによる開口形成工程を経て作製された装置よりも、電子装置１５１の強度を向上させことができる。
【００７７】
また、図４Ａに示すように、基板１００を切断する前に、基板１００側にも補強材１３１を有するプリプレグ１３０を貼り付けてもよい。そして、プリプレグ１３０を硬化し、図４Ｂに示すように、基板１００裏面側を覆う絶縁膜１６０を形成する。絶縁膜１６０は絶縁膜１４０と同様に、補強材１３１を含む樹脂１４２でなる。なお、絶縁膜１６０を、補強材１３１を含まない未硬化の樹脂膜を硬化することで形成することもできる。そして、図４Ｃに示すように、絶縁膜１４０および絶縁膜１６０で挟まれた積層物を切断して、個々の電子装置１５２に分割する。絶縁膜１６０は基板１００側の封止膜として機能する。電子装置１５２の構造は、基板１００の裏面に補強材１３１を含む絶縁膜１６０が存在している他は、図３Ｂの電子装置１５１と同様である。
【００７８】
また、図５Ａに示すように、電子素子１１０の作製のために使用した基板１００と電子素子１１０と分離してもよい。そして、絶縁膜１０１に補強材１３１を含むプリプレグ１３０を貼り付け、しかる後、このプリプレグを硬化して、絶縁膜１０１を覆う絶縁膜１６１を形成する。絶縁膜１６１は絶縁膜１４０と同様に、補強材１３１を含む樹脂１４２でなる。なお、絶縁膜１６１を、補強材１３１を含まないプリプレグから形成することもできる。
【００７９】
そして、図５Ｃに示すように、絶縁膜１４０および絶縁膜１６１で挟まれた積層物を切断して、個々の電子装置１５３に分割する。絶縁膜１６１は絶縁膜１０１側の封止層膜として機能する。
【００８０】
基板１００を分離する工程は、絶縁膜１４０に開口を形成する前に行うこともできる。この場合、図２Ｂの工程までを行い、基板１００を分離し、絶縁膜１６１を形成する。そして、図２Ｃに示すように、絶縁膜１４０に開口１４３を形成する。
【００８１】
電子装置１５３の構造は、基板１００が除去され、代わりに絶縁膜１０１に補強材１３１を含む絶縁膜１６１が存在している他は、図３Ｂの電子装置１５１と同様である。このように、基板１００を除去することで、撓めたり、または曲げたりすることが可能な電子装置１５３を作製することができる。
【００８２】
以上述べたように、本実施の形態では、補強材を含む絶縁膜（樹脂膜）に開口を形成する位置の精度は、凸部を有する導電体（または突起）を形成する位置の精度によりセルフアライン的に確保され、また、開口の形状やその大きさは、凸部を有する導電体（または突起）の高さや形状で制御することができる。したがって、本実施の形態を適用することで、補強材を含む絶縁膜に開口を形成することが、レーザビームを使用する場合よりも精度良く、格段に容易に行うことが可能である。その結果、端子構造および電子装置の信頼性を向上することができる。
【００８３】
なお、本実施の形態では、補強材を含むプリプレグから形成された絶縁膜に開口を形成する方法を説明したが、補強材を含まない絶縁膜に開口を形成する場合にも、本実施の形態を適用することができ、同様の効果を得ることができる。
【００８４】
また、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。
【００８５】
（実施の形態２）
本実施の形態では、図１Ｄに示すプリプレグ１３０の補強材１３１に適用可能なシート状繊維体について説明する。
【００８６】
［シート状繊維体の構成例１］
図６Ａは、シート状繊維体２５１の構成例を示す平面図であり、図６Ｂは、シート状繊維体２５１の構成例を示す断面図である。なお、図６Ｂは図６Ａを線Ａ１−Ａ２で切った断面図である。
【００８７】
図６Ａに示すようにシート状繊維体２５１は、一本の経糸２６１および一本の緯糸２６２を交互に交差させて織られた平織りの織布である。シート状繊維体２５１は、経糸２６１および緯糸２６２が存在しない領域であるバスケットホール２６３を有する。導電体１２１を形成するために設けた導電性材料がバスケットホール２６３を通過するため、導電体１２１と突起１２０を接触させることができる。
【００８８】
シート状繊維体２５１に適用される糸束（経糸２６１、緯糸２６２）について（断面形状、加工方法など）、特段の制限はない。その断面の形状は、円形でも、楕円形でも、平板状でもよい。開繊加工された糸束を経糸２６１および緯糸２６２に用いることが好ましい。なぜなら、開繊加工された糸束はその幅が広くなり、厚み方向の単糸数が少なくなるため、容易に糸束の断面を扁平にすることができるからである。例えば、図６Ｂに示すように、断面が扁平な経糸２６１、同様に断面が扁平な緯糸２６２で織られたシート状繊維体２５１はその厚さを薄くすることができる。
【００８９】
［シート状繊維体の構成例２］
硬化されたプリプレグの強度を高めるための１つの手段として、シート状繊維体のバスケットホールを小さくすることが挙げられる。図７にそのような構成例のシート状繊維体２５２の平面図を示す。図７に示すように、シート状繊維体２５２は、シート状繊維体２５１と同様に、一本の経糸２６１および一本の緯糸２６２を交互に交差させて織られた平織りの織布である。シート状繊維体２５２は、シート状繊維体２５１よりも経糸２６１と緯糸２６２の密度が高く、バスケットホール２６３が狭い。
【００９０】
［シート状繊維体の構成例３］
また、シート状繊維体に適用される織布は、平織りに限定されない。図８にこのようなシート状繊維体の構成例を示す。図８はシート状繊維体２５３の平面図である。図８に示すように、シート状繊維体２５３は１０本の経糸２６１と、１０本の緯糸２６２を交互に交差させて織られた織布である。
【００９１】
また、硬化されたプリプレグで電子装置をより効果的に保護するには、使用時に電子装置が局所的に押圧される面積よりも、シート状繊維体（２５１−２５３）のバスケットホール２６３が狭い方がよい。例えば、ペンや鉛筆などの筆記具などのような先端が細い器具で電子装置を押すことが必要な場合は、バスケットホール２６３の形状を一辺が０．０１ｍｍ以上０．２ｍｍ以下の四角形とすることが好ましい。
【００９２】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。
【００９３】
（実施の形態３）
本実施の形態では、電子装置の一例として、無線通信によりデータの送受信が可能な電子装置の構成、およびその作製方法を説明する。
【００９４】
図９は、本実施の形態に係る電子装置３００の構成例を説明するブロック図である。図９に示すように、電子装置３００は、アンテナ３０１および複数の電子素子を含む機能回路３０２を有する。アンテナ３０１は搬送波の授受を行う。アンテナ３０１には、通信を行う周波数帯域に適切な構造のものが選択される。機能回路３０２は、アンテナ３０１で受信された搬送波を処理する機能、および／またはアンテナ３０１から送信する搬送波を生成する機能を少なくとも有する。
【００９５】
搬送波とはキャリアとも呼ばれる交流波の信号である。無線通信においては、搬送波の周波数又は振幅を、情報を表す信号に応じて変化（変調という）させて変調波を生成し、この変調波の送受信によって、情報が伝達される。搬送波の変調方式にはいくつかの種類があり、搬送波の振幅の大小により情報を表す変調方式を振幅変調と呼び、搬送波の周波数の高低により情報を表す変調方式を周波数変調と呼ぶ。
【００９６】
電子装置３００の具体例として、非接触でデータの交信をおこなうＩＣチップ（無線チップとも呼ばれる。）が挙げられる。また、非接触で個体認識を行うＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ＩＤｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）タグが挙げられる。ＲＦＩＤタグは、ＲＦタグ、無線タグ、電子タグ、ＩＣタグとも呼ばれる。
【００９７】
図１０および図１１を参照して、ＩＣチップや、ＲＦＩＤタグに適用できる電子装置３００の構成例を説明する。図１０は、電子装置３００の構成の一例を示すブロック図であり、図１１は電子装置３００の構成の別の一例を示すブロック図である。
【００９８】
まず、図１０の電子装置３００の構成を説明する。図１０の電子装置３００において、機能の面から、機能回路３０２は電源部３１１とロジック回路部３１２と区分することができる。
【００９９】
電源部３１１は、電子装置３００に電力を供給するための装置である。そのため、例えば、電源部３１１は整流回路３２１、蓄電部３２２、および定電圧回路３２３を有する。整流回路３２１は、アンテナ３０１で受信された信号（搬送波）から直流電圧を生成する回路である。蓄電部３２２は、整流回路３２１で生成された直流電圧を保持するための回路であり、そのため、蓄電部３２２は例えば複数の容量素子を含む。定電圧回路３２３は、整流回路３２１で生成された電圧の値を一定にするための回路である。
【０１００】
ロジック回路部３１２は、アンテナ３０１で受信された信号（搬送波）からデータを取り出す、アンテナ３０１から送信するデータを表す搬送波を生成するなどの機能を有する。例えば、ロジック回路部３１２は、復調回路３３１、クロック生成・補正回路３３２、コード認識・判定回路３３３、メモリコントローラ３３４、記憶装置３３５、符号化回路３３６、および変調回路３３７を有する。
【０１０１】
復調回路３３１は、アンテナ３０１で受信された搬送波を復調する回路である。クロック生成・補正回路３３２は、復調回路３３１から出力された信号をもとに、クロック信号を生成し、そのクロック信号を補正する回路である。
【０１０２】
コード認識・判定回路３３３は、アンテナ３０１で受信された搬送波に含まれるコードを認識し、判定する。さらに、コード認識・判定回路３３３は、送信エラーを識別する巡回冗長検査（ＣＲＣ：ｃｙｃｌｉｃ ｒｅｄｕｎｄａｎｃｙ ｃｈｅｃｋ）機能を有する。コード認識・判定回路３３３で認識されるコードには、フレーム終了信号（ＥＯＦ：ｅｎｄ ｏｆ ｆｒａｍｅ）、フレーム開始信号（ＳＯＦ：ｓｔａｒｔ ｏｆ ｆｒａｍｅ）、フラグ、コマンドコード、マスク長（ｍａｓｋ ｌｅｎｇｔｈ）、マスク値（ｍａｓｋ ｖａｌｕｅ）等が挙げられる。
【０１０３】
メモリコントローラ３３４は、コード認識・判定回路３３３で認識されたコードをもとに、記憶装置３３５からデータを読み出すための信号を生成する。記憶装置３３５は、少なくとも読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）を含む。ＲＯＭとして、例えば、マスクＲＯＭ、ＰＲＯＭ等がある。また、記憶装置３３５はランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）のような書き換え可能な記憶回路を有してもよい。書き換え可能な記憶回路として、例えば、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、ＦｅＲＡＭ、ＥＥＰＲＯＭおよびフラッシュメモリ等を用いることができる。
【０１０４】
符号化回路３３６は、記憶装置３３５から読み出されたデータ等、電子装置３００から送信するための情報を符号化する。変調回路３３７は、符号化回路３３６で符号化された情報をもとに信号を変調して、アンテナ３０１から送信可能な搬送波を生成する。
【０１０５】
次に、図１１の電子装置３００の構成を説明する。この電子装置３００は、外部装置と無線通信を行って動作する演算処理装置として機能する。図１１の電子装置３００において、機能の面から、機能回路３０２は、アナログ回路部３４１、デジタル回路部３４２、および蓄電部３４３に区分することができる。
【０１０６】
アナログ回路部３４１は、共振容量を有する共振回路３５１、定電圧回路３５２、整流回路３５３、復調回路３５４、変調回路３５５、リセット回路３５６、発振回路３５７および電源管理回路３５８を有する。
【０１０７】
デジタル回路部３４２は、ＲＦインターフェース３６１、制御レジスタ３６２、クロックコントローラ３６３、ＣＰＵ（中央演算処理ユニット）３６４、ＣＰＵインターフェース３６５、ＲＡＭ３６６、ＲＯＭ３６７を有する。
【０１０８】
図１１の電子装置３００の動作の概要は以下の通りである。アンテナ３０１で受信された信号（搬送波）はアナログ回路部３４１に入力され、共振回路３５１では誘導起電力が生じる。誘導起電力は、整流回路３５３を経て蓄電部３４３に充電される。この蓄電部３４３はセラミックコンデンサや電気二重層コンデンサ等のキャパシタで形成することができる。
【０１０９】
リセット回路３５６は、デジタル回路部３４２をリセットし初期化する信号を生成する。例えば、電源電圧の上昇に遅延して立ち上がる信号がリセット信号として生成される。発振回路３５７は、定電圧回路３５２で生成される制御信号に応じて、クロック信号の周波数とデューティー比を変更する。復調回路３５４は、受信信号を復調する回路であり、変調回路３５５は、送信する情報を搬送波に含ませるために信号を変調する回路である。
【０１１０】
例えば、電子装置３００で処理される信号の変調方式が、振幅変調方式の１種であるＡＳＫ（Ａｍｐｌｉｔｕｄｅ Ｓｈｉｆｔ Ｋｅｙｉｎｇ）方式である場合、復調回路３５４をローパスフィルタで形成すればよい。復調回路３５４では、受信信号をその振幅の変動をもとに二値化する。他方、変調回路３５５では、共振回路３５１の共振点を変化させることで信号の振幅を変化させればよい。
【０１１１】
クロックコントローラ３６３は、電源電圧またはＣＰＵ３６４での消費電流に応じてクロック信号の周波数とデューティー比を変更するための制御信号を生成している。電源電圧の監視は電源管理回路３５８が行っている。
【０１１２】
アンテナ３０１で受信された信号は復調回路３５４で復調される。この復調された信号はＲＦインターフェース３６１で制御コマンドやデータ等に分解される。制御コマンドは制御レジスタ３６２に格納される。制御コマンドには、デジタル回路部３４２に含まれる回路への命令が含まれており、例えば、ＲＯＭ３６７からデータを読み出すための命令、ＲＡＭ３６６にデータを書き込むための命令、ＣＰＵ３６４での演算命令等が含まれている。
【０１１３】
ＣＰＵ３６４は、ＣＰＵインターフェース３６５を介してＲＯＭ３６７、ＲＡＭ３６６および制御レジスタ３６２にアクセスする。ＣＰＵインターフェース３６５は、ＣＰＵ３６４が要求するアドレスにしたがって、ＲＯＭ３６７、ＲＡＭ３６６および制御レジスタ３６２のいずれかにＣＰＵ３６４がアクセスするためのアクセス信号を生成する。
【０１１４】
ＣＰＵ３６４での演算処理方式にはいくつかあり、その１つは演算をソフトウェアで処理する方法である。この方式では、例えば、ＲＯＭ３６７にＯＳ（オペレーティングシステム）を記憶させておき、ＣＰＵ３６４がＲＯＭ３６７に記憶されているプログラムを読み出し、それを実行する方式である。他の１つは、専用の演算回路で演算を行う方式、つまりハードウェアで演算を処理する方式である。他の１つは、ソフトウェアとハードウェアを組み合わせた方式であり、この方式では、専用の演算回路で一部の演算処理を行い、プログラムを使って、残りの演算をＣＰＵ３６４が処理するようにすることができる。
【０１１５】
次に、本実施の形態の電子装置３００の作製方法を説明する。この作製方法は、機能回路３０２を構成する電子素子の作製に使用した基板を分離する工程を含む。
【０１１６】
例えば、実施の形態１の作製方法において、基板１００と下地となる絶縁膜１０１の間に剥離膜（例えば、シリコンでなる膜）を形成し、この剥離膜をエッチングして除去することで、基板１００から電子装置を分離することができる。また、基板１００と下地となる絶縁膜１０１の間に金属を主成分とする剥離膜を形成し、この剥離膜に物理的な力を加えて、剥離膜で剥離を生じさせることで、基板１００から電子装置を分離することもできる。以下、図１２Ａ−図１８Ｄを参照して、後者の方法が適用された電子装置３００の作製方法の一例を説明する。
【０１１７】
まず、図１２Ａに示すように、機能回路３０２の電子素子を作製するための基板を用意する。ここでは、この基板としてガラス基板４００が用いられる。機能回路３０２はガラス基板４００上に形成される下地絶縁膜４０１上に形成される。機能回路３０２の作製後、機能回路３０２をガラス基板４００から分離するため、下地絶縁膜４０１とガラス基板４００の間に剥離膜４０２が形成される。
【０１１８】
剥離膜４０２の形成前に、下地膜４０３をガラス基板４００上に密着して形成する。この下地膜４０３は、剥離膜４０２に対する下地膜であり、剥離膜４０２とガラス基板４００との密着性を高めるために、形成される。下地膜４０３は単層構造または積層構造の絶縁膜で形成することができる。下地膜４０３を構成する絶縁膜として、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜および金属酸化物膜などが挙げられる。ここでは、ＰＥＣＶＤ法で厚さ１００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成する。
【０１１９】
次に、下地膜４０３に接して剥離膜４０２を形成する。ここでは、剥離膜４０２としてスパッタ法で厚さ５０ｎｍのタングステン膜を形成する。
【０１２０】
本作製方法では、機能回路３０２をガラス基板４００から分離するため、剥離膜４０２に力学的な力を加えることで、剥離膜４０２の内部、および／または剥離膜４０２と下地絶縁膜４０１との界面に優先的に剥離を生じさせることとする。このような剥離を生じさせるためには、剥離膜４０２は、例えば、タングステン膜、モリブデン膜、タングステンとモリブデンの合金膜、タングステンおよび／またはモリブデンの酸化物膜、酸化窒化物膜、窒化酸化物膜、窒化物膜で形成することができる。また剥離膜４０２は、これらの膜から選ばれた積層構造の膜で形成することができる。これらの膜は、スパッタ法、ＰＥＣＶＤ法および液滴吐出法などで形成することができる。
【０１２１】
剥離膜４０２の形成方法には、例えば、１層目にタングステン膜、モリブデン膜、またはタングステンとモリブデンの合金膜を形成し、２層目に１層目の膜の酸化物膜、酸化窒化物膜、窒化酸化物膜または窒化物膜を形成する方法がある。また、タングステン膜、モリブデン膜、またはタングステンとモリブデンの合金膜のいずれかの膜を下地膜４０３上に形成した後、この膜を酸化処理する方法がある。この酸化処理としては、熱酸化処理、酸素またはＮ２Ｏプラズマによるプラズマ酸化処理、オゾン水などの酸化力の強い溶液による表面処理などがある。
【０１２２】
次に、剥離膜４０２上に接して単層構造または積層構造の下地絶縁膜４０１を形成する。下地絶縁膜４０１を構成する絶縁膜としては、電子装置３００の作製工程に耐えうる膜が選択され、図１Ａの絶縁膜１０１と同様に形成することができる。ここでは、下地絶縁膜４０１を３層構造とし、１層目に厚さ１００−７００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成し、２層目に厚さ２０−１００ｎｍの窒化酸化シリコン膜を形成し、３層目に厚さ５０−１５０ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成する。これらの膜はＰＥＣＶＤ法で形成される。
【０１２３】
次いで、下地絶縁膜４０１上に機能回路３０２を作製する。また、同じプロセスにおいて、複数の機能回路３０２が同時に１枚のガラス基板４００上に作製される。以下の説明で参照される図面には、２つの機能回路３０２の作製過程を示し、また、機能回路３０２としてｎチャネル型トランジスタ、およびｐチャネル型トランジスタの作製過程を示す。
【０１２４】
図１２Ｂに示すように、機能回路３０２を作製するために、下地絶縁膜４０１上に半導体膜４０５を形成する。ここでは、半導体膜４０５として結晶性シリコン膜を形成する。例えば、結晶性シリコン膜の形成は、ＰＥＣＶＤ法により、Ｈ２とＳｉＨ４の混合ガスから、厚さ４０−８０ｎｍの非晶質シリコン膜を形成し、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザー（基本波１０６４ｎｍ）の第２高調波を照射することにより、非晶質シリコン膜を結晶化することで行うことができる。ほか、加熱炉での熱処理によって非晶質シリコン膜を結晶化することもできる。
【０１２５】
次に、半導体膜４０５上にレジストマスクを形成し、このレジストマスクを用いて、半導体膜４０５を所望の形状にエッチングする。図１２Ｃに示すように、下地絶縁膜４０１上に、半導体膜４２０および半導体膜４３０を形成する。半導体膜４２０はｎチャネル型トランジスタの半導体層であり、半導体膜４３０はｐチャネル型トランジスタの半導体層である。半導体膜４０５をエッチングするために用いたレジストマスクを除去した後、必要があれば、トランジスタのしきい値電圧を制御するために、ドナーまたはアクセプタとなる不純物元素を半導体膜４２０および／または半導体膜４３０に添加する。また、この不純物元素の添加工程は、半導体膜４０５をエッチングする前に行うこともでき、以降の工程でも、必要に応じて行えばよい。
【０１２６】
次に、図１２Ｃに示すように、半導体膜４２０および半導体膜４３０を覆う絶縁膜４０６を形成する。絶縁膜４０６はトランジスタのゲート絶縁膜を構成する。絶縁膜４０６は、図１Ａの絶縁膜１０２と同様に形成することができる。ここでは、ＰＥＣＶＤ法で、厚さ１０−１００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成する。また、ＰＥＣＶＤ法などで絶縁膜を形成した後、マイクロ波励起された高密度プラズマにより絶縁膜に対して窒化処理を行ってもよい。
【０１２７】
次に、図１２Ｃに示すように、絶縁膜４０６上に導電膜４４１、および導電膜４４２を形成する。導電膜４４１はｎチャネル型トランジスタのゲート電極（またはゲート配線）を構成し、導電膜４４２はｐチャネル型トランジスタのゲート電極（またはゲート配線）を構成する。ここでは、導電膜４４１、４４２を２層構造の導電膜で形成する。まず、スパッタ法で、厚さ２０−５０ｎｍの窒化タンタル膜を絶縁膜４０６上に形成し、スパッタ法で厚さ１００ｎｍ−３００ｎｍのタングステン膜をこの窒化タンタル膜上に形成する。次に、タングステン膜上にレジストマスクを形成する。このレジストマスクを用いて、窒化タンタル膜およびタングステン膜の積層膜をエッチングして、導電膜４４１、４４２を形成する。
【０１２８】
次いで、図１２Ｄに示すように、半導体膜４２０にｎ型低濃度不純物領域４２３、半導体膜４３０にｐ型高濃度不純物領域４３２を形成する。ｎ型低濃度不純物領域４２３はｎチャネル型トランジスタの高抵抗領域を構成し、ｐ型高濃度不純物領域４３２はｐチャネル型トランジスタのソース領域、またはドレイン領域として機能する領域である。
【０１２９】
これらの領域を形成するには、まず、半導体膜４３０を覆うレジストマスクを形成する。導電膜４４１をマスクとして半導体膜４２０にｎ型を付与する不純物元素を添加し、ｎ型低濃度不純物領域４２３を半導体膜４２０に形成する。この工程で半導体膜４２０の不純物元素が添加されない領域がチャネル形成領域４２１となる。次に、半導体膜４３０を覆うレジストマスクを除去した後、半導体膜４２０を覆うレジストマスクを形成する。導電膜４４２をマスクとして半導体膜４３０にｐ型を付与する不純物元素を添加し、ｐ型高濃度不純物領域４３２を半導体膜４３０に形成する。そして、レジストマスクを除去する。この不純物添加工程で半導体膜４３０の不純物元素が添加されない領域がチャネル形成領域４３１となる。
【０１３０】
なお、図１２Ｄの工程は、ｐ型高濃度不純物領域４３２を形成した後に、ｎ型低濃度不純物領域４２３を形成してもよい。
【０１３１】
本実施の形態では、ｎ型を付与する不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）などを用いることができ、ｐ型を付与する不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）などを用いることができる。
【０１３２】
次いで、図１３Ａに示すように、絶縁膜４０６、導電膜４４１および導電膜４４２を覆う絶縁膜４０７を形成する。絶縁膜４０７は、図１Ａの絶縁膜１０３と同様に形成することができる。ここでは、絶縁膜４０７を２層構造とし、１層目に、ＰＥＣＶＤ法で厚さ５０−１５０ｎｍの酸化シリコン膜を形成し、２層目に、プロセス温度が２００℃乃至５００℃の熱ＣＶＤ法で、厚さ１００−２５０ｎｍの低温酸化物（ＬＴＯ：Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｏｘｉｄｅ）膜を形成する。
【０１３３】
次に、絶縁膜４０７および絶縁膜４０６をエッチングする。このエッチング工程は垂直方向のエッチングを主体とする異方性エッチングで行う。このような異方性エッチングにより、図１３Ｂに示すように、導電膜４４１および導電膜４４２の側面に、絶縁膜４０７でなるサイドウォールを形成することができる。また、このエッチング工程では、絶縁膜４０６は導電膜４４１、導電膜４４２および絶縁膜４０７で覆われている領域が残り、その他の領域は除去される。
【０１３４】
次に、図１３Ｃに示すように、半導体膜４２０に、ソース領域またはドレイン領域として機能するｎ型高濃度不純物領域４２２を形成する。そこで、半導体膜４３０を覆うレジストマスクを形成し、半導体膜４２０にｎ型の導電性を付与する不純物元素を添加する。この不純物添加工程で、導電膜４４１および絶縁膜４０７がマスクとなり、半導体膜４２０にセルフアライン的にｎ型高濃度不純物領域４２２が形成され、図１２Ｄの工程で形成されたｎ型低濃度不純物領域は、絶縁膜４０７と重なっている部分に残る。
【０１３５】
次に、半導体膜４２０、半導体膜４３０、導電膜４４１、および導電膜４４２を覆って絶縁膜４０８を形成する。そして、絶縁膜４０８上に、導電膜４４３−４４５を形成する。
【０１３６】
絶縁膜４０８は、図１Ａの絶縁膜１０３と同様に形成することができる。ここでは、３層構造の絶縁膜４０８を形成する。まず、１層目に、ＰＥＣＶＤ法で厚さ２０−１００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成する。そして、加熱処理を行い、半導体膜４２０および半導体膜４３０に添加された不純物元素を活性化する。そして、２層目に、ＰＥＣＶＤ法で厚さ１００−３００ｎｍの窒化酸化シリコン膜を形成し、３層目に、ＰＥＣＶＤ法で厚さ２００ｎｍ−１μｍの酸化窒化シリコン膜を形成する。
【０１３７】
次に、導電膜４４３をｎ型高濃度不純物領域４２２に、導電膜４４４をｐ型高濃度不純物領域４３２に電気的に接続するために、絶縁膜４０８をエッチングして開口を形成する。そして、絶縁膜４０８上に、導電膜４４３−４４５を構成する導電膜を形成する。この導電膜は、図１Ａの導電膜１１３と同様に形成することができる。ここでは、この導電膜として、スパッタ法で３層の導電膜を形成する。１層目は厚さ５０−１５０ｎｍのチタン膜であり、２層目は厚さ２００−４００ｎｍの純アルミニウム膜であり、３層目は、１層目と同じチタン膜である。そして、この３層構造の導電膜上にレジストマスクを形成し、このレジストマスクを用いてこの導電膜をエッチングして、導電膜４４３−４４５を形成する。
【０１３８】
導電膜４４３はｎ型高濃度不純物領域４２２に電気的に接続されており、ｎチャネル型トランジスタのソース電極、ソース配線、ドレイン電極またはドレイン配線として機能する。導電膜４４４はｐ型高濃度不純物領域４３２に電気的に接続されており、ｐチャネル型トランジスタのソース電極、ソース配線、ドレイン電極またはドレイン配線として機能する。また、導電膜４４５は機能回路３０２のアンテナ３０１との電気的な接続部を構成する。
【０１３９】
以上の工程で、機能回路３０２の電子素子（ｎチャネル型トランジスタ４９１およびｐチャネル型トランジスタ４９２）が完成する。次に、図１４Ａ−図１５Ｂを参照して、機能回路３０２とアンテナ３０１との接続端子を形成する工程の一例を説明する。
【０１４０】
図１４Ａに示すように、導電膜４４３−４４５を覆う絶縁膜４０９を形成する。ここでは、絶縁膜４０９を２層構造とし、１層目には、機能回路３０２の電子素子の保護するために緻密な絶縁膜を形成する。そこで、ＰＥＣＶＤ法で、厚さ５０−２００ｎｍの窒化シリコン膜を形成する。２層目には、機能回路３０２の上面を平坦にするため感光性樹脂材料により、厚さ１−３μｍの樹脂膜（例えば、ポリイミド膜）を形成する。露光処理により、この樹脂膜には、導電膜４４５に対応する部分に開口が形成される。そして、１層目の窒化シリコン膜をエッチングして、樹脂膜の開口と重なる部分に窒化シリコン膜にも開口を形成する。
【０１４１】
次に、絶縁膜４０９上に、導電膜４４５に電気的に接続される導電膜４５１を形成し、さらに導電膜４５１に対応して突起４５２を形成する。ここでは、導電膜４５１として、スパッタ法により厚さ１００ｎｍ−３００ｎｍのチタン膜を形成する。
【０１４２】
突起４５２は図１Ｃの突起１２０と同様に形成することができる。ここでは、スクリーン印刷法で銀ペーストを導電膜４５１上に塗布する。そして、この銀ペーストを焼成することで銀を含む突起４５２を形成する。ガラス基板４００上において、突起４５２をどの箇所よりも突出させる。突起４５２は凸部を有する導電体と呼ぶこともできる。
【０１４３】
導電膜４４５、導電膜４５１および突起４５２は機能回路３０２の端子部を構成する。端子部はアンテナ３０１との電気的な接続部である。また、導電膜４５１を形成せずに、突起４５２を導電膜４４５と密接して形成することもできる。
【０１４４】
次に、補強材４６１を含む未硬化の樹脂４６２でなるプリプレグ４６０を準備する。プリプレグ４６０は、図１Ｄのプリプレグ１３０と同様のものを用いることができる。プリプレグ４６０は、硬化された状態でその厚さが１０−１００μｍであることが好ましい。それは、硬化後のプリプレグ４６０により機能回路３０２を保護し、かつ機能回路３０２に柔軟性を持たせるためである。また、プリプレグ４６０の厚さの半分以上の高さを有するように突起４５２を形成するため、および機能回路３０２を薄くするために、硬化後のプリプレグ４６０の厚さは１０−３０μｍがより好ましい。
【０１４５】
そして、図１４Ｂに示すように、未硬化のプリプレグ４６０を電子装置の絶縁膜４０９側に配置し、プリプレグ４６０を絶縁膜４０９、導電膜４５１および突起４５２表面に密着する。プリプレグ４６０において、突起４５２を覆っている領域４６４の厚さが他の領域よりも薄くなっている。
【０１４６】
そして、プリプレグ４６０を硬化し、図１４Ｃに示すように、補強材４６１を含む絶縁膜４６５を形成する。絶縁膜４６５において樹脂４６３は硬化された樹脂４６２に対応する。つまり、絶縁膜４６５は、補強材４６１を含む樹脂膜ということもできる。また、絶縁膜４６５は機能回路３０２の封止膜として機能する。
【０１４７】
ここでは、プリプレグ４６０の補強材４６１にガラス繊維でなるシート繊維体を適用し、その樹脂４６２の樹脂材料には熱硬化性樹脂を適用する。そして、真空熱プレス機を用いて、図１４Ｂおよび図１４Ｃの工程を一連の工程として行う。つまり、絶縁膜４０９側にプリプレグ４６０を重ねた状態で、真空熱プレス機でプリプレグ４６０をガラス基板４００にプレスし、この状態でプリプレグ４６０を硬化（固体化）し、絶縁膜４６５を形成する。
【０１４８】
次に、絶縁膜４６５全体を薄膜化する。絶縁膜４６５において、突起４５２に接している領域４６４には他の領域よりも薄い部分が形成されているため、図１５Ａに示すように、この領域４６４に開口４６６を形成することができる。図１５Ａにおいて、一点鎖線で示されている部分は、薄膜化される前の絶縁膜４６５を表している。この工程は、図２Ｃの開口１４３の形成工程と同様に行うことができ、異方性エッチングで行うことが好ましい。この工程で、絶縁膜４６５を構成する樹脂４６３が除去され、補強材４６１は除去されず、開口４６６には補強材４６１が存在している。
【０１４９】
本実施の形態では、開口４６６の形成にレーザビームが用いられないので、レーザビームによって機能回路３０２に損傷を与えることがない。そのため、機能回路３０２の電子素子を微細化して、高性能化することが容易になる。したがって、図１１に示すＣＰＵ３６４を含む機能回路３０２のような高性能な回路を歩留まり良く作製することが可能になる。
【０１５０】
次に、図１５Ｂに示すように、開口４６６において、突起４５２に密接して導電体４５３を形成する。この工程は、図３Ａの導電体１２１の形成工程と同様に行うことができる。ここでは、導電体４５３を銀ペーストから形成する。
【０１５１】
以上により、端子部４５０を備えた機能回路３０２が作製される。端子部４５０は、アンテナ３０１との電気的な接続部であり、導電膜４４５、導電膜４５１、突起４５２および導電体４５３を含む。次に、ガラス基板４００から機能回路３０２を分離する工程を行う。この分離工程は、例えば、次のように行うことができる。
【０１５２】
ＵＶレーザビームを絶縁膜４６５側から照射して、ガラス基板４００に形成されている積層物に剥離膜４０２に達する溝（図示しない）を形成する。この溝を形成することで、剥離膜４０２の内部、および／または下地絶縁膜４０１と剥離膜４０２との界面で剥離が生じる。そのため、比較的小さな力（人の手で加えることができる程度の力）で、複数の機能回路３０２をガラス基板４００から分離することが可能になる。次に、図１６Ａに示すようにＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムなどの樹脂フィルムでなる熱剥離型粘着フィルム４７０（以下、「フィルム４７０」と呼ぶ）を絶縁膜４６５側に貼り付ける。そして、図１６Ａに示すように、ガラス基板４００から、下地絶縁膜４０１上の積層物を剥離する。この剥離工程は、巻き取りローラを備えた剥離装置によって行うことができる。あるいは人の手や、ピンセットでフィルム４７０を引っ張ることで行うこともできる。
【０１５３】
次に、ガラス基板４００が除去されたことで露出された下地絶縁膜４０１を保護する。そのため、補強材を含むプリプレグから保護膜を形成する。また、保護膜の形成には、絶縁膜４６５を形成するために使用されるプリプレグ４６０と同様のものを使用することができる。下地絶縁膜４０１に未硬化のプリプレグ４６０を貼り付け、真空熱プレス機で、プリプレグ４６０を下地絶縁膜４０１に密着させ、硬化する。その結果、図１６Ｂに示すように、補強材４６１を含む絶縁膜４６７が下地絶縁膜４０１側に形成される。絶縁膜４６７は補強材４６１を含む樹脂膜であり、機能回路３０２の封止膜としても機能する。
【０１５４】
次に、フィルム４７０に支持されている積層物を個々の機能回路３０２に切り分ける。この工程は、ダイシング、スクライブなどの処理で行うことができる。ここでは、レーザビームを用いたスクライブを行うこととする。ＵＶレーザビームを絶縁膜４６７側から照射することでフィルム４７０に支持されている積層物に溝を形成する。溝を形成することで、図１７に示すように、フィルム４７０に支持されている複数の機能回路３０２が形成される。フィルム４７０から機能回路３０２を分離するには、フィルム４７０を加熱し、その粘着力を低下させればよい。
【０１５５】
次に、機能回路３０２にアンテナ３０１を電気的に接続する。ここでは、アンテナ３０１に、ポリエステルなどの樹脂でなるフィルム５００と、フィルム５００上に形成された導電膜５０１とを含むフィルムアンテナを用いる。フィルム５００には、柔軟性があり、絶縁材料でなるフィルムを適用することが好ましい。それは、機能回路３０２は、電子素子が樹脂でなる絶縁膜４６５および絶縁膜４６７で封止された構造であるため、柔軟性があり、曲げることが可能であり、アンテナ３０１にも曲げることが可能なフィルムアンテナを用いることで、電子装置３００も柔軟性のある装置とすることができるからである。
【０１５６】
例えば、フィルム５００として、ポリエステルフィルム、ポリカーボネートフィルム、アクリルフィルム、およびポリイミドフィルムなどの樹脂フィルムが挙げられる。導電膜５０１は、アンテナ本体を構成する部分と、機能回路３０２との電気的な接続部である端子部を有する。導電膜５０１は、この端子部を除いて、表面が樹脂などの絶縁材料でなる層に覆われている。
【０１５７】
図１８Ａに示すように、アンテナ３０１の導電膜５０１と機能回路３０２の端子部４５０（突起４５２）とを電気的に接続する。ここでは、導電性ペーストから形成された導電体５１０により、導電膜５０１と突起４５２とを電気的に接続する。もちろん、導電膜５０１と突起４５２とを接続する手段は、導電性ペーストに限定されない。導電膜５０１および突起４５２の構造（形状、材料、作製方法など）などを考慮して、実施者がその手段を選択することができる。例えば、異方性導電膜やソルダーペーストで導電体５１０を形成することも可能である。
【０１５８】
導電膜５０１の構造（形状、大きさなど）は、電子装置３００で送受信する搬送波の周波数帯域や、その通信距離等に適切な形状とすればよい。図１８Ｂ−図１８Ｄを参照して、アンテナ３０１（導電膜５０１）の３つの構成例を説明する。
【０１５９】
例えば、周波数帯域が１２５乃至１３５ｋＨｚ帯、および１３．５６ＭＨｚ帯の場合は、アンテナ３０１にはループアンテナ、コイルアンテナ、およびスパイラルアンテナを用いればよい。図１８Ｂに、ループアンテナがアンテナ３０１に適用された電子装置３００の平面図を示す。また、図１８Ｃおよび図１８Ｄに、ＵＨＦ帯（８６０−９６０ＭＨｚ帯）、および２．４５ＧＨｚ帯で利用される電子装置３００の構成例を示す。図１８Ｃの電子装置３００のアンテナ３０１はダイポールアンテナであり、図１８Ｄの電子装置３００のアンテナ３０１はパッチアンテナである。
【０１６０】
また、本実施の形態の電子装置３００を紙にすき込む、あるいは２枚のプラスチック基板の間に挟むことでＩＣカードを作製することが可能である。また、図１８Ａの電子装置３００を紙にすき込み、この紙を用いて、紙幣、有価証券類、無記名債券類、証書を作製することができる。電子装置３００を組み込むことで、これら証書等に認証機能を持たせることができ、偽造防止効果が得られる。
【０１６１】
また、電子装置３００を様々な物品、物体に固定することで使用してもよい。電子装置３００を物品、物体に固定する方法には、物品、物体に埋め込む、その表面に貼り付ける、などの方法がある。本実施の形態の電子装置３００は柔軟性があるため、取り付ける物体の外観を損なうことが少なく、また、湾曲した面に取り付けることもできる。電子装置３００を固定する物品、物体としては、例えば、包装用容器類（包装紙、ボトルなど）、記録媒体（ブルーレイディスク、ＤＶＤ、ＵＳＢメモリなど）、服飾品（鞄、眼鏡、衣服など）、食品類、植物類、動物類（家畜、ペットなど）、生活用品類、商品や荷物の荷札やラベル、などが挙げられる。これらの物品、物体に電子装置３００を取り付けることにより、検品や、物流の管理、物品の履歴管理などをシステム化することが容易になる。
【０１６２】
例えば、商品の荷札や値札に電子装置３００を取り付け、電子装置３００に記録された情報を、ベルトコンベヤの脇に設けられたリーダライタで読み取り、製造過程、流通過程および納入先などの情報を得ることで、商品の検品や在庫管理などを効率良く行うことができる。
【０１６３】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０１６４】
（実施の形態４）
実施の形態３の電子装置３００の作製方法は、突起４５２を覆う絶縁膜４６５に開口４６６を形成する工程を行った後、ガラス基板４００を機能回路３０２から分離する工程を行っている（図１５Ａ、図１５Ｂ参照）。本実施の形態では、これらの工程の順序を逆にした電子装置３００の作製方法の一例を説明する。説明には、図１９Ａ−図２１Ｂを参照する。
【０１６５】
まず、図１４Ｃの工程までを行う。次に、図１９Ａに示すように、絶縁膜４６５側に熱剥離型粘着フィルム４７１を貼り付ける。そして、下地絶縁膜４０１上に形成されている積層物をガラス基板４００から分離する。この工程は図１５Ｂの工程と同様に行うことができる。次に、図１９Ｂに示すように、下地絶縁膜４０１を保護するための絶縁膜４６７を形成する。この工程は、図１６Ｂの工程と同様に行うことができる。
【０１６６】
次に、熱剥離型粘着フィルム４７１を加熱して、剥離する。そして、絶縁膜４６７側に別の熱剥離型粘着フィルム４７２（以下、「フィルム４７２」と呼ぶ。）を貼り付ける。絶縁膜４６５全体の厚さを薄くして、図２０Ａに示すように、領域４６４に開口４６６を形成する。この工程は、図１５Ａの工程と同様に行うことができる。
【０１６７】
次に、フィルム４７２に支持されている積層物を個々の機能回路３０２に切り分ける。この工程は、図１７Ａの工程と同様に、ダイシング、スクライブなどの処理で行うことができる。ここでは、レーザビームを用いたスクライブを行うこととする。ＵＶレーザビームを絶縁膜４６５側から照射することでフィルム４７２に支持されている積層物に溝を形成する。その結果、図２０Ａに示すように、フィルム４７２に支持されている複数の機能回路３０２が形成される。
【０１６８】
そして、フィルム４７２を加熱して、フィルム４７２から機能回路３０２を分離し、機能回路３０２にアンテナ３０１を電気的に接続し、電子装置３００を完成させる（図２１Ｂ参照）。アンテナ３０１との接続は、図１８Ａの工程と同様に行うことができる。
【０１６９】
また、図２０Ｂの工程では、フィルム４７２の代わりに、ガラス基板および石英基板などの剛体でなる基板を支持基板に使用してもよい。開口４６６を形成した後、この支持基板を分離し、絶縁膜４６５側または絶縁膜４６７側に熱剥離型粘着フィルムを貼り付けて、図２１Ａ、図２１Ｂの工程を行い、電子装置３００を完成させることもできる。
【０１７０】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【符号の説明】
【０１７１】
１００ 基板
１０１ 絶縁膜
１０２ 絶縁膜
１０３ 絶縁膜
１０４ 絶縁膜
１１０ 電子素子
１１１ 半導体層
１１２ 導電膜
１１３ 導電膜
１１４ 導電膜
１２０ 突起
１２１ 導電体
１２５ 端子部
１３０ 未硬化のプリプレグ
１３１ 補強材
１３２ 未硬化の樹脂
１３３ 領域
１４０ 絶縁膜
１４２ 硬化された樹脂
１４３ 開口
１５１ 電子装置
１５２ 電子装置
１５３ 電子装置
１６０ 絶縁膜
１６１ 絶縁膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電体と、
前記第１の導電体を覆い、補強材を含む樹脂膜と、
前記樹脂膜の前記第１の導電体に重なる領域に形成され、かつ前記補強材が存在している開口と、
前記開口において前記第１の導電体に接している第２の導電体と、を有することを特徴とする端子構造。
【請求項２】
絶縁膜と、
前記絶縁膜に覆われている１または複数の電子素子と、
前記絶縁膜上に形成され、前記電子素子の少なくとも１つに電気的に接続される導電体と、
前記絶縁膜および前記導電体を覆い、補強材を含む樹脂膜と、
前記樹脂膜の前記導電体に重なる領域に形成され、かつ前記補強材が存在している開口と、を有することを特徴とする電子装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記開口において前記導電体に密着している他の導電体を有することを特徴とする電子装置。
【請求項４】
請求項１または２において、
前記補強材はシート状の繊維体であることを特徴とする電子装置。
【請求項５】
請求項１または２において、
前記補強材を含む樹脂膜の代わりに、補強材を含まない樹脂膜を有することを特徴とする電子装置。
【請求項６】
第１の絶縁膜上に形成されている１または複数の電子素子を含む回路と、
前記１または複数の電子素子を覆う第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成され、前記電子素子の少なくとも１つに電気的に接続されている第１の導電体と、
第１の補強材を含み、前記第２の絶縁膜および前記第１の導電体を覆う第１の樹脂膜と、
前記第１の樹脂膜の前記第１の導電体に重なる領域に形成され、かつ前記第１の補強材が存在している開口と、
前記開口において、前記第１の導電体に接する第２の導電体と、
第２の補強材を含み、前記電子素子の前記第１の絶縁膜側を覆う第２の樹脂膜と、を有することを特徴とする電子装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記第２の導電体に電気的に接続されているアンテナを有することを特徴とする電子装置。
【請求項８】
請求項６または７において、
前記第１の補強材、および前記第２の補強材はシート状の繊維体であることを特徴とする電子装置。
【請求項９】
請求項６または７において、
前記第１の補強材を含む前記第１の樹脂膜の代わりに、補強材を含まない樹脂膜を有することを特徴とする電子装置。
【請求項１０】
請求項６乃至９のいずれか１項において、
前記第２の補強材を含む前記第２の樹脂膜の代わりに、補強材を含まない樹脂膜を有することを特徴とする電子装置。
【請求項１１】
絶縁表面に凸部を有する第１の導電体を形成することと、
前記絶縁表面および前記第１の導電体の表面に補強材を含むプリプレグを密着させて、前記プリプレグにおいて、前記第１の導電体に密着している領域に前記プリプレグの厚さが他の領域よりも薄い部分を形成することと、
前記絶縁表面および前記第１の導電体の表面に密着された前記プリプレグを硬化して、前記補強材を含む絶縁膜を形成することと、
前記補強材を除去せずに前記絶縁膜を薄くして、前記第１の導電体に重なる開口を前記絶縁膜に形成することと、
前記開口において前記第１の導電体に接している第２の導電体を形成することと、を有することを特徴とする端子構造の作製方法。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記絶縁膜を薄くする工程で、前記第１の導電体の一部が除去されることを特徴とする端子構造の作製方法。
【請求項１３】
請求項１０乃至１２のいずれか１項において、
エッチングにより前記絶縁膜を薄くすることで、前記絶縁膜に前記開口を形成することを特徴とする端子構造の作製方法。
【請求項１４】
請求項１０乃至１３のいずれか１項において、
前記補強材は、シート状の繊維体であることを特徴とする端子構造の作製方法。
【請求項１５】
請求項１０乃至１３のいずれか１項において、
前記補強材を含まないプリプレグから前記絶縁膜を形成することを特徴とする端子構造の作製方法。
【請求項１６】
第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜に覆われている１または複数の電子素子とを含む電子装置の作製方法であり、
凸部を有し、前記電子素子の少なくとも１つに電気的に接続されている導電体を前記第１の絶縁膜上に形成することと、
前記第１の絶縁膜の上面および前記導電体の表面に補強材を含むプリプレグを密着させて、前記プリプレグにおいて、前記導電体に密着している領域に前記プリプレグの厚さが他の領域よりも薄い部分を形成することと、
前記第１の絶縁膜の上面および前記導電体の表面に密着された前記プリプレグを硬化して、前記補強材を含む第２の絶縁膜を形成することと、
前記補強材を除去せずに前記第２の絶縁膜を薄くして、前記導電体に重なる開口を前記第２の絶縁膜に形成することと、を有することを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１６において、
前記開口を形成した後に、前記導電体に電気的に接続される他の導電体を形成することを有することを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１６または１７において、
前記第２の絶縁膜を薄くする工程で、前記導電体の一部が除去されることを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１６乃至１８のいずれか１項において、
エッチングにより前記第２の絶縁膜を薄くすることで、前記第２の絶縁膜に前記開口を形成することを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１５乃至１９のいずれか１項において、
前記補強材は、シート状の繊維体であることを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１６乃至１９のいずれか１項において、
補強材を含まない未硬化の樹脂膜を硬化することで前記第２の絶縁膜を形成することを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項２２】
基板上に、剥離膜および第１の絶縁膜を介して、複数の電子素子を含む回路を形成することと、
前記回路を覆う第２の絶縁膜を形成することと、
凸部を有し、少なくとも１つの前記電子素子に電気的に接続されている第１の導電体を前記第２の絶縁膜上に形成することと、
前記第２の絶縁膜の上面および前記第１の導電体の表面に第１の補強材を含む第１のプリプレグを密着させて、前記第１のプリプレグの前記第１の導電体に密着している領域に、前記第１のプリプレグの厚さが他の領域よりも薄い部分を形成することと、
前記第２の絶縁膜の上面および前記第１の導電体の表面に密着された前記第１のプリプレグを硬化して、前記第１の補強材を含む第３の絶縁膜を形成することと、
前記第１の補強材を除去せずに前記第３の絶縁膜を薄くして、前記第３の絶縁膜の前記第１の導電体に重なる領域に開口を形成することと、
前記開口において前記第１の導電体に接する第２の導電体を形成することと、
前記第２の導電体を形成した後に、前記剥離膜の内部で、および／または、前記剥離膜と前記第１の絶縁膜の界面で剥離を生じさせて、前記基板を前記回路から分離することと、
前記基板を分離した後に、前記第１の絶縁膜を覆って第２の補強材を含む第２のプリプレグを貼り付けることと、
前記第２のプリプレグを硬化して、前記第２の補強材を含む第４の絶縁膜を形成することと、を有することを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項２３】
基板上に、剥離膜および第１の絶縁膜を介して、複数の電子素子を含む回路を形成することと、
前記回路を覆う第２の絶縁膜を形成することと、
凸部を有し、少なくとも１つの前記電子素子に電気的に接続されている第１の導電体を前記第２の絶縁膜上に形成することと、
前記第２の絶縁膜の上面および前記第１の導電体の表面に第１の補強材を含む第１のプリプレグを密着させて、前記第１のプリプレグの前記第１の導電体に密着している領域に、前記第１のプリプレグの厚さが他の領域よりも薄い部分を形成することと、
前記第２の絶縁膜の上面および前記第１の導電体の表面に密着された前記第１のプリプレグを硬化して、前記第１の補強材を含む第３の絶縁膜を形成することと、
前記剥離膜の内部で、および／または、前記剥離膜と前記第１の絶縁膜の界面で剥離を生じさせて、前記基板を前記回路から分離することと、
前記基板を分離した後に、前記第１の絶縁膜を覆って第２の補強材を含む第２のプリプレグを貼り付けることと、
前記第２のプリプレグを硬化して、前記第２の補強材を含む第４の絶縁膜を形成することと、
前記第４の絶縁膜を形成した後に、前記第１の補強材を除去せずに前記第３の絶縁膜を薄くして、前記第３の絶縁膜の前記第１の導電体に重なる領域に開口を形成することと、
前記開口において、前記第１の導電体に接する第２の導電体を形成することと、を有することを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項２４】
請求項２２または２３において、
前記第２の導電体とアンテナとを電気的に接続することを有することを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項２５】
請求項２２乃至２４のいずれか１項において、
前記第３の絶縁膜を薄くする工程で、前記第１の導電体の一部が除去されることを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項２６】
請求項２２乃至２５のいずれか１項において、
エッチングにより前記第３の絶縁膜を薄くすることで、前記第３の絶縁膜に前記開口を形成することを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項２７】
請求項２２乃至２６のいずれか１項において、
前記第１の補強材および前記第２の補強材は、シート状の繊維体であることを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項１】
第１の導電体と、
前記第１の導電体を覆い、補強材を含む樹脂膜と、
前記樹脂膜の前記第１の導電体に重なる領域に形成され、かつ前記補強材が存在している開口と、
前記開口において前記第１の導電体に接している第２の導電体と、を有することを特徴とする端子構造。
【請求項２】
絶縁膜と、
前記絶縁膜に覆われている１または複数の電子素子と、
前記絶縁膜上に形成され、前記電子素子の少なくとも１つに電気的に接続される導電体と、
前記絶縁膜および前記導電体を覆い、補強材を含む樹脂膜と、
前記樹脂膜の前記導電体に重なる領域に形成され、かつ前記補強材が存在している開口と、を有することを特徴とする電子装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記開口において前記導電体に密着している他の導電体を有することを特徴とする電子装置。
【請求項４】
請求項１または２において、
前記補強材はシート状の繊維体であることを特徴とする電子装置。
【請求項５】
請求項１または２において、
前記補強材を含む樹脂膜の代わりに、補強材を含まない樹脂膜を有することを特徴とする電子装置。
【請求項６】
第１の絶縁膜上に形成されている１または複数の電子素子を含む回路と、
前記１または複数の電子素子を覆う第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成され、前記電子素子の少なくとも１つに電気的に接続されている第１の導電体と、
第１の補強材を含み、前記第２の絶縁膜および前記第１の導電体を覆う第１の樹脂膜と、
前記第１の樹脂膜の前記第１の導電体に重なる領域に形成され、かつ前記第１の補強材が存在している開口と、
前記開口において、前記第１の導電体に接する第２の導電体と、
第２の補強材を含み、前記電子素子の前記第１の絶縁膜側を覆う第２の樹脂膜と、を有することを特徴とする電子装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記第２の導電体に電気的に接続されているアンテナを有することを特徴とする電子装置。
【請求項８】
請求項６または７において、
前記第１の補強材、および前記第２の補強材はシート状の繊維体であることを特徴とする電子装置。
【請求項９】
請求項６または７において、
前記第１の補強材を含む前記第１の樹脂膜の代わりに、補強材を含まない樹脂膜を有することを特徴とする電子装置。
【請求項１０】
請求項６乃至９のいずれか１項において、
前記第２の補強材を含む前記第２の樹脂膜の代わりに、補強材を含まない樹脂膜を有することを特徴とする電子装置。
【請求項１１】
絶縁表面に凸部を有する第１の導電体を形成することと、
前記絶縁表面および前記第１の導電体の表面に補強材を含むプリプレグを密着させて、前記プリプレグにおいて、前記第１の導電体に密着している領域に前記プリプレグの厚さが他の領域よりも薄い部分を形成することと、
前記絶縁表面および前記第１の導電体の表面に密着された前記プリプレグを硬化して、前記補強材を含む絶縁膜を形成することと、
前記補強材を除去せずに前記絶縁膜を薄くして、前記第１の導電体に重なる開口を前記絶縁膜に形成することと、
前記開口において前記第１の導電体に接している第２の導電体を形成することと、を有することを特徴とする端子構造の作製方法。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記絶縁膜を薄くする工程で、前記第１の導電体の一部が除去されることを特徴とする端子構造の作製方法。
【請求項１３】
請求項１０乃至１２のいずれか１項において、
エッチングにより前記絶縁膜を薄くすることで、前記絶縁膜に前記開口を形成することを特徴とする端子構造の作製方法。
【請求項１４】
請求項１０乃至１３のいずれか１項において、
前記補強材は、シート状の繊維体であることを特徴とする端子構造の作製方法。
【請求項１５】
請求項１０乃至１３のいずれか１項において、
前記補強材を含まないプリプレグから前記絶縁膜を形成することを特徴とする端子構造の作製方法。
【請求項１６】
第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜に覆われている１または複数の電子素子とを含む電子装置の作製方法であり、
凸部を有し、前記電子素子の少なくとも１つに電気的に接続されている導電体を前記第１の絶縁膜上に形成することと、
前記第１の絶縁膜の上面および前記導電体の表面に補強材を含むプリプレグを密着させて、前記プリプレグにおいて、前記導電体に密着している領域に前記プリプレグの厚さが他の領域よりも薄い部分を形成することと、
前記第１の絶縁膜の上面および前記導電体の表面に密着された前記プリプレグを硬化して、前記補強材を含む第２の絶縁膜を形成することと、
前記補強材を除去せずに前記第２の絶縁膜を薄くして、前記導電体に重なる開口を前記第２の絶縁膜に形成することと、を有することを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１６において、
前記開口を形成した後に、前記導電体に電気的に接続される他の導電体を形成することを有することを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１６または１７において、
前記第２の絶縁膜を薄くする工程で、前記導電体の一部が除去されることを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１６乃至１８のいずれか１項において、
エッチングにより前記第２の絶縁膜を薄くすることで、前記第２の絶縁膜に前記開口を形成することを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１５乃至１９のいずれか１項において、
前記補強材は、シート状の繊維体であることを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１６乃至１９のいずれか１項において、
補強材を含まない未硬化の樹脂膜を硬化することで前記第２の絶縁膜を形成することを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項２２】
基板上に、剥離膜および第１の絶縁膜を介して、複数の電子素子を含む回路を形成することと、
前記回路を覆う第２の絶縁膜を形成することと、
凸部を有し、少なくとも１つの前記電子素子に電気的に接続されている第１の導電体を前記第２の絶縁膜上に形成することと、
前記第２の絶縁膜の上面および前記第１の導電体の表面に第１の補強材を含む第１のプリプレグを密着させて、前記第１のプリプレグの前記第１の導電体に密着している領域に、前記第１のプリプレグの厚さが他の領域よりも薄い部分を形成することと、
前記第２の絶縁膜の上面および前記第１の導電体の表面に密着された前記第１のプリプレグを硬化して、前記第１の補強材を含む第３の絶縁膜を形成することと、
前記第１の補強材を除去せずに前記第３の絶縁膜を薄くして、前記第３の絶縁膜の前記第１の導電体に重なる領域に開口を形成することと、
前記開口において前記第１の導電体に接する第２の導電体を形成することと、
前記第２の導電体を形成した後に、前記剥離膜の内部で、および／または、前記剥離膜と前記第１の絶縁膜の界面で剥離を生じさせて、前記基板を前記回路から分離することと、
前記基板を分離した後に、前記第１の絶縁膜を覆って第２の補強材を含む第２のプリプレグを貼り付けることと、
前記第２のプリプレグを硬化して、前記第２の補強材を含む第４の絶縁膜を形成することと、を有することを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項２３】
基板上に、剥離膜および第１の絶縁膜を介して、複数の電子素子を含む回路を形成することと、
前記回路を覆う第２の絶縁膜を形成することと、
凸部を有し、少なくとも１つの前記電子素子に電気的に接続されている第１の導電体を前記第２の絶縁膜上に形成することと、
前記第２の絶縁膜の上面および前記第１の導電体の表面に第１の補強材を含む第１のプリプレグを密着させて、前記第１のプリプレグの前記第１の導電体に密着している領域に、前記第１のプリプレグの厚さが他の領域よりも薄い部分を形成することと、
前記第２の絶縁膜の上面および前記第１の導電体の表面に密着された前記第１のプリプレグを硬化して、前記第１の補強材を含む第３の絶縁膜を形成することと、
前記剥離膜の内部で、および／または、前記剥離膜と前記第１の絶縁膜の界面で剥離を生じさせて、前記基板を前記回路から分離することと、
前記基板を分離した後に、前記第１の絶縁膜を覆って第２の補強材を含む第２のプリプレグを貼り付けることと、
前記第２のプリプレグを硬化して、前記第２の補強材を含む第４の絶縁膜を形成することと、
前記第４の絶縁膜を形成した後に、前記第１の補強材を除去せずに前記第３の絶縁膜を薄くして、前記第３の絶縁膜の前記第１の導電体に重なる領域に開口を形成することと、
前記開口において、前記第１の導電体に接する第２の導電体を形成することと、を有することを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項２４】
請求項２２または２３において、
前記第２の導電体とアンテナとを電気的に接続することを有することを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項２５】
請求項２２乃至２４のいずれか１項において、
前記第３の絶縁膜を薄くする工程で、前記第１の導電体の一部が除去されることを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項２６】
請求項２２乃至２５のいずれか１項において、
エッチングにより前記第３の絶縁膜を薄くすることで、前記第３の絶縁膜に前記開口を形成することを特徴とする電子装置の作製方法。
【請求項２７】
請求項２２乃至２６のいずれか１項において、
前記第１の補強材および前記第２の補強材は、シート状の繊維体であることを特徴とする電子装置の作製方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【公開番号】特開２０１１−５４９５６（Ｐ２０１１−５４９５６Ａ）
【公開日】平成２３年３月１７日（２０１１．３．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１７７２４９（Ｐ２０１０−１７７２４９）
【出願日】平成２２年８月６日（２０１０．８．６）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年３月１７日（２０１１．３．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年８月６日（２０１０．８．６）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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