【課題】面接続端子とチップ部品との接続信頼性を向上させることにより、信頼性を向上させることができる多層配線基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】多層配線基板は、凹部形成工程、金拡散防止層形成工程、端子形成工程、樹脂絶縁層形成工程、導体形成工程及び金属層除去工程を経て製造される。凹部形成工程では、銅箔層７３をハーフエッチして凹部７８を形成する。金拡散防止層形成工程では、凹部７８に金拡散防止層を形成する。端子形成工程では、金拡散防止層上に、金層３３、ニッケル層３２及び銅層３１をこの順序で積層し、面接続端子３０を形成する。樹脂絶縁層形成工程では樹脂絶縁層を形成し、導体形成工程ではビア導体及び導体層を形成する。金属層形成工程では、銅箔層７３及び金拡散防止層を除去して、金層３３を積層構造体の主面から突出させる。 （もっと読む）

【課題】１００μｍ程度の微小な電子素子の接続、固定方法を提供する。
【解決手段】第１スキージ１０６を矢印１０７の方向に動かして水１０８を基板１０１上に塗布し、親水性の第１領域１０３上に水１０８が配置される。水が揮発する前に、第２スキージ１０９を矢印１１０の方向に動かすことで電子素子分散液１１１を基板上に塗布し、水１０８と第１液体を乾燥させて、基板１０１上から除去する。これにより基板１０１上に形成された金属電極１０２を構成する第１領域１０３上に電子素子１００を配置した後に、第１領域１０３と撥水性領域１０５に囲まれた第２領域１０４を形成し、第２電極１０４上に第２液体１１４を配置し、加熱によって電子素子１００と金属電極１０２との接合を行う。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗及び信号遅延を相対的に改善することができるボンドフィンガを採用した集積回路基板及び集積回路素子パッケージを提供する。
【解決手段】表面に複数の導電性パッドを有する集積回路チップと、集積回路チップが搭載される印刷回路基板とを有し、印刷回路基板は、複数の導電性パッドに対応して互いに異なる第１及び第２高さを有して交互に配列される複数の第１及び第２導電性ボンドフィンガと、第１導電性ボンドフィンガ１１４を第２導電性ボンドフィンガ１１３と比べて相対的に高い高さを有するように支持する複数の第１絶縁支持体１１２とを含み、さらに、複数の導電性パッドの内の複数の第１導電性パッドと、対応する第１導電性ボンドフィンガとを各々電気的に接続する複数の第１電気接続体と、複数の導電性パッドの内の複数の第２導電性パッドと、対応する第２導電性ボンドフィンガとを各々電気的に接続する複数の第２電気接続体とを有する。 （もっと読む）

【課題】クラック発生の抑制されたはんだ接合部を形成することができる新規な電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電子装置の製造方法は、電子部品２１の複数の電極２２上にはんだバンプ２３を形成する工程と、回路基板１の複数の電極２上に、回路基板１の面内の位置に応じてはんだ材料の供給量を変えて、はんだ部材４を形成する工程と、電子部品２１の複数の電極２２上のはんだバンプ２３と回路基板１の複数の電極２上のはんだ部材４とがそれぞれ接触するように、電子部品２１と回路基板１を対向させた状態で、加熱を行い、はんだバンプ２３とはんだ部材４とを溶融させて、電子部品２１と回路基板１とを接合する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 圧電振動片の傾きによる悪影響をなくした圧電振動デバイスを提供する。
【解決手段】 励振電極２１１，２２１が形成された振動部２３と接続電極２１２，２２２が形成された保持部２４とを有する矩形状の圧電振動片２と、ベース３と、ベースの封止部で接合する蓋とが設けられ、前記ベースの搭載部に前記圧電振動片の保持部が導電性バンプＢにより超音波接合された圧電振動デバイスにおいて、前記圧電振動片の一端部の両端部に接続電極を形成しており、当該接続電極で導電性バンプを介して前記ベース上に圧電振動片の一端部の両端部の二つの保持部領域で電気的機械的に接合され、前記圧電振動片の一対の接続電極と当該一対の接続電極間の領域以外で圧電振動片の素地が露出した一つの保持部領域で導電性バンプが当接した状態で前記ベース上に圧電振動片を片保持した。 （もっと読む）

【課題】低コストでリワークし易い構造をもたせた電子機器、プリント回路基板および電子部品を提供する。
【解決手段】下面電極構造の電子部品（１１）と、下面電極構造の電子部品（１１）と該下面電極構造の電子部品が実装されるプリント回路基板（１０）との間の実装時の間隙に配置される部品（１２）と、下面電極構造の電子部品の実装面外周の一部に対応する、下面電極構造の電子部品（１１）が実装されるプリント回路基板上の部品実装面の部分であって、下面電極構造の電子部品（１１）のプリント回路基板（１０）への実装後に補強用接着部材（１３）が前記部品実装面の前記部分の近傍に塗布される、そのようなプリント回路基板上の部品実装面の部分に、部品（１２）を予め固着させたプリント回路基板（１０）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ側の半田バンプとパッケージ基板側の予備半田を同時に加熱融解させて半導体チップとパッケージ基板と接続する場合に、半田バンプ側に予備半田が吸い取られて接続不良が発生するのを防ぐ製造方法を提供する。
【解決手段】半導体バンプ１１の材料と予備半田２１の材料を同一材料にする。半導体チップ１０に半田バンプ１１が接する開口半径（ＵＢＭ径）ｒ１と、パッケージ基板２０に予備半田２１が接するソルダレジスト開口半径（ＳＲＯ径）ｒ２との比ｒ２／ｒ１を０．８以上で１．２以下とする。このとき、半田バンプ１１の高さｈ１は、予備半田２１の高さｈ２よりも高くする。また、半田バンプ１１の半田量と、予備半田２１の半田量は、「予備半田の曲率半径Ｒ２」≧「半田バンプ１１の曲率半径Ｒ１」を満たすように決められる。また、予備半田２１が接するソルダレジスト開口半径（ＳＲＯ径）ｒ２は、予備半田２１の高さｈ２以上とする。 （もっと読む）

【課題】バンプの配列に疎密差があったときに発生する応力を緩和できる、半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電極端子群を備える配線基板と、バンプ３群が形成されたバンプ形成面７を備え、バンプ３群が前記電極端子群と対向するように前記配線基板上に実装された半導体チップとを具備し、バンプ形成面７は、バンプ３が配置された領域の面積密度が第１密度である第１領域９と、バンプ３が配置された領域の面積密度が前記第１密度よりも小さい第２密度である第２領域１０と、第１領域９と第２領域１０との境界部分に設けられた第３領域１１とを備え、第３領域１１は、バンプ３が配置された領域の面積密度が、前記第２密度よりも大きく、前記第１密度よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ベアチップが高密度実装されたような半導体装置において、ベアチップの全端子を検査することを可能にした検査用パッド及びそれに付随する配線のレイアウトを提供する半導体装置を実現することである。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、ベアチップの全ての端子が配線基板内の特定の配線層を介して、ダミー領域に配置された検査用パッドにそれぞれ接続され、検査完了後は、そのダミー領域が切断されるものである。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージと配線基板との接続信頼性を確保するプリント回路板、及び電子機器を提供する。
【解決手段】プリント回路板５は、一方の面に複数の半田ボール５３を有したＢＧＡ５０と、半田ボール５３の夫々と対向した位置に電極を有し、ＢＧＡ５０を実装したＢＧＡ搭載基板５１と、一部に開口部５２０を設けてＢＧＡ５０の周囲に連続して形成されており、ＢＧＡ５０とＢＧＡ搭載基板５１とを固着した補強部材５２とを有する。 （もっと読む）

【課題】ソルダーバンプと配線パターンの整合度を向上させ、ソルダーバンプに別途のコイニング工程が不要なソルダーバンプを持つプリント基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層１２０；前記絶縁層１２０の表面と同一の高さを持つように埋め込まれたソルダーバンプ１１６；前記ソルダーバンプ１１６の下面に形成された配線パターン１１８；及び前記配線パターン１１８に連結され、前記絶縁層１２０と同一の高さを持つように埋め込まれた回路層１０８ａを含む。 （もっと読む）

【課題】キャリア基板と半導体素子との接合強度を向上させることにより、信頼性の高い、また生産性の良い半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１３は、キャリア基板１と、キャリア基板１に形成されたフリップチップパッド電極４と、フリップチップパッド電極４の上面および側面で接合された金バンプ１５と、金バンプ１５を介してフリップチップパッド電極４と電気的に接続された半導体素子５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】基板の表裏を導通する導通部における電気特性を向上した貫通電極基板及びそれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の貫通電極基板１００は、表裏を貫通する貫通孔１０４を有する基板１０２と、貫通孔１０４内に充填される金属材料を含む導通部１０６と、を備え、導通部１０６は、面積重み付けした平均結晶粒径が１３μｍ以上の金属材料を少なくとも含む。また、導通部１０６は、結晶粒径が２９μｍ以上の金属材料を含む。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィル層と基板の絶縁層との密着性が劣る従来のフリップチップ用基板の課題を解決する。
【解決手段】電子部品としての半導体素子３２の電極端子３４とフリップチップ接続され、且つ搭載された半導体素子３２との間の隙間にアンダーフィル材が充填されてアンダーフィル層３６が形成されるフリップチップ用基板１０であって、前記基板１０の半導体素子搭載面に露出して、半導体素子３２の電極端子３４とフリップチップ接続されるパッド面を具備する搭載用パッド２４と、搭載用パッド２４から延出され、前記基板１０を形成する絶縁層２８によって被覆されたパターン２０とが形成され、少なくとも搭載用パッド２４のパッド面を除いた、パターンを２０被覆する絶縁層２８の全表面が、絶縁層２８とアンダーフィル層３６とに密着性を呈するソルダーレジスト３０によって覆われている。 （もっと読む）

【課題】ＴＳＶを有するＳＯＩ基板を積層する場合に余分な圧力を加えることなく、少ない圧力で確実にバンプ間を接合する。
【解決手段】絶縁層および絶縁層に接して形成されたＳＯＩ層を有する基板と、基板の表面および裏面の間を貫通する貫通孔と、貫通孔に形成された、表面および裏面の間を電気的に結合する貫通結合部と、表面または裏面における貫通結合部の端部を露出する窪み部と、貫通結合部の端部に接して窪み部に形成された、他の基板と電気的に接触する部材となる接触部材と、を備えた半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ペースト膜の成膜不良に起因する部品搭載ミスの発生を防止することができる部品実装機及び部品実装方法を提供する。
【解決手段】ペースト膜ｂが成膜される成膜領域Ｓ０のほかにペースト膜ｂが成膜されない非成膜領域Ｓ１を転写テーブル４の上面に形成し、制御装置の成膜状態判定部は、転写テーブル４の上面の非成膜領域Ｓ１に対するコントラストの高い領域を成膜領域Ｓ０として検出することによりペースト膜ｂの成膜状態の良否判定を行う。 （もっと読む）

【課題】より確実にバンプを接合することによって、信頼性の高い半導体装置を高い歩留りで製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の基材１１の上に半田部２４ｂが形成される。半田部２４ｂに大気圧中でプラズマＰＬが照射される。このプラズマＰＬの照射の後に、第１の基材１１と第２の基材とが半田部２４ｂによって接合される。プラズマＰＬは半田部２４ｂの融点以上の温度を有する。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まり及び信頼性を向上させた、半導体素子が回路基板上にフリップチップ実装されて形成される半導体装置を提供する。
【解決手段】バンプ電極１０ｂを主面に配設した半導体素子１０と、電極端子１０ｐ・２０ｐ上に導電層２０ｂを配設した回路基板２０を準備し、バンプ電極の表面の少なくとも一部に、バンプ電極及び導電層より融点が低い接合材３０を被覆する。次いで、バンプ電極と導電層とが接合材を介して対向するように、回路基板上に半導体素子を載置し、接合材を溶融し、バンプ電極、接合材、及び導電層とを一体化させる。これにより、半導体装置の製造歩留まり、信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】スティフナーとプリント配線板および放熱板と半導体パッケージを一体化した後の反りが、一体化する前よりも少なくなるようにしたスティフナー付きプリント配線板および放熱板付き半導体パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】スティフナー１とプリント配線板４を一体化する前に、事前に、スティフナー１に、スティフナー１とプリント配線板４との熱膨張率の差によって生じる反りと反対の方向に、反りを与えておく。また、放熱板と半導体パッケージを一体化する前に、事前に、放熱板に、半導体チップとプリント配線板との熱膨張率の差によって生じる反りと反対の方向に、反りを与えておく。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的はＥＭ現象を抑制でき、信頼性の高いＦＣ接続部を有する半導体パッケージを提供することである。
【解決手段】 本発明は、０．１〜５μｍのＮｉ層を有するチップ側パッドとインターポーザ基板とのＦＣ接続部が、直径が２０〜８０μｍの銅球表面に１．０〜５．０μｍのＮｉ層を有する銅コアと、該銅コアを内包するＳｎ基のハンダ部によって形成されており、該ハンダ部には、パッド側及び銅コア側から成長したＮｉ_３Ｓｎ_４型化合物を有する半導体パッケージである。 （もっと読む）