【課題】実装された半導体チップのはんだバンプが破断し難いプリント配線板を提供する。
【解決手段】プリント配線板の一種であるコアレス基板２０は、主面を有する絶縁層２６ａと、絶縁層２６ａ内に埋設される接続パッド２４とを備える。接続パッド２４は縁のある帽子状である。すなわち、接続パッド２４は、直径φ１が約９５μｍのプレート部３６と、直径φｃが７５μｍのコンタクト部３８とからなる。コンタクト部３８の主面３９は、絶縁層２６ａの主面７で露出する。コンタクト部３８の直径φｃが半導体チップ８側のバンプ下地金属１１の直径φ２とほぼ同じであるため、半導体チップ８をコアレス基板２０から引き剥がす方向に機械的な応力が加わっても、その応力は接続パッド２４及びバンプ下地金属１１の両側に均等に分散し、破断が起こりにくい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、加熱圧着の際に脆性材料を含む被加工物が破損することを抑制することができる熱圧着装置および電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】被加工物を載置する載置台と、前記載置台に載置された前記被加工物を加圧するとともに加熱する圧着ヘッドと、前記圧着ヘッドと前記載置台とを相対的に移動させる移動部と、前記移動部と前記圧着ヘッドとの間に設けられ、加圧力の伝達を行う伝達部と、前記伝達部に付設され、前記被加工物に加えられた加圧力を検出する複数の加圧力検出手段と、前記加圧力検出手段からの出力に基づいて加圧力を演算するとともに、加圧力の変動、加圧力の偏り、加圧力の偏りの変動の少なくともいずれかを演算する加圧力演算手段と、を備えたことを特徴とする熱圧着装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成でワイヤボンディング接続及びフリップチップ接続の双方に対応可能な電子部品用の実装基板を提供する。
【解決手段】この電子部品用の実装基板１０では、第２配線部１６が、基板１１の表裏方向について反転した位置関係にある第１電極パッド１３と第２電極パッド１４とを接続している。このため、ワイヤボンディング接続で接続する場合と、フリップチップ接続で接続する場合とで電子部品１の実装面２ａが実装基板１０に対して反転しても、電子部品１側の端子電極３の配列や実装基板１０側の外部電極１２の配列を変えずに、電子部品側の端子電極３と実装基板１０側の外部電極１２とを同一に対応付けることができる。また、上記の構成は、第２配線部１６のパターニングによって実現でき、基板１１や外部電極１２の構造に変更を加える必要がないので、構成の複雑化も回避できる。 （もっと読む）

【課題】微細化することができ、信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体装置１００は、一方の主面に電極端子２２を有する回路基板２１と、一方の主面に電極１２を有し、回路基板２１の一方の主面にフリップチップ実装された半導体素子１１と、を具備し、回路基板２１の電極端子２２と半導体素子１１の電極１２との間が、一端が電極端子２２或いは電極１２の一方に接続され、他端部に凹部３２を有する筒状電極３１と、筒状電極３１の凹部３２に配設された導電部材４１と、により接続される。この半導体装置１００は微細化され、信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 電子部品用パッケージと実装基板を実装する技術において、電子部品の小型・高性能化と高い耐熱疲労特性および耐落下衝撃特性を実現した接続端子用ボールおよび接続端子ならびに電子部品を提供する。
【解決手段】 本発明は、直径が１０〜１０００μｍのＣｕからなるコアボールの表面にＮｉからなる下地めっき層を有し、該下地めっき層の表面に質量％で、Ａｇ：０．１〜２．０％、Ｃｕ：０〜１．０％、残部Ｓｎおよび不可避的不純物からなるはんだ層がめっきされた接続端子用ボールである。 （もっと読む）

【課題】熱、応力等の外的負荷を低減し、加工工程の簡略化を図り、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】金属端子膜４の材料となる液状体を実装基板２上に塗布する塗布工程と、前記実装基板２上に塗布された前記液状体に半導体部材の接続端子５が接触するように、前記実装基板２の上に前記半導体部材を載置する載置工程と、前記液状体を固化する固化工程と、を含む。従って、異方性導電材料等を用いて電気的に接続を行う必要がないので、加工工程を簡略化することができる。 （もっと読む）

【課題】 パッケージ化された半導体装置２を回路基板８上に実装するときに、鼓型状の接合用はんだ６を容易に形成することができる実装方法を提供すること。
【解決手段】 本方法は、第１配置工程と第２配置工程と載置工程と加熱工程と冷却工程を備えている。第１配置工程では、半導体装置２の実装面２ａの中央部に環状のはんだ４を配置する。第２配置工程では、半導体装置２の実装面２ａの外周部にはんだ６を配置する。載置工程では、第１及び第２配置工程により配置したはんだ４，６を介して回路基板８上に半導体装置８を配置する。加熱工程では、はんだ４，６を加熱して溶融する。冷却工程では、はんだ４，６を冷却して固化する。加熱工程において、はんだが溶融した状態では、環状に配置したはんだ４と半導体装置と回路基板によって密閉された空間が形成される。 （もっと読む）

【課題】はんだを特別な形状としたり、はんだにフラックス成分を混入させたりすることなく、酸化膜が存在してもフラックスを用いずに、適切にはんだ接合を行うＩＣチップの一面と基板の一面との間を、はんだによってはんだ接合してなる電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＣチップ１０の一面のうちはんだ接合される部位に、当該一面より突出しその先端面に鋭利形状をなす鋭利部１２が設けられた導電性のポスト１１を形成し、基板２０の一面のうちはんだ接合される部位に、はんだ３０を配置し、次に、ＩＣチップ１０と基板２０とを互いの一面同士にて対向させ、ＩＣチップ１０を基板２０側に押し付けてポスト１１の鋭利部１２ではんだ３０の表面に位置する酸化膜を突き破り、この状態ではんだ３０をリフローさせる。 （もっと読む）

【課題】セラミック基板と樹脂基板をバンプ接続する際、セラミック基板の外縁部に位置するバンプに対する熱応力の作用によって接続部にクラックが生じて、機器の長期信頼性が保たれる手段を提供する。
【解決手段】複数のランド６が配列され、擬似導波管１３の形成されたセラミック基板２０と、複数のランド７が配列され、擬似導波管１５の形成された樹脂基板５と、前記樹脂基板のランドと前記セラミック基板のランドの間に接合され、ボールグリッドアレイを構成する複数のバンプ１６と、を備え、前記セラミック基板および樹脂基板の擬似導波管は、その周囲に配列されたバンプが接地面に接続されるとともに、外縁部の周辺に配置される。 （もっと読む）

【課題】厚みの均一な無電解パラジウムめっき皮膜が形成された被めっき体を提供する。
【解決手段】被めっき体と、無電解ニッケルめっき皮膜と、無電解ニッケル-パラジウムめっき皮膜と、無電解パラジウムめっき皮膜と、置換金めっき皮膜と、を有し、前記無電解ニッケルめっき皮膜、前記無電解ニッケル-パラジウムめっき皮膜、前記無電解パラジウムめっき皮膜及び前記置換金めっき皮膜の順序に積層され、前記置換金めっき皮膜が最表層に位置してなる、めっき析出物。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィル材を省略することで熱による剥がれが発生しても、信号の伝達や電源の供給に影響を与えない信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ＣＳＰの半導体装置１は、半導体チップが封止された樹脂封止部１ｋの底面に、実装基板に形成された接続端子とバンプを介在させて接続されるポスト電極であるＣｕポスト１ｈが、互いに直交する等間隔の平行線の各交点に設けられていることで格子状に配設されている。矩形状に配置された最外周のＣｕポスト１ｈのうち角部に位置するＣｕポスト１ｈは、ダミーポストである。 （もっと読む）

【課題】接続バンプを応力緩和の小さい材料で微細形成したり、更には半導体チップと接合する基板に半導体チップと熱膨張係数差が大きい材料からなるものを用いる場合でも、接続バンプ部分の損壊を抑止する。
【解決手段】半導体チップ１上において、電極１１は等ピッチで均一に設けられている。一方、樹脂基板４上において、電極１２は１つおきに樹脂基板４の表面の内側へ向かって偏倚した位置に設けられている。一対の電極１１と電極１２とを接続するハンダバンプ３は、樹脂基板４上で電極１２と共に樹脂基板４の表面の外側へ偏倚し、ハンダバンプ３が傾斜する。一方、一対の電極１１と偏倚電極１２ｃとを接続するハンダバンプ３は、樹脂基板４上で電極１２と共に樹脂基板４の表面の若干内側へ偏倚して傾斜する。 （もっと読む）

【課題】回路基板の両面にフリップチップ実装された電子部品と該回路基板との間に効率よくアンダーフィルを充填させることができる電子部品の実装構造と、その実装方法とを提供すること。
【解決手段】回路基板３の両面に別々にフリップチップ実装された半導体チップ１，２と該回路基板３との間の隙間６，８にアンダーフィル７が充填されており、回路基板３に設けた貫通孔９を介して半導体チップ１用のアンダーフィル７と半導体チップ２用のアンダーフィル７とを連続させた。貫通孔９の一方の開口端９ａが隙間６の近傍に臨出して他方の開口端９ｂが隙間８内に臨出している場合には、液状アンダーフィル７０を開口端９ａ付近の側方から隙間６内へ注入しながら、該アンダーフィル７０を貫通孔９を介して隙間８内へ注入することができる。 （もっと読む）

【課題】小型化を妨げない構造の電子モジュールを提供する。
【解決手段】電子モジュールは、絶縁基板１２の実装面上に半導体チップ１４をフリップチップ接続し、アンダーフィル剤２２で接着した構造である。実装面上には半田レジスト１２ａを溝状に除去した流出防止部１６が形成されており、その内側にアンダーフィル剤２２の充填領域１８が規定されている。アンダーフィル剤２２は充填領域１８の全域にわたって充填されるが、半導体チップ１４の３辺については搭載エリアの内側に流出防止部１６が設けられているため、周囲にアンダーフィル剤２２が拡がらず、それだけスペースの有効活用を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明はバンプと接続端子との接触信頼性の高い半導体素子実装基板を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、この課題を解決するために接続端子２の上方に搭載された半導体素子３の下面側において、接続端子２に対応する位置に金属製のバンプ４を設けるとともに、少なくとも半導体素子３と基板１２との間には、バンプ４と接続端子２との接続状態を維持させる樹脂５が設けられ、少なくとも半導体素子３の角部近傍には、半導体素子３の側面と基板１２との間を接続する熱硬化性樹脂１５が設けられたものである。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の電極が接続される半導体素子接続パッドの配列ピッチが１５０μｍ未満の狭いものであったとしても、隣接する半導体素子接続パッドの間に帯状配線導体を両側の半導体素子接続パッドとの間に十分な間隔をあけて形成することが可能な設計自由度の高い配線基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体素子接続パッド２Ａは、その上面が帯状配線導体２Ｃの上面よりも上方に突出してソルダーレジスト層３から完全に露出しているとともに、その上面から下面にかけての大きさが同じである。 （もっと読む）

【課題】実装基板と半導体チップの間に樹脂を充填するときに、ボイドが発生することを抑制する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、実装基板１００の区画領域２００に、半導体チップ３００を搭載する工程と、半導体チップ３００と実装基板１００の間に樹脂４００を充填する工程とを備える。区画領域２００は、一端が半導体チップ３００の下方に位置し、他端がダイシングライン１１０に位置する第１の溝２１０を有している。第１の溝２１０は、半導体チップ３００の辺のうち第１の溝２１０が交わる辺と平行かつ半導体チップ３００の中心を通る直線Ｓを跨いでいない。樹脂４００を充填する工程において、樹脂４００は、第１の溝２１０と交わる方向に浸透する。 （もっと読む）

【課題】バンプを介して接合された一対の実装体間の隙間へのアンダーフィル樹脂の適切な充填を行うことができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、ダム３３で囲まれた樹脂溜め領域３６を有する第１の実装体１１と、バンプ２１を介して第１の実装体１１に実装された第２の実装体１２と、第１の実装体１１と第２の実装体１２との間の隙間２０に充填されバンプ２１を覆う絶縁性のアンダーフィル樹脂２２と、を備え、ダム３３は、樹脂溜め領域３６と隙間２０との間を仕切る内側隔壁部３４を有し、内側隔壁部３４の一部は開口されている。 （もっと読む）

【課題】 フラックス機能を有する接着剤層を介して半田を接続する方法において、信頼性に優れた半田接続方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の半田の接続方法は、第１半田バンプを有する第１電子部品と、電極を有する第２電子部品とをフラックス機能を有する接着剤層を介して第１半田バンプと電極とを電気的に接続する半田の接続方法であって、第１電子部品の一方の面から第１半田バンプの高さをＡ〔μｍ〕とし、フラックス機能を有する接着剤層の厚さをＢ〔μｍ〕としたときＡ＞Ｂであり、第１電子部品に、接着剤層を配置する工程と、第１電子部品と第２電子部品の対向する表面の距離が、接着剤層の厚さＢ〔μｍ〕とほぼ同じとなるように、第１半田バンプを前記電極に加熱・加圧して、第１半田バンプを変形させると共に、第１半田バンプと前記電極とを接触させる接触工程と、を有する。 （もっと読む）

伝導性組成物は、保護されていない単一の反応基を含む一酸混成物を含む。この一酸混成物は、他の場所において実質的に非反応性の基を含むことにより連鎖終結剤として機能し得る。この組成物を使用した方法および装置も開示される。 （もっと読む）