【課題】フリップチップ実装後のウェット洗浄を排して、バンプの接合性などの実装品質を確保することができる部品内蔵配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の配線層を積層して構成されコア層１にバンプ付きの電子部品７が実装された部品内蔵配線基板の製造において、部品搭載後のコア層１において電子部品７との隙間に樹脂を注入して硬化させて封止する樹脂封止工程後において、電子部品７が実装された実装面側をプラズマ処理することによって実装面側に形成された配線回路３の表面３ｂに生成した酸化膜３ｃを除去する方法を採用する。これにより、フリップチップ実装後のウェット洗浄を排することができ、ウエット洗浄に起因するバンプの接合性低下などの不良を防止して実装品質を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】電子部品と絶縁性樹脂の間に発生する気泡を減らすことのできる実装構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】シート状の絶縁性樹脂１６を回路基板１４上に形成する絶縁性樹脂配置ステップと、電子部品１１の電極１２上に形成されたバンプ１３が、回路基板１４の対向電極１５に相対するように、絶縁性樹脂１６の上から電子部品１１を位置合わせする実装ステップと、加熱加圧を行って、絶縁性樹脂１６を硬化させて電子部品１１と回路基板１４とを接合する接合ステップとを備える。絶縁性樹脂１６の側面の形状は、実装ステップで位置合わせする際または接合ステップで接合する際に電子部品１１を下降させるにしたがって、絶縁性樹脂１６と電子部品１１の下面との当接する部分が広がる形状をしている。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性の高いＢＧＡ接続構造の提供。
【解決手段】半導体装置１と配線基板（実装基板１０）とをはんだによりＢＧＡ接続する半導体装置と配線基板の接続構造において、はんだバンプよりも軸線方向に長く形成し、且つ、断面積が中央部分よりも半導体装置側に接合される一端と配線基板側に接合される他端の方で広くなる形状に形成したスタッドピン８と、半導体装置側と実装基板側に各々配設してスタッドピンの両端を各々接合する当該スタッドピンの両端よりも大きい基板パッド（第１金属製パッド７、第２金属製パッド１１）と、はんだによるスタッドピンと半導体装置及び実装基板との間のフィレット形状接合部と、を備えること。 （もっと読む）

【課題】熱応力によるクラックの発生を抑制できる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】この半導体装置１では、アレイ状あるいはランダム状に配列された複数の接続端子４１を介して被実装対象２が実装対象３に実装されている。また、半導体装置１は、実装対象３側に複数の電極パッド４３ａ、４３ｂを形成する手段と、接続端子４１を電極パッド４３ａ、４３ｂ上にて溶融および凝固させて実装対象３に結合する手段とを備えている。そして、一部の電極パッド４３ａが、接続端子４１の凝固形状を規定する本体部４３１と、接続端子４１の溶融時にて接続端子４１の一部を本体部４３１の外周にガイドするガイド部４３２とを有している。 （もっと読む）

【課題】高速かつ高精度で電子部品を実装することができる電子部品実装装置を提供する。
【解決手段】ピックアップポジションにて吸着した電子部品Ｔを、ボンディングポジションまで搬送して電子部品Ｔを基板５の実装部位に実装する電子部品実装装置である。電子部品Ｔを吸着してピックアップポジションからボンディングポジションに搬送し、ボンディングポジションにおける基板５の実装部位６での電子部品Ｔに対する押さえが可能な吸着体１を備えるとともに、吸着体１にて電子部品Ｔを押さえた状態で、電子部品Ｔに対する加熱を行う加熱体３を、ボンディングポジション上に配設した。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ上の樹脂厚にバラツキが少ない樹脂封止が可能で、製造コストを低減できる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】複数の単位回路パターン１１を有するインターポーザ１０にフリップチップ接続された複数の半導体チップ２０上にフィルム状の封止樹脂を搭載する工程と、複数の半導体チップ上に封止樹脂が搭載されたワークを真空状態にてプレスして複数の半導体チップを樹脂封止する工程とを含む。複数の半導体チップを樹脂厚にバラツキが少ない封止樹脂で封止することができる。また、モールド成型のように高価な金型を必要としないため製造コストを削減することができる。 （もっと読む）

【課題】 特別な工程を設けることなく、隣接するはんだバンプ間でショートが発生しないはんだバンプ付き回路基板を得ることのできる回路基板およびそれを用いた電子装置を得ること。
【解決手段】 主面に複数の端子電極２が配列され、端子電極２は最表面に金層２ａが形成されており、金層２ａの周囲を覆う外周部３ａと外周部３ａの２箇所以上から金層２ａの中心に向かって延びて金層２ａの一部を覆う突出部３ｂとを有するレジスト層３が形成されている回路基板である。レジスト層３の突出部３ｂが外周部３ａから折れ曲がって立ち上がっており、はんだから成るバンプが金層２ａ上に突出部３ｂに支えられて形成されたバンプ付き回路基板とすることができ、バンプ間のショートを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】コストの低減を図りつつ、半導体チップのバンプと基板のパッドとの良好な半田接合を得ることができ、かつ接合信頼性を向上させた半導体装置の製造方法およびこの方法に用いる圧力容器を提供する。
【解決手段】バンプ４を有する複数の半導体チップ３を基板１上にフリップチップ実装して半導体装置を製造する半導体装置の製造方法は、以下の工程を含む。複数の半導体チップ３を、各バンプ４が基板１上の各パッド２表面の半田層５上に載るように、基板１上に配置する工程。複数の半導体チップ３が基板１上に配置されたワークＷを圧力容器８に入れる工程。圧力容器８中の気圧を、ワークＷを加熱する際の最高温度における接着剤層６に含まれる溶剤の蒸気圧よりも高くし、この状態で、ワークＷをヒータ１２により加熱し、半田層５を溶融させる工程。 （もっと読む）

【課題】ＰｏＰ構造の積層型半導体装置において、実装基板への実装面積を抑制しつつ上下パッケージの接続端子数を確保し、下側パッケージのチップ厚および実装ギャップの制限を緩和する。
【解決手段】積層型半導体装置は、上面に電極ランドと接続端子４と有する配線基板３と、配線基板３の上に、回路形成面が配線基板３の上面に対抗するように搭載された半導体チップ１と、電極ランドと半導体チップ１の回路形成面とを接続する金属バンプ２と、配線基板３と半導体チップ１との隙間に金属バンプ２を介して充填されたアンダーフィル樹脂６とを備えている。接続端子４は、配線基板３の上面の面積の４０％以上の領域に配置されており、且つ、配線基板３の辺又は角に集約して配置されている。 （もっと読む）

【課題】超低誘電率膜の破壊と鉛フリーはんだからなるバンプの破壊をともに防ぐことが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、配線基板１１と、配線基板１１上に鉛フリーはんだからなるバンプ１３を介してフリップチップ接合された半導体チップ１２と半導体チップ１２と配線基板１１との間隙を充填するアンダーフィル樹脂１４とを備えている。アンダーフィル樹脂１４は、エポキシ樹脂、硬化剤および無機充填剤を含有し、ガラス転移温度が１２５℃以上であり、２５℃における熱膨張係数が３０ｐｐｍ／℃以下であり、−５５℃以上ガラス転移温度未満の温度域における貯蔵弾性率が４ＧＰａ以上９ＧＰａ以下、かつ損失弾性率が１００ＭＰａ以上であり、当該損失弾性率は複数のピークを有している。 （もっと読む）

【課題】加熱工程を削減でき、電気的な接合の品質を安定に維持することができ、必要な強度を得ることが出来る実装方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板（１）における半導体パッケージ部品（３）の実装予定位置（６）の中に第１の補強用接着剤（５）を塗布し、基板（１）の電極（２）と半導体パッケージ部品（３）の電極が凝固状態の接合金属（４）を介して当接するよう半導体パッケージ部品（３）を基板（１）にマウントし、基板（１）における半導体パッケージ部品（３）がマウントされたエリアの周部（６）と半導体パッケージ部品（３）の外面との間にわたって第２の補強用接着剤（５ａ）を塗布し、その後にリフローして接合金属（４）を溶融させ接合金属（４）が凝固するとともに第１，第２の補強用接着剤（５，５ａ）を硬化させる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスが実装基板上にフリップチップ接続されてなる半導体装置において、実装基板の電極端子間に多くの配線を通し得るようにする。
【解決手段】導電性バンプ２ｂを有する半導体デバイス２が、前記導電性バンプが回路基板１上の電極端子１ｂに接続される態様にて回路基板上に実装されている半導体装置において、電極端子１ｂのサイズ（幅または一辺の長さまたは径）が導電性バンプ２ｂの径以下（１/４程度）であり、かつ、導電性バンプは電極端子の下端までは濡らしていない。つまり、導電性バンプ２ｂは、回路基板１の絶縁性基板１ａの表面には接していない。 （もっと読む）

【課題】高周波モジュールに対し樹脂封止を行うと半導体部品や回路基板上の配線に樹脂が接することにより電気的特性が変化した。また、封止樹脂に磁性体を添加するシールド方法では高いシールド性が得られなかった。
【解決手段】回路基板上にフェイスダウン実装された半導体部品と、前記半導体部品へ繋がる前記表面配線とが第１の封止材および導電性材で覆われ、前記半導体部品と前記回路基板間に空間が設けられた高周波モジュールであって、前記導電性材は、前記第１の封止材に設けた孔を介して、回路基板上のグランド配線パターンに接続され、前記第２の封止材が、前記第１の封止材と、前記導電性材とを覆う構造である。 （もっと読む）

【課題】配線基板と半導体チップとを半田バンプを介して接続した半導体装置において、ガラス転移温度Ｔｇが高いアンダーフィル樹脂に起因する半導体チップのクラックや層間剥離等を招くことなく、半田バンプの疲労破壊によるオープン不良の発生を抑制する。
【解決手段】半導体装置１は、接続パッド４を有する配線基板２と、電極パッド５を有する半導体チップ３とを具備する。半導体チップ３は配線基板２上に搭載されており、電極パッド５は接続パッド４と半田バンプ６を介して接続されている。配線基板２と半導体チップ３との間の隙間には、熱硬化された熱硬化性樹脂からなるアンダーフィル樹脂７が充填されている。アンダーフィル樹脂７は半田バンプ６の結晶粒の成長に伴ってガラス転移温度Ｔｇが上昇する。 （もっと読む）

【課題】樹脂による封止構造を有する半導体装置の熱応力による破損を防止する。
【解決手段】本発明による半導体装置１００は、配線基板３と、配線基板３に導体バンプ４を介して回路面２が接合された半導体チップ１と、配線基板３と回路面２との間を封止するアンダーフィル樹脂５とを具備する。アンダーフィル樹脂５は、回路面２の裏面８の少なくとも一部を被覆している。 （もっと読む）

【課題】所望の温度を得るための熱効率を向上することができ、また基板を冷却する際の冷却能力の低下を防止することができ、さらに１枚の基板に複数個の半導体素子を実装することができるようにする。
【解決手段】配線基板２に半導体素子１を実装する半導体装置の製造装置において、配線基板２を支持するステージ４と、半導体素子１側より加熱する加熱ユニット１５とを具備し、ステージ４に配線基板２を吸着固定する第１の流路７と、第１の流路７と独立し、配線基板２の半導体素子１が実装される領域と接し、ステージ４の断熱と配線基板２の冷却を行う第２の流路９とが具備されている。 （もっと読む）

【課題】気密性に優れた弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】弾性表面波装置１００は、実装基板１０２と、実装基板１０２の上面に対向配置された弾性表面波素子１５０と、実装基板１０２の上面に設けられているパッド１１８と、パッド１１８を被覆する半田層１２２と、実装基板１０２の上面に設けられ、パッド１１８を囲むダム材１３４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 加熱雰囲気で保持後に、真空工法により半導体チップと基板の間隙に充填が可能なアンダーフィル用樹脂組成物を提供することである。特に、減圧かつ加熱雰囲気でアンダーフィル用樹脂組成物を塗布する真空工法で使用可能なアンダーフィル用樹脂組成物を提供することである。
【解決手段】
（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）アミン系硬化剤、および（Ｃ）無機充填剤を含む組成物であって、温度：２５℃での粘度が１〜１５０Ｐａ・ｓであり、かつ温度：１００℃において粘度が１Ｐａ・ｓになるまでの時間が４０〜１８０分であることを特徴とする、アンダーフィル用液状樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィル樹脂のフィレット幅が非対称となった場合の半導体装置の反りを抑制する。
【解決手段】チップ１の中心位置１２は、配線基板２の中心位置１３に対して、チップ１の中心位置１２に対するアンダーフィル樹脂４の中心位置１１のずれ方向（矢印Ａ方向）とは逆方向（矢印Ｂ方向）にずれている。封止樹脂６の中心位置１４は、配線基板２の中心位置１３に対して、チップ１の中心位置１２に対するアンダーフィル樹脂４の中心位置１１のずれ方向（矢印Ａ方向）と同方向（矢印Ａ方向）にずれている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子をリードフレーム又は回路基板に強固に接合することができると共に、この接合部と封止樹脂との密着性を高め、この両者の界面に空隙が生じるのを防止することができる半導体パッケージを提供する。
【解決手段】はんだ粒子を含有する熱硬化性樹脂組成物１を用いて半導体素子２をリードフレーム３又は回路基板４に接合し、この接合部５を封止樹脂６を用いて封止して形成された半導体パッケージ７に関する。前記接合部５が、前記はんだ粒子が溶融一体化したはんだ部９と、前記はんだ部９の周囲を被覆する樹脂硬化部１０とで形成されている。 （もっと読む）