【課題】処理対象物を直接的に冷却することができ、別途の冷却板を設置する必要がない加熱溶融処理装置を提供する。
【解決手段】
本発明の加熱溶融処理装置は、半田を含む処理対象物１００についてカルボン酸蒸気を含む雰囲気中で加熱溶融処理する加熱溶融処理装置１であって、加熱溶融処理した処理対象物１００を載せて搬送するためのハンド部４を冷却板として兼用する。 （もっと読む）

【課題】はんだボールと半導体パッケージおよび回路配線基板側との接合部に応力集中が生じないようにする。
【解決手段】同一平面上にはんだボール１５を配列した半導体パッケージを回路配線基板１７に載置してリフロー加熱により両者をはんだ接合し、半導体パッケージと回路配線基板１７との間に熱膨張性を有するアンダーフィル材１９を充填する。アンダーフィル材１９を硬化するときの加熱温度をはんだボール１５の溶融温度よりも高くすることで、はんだボール１５を溶融しながらアンダーフィル材１９を膨張させる。これにより、半導体パッケージが持ち上げられ、はんだボール１５は、引き延ばされて円柱状の形状に変形される。この変形により、はんだボール１５との接合部に応力が集中することのない形状になり、耐クラック性が向上し、接合部の信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】半田端子により回路基板に実装した半導体装置の接続信頼性を向上する。
【解決手段】表面に外部接続用の半田端子が設けられた柱状電極を有する半導体装置の実装構造である。半導体装置を実装する回路基板は、配線の端部に設けられた接続パッドと、配線を被覆する保護絶縁層とを備える。保護絶縁層には接続パッドを露出させる開口部が設けられ、開口部の直径Ｒは、柱状電極の直径Ｄに対し、０．９Ｄ≦Ｒ≦０．９８Ｄである。 （もっと読む）

【課題】安価な構成でペースト膜の厚さの計測を行うことができ、ペースト膜の形成工程の実行コストを引き下げることができるようにしたペースト膜形成装置、電子部品実装装置、ペースト膜形成方法及び電子部品実装方法を提供すること目的とする。
【解決手段】計測ツール５０をペースト膜Ｐｍが形成されたテーブル１３の上方から下降させて計測ツール５０の脚部５２をテーブル１３の上面１３ｓに接地させた後、ペースト膜Ｐｍから引き上げた計測ツール５０の下方からの撮像を行い、得られた画像における計測部５３（計測片５３ａ，５３ｂ，・・・，５３ｅ）の下面のペーストＰｓｔが付着した領域に基づいてテーブル１３上に形成されたペースト膜Ｐｍの厚さｔを算出する。 （もっと読む）

【課題】コア部の外側を覆うようにアンダーフィル部が形成される半田ボール、及び前記半田ボールにより半導体チップと基板部とが電気的に接続される半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体チップ１１０を基板部１２０に電気的に接続する半田ボール１３０において、半田ボール１３０は、半導体チップ１１０と基板部１２０を電気的に導通させるためのコア部１３２と、コア部１３２の外側を覆うようにコア部１３２にコーティングされ、コア部１３２の半導体チップ１１０と基板部１２０への接触時にコア部１３２の周囲を保護するためのアンダーフィル部１３４とを含む。 （もっと読む）

【解決手段】
種々の半導体チップ入力／出力構造及びそれを作製する方法が開示される。ある態様においては、半導体チップの第１の側上に第１の導体構造を形成することと、第１の導体構造に電気的に接触する第２の導体構造を形成することと、を含む製造の方法が提供される。第２の導体構造は、半田構造に結合されるように適合させられており、また少なくとも２つのトレッドを有する階段配置を含む。 （もっと読む）

【課題】ターゲット領域内の基材表面の少なくとも一部において金属酸化物を除去し及び／又は半田接合を形成するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】複数の半田バンプを有する層を含む基材において金属酸化物を還元し及び半田接合を形成する方法及び装置であって、１つ又は複数の通電電極を用意し、前記層及び半田バンプの少なくとも一部を前記通電電極にさらすことによって金属酸化物を還元し及び半田接合を形成する方法及び装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールの実装信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体モジュールは、配線領域２０ａとこれに接続された電極領域２０ｂを含み、Ｃｕからなる配線層２０と、電極領域２０ｂと半導体素子３００の素子電極３０２とを電気的に接続し、Ｓｎを含むはんだボール４０と、を備える。電極領域２０ｂは、はんだボール４０と接する側の主表面が粗面であり、はんだボール４０と接する表層部分にＣｕとＳｎの合金を含む合金層３０を有し、主表面の表面粗さＲｍａｘが合金層３０の層厚よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アンダーフィルを注入した後に行う別途のリフロー工程を省略することができ、従来と比較して容易に製造することのできる回路基板及び半導体パッケージを提供する。
【解決手段】本発明の回路基板は、半導体チップと電気的に連結されるパターン部１１２が一面に形成された基板部１１０と、パターン部１１２が外部に露出するように基板部１１０上に形成され、半導体チップを実装する際に発生する熱によってパターン部１１２を覆うように流動するアンダーフィル層１３０と、基板部１１０とアンダーフィル層１３０との間に形成され、基板部１１０に形成された回路パターンを保護するためのソルダーレジスト層１２０とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】積層した半導体チップについて簡便な構成で配線を短縮すると共に薄型化を実現した。
【解決手段】半導体装置１０は，第一の半導体チップ１２と第二の半導体チップ１３を積層する。第一の半導体チップ１２は四角形板状に形成し、第二の半導体チップ１３は四角形板状で、第一の半導体チップ１２より四辺が外側に突出した領域で導電性バンプ１７を所定間隔に配列する。第一の半導体チップ１２は配線距離の短い導電性バンプ１４を所定間隔で縦横方向に配列して基板１１の電極にフリップチップ接合する。第二の半導体チップ１３は第一の半導体チップ１２の外側で、配線距離の長い導電性バンプ１７によって基板１１の電極にフリップチップ接合する。各導電性チップ１４，１７は電解めっきによって析出して略円柱状に形成する。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装のための回路基板の銅配線をセミアディティブ法で形成した場合、その接続パッド部にすずなどの溶融金属を付着形成する工程で、特にシード膜が溶食し、接続パッドが細って断線障害などを生じるケースがある。
【解決手段】絶縁基板上に銅シード膜上に感光樹脂パターンを形成し、その開口部へ銅の埋め込み配線パターンを形成した後、ウエットブラスト法での選択的エッチングで、埋め込み配線パターンの頂部及び側面部を感光性樹脂膜から露出させる。その露出部に無電解置換めっき法ですずめっきパターンを付着形成する。次いで、そのめっきパターンをマスクに再度ウエットブラスト法で残りの感光性樹脂膜を除去する。この工程で溶融金属はシード膜に触れず溶食されない。また本工程の結果、実装工程でも両者は接触しないため構造のため、シード膜の溶食が発生せず、実装時でのパターンの細りも抑制される。 （もっと読む）

【課題】外部接続端子と配線や電極パッドとの接続信頼性が低下することを抑制する。
【解決手段】この半導体装置は、電極パッド１２０及び外部接続端子２００を備える。外部接続端子２００は、Ｓｎを５０重量％以上、ＳｎとＰｂを合計で９０重量％以上、又はＰｂを８５重量％以上含有し、表面がＡｕ層２２０で被覆されている。Ａｕ層２２０の厚さは、好ましくは１０ｎｍ以上１μｍ以下である。Ａｕ層２２０の重量は、好ましくは外部接続端子２００の重量の０．６％以下である。 （もっと読む）

【課題】ウェハに形成されるめっき層の膜厚や膜質を均一にすること。また、一度に大量のウェハに無電解めっき処理をおこなうこと。
【解決手段】複数枚の被処理ウェハ２が適当な間隔をおいて平行に並べられたウェハカセット３を、めっき槽１内へ、被処理ウェハ２が薬液表面に対して垂直となるように挿入する。また、めっき槽１の側壁には、薬液供給口４が設けられている。ポンプによって薬液供給口４からめっき槽１内へ供給された薬液を、薬液表面および被処理ウェハ２に対して平行な方向に流通させ、バッファー板６によって流れを整流してからウェハカセット３へ流す。 （もっと読む）

【課題】微細狭ピッチ電子回路のはんだバンプ形成を可能にし、バンプ形状とバンプ高さの均一化を図る技術を提供する。
【解決手段】電極パッドに該当する部分が開口したマスク４の開口部を電子回路基板１の電極パッドの位置に合わせて貼り付けたワークを、高温の有機脂肪酸溶液１０中に浸漬して静置しパッド部表面の酸化層を除去・清浄化するとともに有機脂肪酸の保護皮膜を形成せしめる第１のプロセスと、上部からはんだ粒子６を下方に向けて散布することにより、有機脂肪酸溶液１０中で溶融状態のはんだ粒子をマスクの開口部から電極パッドに落下到達せしめはんだ粒子６を融着凝集融合させて、マスク開口部をはんだで満たす第２のプロセスと、スキージーによりマスク開口部最上面まで溶融はんだを充填する第３のプロセスと、はんだ皮膜を凝固させる第４のプロセスを行うことによりはんだバンプまたははんだ皮膜を形成させる方法。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ接続タイプの半導体装置における信頼性の向上を図る。
【解決手段】フリップチップ接続タイプのＢＧＡの組立てにおいて、半導体チップ１をフリップチップ接続によって半田接続する時に、配線基板２の下面２ｂ側のランド２ｊの表面に半田プリコート３が形成されていることにより、ランド２ｊと外部端子である半田ボールとの接続が半田接続となるため、ランド２ｊと前記半田ボールとの接続部の耐衝撃性を高めることができ、前記ＢＧＡの信頼性の向上を図る。 （もっと読む）

【課題】半導体素子に設けられた突起電極と回路基板に設けられたはんだ電極とを接合する際に、突起電極とはんだ電極との位置ずれを低減し、突起電極を被覆した鼓状の接合電極を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】突起電極１５が設けられた半導体素子１０と、固相液相共存領域を有する組成のはんだ電極２５ｃが設けられた回路基板２０とを、突起電極とはんだ電極とが対向するように位置合わせする第１工程と、はんだ電極を固相液相共存領域まで加熱し、所定時間保持する第２工程と、第２工程の後、はんだ電極を液相領域まで加熱する第３工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと配線回路基板との接続部の絶縁信頼性を向上できる接着剤組成物を提供する。
【解決手段】半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置、又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置において接続部を封止する接着剤組成物であって、重量平均分子量が１００００以上の高分子成分、高分子成分とは異なるエポキシ樹脂、硬化剤及びカルボン酸を含有し、圧着温度が２５０℃、圧着圧力が０．５ＭＰａ、圧着時間がＴ秒間である熱圧着条件において、熱圧着を開始してからＴ／２秒までにおける平均フロー量が０．２ｍｍ以上であり、Ｔ／２秒からＴ秒までにおける平均フロー量が０．３ｍｍ以下である、接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】電気的な接合部を形成する際に、放熱性及び耐マイグレーション性等の耐食性に優れた接合部を簡単なプロセスで形成することができる接合材料、並びにこの接合材料を使用した半導体の実装方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】回路基板２０４に設けられた接合端子と、半導体チップ２０１に設けられた電極端子２０３を電気的に接合するための接合材料であって、下記の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）の構成の全て含むことを特徴とする接合材料。（Ａ）酸化銀（Ｂ）加熱により（Ａ）の酸化銀に酸化される有機化合物又は有機酸の塩であって、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、及びＡｕのうちの少なくとも１つの金属が酸素と結合した有機化合物、又は金属がイオン結合した有機酸の塩（Ｃ）（Ｂ）を分散又は溶解できる溶媒であって、（Ａ）と（Ｂ）の酸化還元反応開始時に液状である溶媒 （もっと読む）

【課題】物理的な曲げや熱膨張係数の違いによる応力が加わっても、機能的に最小限な構成要素のみで、特定のバンプへの応力の集中を緩和し、半田バンプの破断を抑制できる半導体パッケージを実現する。
【解決手段】半導体パッケージ１０は、平板形状のダイ１１を有し、ダイ１１の実装面１１Ｆに複数のボンディングパッド１２は配列形成されている。また、実装面１１Ｆには、パッシべーション膜１３と保護膜１４とがボンディングパッド１２の中央領域を開口するように形成されている。この開口部には、ボンディングパッド１２に接合するＵＢＭ１５が形成されており、各ＵＢＭ１５の表面には半田バンプ１６が形成されている。この際、ダイ１１の角部に形成されたＵＢＭ１５Ｅは、ダイ１１の中央位置に形成されたＵＢＭ１５Ｃよりも小さい径で形成され、バネ係数が低く設定されている。 （もっと読む）

【課題】電気的信頼性を向上させる要求に応えるバンプ付き配線基板、バンプ付き電子部品及び実装構造体を提供する。
【解決手段】バンプ付き配線基板は、絶縁層１０と絶縁層１０上に設けられた導電層１１とを有する配線基板３と、導電層１１上に設けられ、導電層１１と電気的に接続されたバンプ４と、配線基板３の表面からバンプ４の表面にかけて連続的に設けられた無機絶縁構造体１３と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）