【課題】半導体装置において、各バンプの先端位置、即ち、各バンプの突出量がばらついていても、実装基板に接合した場合に、全てのバンプにおいて十分な接合強度が得られるようにする。
【解決手段】半導体装置を、半導体素子３と、半導体素子３の表面側に位置し、半導体素子３の裏面３Ａとの間の距離が第１の距離である第１バンプ形成面４（４Ｅ）上に形成された第１バンプ１（１Ｅ）と、半導体素子３の表面側に位置し、半導体素子３の裏面３Ａとの間の距離が第１の距離よりも長い第２の距離である第２バンプ形成面４（４Ａ）上に形成され、第１バンプ１（１Ｅ）よりも径が大きい第２バンプ１（１Ａ）とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を効率良く製造できるようにする。
【解決手段】半導体装置３１は、回路基板１の所定位置に形成された電極パッド１０を有し、電極パッド１０には、半導体装置２１のハンダバンプ２６が接合されている。ハンダバンプ２６は、半導体装置２１の電極２５上に形成され、そのハンダ材料には鉛フリーハンダが用いられている。回路基板１の電極パッド１０は、複数の凸部１０Ａと溝１０Ｂが形成されており、ハンダバンプ２６は、その一部が電極パッド１０の溝１０Ｂを埋めるように入り込んでいる。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィルに生成された気泡にバンプ電極のはんだが流れ込み、バンプ電極間の短絡事故が発生することを防止する回路基板を提供する。
【解決手段】基板表面に形成されたソルダーレジスト膜１４には、パッド１２の表面を露出させるための開口１４ａが開けられており、開口１４ａから、搭載される半導体デバイスの外周部に向かう方向に伸びる第１の溝１４ｂが形成される。第１の溝１４ｂは、ソルダーレジスト膜１４に凹部として形成されたものであり、他の部分よりも膜厚が薄くなされた箇所である。第１の溝１４ｂのパッド側と反対側の先端部には、対角線上に位置するパッドから伸びる第１の溝の場合を除いて、第１の溝１４ｂと直交する方向に伸びる第２の溝１４ｃが連結されている。第２の溝１４ｃも、ソルダーレジスト膜１４に凹部として形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】配線基板との間の接続強度を十分に確保できると共に、実装時における素体の幅方向の傾斜の抑制及びハンダ内部のボイドの残留の抑制を図ることができる表面実装型電子部品を提供する。
【解決手段】表面実装型電子部品１Ａでは、素体２の幅方向に溶融ハンダＰの濡れ広がりが誘導される。このため、溶融ハンダＰの表面張力が素体２の幅方向に分散され、素体２のバランスが取り易くなるので、実装時における素体２の幅方向の傾斜が抑制される。また、第１の電極部分３１、第２の電極部分３２、及び連結電極部分３３のそれぞれに溶融ハンダＰが分散することにより、配線基板５との間の接続強度を十分に確保できる。さらに、端子電極３Ａの外側凹部３５及び内側凹部３４から溶融ハンダＰ内のボイドが逃げ易くなっているので、ハンダ内部のボイドの残留を防止できる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスを積層化した構造で、低背化が可能な手段を提供する。
【解決手段】半導体デバイス１０の導電体１２に複数の微小な金属塊１３を形成、樹脂よりもヤング率が大きい半導体インターポーザ１５の導電体１７に複数の微小な金属塊１８を形成しフリップチップ接続することで、導電体同士が微少な金属塊で接続されることになり低背化が達成された。また、積層化プロセスが容易になるように、前記金属塊の形状、大きさ、配置などを最適化した。 （もっと読む）

【課題】
保存安定性に優れ、かつフリップチップ接続をした際にボイドの発生が充分に抑制され、良好な接続信頼性を得ることができる半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物、並びにこれを用いた半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】
エポキシ樹脂、酸無水物、硬化促進剤、フラックス剤を必須成分とし、硬化促進剤が４級ホスホニウム塩である半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物、並びにこれを用いた半導体装置及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 接触熱抵抗を考慮してヒーター制御を行うことにより、半導体ウエハ同士の接合面の温度を制御するようにして、より最適に半導体ウエハ同士の接合を行うことができる加熱加圧システムを提供する。
【解決手段】 加熱加圧システム（７０）は２つの物体（Ｗ１，Ｗ２）の一方を加熱する第一のヒーター部（ＨＴ）と、他方を加熱する第二のヒーター部（ＨＴ）と、物体の加熱加圧の条件を入力する入力部（９２）と、入力された条件に基づいて二つの物体（Ｗ１，Ｗ２）の接合面の温度が目標温度になるように第一のヒーター部及び第二のヒーター部をそれぞれ制御する温度制御部（９６）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 格子状に配置された突起電極を用いた実装において、実装プロセスを複雑化することなく、フラックスの揮発及び／又はパッケージ反り等に起因する突起電極の接続不良の発生を抑制する。
【解決手段】 半導体部品１１０の突起電極面１１０ａを凹状に変形させて半導体部品１１０を吸着し、凹状に変形された突起電極面１１０ａの突起電極１１３をフラックス又は半田ペースト１７１内に浸漬させて、突起電極１１３にフラックス又は半田ペースト１７２を転写する。その後、突起電極１１３を基板１２０上の電極パッド１２２に位置合わせして半導体部品１１０を基板１２０上にマウントし、吸着を解除した後、突起電極１１３と電極パッド１２２とを半田接合する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップとの間における接触不良の発生が抑えられた信頼性の高い回路基板等を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、接合部であるはんだ２２Ａを有する半導体チップ２０と、第１の電極１３Ｂと、第１の電極表面に比して、大きな凹部を表面に有する第２の電極であるアンカー電極１３Ａ＿５と、を備えた回路基板１０を有する。回路基板において、アンカー電極は、縁部から延在する凹部を有し、凹部は、回路基板の周縁領域に配置され、周縁に向けて設けられる。 （もっと読む）

【課題】耐リフロー性及び接続信頼性に優れる半導体装置の作製を可能とする接着剤組成物及びそれを用いた回路部材接続用接着剤シートを提供すること。
【解決手段】本発明は、（ａ）芳香環を有し、エポキシ当量が１００〜２５０ｇ／ｅｑである第１のエポキシ樹脂と、（ｂ）芳香環を有し、エポキシ当量が３００〜１３００ｇ／ｅｑである第２のエポキシ樹脂と、（ｃ）マイクロカプセル型の硬化促進剤とを含む接着剤組成物に関する。 （もっと読む）

【課題】圧電振動片が収容されたパッケージ内の真空度の低下を抑制できる圧電デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る圧電デバイス１００は、パッケージベース１２と、パッケージベース１２の第１キャビティーに収容された圧電振動片７０と、第１キャビティーに収容され圧電振動片７０を支持するリード３１，３２，３３，３４，３５，３６と、第１キャビティーを封止するリッドと、を含み、圧電振動片７０に形成された振動片端子８１，８２，８３，８４，８５，８６と、リード３１，３２，３３，３４，３５，３６とは、金属間接合されており、リード３１，３２，３３，３４，３５，３６と、パッケージベース１２に形成されたパッケージベース端子２１，２２，２３，２４，２５，２６とは、金属間接合されている。 （もっと読む）

【課題】積層された半導体ウエハーおよび半導体ウエハーが備える接続部間の電気的な接続を安定的に行い得るとともに工程が簡便である半導体ウエハー接合体を製造し得る半導体装置の製造方法および半導体装置、また、接続信頼性の高い電子部品の製造方法および電子部品を提供する。
【解決手段】半導体ウエハー２１０と、半導体ウエハー２２０との間に、樹脂組成物６１と、半田箔又は錫箔から選ばれる金属箔６２とから構成される積層構造を有する導電接続材料を介在させ、さらに、加熱することにより、金属箔を溶融し、半導体ウエハーの接続電極２１２，２２２の間に金属箔を凝集、固化させ、さらに、樹脂組成物を硬化または凝固させて、半導体ウエハーと半導体ウエハーとを固着させることにより達成することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスを基板に実装した後に熱負荷が加えられても位置ずれが生じない半導体デバイス実装体を提供する。
【解決手段】基板２には３つの電極４ａ，４ｂ，４ｃが設けられており、光半導体素子３には、基板２の電極４ａ，４ｂ，４ｃと対向する位置に電極５ａ，５ｂ，５ｃが設けられている。シリコン基板２の電極４ａ，４ｂと光半導体素子３の電極５ａ，５ｂは金製のスタッドバンプ７によって接合されており、シリコン基板２の電極４ｃと光半導体素子３の電極５ｃは、半田６によって接合されている。スタッドバンプ７は予めシリコン基板２の電極４ａ，４ｂに設けられていたものであり、このスタッドバンプ７の先部が、光半導体素子３の金メッキされた電極５ａ，５ｂに固相接合されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子とパッケージとの線膨張係数差に起因して半導体素子の機能部に生じる応力を低減でき、且つ、アウトガスの発生を防止できる半導体素子の実装構造を提供する。
【解決手段】シリコン基板の主表面側に機能部１２を形成した半導体素子１が、シリコン基板の裏面側をパッケージ２の実装面２２側として配置され、シリコン基板の裏面に直接接合されたＡｕバンプ３を介してパッケージ２の実装面２２に接合され、シリコン基板の主表面側のパッド１４がボンディングワイヤ４を介してパッケージ２の導体パターン２３と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】低コストで高密度な接続パッド及び接続ビアを構成できる配線基板を提供する。
【解決手段】酸化アルミニウム基板１０と、酸化アルミニウム基板１０の厚み方向に貫通して形成された多数の貫通導体ＴＣと、酸化アルミニウム基板１０の上に形成され、接続パッドＰが配置される部分に開口部２０ａが設けられた絶縁層２０と、絶縁層２０の開口部２０ａに形成され、複数の貫通導体ＴＣの一端側に接続された接続パッドＰとを含み、貫通導体ＴＣが酸化アルミニウム基板１０の外面から突出するか又は沈み込むことで凹凸が設けられている。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性の高く、かつ、基板設計における設計自由度の高い電子装置および電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】主面に電極が形成された電子素子１１と、一方の面は配線パターン１２ａが形成され、他方の面はパッド電極１６を含んでいるインターポーザ基板１２と、一方の面にパッド電極１９を含んでいるマザー基板１８とを含み、電子素子１１の電極と配線パターン１２ａとが、第１のバンプ１３を介して電気的に接続されて接続部が形成されることで、電子素子１１がインターポーザ基板１２上に対面した状態で実装され、接続部が、封止樹脂１４で封止され、パッド電極１６およびパッド電極１９とが、第２のバンプ１７を介して電気的に接続されて接続部が形成されることで、インターポーザ基板１２がマザー基板１８上に実装され、電子素子１１とインターポーザ基板１２との接続領域が、パッド電極１６のピッチ間に配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エッジ配線を用いた３次元半導体集積回路の製造方法を提供する。
【解決手段】３次元半導体集積回路の製造方法は、第１の半導体チップ１０の少なくとも一つのエッジを含む表面にインクジェット機構３０を用いて第１の配線１４を形成する工程と、第２の半導体チップ２０の少なくとも一つのエッジを含む表面にインクジェット機構３０を用いて第２の配線２４を形成する工程と、第１及び第２の配線１４，２４の位置に基づき第１の半導体チップ１０と第２の半導体チップ２０とを積層することにより、第１の配線１４と第２の配線２４とを導通させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を配線回路基板にフリップチップ実装する場合であっても、半導体素子の薄厚化を図るとともに、配線回路基板及び半導体素子間を良好に樹脂封止できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】バンプ２２とその上に設けられたはんだボール２４とからなる突起電極を有する半導体ウェハ２０面上に、粘接着剤層２及び弾性率が４５０ＭＰａ以下であるプラスチックシート１をこの順に備える接着シートを、粘接着剤層２が突起電極を埋めるように貼り付ける工程と、半導体ウェハ２０の突起電極が形成されている側とは反対側の面を研磨して薄厚化する工程と、薄厚化した半導体ウェハ２０及び粘接着剤層２を切断して粘接着剤付き半導体素子を得る工程と、熱圧着して配線回路基板と半導体素子とがはんだボール２４を介して電気的に接続され、配線回路基板と半導体素子との間が粘接着剤２により封止された構造の半導体装置を得る工程と、を備える。 （もっと読む）

本発明は、半導体部品、特に、高い電流許容能力を有するラテラル半導体構成エレメント用のスケーラビリティを有する構造に関する。本発明に係るある一つのトランジスター・セルは、一つの制御端子、多数のスプリング・フィールド、並びに、多数のシンク・フィールドを包含している。尚、該制御端子は、少なくとも一つのスプリング・フィールド、或いは、シンク・フィールドを完全に取り囲んでいる。また本発明に係るある一つのトランジスターは、複数のトランジスター・セルを基質上に有しているが、各々のトランジスター・セルは、一つのスプリング・コンタクト・フィールド、及び/或いは、一つのシンク・コンタクト・フィールドを包含している。スプリング・コンタクト・フィールドは、基質の裏側において互いに導通するようにつながれており、シンク・コンタクト・フィールドも、基質の裏側において互いに導通するようにつながれている。本発明に係るトランジスターの製造方法は、以下の工程を包含している：基質を準備する；基質上に、一つの制御端子、多数のスプリング・フィールド、多数のシンク・フィールドを有する多数のトランジスター・セルを形成する；制御端子を互いに導通するようつなぐ；各トランジスター・セルにスプリング・コンタクト・フィールド、及び/或いは、シンク・コンタクト・フィールドを形成する；各トランジスター・セルのスプリング・フィールドとスプリング・コンタクト・フィールドを導通するようにつなぐ；各トランジスター・セルのシンク・フィールドをシンク・コンタクト・フィールドと導通するようにつなぐ；少なくとも一つのバンプを各スプリング・コンタクト・フィールドと各シンク・コンタクト・フィールドに形成する；配線基板を用意する；スプリング・コンタクト・フィールドのバンプを互いに導通するように配線基板上の配線路を介して接続する；そして、シンク・コンタクト・フィールドのバンプを互いに導通するように配線基板上の配線路を介して接続する。このようなバンプと配線基板上の配線路の配置により、ワイヤー・ボンディングが半導体表面に設けられることを低減できる。スプリング・フィールド、シンク・フィールド及び制御端子のバンプに対する本発明に係る配置は、アクティブなトランジスター領域とバンプ間の熱抵抗を低減できるものである。
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【課題】ボンディング時にバンプ間にボイドを生じにくく、耐リフロー性及び信頼性に優れた半導体装置を製造するために用いることのできる接着剤組成物を提供する。また、該接着剤組成物を用いた半導体装置の製造方法、及び、該半導体装置の製造方法を用いて製造される半導体装置を提供する。
【解決手段】熱硬化性化合物と、前記熱硬化性化合物と反応可能な官能基を有するポリマーと、熱硬化剤とを含有する接着剤組成物であって、ボンディング温度での溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ以上１５０００Ｐａ・ｓ以下であり、ボンディング温度でのゲルタイムが１０秒以上であり、かつ、２４０℃でのゲルタイムが１秒以上１０秒以下である接着剤組成物。 （もっと読む）