【課題】更なる小型化を図ることが可能な電子部品、この電子部品を備えた電子機器及びこの電子部品の製造方法の提供。
【解決手段】水晶振動子１は、引き出し電極１５ａ，１６ａを有する水晶振動片１０と、バンプ電極２４，２５を有するパッケージベース２１と、を備え、バンプ電極２４，２５と引き出し電極１５ａ，１６ａとを介して、パッケージベース２１に水晶振動片１０が載置されており、バンプ電極２４，２５は、パッケージベース２１の支持面２３から水晶振動片１０側に向かって突出した形状であると共に、パッケージベース２１の支持面２３の広がり方向に向かって凸状に丸みを帯びた形状を備えた樹脂製の樹脂突起２４ａ，２５ａと、樹脂突起２４ａ，２５ａの表面を覆う導電性被膜２４ｂ，２５ｂと、を有し、引き出し電極１５ａ，１６ａとバンプ電極２４，２５とが、直接接合されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】樹脂組成物層内にボイドが生じることを防止することができる接合方法、このような接合方法を用いて製造される半導体装置、多層回路基板および電子部品を提供する。
【解決手段】本発明の接合方法は、端子５２を有する半導体チップ５と、端子４４を有する回路基板４とを、半導体チップ５の端子５２が設置された面と、回路基板４の端子４４が設置された面とが対向するように配置し、端子５２とそれに対応する端子４４とを電気的に接続するとともに、半導体チップ５の端子５２が形成された第１の領域に設けられた樹脂組成物層１で、その第１の領域および回路基板４の端子４４が形成された第２の領域を覆うように、半導体チップ５と回路基板４とを接着する接合方法であって、端子５２と端子４４とを電気的に接続するに際し、減圧雰囲気下で、半導体チップ５と回路基板４とを樹脂組成物層１を介して圧着する。 （もっと読む）

【課題】導体層と絶縁層を交互に少なくとも１層以上積み重ねてなる多層配線基板の表層絶縁層上に、フェイスダウン方式で半導体素子を、突起電極を介して接続し、前記半導体素子と前記多層配線基板とのギャップに液状熱硬化樹脂を塗布し突起電極を封止して製造する半導体パッケージの製造方法において、半導体素子実装後に、液状熱硬化樹脂を注入し、半導体素子と多層配線基板のギャップを封止する際、半導体素子下で浸透のむらが生じ、それを起因とする巻き込みボイドが発生する問題がある。
【解決手段】少なくとも該半導体素子が搭載される表層絶縁層上の領域に対しプラズマ放電を利用した表面活性処理を不均一に施すことを特徴とする該半導体パッケージの製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージ基板に対する半導体チップの実装時のアンダーフィルの流動性が向上し、アンダーフィルボイドが解消され、半導体チップと半導体パッケージ基板が良好に接続される半導体パッケージ基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】未硬化ソルダーレジスト７ｅの表面に対向して配置したガラスマスク７ａの遮光部７ｃを、未硬化ソルダーレジスト７ｅのソルダーレジスト開口部７ｄに対応する箇所に配置し、遮光部７ｃよりも遮光度が低いグレートーンもしくはハーフトーン部７ｂを、未硬化ソルダーレジスト７ｅのソルダーレジスト開口部７ｄに対応する箇所の周縁であって、かつ、未硬化ソルダーレジスト７ｅの半田接続端子７ｆを被覆した部分に対応する箇所に配置し、ガラスマスク７ａを介して未硬化ソルダーレジスト７ｅの露光、現像を実施することにより、半導体パッケージ基板Ａを形成している。 （もっと読む）

【課題】半導体素子接続用の長手形状の接続端子の一部に凸形状を設けることにより、高密度化にも対応可能で、かつ接続に必要なボリュームと高さを有するはんだバンプを、接続端子の長手方向の所定の位置に形成可能な半導体パッケージ基板を提供する。
【解決手段】半導体素子接続用の長手形状の複数の接続端子を有し、これらの複数の接続端子が短手方向に並んで配置され、前記前記複数の接続端子の長手方向の一部に凸形状が形成されることを特徴とする半導体パッケージ基板。また、上記において、凸形状が、短手方向に並んで形成される複数の接続端子の長手方向の所定の位置に形成されることを特徴とする半導体パッケージ基板。また、上記の何れかにおいて、接続端子の長手方向における凸形状の長さが、接続端子の長さの１／５〜１／３の大きさであることを特徴とする半導体パッケージ基板。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップの接続用端子と導体パターンとがソルダーレジストに形成された開口部に敷設される半田を介して電気接続され、ソルダーレジストとＩＣチップ間の隙間で電気接続部以外がアンダーフィルによって充填された実装基板において、短時間でアンダーフィルを充填するとともに、ボイドの発生を抑制し、信頼性を向上させた実装基板を提供する。
【解決手段】アンダーフィル７によって被覆されるソルダーレジスト６ｒ部分が接続用開口部の設置ピッチよりも狭い幅の溝９ａを備えており、これらの溝９ａが、各接続用開口部間にストライプ状に縫うように、あるいは開口部を格子状、多角形形状、円形状、楕円形状で囲うように、あるいは波状に縫うように形成され、その断面形状がU字型、V字型、矩型のいずれかである実装基板である。 （もっと読む）

【課題】フレキシブル配線基板を折り曲げることで裏面電極を形成する半導体装置のコプラナリティを高くして、電極の相対的位置精度を向上させることができる、接続信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数のＬＳＩチップＣ１〜Ｃ３が搭載されたフレキシブル配線基板１０と、該フレキシブル配線基板１０上の複数のＬＳＩチップＣ１〜Ｃ３を覆うように設けられた複数の支持体２０〜２２と、該支持体支持体２０〜２２の周囲で該支持体２０〜２２を包むように前記フレキシブル配線基板１０が折り曲げられた状態で、前記フレキシブル配線基板１０の上面及び下面に配置された外部端子１３と、を有し、前記支持体２０〜２２は、前記フレキシブル配線基板１０を折り曲げた際に、裏面２０Ａ〜２２Ａ同士が互いに接触した状態で、接着層１１により結合されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】現状市場に大量に流通している、Ｓｎ−３Ａｇ−０．５ＣｕやＳｎ−３ＡｇのＳｎ−Ａｇ系はんだボールが搭載されている半導体装置を、基板に対し１８０度以下の低温で安定して実装でき、機械的な信頼性を向上させるとともに、経時による電気抵抗の上昇を低減することが可能な接合材料を得ることができる。
【解決手段】本発明に係る接合材料は、融点が１８０℃以下であるはんだ合金と、ＢｉまたはＩｎのいずれか１種以上を９０ｗｔ％以上含有する。 （もっと読む）

【課題】ビルドアップ基板中に内蔵できるキャパシタを、エアロゾルデポジション法を使って形成する。
【解決手段】金属よりなる第１の基体上に第１のセラミック膜を形成する工程と、金属よりなる第２の基体上に第２のセラミック膜を形成する工程と、前記第１および第２のセラミック膜の一方の表面に銅よりなる第１の電極パタ―ンと第１のビアプラグパタ―ンとを、相互に離間して形成する工程と、前記第１および第２の基体を互いに押圧することにより、前記第１のセラミック膜と前記第２のセラミック膜とを、前記第１の基体と前記第２の基体とが押圧された状態で、前記第１の基体と前記第２の基体との間にパルス電圧を印加することにより、前記第１および第２のセラミック膜を、前記第１の電極パターンおよび前記第１のビアプラグパタ―ンを介して相互に接合する工程と、前記第２の基体を除去する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】第１の被着体と第２の被着体とを接合する際、容易に、第１の被着体と第２の被着体との位置合わせを行うことができる樹脂組成物を提供すること、および、このような樹脂組成物を用いた接着フィルム、半導体装置、多層回路基板および電子部品を提供すること。
【解決手段】本発明の樹脂組成物は、第１の被着体と第２の被着体とを接合する際に用いられ、前記第１の被着体上に設けられる樹脂組成物層１を構成するものであり、前記樹脂組成物層１を平均厚さｔ［μｍ］で設け、前記樹脂組成物層１の波長８００ｎｍの光における吸収係数をα［１／μｍ］としたとき、下記（１）式および（２）式を満たすよう構成されている。
α×ｔ≦−ｌｏｇ_１０（０．０５） ・・・（１）
１≦ｔ≦２００ ・・・（２） （もっと読む）

【課題】鉛（Ｐｂ）を含有しない外部接続用突起電極を介して半導体素子を配線基板に実装する方法であって、当該実装の際に、配線基板から、当該半導体素子に於けるＬｏｗ−Ｋ材料から構成される層間絶縁膜を介して積層されている配線層に作用する応力を緩和して、層間剥離の発生を抑制することができる半導体素子の実装方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体素子１０を外部接続用突起電極９を介して配線基板２０に実装する方法は、前記半導体素子１０の前記外部接続用突起電極９と前記配線基板２０とを接続するためにリフロー加熱処理を施した後に、接続された前記半導体素子１０及び前記配線基板２０を、約０．５℃／秒以下の冷却速度で冷却することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】比較的シンプルな構成により基板と半導体素子との間の半田接合部の耐久性を向上させること。
【解決手段】基板１は、表面及び裏面の少なくとも一方に半導体素子を半田により接合するように構成される。ここで、半導体素子を接合する部位は、凹部２となっており、他の部位である外周縁部３よりも低い面となっている。凹部２は、外周縁部３の内側の部分である。基板１は、ガラス繊維層１１を樹脂層１２で覆うことにより形成される。半導体素子を接合する凹部２の面２ａは、外周縁部３の面３ａに比べてガラス繊維層１１に近接している。基板１の凹部２の中の最薄部の厚さは、ガラス繊維層１１の厚さよりも大きい。この基板１に適用される半導体素子は、ランドグリッドアレイの素子である。 （もっと読む）

【課題】半田付けと補強樹脂の熱硬化を同一の加熱工程で行うに際しての、補強樹脂の硬化時の熱収縮の影響を小さく抑えることができる電子部品の実装構造体を提供する。
【解決手段】プリント基板２と、プリント基板２上に半田ボール３を介して実装された平面形状が正方形状の電子部品４と、プリント基板２と電子部品４との両方に跨って塗布形成された補強樹脂５とを備えた電子部品の実装構造体１である。電子部品４の上面の法線方向から見た場合に、補強樹脂５は、電子部品４の上面の各角部を起点として各辺に沿って時計回りに隣の角部に到達しない長さで塗布形成されている。 （もっと読む）

【課題】耐落下衝撃性に優れる半導体パッケージを提供する。
【解決手段】絶縁樹脂を含むコア層９を有するパッケージ基板７、該パッケージ基板に搭載され、周囲を封止材６により封止された少なくとも１つの半導体素子５、及び、該パッケージ基板をマザーボード２に接続するための接続用電極としてのはんだバンプ４を有する半導体パッケージ１において、該絶縁樹脂の下記式（１）で表される特性値Ａが１．４ＭＰａ以下である半導体パッケージ。


Ｔ１：封止温度（℃）、Ｔ２：はんだバンプの融点（℃）、Ｅ_T2：はんだバンプの融点における絶縁樹脂の弾性率（ＭＰａ）、α（Ｔ）：Ｔ℃のときの絶縁樹脂の熱膨張係数（℃^-1） （もっと読む）

【課題】簡易な構成で精度よく微細な接合対象物同士を位置あわせができる構造体を提供する。
【解決手段】第１の接合部１を有する第１の接合対象物の所定の箇所に開口１２を形成する。第２の接合部２を有する第２の接合対象物の前記開口１２と対向する位置に、前記開口１２の径よりも小さい径を有し加熱により体積膨張する性質を有する球状構造体３を配置する。前記球状構造体３が前記開口１２内に位置するように、前記第１の接合対象物と前記第２の接合対象物を仮配置する。加熱により、前記球状構造体３を前記開口１２内で前記開口１２の径の大きさまで体積膨張させることによって、前記第１の接合部１と前記第２の接合部２とを自己整合的に位置あわせする。 （もっと読む）

【課題】導体層及び樹脂絶縁層が交互に積層されるとともに、第１の主面側とこの第１の主面と相対する第２の主面側の最表面にソルダーレジスト層が形成され、前記ソルダーレジスト層に形成された開口部から前記導体層が露出してなる配線基板において、導体層と半田バンプ等との密着性を改善した新規な配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板の最表面のソルダーレジスト層に形成された開口部から露出した導体層上に、Ｓｎを含む下地層を形成する。次いで、下地層のうち第１の主面側に位置する第１の下地層及び第１の主面と相対向する第２の主面側に位置する第２の下地層上に、それぞれ第１の半田及び第２の半田を供給する。次いで、第１の半田及び第２の半田を同時に加熱して、それぞれ第1の下地層及び第２の下地層と接続する。 （もっと読む）

【課題】ＣＳＰ及びＢＧＡに搭載されている鉛フリーはんだボールに許容値内で高低差があった場合でも、未はんだやブリッジを防止することができるパッケージ、電子機器、パッケージ接続方法及びパッケージ修理方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイス１が配置されたトップパッケージと配線６が配置されたボトムパッケージとを電気接続したパッケージ接続方法であって、少なくとも１以上の半導体デバイス１が配置され、少なくとも１以上の接続パット３に導電性のはんだボール２を搭載したトップパッケージの全てのはんだボール２の高さを揃える高さ揃え工程と、配線６が配置され、少なくとも１以上の接続パット５が配置されたボトムパッケージの少なくとも１以上の接続パット５の上にはんだボール２より融点の低いはんだ４が溶融され、前記トップパッケージと前記ボトムパッケージとを電気接続する接続工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】はんだ接続性に優れ、保存安定性も良好な接続信頼性に優れる半導体装置の作製を可能とする回路部材接続用接着剤、それを用いた回路部材接続用接着剤シート、半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】複数のバンプが形成された第一の回路部材と、該バンプとはんだ接合する回路電極が形成された第二の回路部材との間に介在させ、両回路部材を加熱加圧により接着するための回路部材接続用接着剤であって、加熱加圧前の面積に対する加熱加圧後の面積の倍率を計測する方法で求められる流動性が、両回路部材をはんだが溶融しない温度で熱圧着する第一の加熱加圧条件では１．８〜３．０倍であり、その加熱条件で加熱処理した後、その加熱条件よりも高温でかつはんだが溶融する温度で加熱加圧する第二の加熱加圧条件では１．１〜３．０倍かつ第一の加熱加圧条件での流動性以下である、回路部材接続用接着剤。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ型半導体裏面用フィルムの切断精度を高く維持することが可能なフリップチップ型半導体裏面用フィルムを提供すること。
【解決手段】被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面に形成するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルム２であって、フリップチップ型半導体裏面用フィルムの熱硬化前の２３℃における伸び率をＡとし、フリップチップ型半導体裏面用フィルムの熱硬化前の２３℃における引張貯蔵弾性率をＢとしたときに、Ａ／Ｂが１〜8×10^３（％／ＧＰａ）の範囲内であるフリップチップ型半導体裏面用フィルム２。 （もっと読む）

【課題】実験等の手間を不要とし、効率よく、信頼性の高い電子パッケージを実現可能なはんだ接合用アンダーフィル材選択支援装置等を提供する。
【解決手段】 電子パッケージを構成するアンダーフィル材以外の各部材の寸法に基づいて、有限要素モデルを作成し、電子パッケージを構成する複数のはんだボールのうち、２以上のはんだボールを、最大変位又は最大応力又は最大歪みを有する注目はんだボールとして決定する。注目はんだボールの一部を節点とし、電子パッケージの温度環境情報と各部材の物性値に基づいて、節点の変位を算出し、アンダーフィル材の物性値を最適化の変数Ｘとして定義して、算出された２つの節点の変位の差（ＮＤ_i（x,y,z）−ＮＤ_j（x,y,z））に基づいて目標関数Ｆ（Ｘ）の値を算出し、目標関数Ｆ（Ｘ）の値が最小値に収束する変数Ｘをアンダーフィル材の最適物性値として提示する。 （もっと読む）