電子部品、電子部品の製造方法及び電子機器
【課題】更なる小型化を図ることが可能な電子部品、この電子部品を備えた電子機器及びこの電子部品の製造方法の提供。
【解決手段】水晶振動子１は、引き出し電極１５ａ，１６ａを有する水晶振動片１０と、バンプ電極２４，２５を有するパッケージベース２１と、を備え、バンプ電極２４，２５と引き出し電極１５ａ，１６ａとを介して、パッケージベース２１に水晶振動片１０が載置されており、バンプ電極２４，２５は、パッケージベース２１の支持面２３から水晶振動片１０側に向かって突出した形状であると共に、パッケージベース２１の支持面２３の広がり方向に向かって凸状に丸みを帯びた形状を備えた樹脂製の樹脂突起２４ａ，２５ａと、樹脂突起２４ａ，２５ａの表面を覆う導電性被膜２４ｂ，２５ｂと、を有し、引き出し電極１５ａ，１６ａとバンプ電極２４，２５とが、直接接合されていることを特徴とする。
【解決手段】水晶振動子１は、引き出し電極１５ａ，１６ａを有する水晶振動片１０と、バンプ電極２４，２５を有するパッケージベース２１と、を備え、バンプ電極２４，２５と引き出し電極１５ａ，１６ａとを介して、パッケージベース２１に水晶振動片１０が載置されており、バンプ電極２４，２５は、パッケージベース２１の支持面２３から水晶振動片１０側に向かって突出した形状であると共に、パッケージベース２１の支持面２３の広がり方向に向かって凸状に丸みを帯びた形状を備えた樹脂製の樹脂突起２４ａ，２５ａと、樹脂突起２４ａ，２５ａの表面を覆う導電性被膜２４ｂ，２５ｂと、を有し、引き出し電極１５ａ，１６ａとバンプ電極２４，２５とが、直接接合されていることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品、電子部品の製造方法及び電子部品を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、所定の機能を有する機能片と、機能片に形成されたバンプ電極と、バンプ電極に接続される接続電極と、バンプ電極と接続電極との導電接触状態を保持する保持部とを有し、バンプ電極が弾性を有するコア部と、コア部の表面に設けられた導電膜とを有すると共に、コア部の弾性変形により導電膜と接続電極とが導電接触する構成の電子部品が知られている（例えば、特許文献１参照）。
また、保持部（第２の樹脂突起部）が、平面視において環状のバンプ電極（第１の樹脂突起部）の内側に配置された構成の電子部品（電子部品の実装構造体）が知られている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−６３１５４号公報
【特許文献２】特開２０１０−８１３０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のような構成の電子部品は、接続電極と導電接触するバンプ電極の近傍に配置され、接続電極とバンプ電極との導電接触状態を保持する保持部が、必須の構成要件となっている。
これにより、上記のような構成の電子部品は、保持部を設けるためのスペースが、更なる小型化を図る上での阻害要因となっている。
また、上記のような構成の電子部品は、保持部として接着剤が用いられることが一般的なことから、作業性に難がある接着剤の塗布工程が必要なことや、接着剤を硬化させるための加熱、冷却工程が必要なことなどに起因して、生産性が低下する虞がある。
また、上記のような構成の電子部品は、例えば、電子機器に実装される際の加熱により、保持部としての接着剤からガスが発生し、機能片の振動特性を劣化させる虞がある。
加えて、上記のような構成の電子部品は、保持部の接着剤を硬化させることにより、バンプ電極の弾性を抑制して接続電極とバンプ電極との導電接触状態を保持していることから、例えば、落下などの衝撃時に加わる衝撃力が、バンプ電極によって十分に吸収、緩和されない虞がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例にかかる電子部品は、接続電極を有する振動片と、バンプ電極を有する基板と、を備え、前記バンプ電極と前記接続電極とを介して、前記基板に前記振動片が載置されており、前記バンプ電極は、前記基板の主面から前記振動片側に向かって突出した形状であると共に、前記基板の前記主面の広がり方向に向かって凸状に丸みを帯びた形状を備えた樹脂製の樹脂突起と、前記樹脂突起の表面を覆う導電性被膜と、を有し、前記接続電極と前記バンプ電極とが、直接接合されていることを特徴とする。
【０００７】
これによれば、電子部品は、振動片（機能片）の接続電極と基板のバンプ電極とが、直接接合されていることから、従来のような、接続電極とバンプ電極との導電接触状態を保持する保持部が不要となる。
この結果、電子部品は、保持部を設けるためのスペースが不要なことから、更なる小型化を図ることが可能となる。
また、電子部品は、従来のような保持部としての接着剤の塗布工程が不要なことや、接着剤を硬化させるための加熱、冷却工程が不要なことから、生産性を向上させることが可能となる。
また、電子部品は、保持部が不要なことから、例えば、電子機器に実装される際の加熱によっても、接続電極とバンプ電極との接合部からガスが発生する虞がなく、このガスによる機能片の振動特性の劣化を回避できる。なお、電子部品は、樹脂突起（コア部）の表面を覆う導電性被膜（導電膜）によって、上記加熱時におけるバンプ電極内の樹脂突起からのガスの漏出が回避されている。
加えて、電子部品は、バンプ電極の弾性を抑制する保持部がないことから、例えば、落下などの衝撃時において、接続電極とバンプ電極との接合部に加わる衝撃力が、バンプ電極の弾性によって確実に吸収、緩和され、耐衝撃性能を向上させることが可能となる。
【０００８】
［適用例２］上記適用例にかかる電子部品において、前記バンプ電極は、前記基板の厚み方向に太鼓胴形の曲面を備え、前記樹脂突起に沿って前記導電性被膜が前記基板の上方へ向かう立ち上がりとなる起点が、前記導電性被膜に接する接線のうち前記基板の前記主面と直交する接線よりも前記バンプ電極の中心側に位置するように、前記基板の前記主面の広がり方向に向かって凸状に丸みを帯びた形状を備えていることが好ましい。
【０００９】
これによれば、電子部品は、バンプ電極における厚み方向の中間部分が、太鼓胴形の曲面状に外部側にせり出している。
この結果、電子部品は、例えば、落下などの衝撃時に加わる衝撃力が、バンプ電極の特定の箇所（例えば、樹脂突起と基板表面との界面）に集中することなく、概ね均一に分散される（応力集中が緩和される）ことから、耐衝撃性能を更に向上させることが可能となる。特に、樹脂突起が基板表面との界面付近から剥がれるのを低減できる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例にかかる電子部品において、前記接続電極及び前記導電性被膜が、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、ステンレス鋼のいずれか１つの同種金属を含んでなり、前記接続電極と前記バンプ電極とが、前記同種金属同士により直接接合されていることが好ましい。
【００１１】
これによれば、電子部品は、接続電極及び導電性被膜がＡｕ、Ｃｕ、Ａｌ、ステンレス鋼のいずれか１つの同種金属を含んでなり、接続電極とバンプ電極とが、同種金属同士により直接接合されていることから、汎用的な同種金属の使用により両者を安定的に確実に直接接合することができる。
【００１２】
［適用例４］本適用例にかかる電子機器は、上記適用例のいずれかに記載の電子部品を備えたことを特徴とする。
【００１３】
これによれば、電子機器は、上記適用例のいずれかに記載の電子部品を備えたことから、上記適用例のいずれかに記載の効果を奏する電子機器を提供することができる。
【００１４】
［適用例５］本適用例にかかる電子部品の製造方法は、接続電極を有する振動片を用意する工程と、基板の主面から前記振動片側に突出した樹脂突起と、前記樹脂突起の表面を覆う導電性被膜と、を有したバンプ電極であって、前記導電性被膜が前記接続電極の金属被膜と同じ元素を含んでなる前記バンプ電極を備えた前記基板を用意する工程と、前記基板の前記バンプ電極を表面活性化処理する工程と、前記振動片の前記接続電極と前記基板の表面活性化処理された前記バンプ電極とを対向させて、前記接続電極と前記バンプ電極とを常温下で押圧し、前記接続電極と前記バンプ電極とを直接接合する工程と、を有することを特徴とする。
【００１５】
これによれば、電子部品の製造方法は、振動片の接続電極と基板の表面活性化処理されたバンプ電極とを常温下で押圧し、接続電極とバンプ電極とを直接接合することから、上記適用例に記載の効果を奏する電子部品を提供することができる。
加えて、電子部品の製造方法は、接続電極とバンプ電極との直接接合を常温下で行うことから、直接接合に伴う加熱、冷却などの工程が不要となり、生産性を向上させることが可能となる。
なお、ここでの常温とは、日本工業規格（ＪＩＳ Ｚ ８７０３）に規定されている２０℃±１５℃（５℃〜３５℃）の範囲を含む標準的な温度（特に冷やしたり、熱したりしない温度）のことをいう。
【００１６】
［適用例６］上記適用例にかかる電子部品の製造方法において、前記振動片の前記接続電極を表面活性化処理する工程を、更に備えたことが好ましい。
【００１７】
これによれば、電子部品の製造方法は、振動片の接続電極を表面活性化処理する工程を更に備えたことから、接続電極とバンプ電極との直接接合をより確実に行うことができる。
【００１８】
［適用例７］本適用例にかかる電子部品は、接続電極を有する振動デバイスと、バンプ電極を有する基板と、を備え、前記バンプ電極の上に前記接続電極が位置するように前記基板に前記振動デバイスが載置されており、前記バンプ電極は、前記基板の主面から前記振動デバイス側に向かって突出した形状であると共に、前記基板の前記主面の広がり方向に向かって凸状に丸みを帯びた形状を備えた樹脂製の樹脂突起と、前記樹脂突起の表面を覆う導電性被膜と、を有し、前記接続電極と前記バンプ電極とが、直接接合されていることを特徴とする。
【００１９】
これによれば、電子部品は、振動デバイスの接続電極と基板のバンプ電極とが、直接接合されていることから、例えば、落下などの衝撃時において、接続電極とバンプ電極との接合部に加わる衝撃力が、バンプ電極の弾性によって確実に吸収、緩和され、耐衝撃性能を向上させることが可能となる。
また、電子部品は、接続電極とバンプ電極との接合部分に発生する歪み（例えば、熱応力など）が、バンプ電極の弾性変形によって吸収、緩和されることから、歪みに起因する振動デバイスへの悪影響を抑制することができる。
また、電子部品は、振動デバイスの接続電極と基板のバンプ電極とが、直接接合されていることから、例えば、はんだによる両者の接合と比較して接合に要する面積を小さくすることが可能となり、更なる小型化を図ることができる。
【００２０】
［適用例８］上記適用例７にかかる電子部品において、前記バンプ電極は、前記基板の厚み方向に太鼓胴形の曲面を備え、前記導電性被膜の前記樹脂突起に沿って前記基板の上方へ向かう立ち上がりとなる起点が、前記導電性被膜に接する接線のうち前記基板の主面と直交する接線よりも前記バンプ電極の中心側に位置するように、前記基板の前記主面の広がり方向に向かって凸状に丸みを帯びた形状を備えていることが好ましい。
【００２１】
これによれば、電子部品は、バンプ電極における厚み方向の中間部分が、曲面状に外部側にせり出して太鼓胴のような形のバンプ電極を備えている。
この結果、電子部品は、落下などの衝撃時に加わる衝撃力が、バンプ電極の特定の箇所（例えば、樹脂突起と基板表面との界面）に集中することなく、概ね均一に分散される（応力集中が緩和される）ことから、耐衝撃性能を更に向上させることが可能となる。特に、樹脂突起が基板表面との界面付近から剥がれるのを低減できる。
また、電子部品は、接続電極とバンプ電極との接合部分に発生する歪み（例えば、熱応力など）が、バンプ電極の上記形状によって更に吸収、緩和され易くなることから、歪みに起因する振動デバイスへの悪影響をより抑制することができる。
【００２２】
［適用例９］上記適用例７または適用例８にかかる電子部品において、前記接続電極及び前記導電性被膜が、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、ステンレス鋼のいずれか１つの同種金属を含んでなり、前記接続電極と前記バンプ電極とが、前記同種金属同士により直接接合されていることが好ましい。
【００２３】
これによれば、電子部品は、接続電極及び導電性被膜がＡｕ、Ｃｕ、Ａｌ、ステンレス鋼のいずれか１つの同種金属を含んでなり、接続電極とバンプ電極とが、同種金属同士により直接接合されていることから、汎用的な同種金属の使用により両者を安定的に確実に直接接合することができる。
【００２４】
［適用例１０］本適用例にかかる電子機器は、上記適用例７ないし適用例９のいずれかに記載の電子部品を備えたことを特徴とする。
【００２５】
これによれば、電子機器は、上記適用例７ないし適用例９のいずれかに記載の電子部品を備えたことから、上記適用例７ないし適用例９のいずれかに記載の効果を奏する電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】第１実施形態の水晶振動子の概略構成を示す模式図であり、（ａ）はリッド側から俯瞰した平面図、（ｂ）は（ａ）の断面図。
【図２】図１（ｂ）の要部の模式拡大図。
【図３】第１実施形態の水晶振動子の製造工程を示すフローチャート。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は、バンプ電極の製造方法の概略を説明する模式断面図。
【図５】表面活性化処理工程を説明する模式図。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、接合工程を説明する模式断面図。
【図７】封止工程を説明する模式断面図。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は、変形例の水晶振動子におけるバンプ電極の形状のバリエーションを示す模式斜視図。
【図９】第２実施形態の携帯電話を示す模式斜視図。
【図１０】第３実施形態の圧力センサーモジュールの概略構成を示す模式図であり、（ａ）は、ダイヤフラム層側から俯瞰した平面図、（ｂ）は（ａ）の断面図。
【図１１】図１０（ａ）の要部の模式拡大断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面を参照して説明する。
【００２８】
（第１実施形態）
ここでは、電子部品の一例として水晶振動子を例に挙げて説明する。
図１は、第１実施形態の水晶振動子の概略構成を示す模式図である。図１（ａ）は、リッド（蓋体）側から俯瞰した平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線での断面図である。図２は、図１（ｂ）のＢ部の模式拡大図である。なお、平面図では、便宜的にリッドを省略してある。
【００２９】
図１、図２に示すように、水晶振動子１は、振動片としての水晶振動片１０と、水晶振動片１０を収容するパッケージ２０と、を備えている。
水晶振動片１０は、水晶の原石などから所定の角度で切り出されたＡＴカット型であり、平面形状が略矩形に形成され、厚みすべり振動をする振動部１１と振動部１１に接続された基部１２とを有している。
【００３０】
水晶振動片１０は、振動部１１の一方の主面１３及び他方の主面１４に形成された励振電極１５，１６から引き出された、接続電極としての引き出し電極１５ａ，１６ａが、基部１２に形成されている。
引き出し電極１５ａは、一方の主面１３の励振電極１５から、水晶振動片１０の長手方向（紙面左右方向）に沿って基部１２に引き出され、基部１２の側面に沿って他方の主面１４に回り込み、他方の主面１４の励振電極１６の近傍まで延在している。
引き出し電極１６ａは、他方の主面１４の励振電極１６から、水晶振動片１０の長手方向に沿って基部１２に引き出され、基部１２の側面に沿って一方の主面１３に回り込み、一方の主面１３の励振電極１５の近傍まで延在している。
励振電極１５，１６及び引き出し電極１５ａ，１６ａは、Ｃｒを下地層とし、その上にＡｕが積層された構成の金属被膜となっている。
【００３１】
パッケージ２０は、平面形状が略矩形で平板状の、基板としてのパッケージベース２１と、パッケージベース２１を覆うキャップ状のリッド２２と、を有し、略直方体形状に形成されている。
パッケージベース２１には、セラミックグリーンシートを成形して焼成した酸化アルミニウム質焼結体、水晶、ガラス、シリコンなどが用いられている。
リッド２２には、パッケージベース２１と同材料、または、コバール、４２アロイ、ステンレス鋼などの金属が用いられている。
【００３２】
パッケージベース２１には、主面としての、水晶振動片１０を支持する支持面２３に、バンプ電極２４，２５が設けられている。
バンプ電極２４，２５は、パッケージベース２１の支持面２３から水晶振動片１０側に向かって突出した形状であって、弾性を有する樹脂製の樹脂突起２４ａ，２５ａと、樹脂突起２４ａ，２５ａの表面を覆う導電性被膜２４ｂ，２５ｂと、を有している。
バンプ電極２４，２５の樹脂突起２４ａ，２５ａは、水晶振動片１０の引き出し電極１５ａ，１６ａと対向する位置に半球状に突出して形成されている（水晶振動片１０との接合前の形状）。
バンプ電極２４，２５の導電性被膜２４ｂ，２５ｂは、樹脂突起２４ａ，２５ａを覆うと共に支持面２３まで延在し、平面形状が略矩形に形成されている。
【００３３】
樹脂突起２４ａ，２５ａは、ポリイミドなどの弾性樹脂材料を支持面２３にコーティングし、フォトリソグラフィーなどのパターニング処理を行うことによって形成される。
なお、樹脂突起２４ａ，２５ａの材料としては、ポリイミド樹脂以外に、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、変性ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン、ポリベンゾオキサゾールなどの樹脂を用いてもよい。
【００３４】
樹脂突起２４ａ，２５ａの表面に形成された導電性被膜２４ｂ，２５ｂは、Ａｕ、ＴｉＷ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＶ、鉛フリーはんだなどの導電性金属を、蒸着、スパッタリングなどによって成膜し、適宜のパターニング処理を適用することによって形成される。
また、導電性被膜２４ｂ，２５ｂは、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌなどで構成された下地の被膜の表面をさらにＡｕメッキなどで被覆し、導電性能を高めることも可能である。
なお、本実施形態では、導電性被膜２４ｂ，２５ｂの表面がＡｕの被膜であるものとする。
これにより、水晶振動片１０の引き出し電極１５ａ，１６ａとパッケージベース２１のバンプ電極２４，２５とは、同じ元素（ここでは、Ａｕ）を含むこととなる。
【００３５】
パッケージベース２１の底面（支持面２３の反対側の面）２６には、電子機器などに実装される際に用いられる一対の外部端子２７，２８が形成されている。
外部端子２７，２８は、Ｗなどのメタライズ層にＮｉ、Ａｕなどの各被膜をメッキなどにより積層した金属被膜からなる。
外部端子２７，２８は、図示しない内部配線によってバンプ電極２４，２５と接続されている。例えば、外部端子２７は、バンプ電極２４と接続され、外部端子２８は、バンプ電極２５と接続されている。
【００３６】
水晶振動子１は、バンプ電極２４，２５と引き出し電極１５ａ，１６ａとを介して、パッケージベース２１の支持面２３に水晶振動片１０が載置されている。
水晶振動子１は、水晶振動片１０の基部１２に形成された引き出し電極１５ａ，１６ａと、アルゴンビームなどの照射によって導電性被膜２４ｂ，２５ｂの表面が活性化処理されたバンプ電極２４，２５とが、位置合わせされた状態で、水晶振動片１０及びパッケージベース２１が互いに近づく方向に押圧されることにより、互いに直接接合される。（直接接合の原理としては、表面のＡｕ原子の結合手同士が直接結合することにより接合されると考えられている）。
そして、水晶振動子１は、この直接接合により、引き出し電極１５ａ，１６ａと、バンプ電極２４，２５とが、電気的及び機械的に接合されている。
【００３７】
図２に示すように、バンプ電極２４，２５は、上記押圧により若干塑性変形して厚み方向につぶれている。
そして、バンプ電極２４，２５は、パッケージベース２１の厚み方向に太鼓胴形の曲面を備えている。詳述すると、バンプ電極２４，２５は、樹脂突起２４ａ，２５ａに沿って導電性被膜２４ｂ，２５ｂがパッケージベース２１の支持面２３から上方（水晶振動片１０側）へ向かう立ち上がりとなる外部側の起点Ｐが、導電性被膜２４ｂ，２５ｂに接する接線のうちパッケージベース２１の支持面２３と直交する接線Ｓよりも、バンプ電極２４，２５の中心側に位置するようにパッケージベース２１の支持面２３の広がり方向に向かって凸状に丸みを帯びた形状を備えており、好ましくは凸状の丸みを帯びた形状はバンプ電極２４，２５の幅方向における全周に亘り形成されている。
換言すれば、バンプ電極２４，２５の樹脂突起２４ａ，２５ａ部分における径方向の中心線Ｏから起点Ｐまでの距離Ｌ１は、中心線Ｏから接線Ｓまでの距離Ｌ２よりも短いこととなる。
つまり、バンプ電極２４，２５は、直接接合によって厚み方向（紙面上下方向）の中間部分が太鼓胴形の曲面状に外部側にせり出していることとなる。
なお、図２の２点鎖線は、バンプ電極２４，２５の接合前の断面形状（略半円形状）を示す。
【００３８】
図１に戻って、水晶振動子１は、水晶振動片１０がパッケージベース２１の支持面２３にバンプ電極２４，２５を介して接合（支持）された状態で、パッケージベース２１がリッド２２により覆われ、パッケージベース２１とリッド２２とが図示しないシームリング、低融点ガラス、接着剤などで接合されることにより、パッケージ２０の内部が気密に封止されている。
なお、パッケージ２０の内部は、真空状態（真空度の高い状態）または窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスが充填された状態となっている。
なお、製造方法の詳細については後述する。
【００３９】
水晶振動子１は、外部端子２７，２８、バンプ電極２４，２５、引き出し電極１５ａ，１６ａ、励振電極１５，１６を経由して外部から印加される駆動信号によって、水晶振動片１０が励振されて所定の周波数で共振する。
【００４０】
ここで、水晶振動子１の製造方法の一例を説明する。
図３は、水晶振動子の製造工程を示すフローチャートであり、図４〜図７は、主要製造工程を説明する模式図である（図１も併せて参照）。
【００４１】
図３に示すように、水晶振動子１の製造方法は、水晶振動片準備工程Ｓ１と、パッケージベース準備工程Ｓ２と、表面活性化処理工程Ｓ３と、接合工程Ｓ４と、封止工程Ｓ５と、を有している。
【００４２】
［水晶振動片準備工程Ｓ１］
まず、振動部１１の一方の主面１３及び他方の主面１４に形成された励振電極１５，１６から引き出された引き出し電極１５ａ，１６ａを基部１２に有する水晶振動片１０（図１参照）を用意する。
【００４３】
［パッケージベース準備工程Ｓ２］
ついで、水晶振動片１０を支持する支持面２３に、バンプ電極２４，２５を備えたパッケージベース２１（図１参照）を用意する。
ここで、バンプ電極２４，２５の製造方法の概略を説明する。
【００４４】
まず、図４（ａ）に示すように、パッケージベース２１の支持面２３にスピンコート、印刷などにより、前述したポリイミドなどの弾性樹脂材料３０を塗布（コーティング）する。
ついで、図４（ｂ）に示すように、バンプ電極２４，２５の樹脂突起２４ａ，２５ａ部分に対応する開口部４１が形成されたフォトマスク４０を用いて、露光及び現像処理を行う。
これにより、図４（ｃ）に示すように、パッケージベース２１の支持面２３上に、断面形状が略矩形状である円柱状の樹脂突起２４ａ’，２５ａ’が形成される。
【００４５】
ついで、図４（ｄ）に示すように、パッケージベース２１を図示しない加熱炉内などに投入して加熱し、樹脂突起２４ａ’，２５ａ’を融解させることにより断面形状が略半円状である半球状の樹脂突起２４ａ，２５ａを形成する。
【００４６】
ついで、図４（ｅ）に示すように、樹脂突起２４ａ，２５ａを覆うようにＡｕ、ＴｉＷ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＶ、鉛フリーはんだなどの導電性金属を、蒸着、スパッタリングなどによって成膜し、フォトリソグラフィーなどのパターニング処理を適用することによって導電性被膜２４ｂ，２５ｂを形成する。
なお、ここでは、導電性被膜２４ｂ，２５ｂの表面は、Ａｕの被膜となっている。
以上の工程を経ることにより、バンプ電極２４，２５が形成される。
なお、図４の断面位置は、図１（ｂ）の断面位置に準じている。
【００４７】
［表面活性化処理工程Ｓ３］
ついで、図５に示すように、表面活性化装置５０の真空チャンバー５１内のステージ５２に、パッケージベース２１を載置する。このとき、パッケージベース２１の底面２６が、ステージ５２の載置面５３側となるように載置する。
ついで、図示しない真空ポンプにより真空チャンバー５１内を１０-3ｔｏｒｒ程度に減圧する。
ついで、アルゴンなどの不活性ガスのイオンビーム（アルゴンビーム）を、イオンビーム照射装置５４によってパッケージベース２１の支持面２３、バンプ電極２４，２５に向けて１０秒〜３０秒程度照射する。
これにより、パッケージベース２１の支持面２３、バンプ電極２４，２５の導電性被膜２４ｂ，２５ｂがスパッタエッチングされ、表面の酸化膜、吸着された水分、有機物分子などが除去され、表面が活性化する（表面の原子が周囲の原子と結合しやすい状態になる）。
なお、この際、パッケージベース２１の支持面２３を部分的にマスキングして、バンプ電極２４，２５（導電性被膜２４ｂ，２５ｂ）のみにアルゴンビームを照射してもよい。
【００４８】
なお、表面活性化処理工程Ｓ３において、水晶振動片１０の引き出し電極１５ａ，１６ａにアルゴンビームを照射して、引き出し電極１５ａ，１６ａの表面を活性化することが、引き出し電極１５ａ，１６ａとバンプ電極２４，２５との接合をより確実に行う上で好ましい。
なお、この際、アルゴンビームが励振電極１５，１６へ照射されないように、励振電極１５，１６部分をマスキングする必要がある（アルゴンビームの照射による周波数変化を回避するため）。
【００４９】
［接合工程Ｓ４］
ついで、図６（ａ）に示すように、接合装置６０の一方の側６１に水晶振動片１０を装着し、一方の側６１と対向する他方の側６２に、バンプ電極２４，２５が水晶振動片１０の引き出し電極１５ａ，１６ａと対向するように、パッケージベース２１を装着する。
この際、水晶振動片１０を、例えば、図示しない吸引装置などを用いて接合装置６０の一方の側６１の凹部６３に、矢印Ｃ方向に吸引して仮固定しておく。また、パッケージベース２１も、移動しないように位置決めされているものとする。
【００５０】
ついで、図６（ｂ）に示すように、水晶振動片１０とパッケージベース２１との位置合わせ後、常温（２０℃±１５℃（５℃〜３５℃）の範囲を含む標準的な温度）下で、接合装置６０の一方の側６１を矢印Ｄ方向に移動させ、水晶振動片１０の引き出し電極１５ａ，１６ａをパッケージベース２１のバンプ電極２４，２５に、一例として０．２Ｎ程度の押圧力で押圧する。
これにより、図６（ｃ）に示すように、水晶振動片１０の引き出し電極１５ａ，１６ａの表面のＡｕ原子の結合手Ａｕ１と、バンプ電極２４，２５の導電性被膜２４ｂ，２５ｂの表面のＡｕ原子の結合手Ａｕ２とが直接結合する。
つまり、水晶振動片１０の引き出し電極１５ａ，１６ａとパッケージベース２１のバンプ電極２４，２５とを同じ元素同士（同種金属（Ａｕ−Ａｕ）同士）により直接接合する。
【００５１】
なお、本製造方法では、水晶振動片１０の引き出し電極１５ａ，１６ａが表面活性化処理されていなくても、０．２Ｎ程度の押圧力で押圧することによって、引き出し電極１５ａ，１６ａの表面の酸化膜、吸着された水分、有機物分子などが拡散され、直接接合が可能となる。
なお、接合工程Ｓ４は、減圧された真空チャンバー内で行うことが、大気の影響を回避して確実な接合を行う上で好ましい。
なお、図６の断面位置は、図１（ｂ）の断面位置に準じている。
【００５２】
［封止工程Ｓ５］
ついで、図７に示すように、窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスの雰囲気中、または減圧された真空チャンバー内において、リッド２２を、パッケージベース２１に図示しないシームリング、低融点ガラス、接着剤などを用いて気密に接合する。
これにより、パッケージベース２１とリッド２２とで囲まれた内部空間が、真空状態（真空度の高い状態）または窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスが充填された状態で気密に封止される。
なお、図７の断面位置は、図１（ｂ）の断面位置に準じている。
【００５３】
上記の各工程を経ることにより、図１に示すような、水晶振動子１を得る。
なお、上記各工程の順番は、必要に応じて適宜入れ換えてもよい。例えば、水晶振動片準備工程Ｓ１は、パッケージベース準備工程Ｓ２の後でもよく、水晶振動片１０の引き出し電極１５ａ，１６ａを表面活性化処理しないのであれば、表面活性化処理工程Ｓ３の後でもよい。
なお、周波数調整、検査などの工程の説明は省略する。
【００５４】
上述したように、第１実施形態の水晶振動子１は、水晶振動片１０の引き出し電極１５ａ，１６ａとパッケージベース２１のバンプ電極２４，２５とが、同じ元素の金属（Ａｕ）同士により直接接合されていることから、従来のような、引き出し電極１５ａ，１６ａとバンプ電極２４，２５との導電接触状態を保持する保持部が不要となる。
この結果、水晶振動子１は、保持部を設けるためのスペースが不要なことから、更なる小型化を図ることができる。
また、水晶振動子１は、従来のような保持部としての接着剤の塗布工程が不要なことや、接着剤を硬化させるための加熱、冷却工程が不要なことから、生産性を向上させることができる。
【００５５】
また、水晶振動子１は、保持部が不要なことから、例えば、電子機器に実装される際の加熱によっても、引き出し電極１５ａ，１６ａとバンプ電極２４，２５との接合部からガスが発生する虞がなく、このガスによる水晶振動片１０の振動特性の劣化を回避できる。
なお、水晶振動子１は、樹脂突起２４ａ，２５ａの表面を覆う導電性被膜２４ｂ，２５ｂによって、上記加熱時におけるバンプ電極２４，２５内の樹脂突起２４ａ，２５ａからのガスの漏出が回避されている。
【００５６】
加えて、水晶振動子１は、バンプ電極２４，２５の弾性を抑制する保持部がないことから、例えば、落下などの衝撃時において、引き出し電極１５ａ，１６ａとバンプ電極２４，２５との接合部に加わる衝撃力が、バンプ電極２４，２５の弾性によって確実に吸収、緩和され、耐衝撃性能を向上させることができる。
【００５７】
なお、水晶振動子１は、水晶振動片１０の引き出し電極１５ａ，１６ａとパッケージベース２１のバンプ電極２４，２５の導電性被膜２４ｂ，２５ｂとに用いられる金属が、Ａｕ以外にＣｕ、Ａｌ、ステンレス鋼のいずれか１つの同種金属であってもよい。
これによれば、水晶振動子１は、引き出し電極１５ａ，１６ａ及び導電性被膜２４ｂ，２５ｂがＡｕ、Ｃｕ、Ａｌ、ステンレス鋼のいずれか１つの同種金属を含んでなり、引き出し電極１５ａ，１６ａとバンプ電極２４，２５とが、同種金属同士により直接接合されていることから、汎用的な同種金属の使用により両者を安定的に確実に直接接合することができる。
【００５８】
また、水晶振動子１は、バンプ電極２４，２５がパッケージベース２１の厚み方向に太鼓胴形の曲面を備えている。
つまり、バンプ電極２４，２５は、直接接合により厚み方向の中間部分が太鼓胴形の曲面状に外部側にせり出していることとなる。
これにより、水晶振動子１は、落下などの衝撃時に加わる衝撃力が、バンプ電極２４，２５の特定の箇所（例えば、樹脂突起２４ａ，２５ａとパッケージベース２１の支持面２３との界面）に集中することなく、概ね均一に分散される（応力集中が緩和される）ことから、耐衝撃性能を更に向上させることができる。特に、樹脂突起２４ａ，２５ａがパッケージベース２１の支持面２３との界面付近から剥がれるのを低減できる。
【００５９】
また、水晶振動子１の製造方法は、水晶振動片１０の引き出し電極１５ａ，１６ａとパッケージベース２１の表面活性化処理されたバンプ電極２４，２５とを常温下で押圧し、引き出し電極１５ａ，１６ａとバンプ電極２４，２５とを、同じ元素同士（同種金属（Ａｕ−Ａｕ）同士）により直接接合することから、上述した効果を奏する水晶振動子１を提供することができる。
加えて、水晶振動子１の製造方法は、引き出し電極１５ａ，１６ａとバンプ電極２４，２５との直接接合を常温下で行うことから、直接接合に伴う加熱、冷却などの工程が不要となり、生産性を向上させることができる。
【００６０】
また、水晶振動子１の製造方法は、表面活性化処理工程Ｓ３において、水晶振動片１０の引き出し電極１５ａ，１６ａも表面活性化処理することによって、換言すれば、水晶振動片１０の引き出し電極１５ａ，１６ａを表面活性化処理する工程を更に備えたことによって、引き出し電極１５ａ，１６ａとバンプ電極２４，２５との直接接合をより確実に行うことができる。
【００６１】
（変形例）
以下、第１実施形態の水晶振動子の変形例について説明する。
図８（ａ）〜図８（ｄ）は、変形例の水晶振動子におけるバンプ電極の形状のバリエーションを示す模式斜視図である。
上記実施形態では、水晶振動子１のバンプ電極２４，２５の突出部分の形状を半球状としたが、これに限定されるものではなく、例えば、図８に示すような形状でもよい。
【００６２】
詳述すると、バンプ電極２４，２５の突出部分の形状は、図８（ａ）に示すように、四角錐形状としてもよく、図８（ｂ）に示すように、円錐形状としてもよく、図８（ｃ）に示すように、図８（ａ）の四角錐の先端側を平面で切り落とした形状としてもよく、図８（ｄ）に示すように、図８（ｂ）の円錐の先端側を平面で切り落とした形状としてもよい。
変形例の水晶振動子は、バンプ電極２４，２５が上記のいずれの形状であっても、第１実施形態に記載された効果の少なくとも一部を奏することができる。
【００６３】
なお、上記実施形態及び変形例では、水晶振動片１０の引き出し電極１５ａ，１６ａとパッケージベース２１のバンプ電極２４，２５の導電性被膜２４ｂ，２５ｂとが、同種金属同士（Ａｕ−Ａｕ）で直接接合されていたが、これに限定されるものではなく、異種金属同士（例えば、Ａｕ−Ｎｉ、Ａｕ−Ｃｒ、Ａｕ−Ｐｄなど）での直接接合としてもよい。
また、上記実施形態及び変形例では、水晶振動片をＡＴカット型としたが、これに限定されるものではなく、音叉型や弾性表面波素子片、ＷＴ型などのセンサー素子片でもよい。
また、上記実施形態及び変形例では、バンプ電極２４，２５をパッケージベース２１に設けたが、引き出し電極１５ａ，１６ａに代えてバンプ電極２４，２５を水晶振動片１０側に設け、バンプ電極２４，２５に代えて接続電極（引き出し電極１５ａ，１６ａのような平坦な電極）をパッケージベース２１側に設ける構成としてもよい。
【００６４】
（第２実施形態）
以下、電子機器としての携帯電話を一例に挙げて説明する。
図９は、第２実施形態の携帯電話を示す模式斜視図である。
第２実施形態の携帯電話７００は、第１実施形態または第１実施形態の変形例の水晶振動子を用いた携帯電話である。
図９に示す携帯電話７００は、上述した水晶振動子１を、例えば、基準クロック発振源などのタイミングデバイスとして用い、更に液晶表示装置７０１、複数の操作ボタン７０２、受話口７０３、及び送話口７０４を備えて構成されている。
【００６５】
上述した水晶振動子１は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピューター、テレビ、デジタルスチールカメラ、ビデオカメラ、ビデオレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器などのタイミングデバイスとして好適に用いることができ、いずれの場合にも上記実施形態および変形例で説明した効果を奏する電子機器を提供することができる。
【００６６】
（第３実施形態）
以下、電子部品としての圧力センサーモジュールを一例に挙げて説明する。
図１０は、第３実施形態の圧力センサーモジュールの概略構成を示す模式図である。図１０（ａ）は、ダイヤフラム層側から俯瞰した平面図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＥ−Ｅ線での断面図である。図１１は、図１０（ａ）のＦ−Ｆ線での模式拡大断面図である。なお、平面図では、便宜的にダイヤフラム層を省略してある。
【００６７】
図１０、図１１に示すように、圧力センサーモジュール２は、振動デバイスとしての圧力センサー１０１と、圧力センサー１０１を載置する基板２２１と、を備えている。
圧力センサー１０１は、感圧素子層１１０と、感圧素子層１１０の一方の主面１１１側を覆うダイヤフラムとしてのダイヤフラム層１２０と、感圧素子層１１０の他方の主面１１２側を覆うベース層１３０と、を備えている。
圧力センサー１０１は、上記各層が、平面視において輪郭が互いに重なり合うように積層されることにより、略直方体形状に形成されている。
なお、圧力センサー１０１の各層は、複数個取りが可能なウエハー状の水晶基板を基材として、フォトエッチング、サンドブラストなどの加工方法により所定の形状に形成されている。
【００６８】
感圧素子層１１０は、感圧部としての互いに略平行な角柱状の一対の振動片部（柱状ビーム）１１３と、振動片部１１３の両端に接続される一対の略矩形の基部１１４とを有する感圧素子としての双音叉素子１１５と、双音叉素子１１５を囲む略矩形の枠部１１６と、枠部１１６と双音叉素子１１５の各基部１１４とを接続する各一対の梁状の腕部１１７とを有している。
感圧素子層１１０は、平面視において外形形状が略矩形に形成され、各構成要素の厚みが略同一に形成されている。なお、双音叉素子１１５の図示しない電極は、腕部１１７を介して枠部１１６に引き出されている。
【００６９】
ダイヤフラム層１２０は、平面視において外形形状が略矩形に形成されている。
そして、ダイヤフラム層１２０は、感圧素子層１１０の一方の主面１１１側を覆うように配置されている。
ダイヤフラム層１２０は、外部からの圧力を受けて撓む凹部１２１と、凹部１２１を囲む外周枠部１２２と、双音叉素子１１５の一対の基部１１４に対向する位置に、凹部１２１から感圧素子層１１０側に突出し、双音叉素子１１５の各基部１１４が接合される一対の支持部１２３と、を有している。
【００７０】
圧力センサー１０１は、双音叉素子１１５の振動片部１１３と、ダイヤフラム層１２０の凹部１２１との間に空間が形成されている。
なお、ダイヤフラム層１２０の外周枠部１２２は、感圧素子層１１０の枠部１１６と図示しない接合部材を介して接合されている。
なお、接合部材には、例えば、低融点ガラスやエポキシ系接着剤などを用いることができ、それらは水晶の熱膨張率に近似する材料から構成されることが好ましい。
【００７１】
ベース層１３０は、平面視において外形形状が略矩形に形成されている。ベース層１３０は、感圧素子層１１０側に双音叉素子１１５との間に空間を形成するための凹部１３１が形成されている。
そして、ベース層１３０は、感圧素子層１１０の他方の主面１１２側を覆うように配置され、凹部１３１を囲む外周枠部１３２が感圧素子層１１０の枠部１１６と図示しない接合部材を介して接合されている。
ベース層１３０の外部側の底面１３３には、接続電極１３４，１３５が設けられている。接続電極１３４，１３５は、図示しない内部配線によって双音叉素子１１５の各電極と接合されている。
接続電極１３４，１３５は、Ｃｒを下地層とし、その上にＡｕが積層された構成の金属被膜となっている。
【００７２】
なお、感圧素子層１１０の腕部１１７は、ダイヤフラム層１２０、ベース層１３０のいずれにも接合されておらず、フリーな状態になっている。
【００７３】
上記の構成により、圧力センサー１０１は、ダイヤフラム層１２０と双音叉素子１１５の振動片部１１３との間、及び双音叉素子１１５とベース層１３０との間に空間が形成された状態で、双音叉素子１１５の各基部１１４が、ダイヤフラム層１２０の各支持部１２３に接合されている。
これにより、圧力センサー１０１は、双音叉素子１１５が各支持部１２３間に架け渡された状態となっている。
【００７４】
以上のように構成された圧力センサー１０１は、内部が気密に封止され、真空状態（真空度の高い状態）に保持されており、絶対圧を検出する圧力センサーとなっている。
【００７５】
基板２２１には、主面としての、圧力センサー１０１を支持する支持面２２３に、バンプ電極２２４，２２５が設けられている。
バンプ電極２２４，２２５は、基板２２１の支持面２２３から圧力センサー１０１側に向かって突出した形状であって、図１１に示すように、弾性を有する樹脂製の樹脂突起２２４ａ，２２５ａと、樹脂突起２２４ａ，２２５ａの表面を覆う導電性被膜２２４ｂ，２２５ｂと、を有している。
バンプ電極２２４，２２５の樹脂突起２２４ａ，２２５ａは、圧力センサー１０１の接続電極１３４，１３５と対向する位置に半球状に突出して形成されている（圧力センサー１０１との接合前の形状）。
バンプ電極２２４，２２５の導電性被膜２２４ｂ，２２５ｂは、樹脂突起２２４ａ，２２５ａを覆うと共に支持面２２３まで延在し、平面形状が略矩形に形成されている。
【００７６】
樹脂突起２２４ａ，２２５ａは、ポリイミドなどの弾性樹脂材料を支持面２２３にコーティングし、フォトリソグラフィーなどのパターニング処理を行うことによって形成される。
なお、樹脂突起２２４ａ，２２５ａの材料としては、ポリイミド樹脂以外に、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、変性ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン、ポリベンゾオキサゾールなどの樹脂を用いてもよい。
【００７７】
樹脂突起２２４ａ，２２５ａの表面に形成された導電性被膜２２４ｂ，２２５ｂは、Ａｕ、ＴｉＷ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＶ、鉛フリーはんだなどの導電性金属を、蒸着、スパッタリングなどによって成膜し、適宜のパターニング処理を適用することによって形成される。
また、導電性被膜２２４ｂ，２２５ｂは、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌなどで構成された下地の被膜の表面をさらにＡｕメッキなどで被覆し、導電性能を高めることも可能である。
なお、本実施形態では、導電性被膜２２４ｂ，２２５ｂの表面がＡｕの被膜であるものとする。
これにより、圧力センサー１０１の接続電極１３４，１３５と基板２２１のバンプ電極２２４，２２５とは、同じ元素（ここでは、Ａｕ）を含むこととなる。
【００７８】
圧力センサーモジュール２は、バンプ電極２２４，２２５の上に接続電極１３４，１３５が位置するように、基板２２１の支持面２２３に圧力センサー１０１が載置されている。
圧力センサーモジュール２は、圧力センサー１０１の接続電極１３４，１３５と、アルゴンビームなどの照射によって導電性被膜２２４ｂ，２２５ｂの表面が活性化処理されたバンプ電極２２４，２２５とが、位置合わせされた状態で、圧力センサー１０１及び基板２２１が互いに近づく方向に常温下で押圧されることにより直接接合される。（直接接合の原理としては、表面のＡｕ原子の結合手同士が直接結合することにより接合されると考えられている）。
そして、圧力センサーモジュール２は、この直接接合により、接続電極１３４，１３５と、バンプ電極２２４，２２５とが、電気的及び機械的に接合されている。
【００７９】
図１１に示すように、バンプ電極２２４，２２５は、上記押圧により若干塑性変形して厚み方向につぶれている。
そして、バンプ電極２２４，２２５は、基板２２１の厚み方向に太鼓胴形の曲面を備えている。詳述すると、バンプ電極２２４，２２５は、樹脂突起２２４ａ，２２５ａに沿って導電性被膜２２４ｂ，２２５ｂが基板２２１の支持面２２３から上方（圧力センサー１０１側）へ向かう立ち上がりとなる外部側の起点Ｐ１が、導電性被膜２２４ｂ，２２５ｂに接する接線のうち基板２２１の支持面２２３と直交する接線Ｓ１よりもバンプ電極２２４，２２５の中心側に位置するように、基板２２１の支持面２２３の広がり方向に向かって凸状に丸みを帯びた形状を備えている。
換言すれば、バンプ電極２２４，２２５の樹脂突起２２４ａ，２２５ａ部分における径方向の中心線Ｏ１から起点Ｐ１までの距離Ｌ１１は、中心線Ｏ１から接線Ｓ１までの距離Ｌ１２よりも短いこととなる。
つまり、バンプ電極２２４，２２５は、直接接合により厚み方向（紙面上下方向）の中間部分が太鼓胴形の曲面状に外部側にせり出していることとなる。
なお、図１１の２点鎖線は、バンプ電極２２４，２２５の接合前の断面形状（略半円形状）を示す。
【００８０】
ここで、圧力センサーモジュール２の基本動作について、概略を説明する。
圧力センサーモジュール２は、圧力センサー１０１のベース層１３０側が基板２２１の支持面２２３側に載置され、基板２２１における支持面２２３の反対側（裏側）の面２２６が、図示しない外部機器の搭載面に載置されるように構成されている。
圧力センサーモジュール２は、外部からの圧力を圧力センサー１０１の双音叉素子１１５の振動片部１１３の共振周波数の変化によって検出する機能を備えている。
【００８１】
詳述すると、図１０（ｂ）に示すように、圧力センサー１０１は、外部からの圧力を受けるとダイヤフラム層１２０の凹部１２１が、圧力の程度に応じて矢印Ｇ方向に撓む。
圧力センサー１０１は、この矢印Ｇ方向の撓みに伴って、ダイヤフラム層１２０の各支持部１２３が、矢印Ｈ方向に変位する（各支持部１２３間の間隔が変化する）。
これにより、各支持部１２３間に架け渡された状態で接合されている双音叉素子１１５は、矢印Ｈ方向に引張力または圧縮力が加わり伸縮する。
この際、双音叉素子１１５は、矢印Ｈ方向に引張力が加われば、例えば、巻き上げられた弦楽器の弦のように、振動片部１１３の共振周波数が高くなる方に変化し、矢印Ｈ方向に圧縮力が加われば、例えば、巻き戻された弦楽器の弦のように、振動片部１１３の共振周波数が低くなる方に変化する。
【００８２】
圧力センサーモジュール２は、この圧力センサー１０１の共振周波数の変化を検出している。外部からの圧力は、この検出された共振周波数の変化の割合に応じて、ルックアップテーブルなどによって定められた数値に変換することで導出される。
圧力センサーモジュール２には、圧力センサー１０１を駆動する（共振させる）駆動用回路と、外部からの圧力を検出された共振周波数の変化の割合に応じて、ルックアップテーブルなどによって定められた数値に変換する演算用回路とを備えていることが好ましい。
【００８３】
上述したように、第３実施形態の圧力センサーモジュール２は、圧力センサー１０１の接続電極１３４，１３５と基板２２１のバンプ電極２２４，２２５とが、直接接合されていることから、例えば、落下などの衝撃時において、接続電極１３４，１３５とバンプ電極２２４，２２５との接合部に加わる衝撃力が、バンプ電極２２４，２２５の弾性によって確実に吸収、緩和され、耐衝撃性能を向上させることが可能となる。
【００８４】
また、圧力センサーモジュール２は、バンプ電極２２４，２２５の、厚み方向（紙面上下方向）の中間部分が、太鼓胴形の曲面状に外部側にせり出していることから、落下などの衝撃時に加わる衝撃力が、バンプ電極２２４，２２５の特定の箇所（例えば、樹脂突起２２４ａ，２２５ａと基板２２１の支持面２２３との界面）に集中することなく、概ね均一に分散される（応力集中が緩和される）。特に、樹脂突起２２４ａ，２２５ａが基板２２１の支持面２２３との界面付近から剥がれるのを低減できる。
この結果、圧力センサーモジュール２は、耐衝撃性能を更に向上させることができる。
【００８５】
また、圧力センサーモジュール２は、圧力センサー１０１の接続電極１３４，１３５と基板２２１のバンプ電極２２４，２２５との接合部分に発生する歪み（例えば、熱応力など）が、バンプ電極２２４，２２５の弾性変形によって吸収、緩和されることから、歪みに起因する圧力センサー１０１への悪影響を抑制することができる。
この際、圧力センサーモジュール２は、バンプ電極２２４，２２５の、厚み方向（紙面上下方向）の中間部分が、太鼓胴形の曲面状に外部側にせり出していることから、上記歪みが、更に吸収、緩和され易くなり、歪みに起因する圧力センサー１０１への悪影響を、より抑制することができる。
【００８６】
また、圧力センサーモジュール２は、圧力センサー１０１の接続電極１３４，１３５と基板２２１のバンプ電極２２４，２２５とが、直接接合されていることから、例えば、はんだによる両者の接合と比較して、接合に要する面積を小さくすることが可能となり、更なる小型化を図ることができる。
【００８７】
なお、上記各実施形態及び変形例では、振動片（双音叉素子を含む）の材料を水晶としたが、振動片の材料としては、水晶に限定するものではなく、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3）、四ホウ酸リチウム（Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などの圧電体、または酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などの圧電体を被膜として備えたシリコンなどの半導体であってもよい。
【００８８】
上述した圧力センサーモジュール２は、河川用水位計、圧力ゲージ、自動車用タイヤ圧検出システム、高度計を備えた機器などのセンサーデバイスとして好適に用いることができ、いずれの場合にも上記実施形態および変形例で説明した効果を奏する電子機器を提供することができる。
【符号の説明】
【００８９】
１…電子部品としての水晶振動子、２…電子部品としての圧力センサーモジュール、１０…振動片としての水晶振動片、１１…振動部、１２…基部、１３…一方の主面、１４…他方の主面、１５…励振電極、１５ａ…接続電極としての引き出し電極、１６…励振電極、１６ａ…接続電極としての引き出し電極、２０…パッケージ、２１…基板としてのパッケージベース、２２…リッド、２３…主面としての支持面、２４…バンプ電極、２４ａ，２４ａ’…樹脂突起、２４ｂ…導電性被膜、２５…バンプ電極、２５ａ，２５ａ’…樹脂突起、２５ｂ…導電性被膜、２６…底面、２７，２８…外部端子、３０…弾性樹脂材料、４０…フォトマスク、４１…開口部、５０…表面活性化装置、５１…真空チャンバー、５２…ステージ、５３…載置面、５４…イオンビーム照射装置、６０…接合装置、６１…一方の側、６２…他方の側、６３…凹部、１０１…振動デバイスとしての圧力センサー、１１０…感圧素子層、１１１…一方の主面、１１２…他方の主面、１１３…振動片部、１１４…基部、１１５…双音叉素子、１１６…枠部、１１７…腕部、１２０…ダイヤフラム層、１２１…凹部、１２２…外周枠部、１３０…ベース層、１３１…凹部、１３２…外周枠部、１３４，１３５…接続電極、２２１…基板、２２３…主面としての支持面、２２４…バンプ電極、２２４ａ…樹脂突起、２２４ｂ…導電性被膜、２２５…バンプ電極、２２５ａ…樹脂突起、２２５ｂ…導電性被膜、２２６…反対側の面、７００…電子機器としての携帯電話、７０１…液晶表示装置、７０２…操作ボタン、７０３…受話口、７０４…送話口、Ｏ，Ｏ１…中心線、Ｐ，Ｐ１…起点、Ｓ，Ｓ１…接線。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品、電子部品の製造方法及び電子部品を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、所定の機能を有する機能片と、機能片に形成されたバンプ電極と、バンプ電極に接続される接続電極と、バンプ電極と接続電極との導電接触状態を保持する保持部とを有し、バンプ電極が弾性を有するコア部と、コア部の表面に設けられた導電膜とを有すると共に、コア部の弾性変形により導電膜と接続電極とが導電接触する構成の電子部品が知られている（例えば、特許文献１参照）。
また、保持部（第２の樹脂突起部）が、平面視において環状のバンプ電極（第１の樹脂突起部）の内側に配置された構成の電子部品（電子部品の実装構造体）が知られている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−６３１５４号公報
【特許文献２】特開２０１０−８１３０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のような構成の電子部品は、接続電極と導電接触するバンプ電極の近傍に配置され、接続電極とバンプ電極との導電接触状態を保持する保持部が、必須の構成要件となっている。
これにより、上記のような構成の電子部品は、保持部を設けるためのスペースが、更なる小型化を図る上での阻害要因となっている。
また、上記のような構成の電子部品は、保持部として接着剤が用いられることが一般的なことから、作業性に難がある接着剤の塗布工程が必要なことや、接着剤を硬化させるための加熱、冷却工程が必要なことなどに起因して、生産性が低下する虞がある。
また、上記のような構成の電子部品は、例えば、電子機器に実装される際の加熱により、保持部としての接着剤からガスが発生し、機能片の振動特性を劣化させる虞がある。
加えて、上記のような構成の電子部品は、保持部の接着剤を硬化させることにより、バンプ電極の弾性を抑制して接続電極とバンプ電極との導電接触状態を保持していることから、例えば、落下などの衝撃時に加わる衝撃力が、バンプ電極によって十分に吸収、緩和されない虞がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例にかかる電子部品は、接続電極を有する振動片と、バンプ電極を有する基板と、を備え、前記バンプ電極と前記接続電極とを介して、前記基板に前記振動片が載置されており、前記バンプ電極は、前記基板の主面から前記振動片側に向かって突出した形状であると共に、前記基板の前記主面の広がり方向に向かって凸状に丸みを帯びた形状を備えた樹脂製の樹脂突起と、前記樹脂突起の表面を覆う導電性被膜と、を有し、前記接続電極と前記バンプ電極とが、直接接合されていることを特徴とする。
【０００７】
これによれば、電子部品は、振動片（機能片）の接続電極と基板のバンプ電極とが、直接接合されていることから、従来のような、接続電極とバンプ電極との導電接触状態を保持する保持部が不要となる。
この結果、電子部品は、保持部を設けるためのスペースが不要なことから、更なる小型化を図ることが可能となる。
また、電子部品は、従来のような保持部としての接着剤の塗布工程が不要なことや、接着剤を硬化させるための加熱、冷却工程が不要なことから、生産性を向上させることが可能となる。
また、電子部品は、保持部が不要なことから、例えば、電子機器に実装される際の加熱によっても、接続電極とバンプ電極との接合部からガスが発生する虞がなく、このガスによる機能片の振動特性の劣化を回避できる。なお、電子部品は、樹脂突起（コア部）の表面を覆う導電性被膜（導電膜）によって、上記加熱時におけるバンプ電極内の樹脂突起からのガスの漏出が回避されている。
加えて、電子部品は、バンプ電極の弾性を抑制する保持部がないことから、例えば、落下などの衝撃時において、接続電極とバンプ電極との接合部に加わる衝撃力が、バンプ電極の弾性によって確実に吸収、緩和され、耐衝撃性能を向上させることが可能となる。
【０００８】
［適用例２］上記適用例にかかる電子部品において、前記バンプ電極は、前記基板の厚み方向に太鼓胴形の曲面を備え、前記樹脂突起に沿って前記導電性被膜が前記基板の上方へ向かう立ち上がりとなる起点が、前記導電性被膜に接する接線のうち前記基板の前記主面と直交する接線よりも前記バンプ電極の中心側に位置するように、前記基板の前記主面の広がり方向に向かって凸状に丸みを帯びた形状を備えていることが好ましい。
【０００９】
これによれば、電子部品は、バンプ電極における厚み方向の中間部分が、太鼓胴形の曲面状に外部側にせり出している。
この結果、電子部品は、例えば、落下などの衝撃時に加わる衝撃力が、バンプ電極の特定の箇所（例えば、樹脂突起と基板表面との界面）に集中することなく、概ね均一に分散される（応力集中が緩和される）ことから、耐衝撃性能を更に向上させることが可能となる。特に、樹脂突起が基板表面との界面付近から剥がれるのを低減できる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例にかかる電子部品において、前記接続電極及び前記導電性被膜が、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、ステンレス鋼のいずれか１つの同種金属を含んでなり、前記接続電極と前記バンプ電極とが、前記同種金属同士により直接接合されていることが好ましい。
【００１１】
これによれば、電子部品は、接続電極及び導電性被膜がＡｕ、Ｃｕ、Ａｌ、ステンレス鋼のいずれか１つの同種金属を含んでなり、接続電極とバンプ電極とが、同種金属同士により直接接合されていることから、汎用的な同種金属の使用により両者を安定的に確実に直接接合することができる。
【００１２】
［適用例４］本適用例にかかる電子機器は、上記適用例のいずれかに記載の電子部品を備えたことを特徴とする。
【００１３】
これによれば、電子機器は、上記適用例のいずれかに記載の電子部品を備えたことから、上記適用例のいずれかに記載の効果を奏する電子機器を提供することができる。
【００１４】
［適用例５］本適用例にかかる電子部品の製造方法は、接続電極を有する振動片を用意する工程と、基板の主面から前記振動片側に突出した樹脂突起と、前記樹脂突起の表面を覆う導電性被膜と、を有したバンプ電極であって、前記導電性被膜が前記接続電極の金属被膜と同じ元素を含んでなる前記バンプ電極を備えた前記基板を用意する工程と、前記基板の前記バンプ電極を表面活性化処理する工程と、前記振動片の前記接続電極と前記基板の表面活性化処理された前記バンプ電極とを対向させて、前記接続電極と前記バンプ電極とを常温下で押圧し、前記接続電極と前記バンプ電極とを直接接合する工程と、を有することを特徴とする。
【００１５】
これによれば、電子部品の製造方法は、振動片の接続電極と基板の表面活性化処理されたバンプ電極とを常温下で押圧し、接続電極とバンプ電極とを直接接合することから、上記適用例に記載の効果を奏する電子部品を提供することができる。
加えて、電子部品の製造方法は、接続電極とバンプ電極との直接接合を常温下で行うことから、直接接合に伴う加熱、冷却などの工程が不要となり、生産性を向上させることが可能となる。
なお、ここでの常温とは、日本工業規格（ＪＩＳ Ｚ ８７０３）に規定されている２０℃±１５℃（５℃〜３５℃）の範囲を含む標準的な温度（特に冷やしたり、熱したりしない温度）のことをいう。
【００１６】
［適用例６］上記適用例にかかる電子部品の製造方法において、前記振動片の前記接続電極を表面活性化処理する工程を、更に備えたことが好ましい。
【００１７】
これによれば、電子部品の製造方法は、振動片の接続電極を表面活性化処理する工程を更に備えたことから、接続電極とバンプ電極との直接接合をより確実に行うことができる。
【００１８】
［適用例７］本適用例にかかる電子部品は、接続電極を有する振動デバイスと、バンプ電極を有する基板と、を備え、前記バンプ電極の上に前記接続電極が位置するように前記基板に前記振動デバイスが載置されており、前記バンプ電極は、前記基板の主面から前記振動デバイス側に向かって突出した形状であると共に、前記基板の前記主面の広がり方向に向かって凸状に丸みを帯びた形状を備えた樹脂製の樹脂突起と、前記樹脂突起の表面を覆う導電性被膜と、を有し、前記接続電極と前記バンプ電極とが、直接接合されていることを特徴とする。
【００１９】
これによれば、電子部品は、振動デバイスの接続電極と基板のバンプ電極とが、直接接合されていることから、例えば、落下などの衝撃時において、接続電極とバンプ電極との接合部に加わる衝撃力が、バンプ電極の弾性によって確実に吸収、緩和され、耐衝撃性能を向上させることが可能となる。
また、電子部品は、接続電極とバンプ電極との接合部分に発生する歪み（例えば、熱応力など）が、バンプ電極の弾性変形によって吸収、緩和されることから、歪みに起因する振動デバイスへの悪影響を抑制することができる。
また、電子部品は、振動デバイスの接続電極と基板のバンプ電極とが、直接接合されていることから、例えば、はんだによる両者の接合と比較して接合に要する面積を小さくすることが可能となり、更なる小型化を図ることができる。
【００２０】
［適用例８］上記適用例７にかかる電子部品において、前記バンプ電極は、前記基板の厚み方向に太鼓胴形の曲面を備え、前記導電性被膜の前記樹脂突起に沿って前記基板の上方へ向かう立ち上がりとなる起点が、前記導電性被膜に接する接線のうち前記基板の主面と直交する接線よりも前記バンプ電極の中心側に位置するように、前記基板の前記主面の広がり方向に向かって凸状に丸みを帯びた形状を備えていることが好ましい。
【００２１】
これによれば、電子部品は、バンプ電極における厚み方向の中間部分が、曲面状に外部側にせり出して太鼓胴のような形のバンプ電極を備えている。
この結果、電子部品は、落下などの衝撃時に加わる衝撃力が、バンプ電極の特定の箇所（例えば、樹脂突起と基板表面との界面）に集中することなく、概ね均一に分散される（応力集中が緩和される）ことから、耐衝撃性能を更に向上させることが可能となる。特に、樹脂突起が基板表面との界面付近から剥がれるのを低減できる。
また、電子部品は、接続電極とバンプ電極との接合部分に発生する歪み（例えば、熱応力など）が、バンプ電極の上記形状によって更に吸収、緩和され易くなることから、歪みに起因する振動デバイスへの悪影響をより抑制することができる。
【００２２】
［適用例９］上記適用例７または適用例８にかかる電子部品において、前記接続電極及び前記導電性被膜が、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、ステンレス鋼のいずれか１つの同種金属を含んでなり、前記接続電極と前記バンプ電極とが、前記同種金属同士により直接接合されていることが好ましい。
【００２３】
これによれば、電子部品は、接続電極及び導電性被膜がＡｕ、Ｃｕ、Ａｌ、ステンレス鋼のいずれか１つの同種金属を含んでなり、接続電極とバンプ電極とが、同種金属同士により直接接合されていることから、汎用的な同種金属の使用により両者を安定的に確実に直接接合することができる。
【００２４】
［適用例１０］本適用例にかかる電子機器は、上記適用例７ないし適用例９のいずれかに記載の電子部品を備えたことを特徴とする。
【００２５】
これによれば、電子機器は、上記適用例７ないし適用例９のいずれかに記載の電子部品を備えたことから、上記適用例７ないし適用例９のいずれかに記載の効果を奏する電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】第１実施形態の水晶振動子の概略構成を示す模式図であり、（ａ）はリッド側から俯瞰した平面図、（ｂ）は（ａ）の断面図。
【図２】図１（ｂ）の要部の模式拡大図。
【図３】第１実施形態の水晶振動子の製造工程を示すフローチャート。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は、バンプ電極の製造方法の概略を説明する模式断面図。
【図５】表面活性化処理工程を説明する模式図。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、接合工程を説明する模式断面図。
【図７】封止工程を説明する模式断面図。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は、変形例の水晶振動子におけるバンプ電極の形状のバリエーションを示す模式斜視図。
【図９】第２実施形態の携帯電話を示す模式斜視図。
【図１０】第３実施形態の圧力センサーモジュールの概略構成を示す模式図であり、（ａ）は、ダイヤフラム層側から俯瞰した平面図、（ｂ）は（ａ）の断面図。
【図１１】図１０（ａ）の要部の模式拡大断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面を参照して説明する。
【００２８】
（第１実施形態）
ここでは、電子部品の一例として水晶振動子を例に挙げて説明する。
図１は、第１実施形態の水晶振動子の概略構成を示す模式図である。図１（ａ）は、リッド（蓋体）側から俯瞰した平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線での断面図である。図２は、図１（ｂ）のＢ部の模式拡大図である。なお、平面図では、便宜的にリッドを省略してある。
【００２９】
図１、図２に示すように、水晶振動子１は、振動片としての水晶振動片１０と、水晶振動片１０を収容するパッケージ２０と、を備えている。
水晶振動片１０は、水晶の原石などから所定の角度で切り出されたＡＴカット型であり、平面形状が略矩形に形成され、厚みすべり振動をする振動部１１と振動部１１に接続された基部１２とを有している。
【００３０】
水晶振動片１０は、振動部１１の一方の主面１３及び他方の主面１４に形成された励振電極１５，１６から引き出された、接続電極としての引き出し電極１５ａ，１６ａが、基部１２に形成されている。
引き出し電極１５ａは、一方の主面１３の励振電極１５から、水晶振動片１０の長手方向（紙面左右方向）に沿って基部１２に引き出され、基部１２の側面に沿って他方の主面１４に回り込み、他方の主面１４の励振電極１６の近傍まで延在している。
引き出し電極１６ａは、他方の主面１４の励振電極１６から、水晶振動片１０の長手方向に沿って基部１２に引き出され、基部１２の側面に沿って一方の主面１３に回り込み、一方の主面１３の励振電極１５の近傍まで延在している。
励振電極１５，１６及び引き出し電極１５ａ，１６ａは、Ｃｒを下地層とし、その上にＡｕが積層された構成の金属被膜となっている。
【００３１】
パッケージ２０は、平面形状が略矩形で平板状の、基板としてのパッケージベース２１と、パッケージベース２１を覆うキャップ状のリッド２２と、を有し、略直方体形状に形成されている。
パッケージベース２１には、セラミックグリーンシートを成形して焼成した酸化アルミニウム質焼結体、水晶、ガラス、シリコンなどが用いられている。
リッド２２には、パッケージベース２１と同材料、または、コバール、４２アロイ、ステンレス鋼などの金属が用いられている。
【００３２】
パッケージベース２１には、主面としての、水晶振動片１０を支持する支持面２３に、バンプ電極２４，２５が設けられている。
バンプ電極２４，２５は、パッケージベース２１の支持面２３から水晶振動片１０側に向かって突出した形状であって、弾性を有する樹脂製の樹脂突起２４ａ，２５ａと、樹脂突起２４ａ，２５ａの表面を覆う導電性被膜２４ｂ，２５ｂと、を有している。
バンプ電極２４，２５の樹脂突起２４ａ，２５ａは、水晶振動片１０の引き出し電極１５ａ，１６ａと対向する位置に半球状に突出して形成されている（水晶振動片１０との接合前の形状）。
バンプ電極２４，２５の導電性被膜２４ｂ，２５ｂは、樹脂突起２４ａ，２５ａを覆うと共に支持面２３まで延在し、平面形状が略矩形に形成されている。
【００３３】
樹脂突起２４ａ，２５ａは、ポリイミドなどの弾性樹脂材料を支持面２３にコーティングし、フォトリソグラフィーなどのパターニング処理を行うことによって形成される。
なお、樹脂突起２４ａ，２５ａの材料としては、ポリイミド樹脂以外に、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、変性ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン、ポリベンゾオキサゾールなどの樹脂を用いてもよい。
【００３４】
樹脂突起２４ａ，２５ａの表面に形成された導電性被膜２４ｂ，２５ｂは、Ａｕ、ＴｉＷ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＶ、鉛フリーはんだなどの導電性金属を、蒸着、スパッタリングなどによって成膜し、適宜のパターニング処理を適用することによって形成される。
また、導電性被膜２４ｂ，２５ｂは、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌなどで構成された下地の被膜の表面をさらにＡｕメッキなどで被覆し、導電性能を高めることも可能である。
なお、本実施形態では、導電性被膜２４ｂ，２５ｂの表面がＡｕの被膜であるものとする。
これにより、水晶振動片１０の引き出し電極１５ａ，１６ａとパッケージベース２１のバンプ電極２４，２５とは、同じ元素（ここでは、Ａｕ）を含むこととなる。
【００３５】
パッケージベース２１の底面（支持面２３の反対側の面）２６には、電子機器などに実装される際に用いられる一対の外部端子２７，２８が形成されている。
外部端子２７，２８は、Ｗなどのメタライズ層にＮｉ、Ａｕなどの各被膜をメッキなどにより積層した金属被膜からなる。
外部端子２７，２８は、図示しない内部配線によってバンプ電極２４，２５と接続されている。例えば、外部端子２７は、バンプ電極２４と接続され、外部端子２８は、バンプ電極２５と接続されている。
【００３６】
水晶振動子１は、バンプ電極２４，２５と引き出し電極１５ａ，１６ａとを介して、パッケージベース２１の支持面２３に水晶振動片１０が載置されている。
水晶振動子１は、水晶振動片１０の基部１２に形成された引き出し電極１５ａ，１６ａと、アルゴンビームなどの照射によって導電性被膜２４ｂ，２５ｂの表面が活性化処理されたバンプ電極２４，２５とが、位置合わせされた状態で、水晶振動片１０及びパッケージベース２１が互いに近づく方向に押圧されることにより、互いに直接接合される。（直接接合の原理としては、表面のＡｕ原子の結合手同士が直接結合することにより接合されると考えられている）。
そして、水晶振動子１は、この直接接合により、引き出し電極１５ａ，１６ａと、バンプ電極２４，２５とが、電気的及び機械的に接合されている。
【００３７】
図２に示すように、バンプ電極２４，２５は、上記押圧により若干塑性変形して厚み方向につぶれている。
そして、バンプ電極２４，２５は、パッケージベース２１の厚み方向に太鼓胴形の曲面を備えている。詳述すると、バンプ電極２４，２５は、樹脂突起２４ａ，２５ａに沿って導電性被膜２４ｂ，２５ｂがパッケージベース２１の支持面２３から上方（水晶振動片１０側）へ向かう立ち上がりとなる外部側の起点Ｐが、導電性被膜２４ｂ，２５ｂに接する接線のうちパッケージベース２１の支持面２３と直交する接線Ｓよりも、バンプ電極２４，２５の中心側に位置するようにパッケージベース２１の支持面２３の広がり方向に向かって凸状に丸みを帯びた形状を備えており、好ましくは凸状の丸みを帯びた形状はバンプ電極２４，２５の幅方向における全周に亘り形成されている。
換言すれば、バンプ電極２４，２５の樹脂突起２４ａ，２５ａ部分における径方向の中心線Ｏから起点Ｐまでの距離Ｌ１は、中心線Ｏから接線Ｓまでの距離Ｌ２よりも短いこととなる。
つまり、バンプ電極２４，２５は、直接接合によって厚み方向（紙面上下方向）の中間部分が太鼓胴形の曲面状に外部側にせり出していることとなる。
なお、図２の２点鎖線は、バンプ電極２４，２５の接合前の断面形状（略半円形状）を示す。
【００３８】
図１に戻って、水晶振動子１は、水晶振動片１０がパッケージベース２１の支持面２３にバンプ電極２４，２５を介して接合（支持）された状態で、パッケージベース２１がリッド２２により覆われ、パッケージベース２１とリッド２２とが図示しないシームリング、低融点ガラス、接着剤などで接合されることにより、パッケージ２０の内部が気密に封止されている。
なお、パッケージ２０の内部は、真空状態（真空度の高い状態）または窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスが充填された状態となっている。
なお、製造方法の詳細については後述する。
【００３９】
水晶振動子１は、外部端子２７，２８、バンプ電極２４，２５、引き出し電極１５ａ，１６ａ、励振電極１５，１６を経由して外部から印加される駆動信号によって、水晶振動片１０が励振されて所定の周波数で共振する。
【００４０】
ここで、水晶振動子１の製造方法の一例を説明する。
図３は、水晶振動子の製造工程を示すフローチャートであり、図４〜図７は、主要製造工程を説明する模式図である（図１も併せて参照）。
【００４１】
図３に示すように、水晶振動子１の製造方法は、水晶振動片準備工程Ｓ１と、パッケージベース準備工程Ｓ２と、表面活性化処理工程Ｓ３と、接合工程Ｓ４と、封止工程Ｓ５と、を有している。
【００４２】
［水晶振動片準備工程Ｓ１］
まず、振動部１１の一方の主面１３及び他方の主面１４に形成された励振電極１５，１６から引き出された引き出し電極１５ａ，１６ａを基部１２に有する水晶振動片１０（図１参照）を用意する。
【００４３】
［パッケージベース準備工程Ｓ２］
ついで、水晶振動片１０を支持する支持面２３に、バンプ電極２４，２５を備えたパッケージベース２１（図１参照）を用意する。
ここで、バンプ電極２４，２５の製造方法の概略を説明する。
【００４４】
まず、図４（ａ）に示すように、パッケージベース２１の支持面２３にスピンコート、印刷などにより、前述したポリイミドなどの弾性樹脂材料３０を塗布（コーティング）する。
ついで、図４（ｂ）に示すように、バンプ電極２４，２５の樹脂突起２４ａ，２５ａ部分に対応する開口部４１が形成されたフォトマスク４０を用いて、露光及び現像処理を行う。
これにより、図４（ｃ）に示すように、パッケージベース２１の支持面２３上に、断面形状が略矩形状である円柱状の樹脂突起２４ａ’，２５ａ’が形成される。
【００４５】
ついで、図４（ｄ）に示すように、パッケージベース２１を図示しない加熱炉内などに投入して加熱し、樹脂突起２４ａ’，２５ａ’を融解させることにより断面形状が略半円状である半球状の樹脂突起２４ａ，２５ａを形成する。
【００４６】
ついで、図４（ｅ）に示すように、樹脂突起２４ａ，２５ａを覆うようにＡｕ、ＴｉＷ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＶ、鉛フリーはんだなどの導電性金属を、蒸着、スパッタリングなどによって成膜し、フォトリソグラフィーなどのパターニング処理を適用することによって導電性被膜２４ｂ，２５ｂを形成する。
なお、ここでは、導電性被膜２４ｂ，２５ｂの表面は、Ａｕの被膜となっている。
以上の工程を経ることにより、バンプ電極２４，２５が形成される。
なお、図４の断面位置は、図１（ｂ）の断面位置に準じている。
【００４７】
［表面活性化処理工程Ｓ３］
ついで、図５に示すように、表面活性化装置５０の真空チャンバー５１内のステージ５２に、パッケージベース２１を載置する。このとき、パッケージベース２１の底面２６が、ステージ５２の載置面５３側となるように載置する。
ついで、図示しない真空ポンプにより真空チャンバー５１内を１０-3ｔｏｒｒ程度に減圧する。
ついで、アルゴンなどの不活性ガスのイオンビーム（アルゴンビーム）を、イオンビーム照射装置５４によってパッケージベース２１の支持面２３、バンプ電極２４，２５に向けて１０秒〜３０秒程度照射する。
これにより、パッケージベース２１の支持面２３、バンプ電極２４，２５の導電性被膜２４ｂ，２５ｂがスパッタエッチングされ、表面の酸化膜、吸着された水分、有機物分子などが除去され、表面が活性化する（表面の原子が周囲の原子と結合しやすい状態になる）。
なお、この際、パッケージベース２１の支持面２３を部分的にマスキングして、バンプ電極２４，２５（導電性被膜２４ｂ，２５ｂ）のみにアルゴンビームを照射してもよい。
【００４８】
なお、表面活性化処理工程Ｓ３において、水晶振動片１０の引き出し電極１５ａ，１６ａにアルゴンビームを照射して、引き出し電極１５ａ，１６ａの表面を活性化することが、引き出し電極１５ａ，１６ａとバンプ電極２４，２５との接合をより確実に行う上で好ましい。
なお、この際、アルゴンビームが励振電極１５，１６へ照射されないように、励振電極１５，１６部分をマスキングする必要がある（アルゴンビームの照射による周波数変化を回避するため）。
【００４９】
［接合工程Ｓ４］
ついで、図６（ａ）に示すように、接合装置６０の一方の側６１に水晶振動片１０を装着し、一方の側６１と対向する他方の側６２に、バンプ電極２４，２５が水晶振動片１０の引き出し電極１５ａ，１６ａと対向するように、パッケージベース２１を装着する。
この際、水晶振動片１０を、例えば、図示しない吸引装置などを用いて接合装置６０の一方の側６１の凹部６３に、矢印Ｃ方向に吸引して仮固定しておく。また、パッケージベース２１も、移動しないように位置決めされているものとする。
【００５０】
ついで、図６（ｂ）に示すように、水晶振動片１０とパッケージベース２１との位置合わせ後、常温（２０℃±１５℃（５℃〜３５℃）の範囲を含む標準的な温度）下で、接合装置６０の一方の側６１を矢印Ｄ方向に移動させ、水晶振動片１０の引き出し電極１５ａ，１６ａをパッケージベース２１のバンプ電極２４，２５に、一例として０．２Ｎ程度の押圧力で押圧する。
これにより、図６（ｃ）に示すように、水晶振動片１０の引き出し電極１５ａ，１６ａの表面のＡｕ原子の結合手Ａｕ１と、バンプ電極２４，２５の導電性被膜２４ｂ，２５ｂの表面のＡｕ原子の結合手Ａｕ２とが直接結合する。
つまり、水晶振動片１０の引き出し電極１５ａ，１６ａとパッケージベース２１のバンプ電極２４，２５とを同じ元素同士（同種金属（Ａｕ−Ａｕ）同士）により直接接合する。
【００５１】
なお、本製造方法では、水晶振動片１０の引き出し電極１５ａ，１６ａが表面活性化処理されていなくても、０．２Ｎ程度の押圧力で押圧することによって、引き出し電極１５ａ，１６ａの表面の酸化膜、吸着された水分、有機物分子などが拡散され、直接接合が可能となる。
なお、接合工程Ｓ４は、減圧された真空チャンバー内で行うことが、大気の影響を回避して確実な接合を行う上で好ましい。
なお、図６の断面位置は、図１（ｂ）の断面位置に準じている。
【００５２】
［封止工程Ｓ５］
ついで、図７に示すように、窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスの雰囲気中、または減圧された真空チャンバー内において、リッド２２を、パッケージベース２１に図示しないシームリング、低融点ガラス、接着剤などを用いて気密に接合する。
これにより、パッケージベース２１とリッド２２とで囲まれた内部空間が、真空状態（真空度の高い状態）または窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスが充填された状態で気密に封止される。
なお、図７の断面位置は、図１（ｂ）の断面位置に準じている。
【００５３】
上記の各工程を経ることにより、図１に示すような、水晶振動子１を得る。
なお、上記各工程の順番は、必要に応じて適宜入れ換えてもよい。例えば、水晶振動片準備工程Ｓ１は、パッケージベース準備工程Ｓ２の後でもよく、水晶振動片１０の引き出し電極１５ａ，１６ａを表面活性化処理しないのであれば、表面活性化処理工程Ｓ３の後でもよい。
なお、周波数調整、検査などの工程の説明は省略する。
【００５４】
上述したように、第１実施形態の水晶振動子１は、水晶振動片１０の引き出し電極１５ａ，１６ａとパッケージベース２１のバンプ電極２４，２５とが、同じ元素の金属（Ａｕ）同士により直接接合されていることから、従来のような、引き出し電極１５ａ，１６ａとバンプ電極２４，２５との導電接触状態を保持する保持部が不要となる。
この結果、水晶振動子１は、保持部を設けるためのスペースが不要なことから、更なる小型化を図ることができる。
また、水晶振動子１は、従来のような保持部としての接着剤の塗布工程が不要なことや、接着剤を硬化させるための加熱、冷却工程が不要なことから、生産性を向上させることができる。
【００５５】
また、水晶振動子１は、保持部が不要なことから、例えば、電子機器に実装される際の加熱によっても、引き出し電極１５ａ，１６ａとバンプ電極２４，２５との接合部からガスが発生する虞がなく、このガスによる水晶振動片１０の振動特性の劣化を回避できる。
なお、水晶振動子１は、樹脂突起２４ａ，２５ａの表面を覆う導電性被膜２４ｂ，２５ｂによって、上記加熱時におけるバンプ電極２４，２５内の樹脂突起２４ａ，２５ａからのガスの漏出が回避されている。
【００５６】
加えて、水晶振動子１は、バンプ電極２４，２５の弾性を抑制する保持部がないことから、例えば、落下などの衝撃時において、引き出し電極１５ａ，１６ａとバンプ電極２４，２５との接合部に加わる衝撃力が、バンプ電極２４，２５の弾性によって確実に吸収、緩和され、耐衝撃性能を向上させることができる。
【００５７】
なお、水晶振動子１は、水晶振動片１０の引き出し電極１５ａ，１６ａとパッケージベース２１のバンプ電極２４，２５の導電性被膜２４ｂ，２５ｂとに用いられる金属が、Ａｕ以外にＣｕ、Ａｌ、ステンレス鋼のいずれか１つの同種金属であってもよい。
これによれば、水晶振動子１は、引き出し電極１５ａ，１６ａ及び導電性被膜２４ｂ，２５ｂがＡｕ、Ｃｕ、Ａｌ、ステンレス鋼のいずれか１つの同種金属を含んでなり、引き出し電極１５ａ，１６ａとバンプ電極２４，２５とが、同種金属同士により直接接合されていることから、汎用的な同種金属の使用により両者を安定的に確実に直接接合することができる。
【００５８】
また、水晶振動子１は、バンプ電極２４，２５がパッケージベース２１の厚み方向に太鼓胴形の曲面を備えている。
つまり、バンプ電極２４，２５は、直接接合により厚み方向の中間部分が太鼓胴形の曲面状に外部側にせり出していることとなる。
これにより、水晶振動子１は、落下などの衝撃時に加わる衝撃力が、バンプ電極２４，２５の特定の箇所（例えば、樹脂突起２４ａ，２５ａとパッケージベース２１の支持面２３との界面）に集中することなく、概ね均一に分散される（応力集中が緩和される）ことから、耐衝撃性能を更に向上させることができる。特に、樹脂突起２４ａ，２５ａがパッケージベース２１の支持面２３との界面付近から剥がれるのを低減できる。
【００５９】
また、水晶振動子１の製造方法は、水晶振動片１０の引き出し電極１５ａ，１６ａとパッケージベース２１の表面活性化処理されたバンプ電極２４，２５とを常温下で押圧し、引き出し電極１５ａ，１６ａとバンプ電極２４，２５とを、同じ元素同士（同種金属（Ａｕ−Ａｕ）同士）により直接接合することから、上述した効果を奏する水晶振動子１を提供することができる。
加えて、水晶振動子１の製造方法は、引き出し電極１５ａ，１６ａとバンプ電極２４，２５との直接接合を常温下で行うことから、直接接合に伴う加熱、冷却などの工程が不要となり、生産性を向上させることができる。
【００６０】
また、水晶振動子１の製造方法は、表面活性化処理工程Ｓ３において、水晶振動片１０の引き出し電極１５ａ，１６ａも表面活性化処理することによって、換言すれば、水晶振動片１０の引き出し電極１５ａ，１６ａを表面活性化処理する工程を更に備えたことによって、引き出し電極１５ａ，１６ａとバンプ電極２４，２５との直接接合をより確実に行うことができる。
【００６１】
（変形例）
以下、第１実施形態の水晶振動子の変形例について説明する。
図８（ａ）〜図８（ｄ）は、変形例の水晶振動子におけるバンプ電極の形状のバリエーションを示す模式斜視図である。
上記実施形態では、水晶振動子１のバンプ電極２４，２５の突出部分の形状を半球状としたが、これに限定されるものではなく、例えば、図８に示すような形状でもよい。
【００６２】
詳述すると、バンプ電極２４，２５の突出部分の形状は、図８（ａ）に示すように、四角錐形状としてもよく、図８（ｂ）に示すように、円錐形状としてもよく、図８（ｃ）に示すように、図８（ａ）の四角錐の先端側を平面で切り落とした形状としてもよく、図８（ｄ）に示すように、図８（ｂ）の円錐の先端側を平面で切り落とした形状としてもよい。
変形例の水晶振動子は、バンプ電極２４，２５が上記のいずれの形状であっても、第１実施形態に記載された効果の少なくとも一部を奏することができる。
【００６３】
なお、上記実施形態及び変形例では、水晶振動片１０の引き出し電極１５ａ，１６ａとパッケージベース２１のバンプ電極２４，２５の導電性被膜２４ｂ，２５ｂとが、同種金属同士（Ａｕ−Ａｕ）で直接接合されていたが、これに限定されるものではなく、異種金属同士（例えば、Ａｕ−Ｎｉ、Ａｕ−Ｃｒ、Ａｕ−Ｐｄなど）での直接接合としてもよい。
また、上記実施形態及び変形例では、水晶振動片をＡＴカット型としたが、これに限定されるものではなく、音叉型や弾性表面波素子片、ＷＴ型などのセンサー素子片でもよい。
また、上記実施形態及び変形例では、バンプ電極２４，２５をパッケージベース２１に設けたが、引き出し電極１５ａ，１６ａに代えてバンプ電極２４，２５を水晶振動片１０側に設け、バンプ電極２４，２５に代えて接続電極（引き出し電極１５ａ，１６ａのような平坦な電極）をパッケージベース２１側に設ける構成としてもよい。
【００６４】
（第２実施形態）
以下、電子機器としての携帯電話を一例に挙げて説明する。
図９は、第２実施形態の携帯電話を示す模式斜視図である。
第２実施形態の携帯電話７００は、第１実施形態または第１実施形態の変形例の水晶振動子を用いた携帯電話である。
図９に示す携帯電話７００は、上述した水晶振動子１を、例えば、基準クロック発振源などのタイミングデバイスとして用い、更に液晶表示装置７０１、複数の操作ボタン７０２、受話口７０３、及び送話口７０４を備えて構成されている。
【００６５】
上述した水晶振動子１は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピューター、テレビ、デジタルスチールカメラ、ビデオカメラ、ビデオレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器などのタイミングデバイスとして好適に用いることができ、いずれの場合にも上記実施形態および変形例で説明した効果を奏する電子機器を提供することができる。
【００６６】
（第３実施形態）
以下、電子部品としての圧力センサーモジュールを一例に挙げて説明する。
図１０は、第３実施形態の圧力センサーモジュールの概略構成を示す模式図である。図１０（ａ）は、ダイヤフラム層側から俯瞰した平面図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＥ−Ｅ線での断面図である。図１１は、図１０（ａ）のＦ−Ｆ線での模式拡大断面図である。なお、平面図では、便宜的にダイヤフラム層を省略してある。
【００６７】
図１０、図１１に示すように、圧力センサーモジュール２は、振動デバイスとしての圧力センサー１０１と、圧力センサー１０１を載置する基板２２１と、を備えている。
圧力センサー１０１は、感圧素子層１１０と、感圧素子層１１０の一方の主面１１１側を覆うダイヤフラムとしてのダイヤフラム層１２０と、感圧素子層１１０の他方の主面１１２側を覆うベース層１３０と、を備えている。
圧力センサー１０１は、上記各層が、平面視において輪郭が互いに重なり合うように積層されることにより、略直方体形状に形成されている。
なお、圧力センサー１０１の各層は、複数個取りが可能なウエハー状の水晶基板を基材として、フォトエッチング、サンドブラストなどの加工方法により所定の形状に形成されている。
【００６８】
感圧素子層１１０は、感圧部としての互いに略平行な角柱状の一対の振動片部（柱状ビーム）１１３と、振動片部１１３の両端に接続される一対の略矩形の基部１１４とを有する感圧素子としての双音叉素子１１５と、双音叉素子１１５を囲む略矩形の枠部１１６と、枠部１１６と双音叉素子１１５の各基部１１４とを接続する各一対の梁状の腕部１１７とを有している。
感圧素子層１１０は、平面視において外形形状が略矩形に形成され、各構成要素の厚みが略同一に形成されている。なお、双音叉素子１１５の図示しない電極は、腕部１１７を介して枠部１１６に引き出されている。
【００６９】
ダイヤフラム層１２０は、平面視において外形形状が略矩形に形成されている。
そして、ダイヤフラム層１２０は、感圧素子層１１０の一方の主面１１１側を覆うように配置されている。
ダイヤフラム層１２０は、外部からの圧力を受けて撓む凹部１２１と、凹部１２１を囲む外周枠部１２２と、双音叉素子１１５の一対の基部１１４に対向する位置に、凹部１２１から感圧素子層１１０側に突出し、双音叉素子１１５の各基部１１４が接合される一対の支持部１２３と、を有している。
【００７０】
圧力センサー１０１は、双音叉素子１１５の振動片部１１３と、ダイヤフラム層１２０の凹部１２１との間に空間が形成されている。
なお、ダイヤフラム層１２０の外周枠部１２２は、感圧素子層１１０の枠部１１６と図示しない接合部材を介して接合されている。
なお、接合部材には、例えば、低融点ガラスやエポキシ系接着剤などを用いることができ、それらは水晶の熱膨張率に近似する材料から構成されることが好ましい。
【００７１】
ベース層１３０は、平面視において外形形状が略矩形に形成されている。ベース層１３０は、感圧素子層１１０側に双音叉素子１１５との間に空間を形成するための凹部１３１が形成されている。
そして、ベース層１３０は、感圧素子層１１０の他方の主面１１２側を覆うように配置され、凹部１３１を囲む外周枠部１３２が感圧素子層１１０の枠部１１６と図示しない接合部材を介して接合されている。
ベース層１３０の外部側の底面１３３には、接続電極１３４，１３５が設けられている。接続電極１３４，１３５は、図示しない内部配線によって双音叉素子１１５の各電極と接合されている。
接続電極１３４，１３５は、Ｃｒを下地層とし、その上にＡｕが積層された構成の金属被膜となっている。
【００７２】
なお、感圧素子層１１０の腕部１１７は、ダイヤフラム層１２０、ベース層１３０のいずれにも接合されておらず、フリーな状態になっている。
【００７３】
上記の構成により、圧力センサー１０１は、ダイヤフラム層１２０と双音叉素子１１５の振動片部１１３との間、及び双音叉素子１１５とベース層１３０との間に空間が形成された状態で、双音叉素子１１５の各基部１１４が、ダイヤフラム層１２０の各支持部１２３に接合されている。
これにより、圧力センサー１０１は、双音叉素子１１５が各支持部１２３間に架け渡された状態となっている。
【００７４】
以上のように構成された圧力センサー１０１は、内部が気密に封止され、真空状態（真空度の高い状態）に保持されており、絶対圧を検出する圧力センサーとなっている。
【００７５】
基板２２１には、主面としての、圧力センサー１０１を支持する支持面２２３に、バンプ電極２２４，２２５が設けられている。
バンプ電極２２４，２２５は、基板２２１の支持面２２３から圧力センサー１０１側に向かって突出した形状であって、図１１に示すように、弾性を有する樹脂製の樹脂突起２２４ａ，２２５ａと、樹脂突起２２４ａ，２２５ａの表面を覆う導電性被膜２２４ｂ，２２５ｂと、を有している。
バンプ電極２２４，２２５の樹脂突起２２４ａ，２２５ａは、圧力センサー１０１の接続電極１３４，１３５と対向する位置に半球状に突出して形成されている（圧力センサー１０１との接合前の形状）。
バンプ電極２２４，２２５の導電性被膜２２４ｂ，２２５ｂは、樹脂突起２２４ａ，２２５ａを覆うと共に支持面２２３まで延在し、平面形状が略矩形に形成されている。
【００７６】
樹脂突起２２４ａ，２２５ａは、ポリイミドなどの弾性樹脂材料を支持面２２３にコーティングし、フォトリソグラフィーなどのパターニング処理を行うことによって形成される。
なお、樹脂突起２２４ａ，２２５ａの材料としては、ポリイミド樹脂以外に、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、変性ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン、ポリベンゾオキサゾールなどの樹脂を用いてもよい。
【００７７】
樹脂突起２２４ａ，２２５ａの表面に形成された導電性被膜２２４ｂ，２２５ｂは、Ａｕ、ＴｉＷ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＶ、鉛フリーはんだなどの導電性金属を、蒸着、スパッタリングなどによって成膜し、適宜のパターニング処理を適用することによって形成される。
また、導電性被膜２２４ｂ，２２５ｂは、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌなどで構成された下地の被膜の表面をさらにＡｕメッキなどで被覆し、導電性能を高めることも可能である。
なお、本実施形態では、導電性被膜２２４ｂ，２２５ｂの表面がＡｕの被膜であるものとする。
これにより、圧力センサー１０１の接続電極１３４，１３５と基板２２１のバンプ電極２２４，２２５とは、同じ元素（ここでは、Ａｕ）を含むこととなる。
【００７８】
圧力センサーモジュール２は、バンプ電極２２４，２２５の上に接続電極１３４，１３５が位置するように、基板２２１の支持面２２３に圧力センサー１０１が載置されている。
圧力センサーモジュール２は、圧力センサー１０１の接続電極１３４，１３５と、アルゴンビームなどの照射によって導電性被膜２２４ｂ，２２５ｂの表面が活性化処理されたバンプ電極２２４，２２５とが、位置合わせされた状態で、圧力センサー１０１及び基板２２１が互いに近づく方向に常温下で押圧されることにより直接接合される。（直接接合の原理としては、表面のＡｕ原子の結合手同士が直接結合することにより接合されると考えられている）。
そして、圧力センサーモジュール２は、この直接接合により、接続電極１３４，１３５と、バンプ電極２２４，２２５とが、電気的及び機械的に接合されている。
【００７９】
図１１に示すように、バンプ電極２２４，２２５は、上記押圧により若干塑性変形して厚み方向につぶれている。
そして、バンプ電極２２４，２２５は、基板２２１の厚み方向に太鼓胴形の曲面を備えている。詳述すると、バンプ電極２２４，２２５は、樹脂突起２２４ａ，２２５ａに沿って導電性被膜２２４ｂ，２２５ｂが基板２２１の支持面２２３から上方（圧力センサー１０１側）へ向かう立ち上がりとなる外部側の起点Ｐ１が、導電性被膜２２４ｂ，２２５ｂに接する接線のうち基板２２１の支持面２２３と直交する接線Ｓ１よりもバンプ電極２２４，２２５の中心側に位置するように、基板２２１の支持面２２３の広がり方向に向かって凸状に丸みを帯びた形状を備えている。
換言すれば、バンプ電極２２４，２２５の樹脂突起２２４ａ，２２５ａ部分における径方向の中心線Ｏ１から起点Ｐ１までの距離Ｌ１１は、中心線Ｏ１から接線Ｓ１までの距離Ｌ１２よりも短いこととなる。
つまり、バンプ電極２２４，２２５は、直接接合により厚み方向（紙面上下方向）の中間部分が太鼓胴形の曲面状に外部側にせり出していることとなる。
なお、図１１の２点鎖線は、バンプ電極２２４，２２５の接合前の断面形状（略半円形状）を示す。
【００８０】
ここで、圧力センサーモジュール２の基本動作について、概略を説明する。
圧力センサーモジュール２は、圧力センサー１０１のベース層１３０側が基板２２１の支持面２２３側に載置され、基板２２１における支持面２２３の反対側（裏側）の面２２６が、図示しない外部機器の搭載面に載置されるように構成されている。
圧力センサーモジュール２は、外部からの圧力を圧力センサー１０１の双音叉素子１１５の振動片部１１３の共振周波数の変化によって検出する機能を備えている。
【００８１】
詳述すると、図１０（ｂ）に示すように、圧力センサー１０１は、外部からの圧力を受けるとダイヤフラム層１２０の凹部１２１が、圧力の程度に応じて矢印Ｇ方向に撓む。
圧力センサー１０１は、この矢印Ｇ方向の撓みに伴って、ダイヤフラム層１２０の各支持部１２３が、矢印Ｈ方向に変位する（各支持部１２３間の間隔が変化する）。
これにより、各支持部１２３間に架け渡された状態で接合されている双音叉素子１１５は、矢印Ｈ方向に引張力または圧縮力が加わり伸縮する。
この際、双音叉素子１１５は、矢印Ｈ方向に引張力が加われば、例えば、巻き上げられた弦楽器の弦のように、振動片部１１３の共振周波数が高くなる方に変化し、矢印Ｈ方向に圧縮力が加われば、例えば、巻き戻された弦楽器の弦のように、振動片部１１３の共振周波数が低くなる方に変化する。
【００８２】
圧力センサーモジュール２は、この圧力センサー１０１の共振周波数の変化を検出している。外部からの圧力は、この検出された共振周波数の変化の割合に応じて、ルックアップテーブルなどによって定められた数値に変換することで導出される。
圧力センサーモジュール２には、圧力センサー１０１を駆動する（共振させる）駆動用回路と、外部からの圧力を検出された共振周波数の変化の割合に応じて、ルックアップテーブルなどによって定められた数値に変換する演算用回路とを備えていることが好ましい。
【００８３】
上述したように、第３実施形態の圧力センサーモジュール２は、圧力センサー１０１の接続電極１３４，１３５と基板２２１のバンプ電極２２４，２２５とが、直接接合されていることから、例えば、落下などの衝撃時において、接続電極１３４，１３５とバンプ電極２２４，２２５との接合部に加わる衝撃力が、バンプ電極２２４，２２５の弾性によって確実に吸収、緩和され、耐衝撃性能を向上させることが可能となる。
【００８４】
また、圧力センサーモジュール２は、バンプ電極２２４，２２５の、厚み方向（紙面上下方向）の中間部分が、太鼓胴形の曲面状に外部側にせり出していることから、落下などの衝撃時に加わる衝撃力が、バンプ電極２２４，２２５の特定の箇所（例えば、樹脂突起２２４ａ，２２５ａと基板２２１の支持面２２３との界面）に集中することなく、概ね均一に分散される（応力集中が緩和される）。特に、樹脂突起２２４ａ，２２５ａが基板２２１の支持面２２３との界面付近から剥がれるのを低減できる。
この結果、圧力センサーモジュール２は、耐衝撃性能を更に向上させることができる。
【００８５】
また、圧力センサーモジュール２は、圧力センサー１０１の接続電極１３４，１３５と基板２２１のバンプ電極２２４，２２５との接合部分に発生する歪み（例えば、熱応力など）が、バンプ電極２２４，２２５の弾性変形によって吸収、緩和されることから、歪みに起因する圧力センサー１０１への悪影響を抑制することができる。
この際、圧力センサーモジュール２は、バンプ電極２２４，２２５の、厚み方向（紙面上下方向）の中間部分が、太鼓胴形の曲面状に外部側にせり出していることから、上記歪みが、更に吸収、緩和され易くなり、歪みに起因する圧力センサー１０１への悪影響を、より抑制することができる。
【００８６】
また、圧力センサーモジュール２は、圧力センサー１０１の接続電極１３４，１３５と基板２２１のバンプ電極２２４，２２５とが、直接接合されていることから、例えば、はんだによる両者の接合と比較して、接合に要する面積を小さくすることが可能となり、更なる小型化を図ることができる。
【００８７】
なお、上記各実施形態及び変形例では、振動片（双音叉素子を含む）の材料を水晶としたが、振動片の材料としては、水晶に限定するものではなく、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3）、四ホウ酸リチウム（Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などの圧電体、または酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などの圧電体を被膜として備えたシリコンなどの半導体であってもよい。
【００８８】
上述した圧力センサーモジュール２は、河川用水位計、圧力ゲージ、自動車用タイヤ圧検出システム、高度計を備えた機器などのセンサーデバイスとして好適に用いることができ、いずれの場合にも上記実施形態および変形例で説明した効果を奏する電子機器を提供することができる。
【符号の説明】
【００８９】
１…電子部品としての水晶振動子、２…電子部品としての圧力センサーモジュール、１０…振動片としての水晶振動片、１１…振動部、１２…基部、１３…一方の主面、１４…他方の主面、１５…励振電極、１５ａ…接続電極としての引き出し電極、１６…励振電極、１６ａ…接続電極としての引き出し電極、２０…パッケージ、２１…基板としてのパッケージベース、２２…リッド、２３…主面としての支持面、２４…バンプ電極、２４ａ，２４ａ’…樹脂突起、２４ｂ…導電性被膜、２５…バンプ電極、２５ａ，２５ａ’…樹脂突起、２５ｂ…導電性被膜、２６…底面、２７，２８…外部端子、３０…弾性樹脂材料、４０…フォトマスク、４１…開口部、５０…表面活性化装置、５１…真空チャンバー、５２…ステージ、５３…載置面、５４…イオンビーム照射装置、６０…接合装置、６１…一方の側、６２…他方の側、６３…凹部、１０１…振動デバイスとしての圧力センサー、１１０…感圧素子層、１１１…一方の主面、１１２…他方の主面、１１３…振動片部、１１４…基部、１１５…双音叉素子、１１６…枠部、１１７…腕部、１２０…ダイヤフラム層、１２１…凹部、１２２…外周枠部、１３０…ベース層、１３１…凹部、１３２…外周枠部、１３４，１３５…接続電極、２２１…基板、２２３…主面としての支持面、２２４…バンプ電極、２２４ａ…樹脂突起、２２４ｂ…導電性被膜、２２５…バンプ電極、２２５ａ…樹脂突起、２２５ｂ…導電性被膜、２２６…反対側の面、７００…電子機器としての携帯電話、７０１…液晶表示装置、７０２…操作ボタン、７０３…受話口、７０４…送話口、Ｏ，Ｏ１…中心線、Ｐ，Ｐ１…起点、Ｓ，Ｓ１…接線。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接続電極を有する振動片と、バンプ電極を有する基板と、を備え、
前記バンプ電極と前記接続電極とを介して、前記基板に前記振動片が載置されており、
前記バンプ電極は、前記基板の主面から前記振動片側に向かって突出した形状であると共に、
前記基板の前記主面の広がり方向に向かって凸状に丸みを帯びた形状を備えた樹脂製の樹脂突起と、前記樹脂突起の表面を覆う導電性被膜と、を有し、
前記接続電極と前記バンプ電極とが、直接接合されていることを特徴とする電子部品。
【請求項２】
請求項１に記載の電子部品において、前記バンプ電極は、前記基板の厚み方向に太鼓胴形の曲面を備え、
前記樹脂突起に沿って前記導電性被膜が前記基板の上方へ向かう立ち上がりとなる起点が、前記導電性被膜に接する接線のうち前記基板の前記主面と直交する接線よりも前記バンプ電極の中心側に位置するように、前記基板の前記主面の広がり方向に向かって凸状に丸みを帯びた形状を備えていることを特徴とする電子部品。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の電子部品において、前記接続電極及び前記導電性被膜が、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、ステンレス鋼のいずれか１つの同種金属を含んでなり、前記接続電極と前記バンプ電極とが、前記同種金属同士により直接接合されていることを特徴とする電子部品。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の電子部品を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項５】
接続電極を有する振動片を用意する工程と、
基板の主面から前記振動片側に突出した樹脂突起と、前記樹脂突起の表面を覆う導電性被膜と、を有したバンプ電極であって、前記導電性被膜が前記接続電極の金属被膜と同じ元素を含んでなる前記バンプ電極を備えた前記基板を用意する工程と、
前記基板の前記バンプ電極を表面活性化処理する工程と、
前記振動片の前記接続電極と前記基板の表面活性化処理された前記バンプ電極とを対向させて、前記接続電極と前記バンプ電極とを常温下で押圧し、前記接続電極と前記バンプ電極とを直接接合する工程と、
を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の電子部品の製造方法において、前記振動片の前記接続電極を表面活性化処理する工程を、更に備えたことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項７】
接続電極を有する振動デバイスと、バンプ電極を有する基板と、を備え、
前記バンプ電極の上に前記接続電極が位置するように前記基板に前記振動デバイスが載置されており、
前記バンプ電極は、前記基板の主面から前記振動デバイス側に向かって突出した形状であると共に、
前記基板の前記主面の広がり方向に向かって凸状に丸みを帯びた形状を備えた樹脂製の樹脂突起と、前記樹脂突起の表面を覆う導電性被膜と、を有し、
前記接続電極と前記バンプ電極とが、直接接合されていることを特徴とする電子部品。
【請求項８】
請求項７に記載の電子部品において、前記バンプ電極は、前記基板の厚み方向に太鼓胴形の曲面を備え、
前記導電性被膜の前記樹脂突起に沿って前記基板の上方へ向かう立ち上がりとなる起点が、前記導電性被膜に接する接線のうち前記基板の前記主面と直交する接線よりも前記バンプ電極の中心側に位置するように、前記基板の前記主面の広がり方向に向かって凸状に丸みを帯びた形状を備えていることを特徴とする電子部品。
【請求項９】
請求項７または請求項８に記載の電子部品において、前記接続電極及び前記導電性被膜が、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、ステンレス鋼のいずれか１つの同種金属を含んでなり、前記接続電極と前記バンプ電極とが、前記同種金属同士により直接接合されていることを特徴とする電子部品。
【請求項１０】
請求項７ないし請求項９のいずれか一項に記載の電子部品を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１】
接続電極を有する振動片と、バンプ電極を有する基板と、を備え、
前記バンプ電極と前記接続電極とを介して、前記基板に前記振動片が載置されており、
前記バンプ電極は、前記基板の主面から前記振動片側に向かって突出した形状であると共に、
前記基板の前記主面の広がり方向に向かって凸状に丸みを帯びた形状を備えた樹脂製の樹脂突起と、前記樹脂突起の表面を覆う導電性被膜と、を有し、
前記接続電極と前記バンプ電極とが、直接接合されていることを特徴とする電子部品。
【請求項２】
請求項１に記載の電子部品において、前記バンプ電極は、前記基板の厚み方向に太鼓胴形の曲面を備え、
前記樹脂突起に沿って前記導電性被膜が前記基板の上方へ向かう立ち上がりとなる起点が、前記導電性被膜に接する接線のうち前記基板の前記主面と直交する接線よりも前記バンプ電極の中心側に位置するように、前記基板の前記主面の広がり方向に向かって凸状に丸みを帯びた形状を備えていることを特徴とする電子部品。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の電子部品において、前記接続電極及び前記導電性被膜が、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、ステンレス鋼のいずれか１つの同種金属を含んでなり、前記接続電極と前記バンプ電極とが、前記同種金属同士により直接接合されていることを特徴とする電子部品。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の電子部品を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項５】
接続電極を有する振動片を用意する工程と、
基板の主面から前記振動片側に突出した樹脂突起と、前記樹脂突起の表面を覆う導電性被膜と、を有したバンプ電極であって、前記導電性被膜が前記接続電極の金属被膜と同じ元素を含んでなる前記バンプ電極を備えた前記基板を用意する工程と、
前記基板の前記バンプ電極を表面活性化処理する工程と、
前記振動片の前記接続電極と前記基板の表面活性化処理された前記バンプ電極とを対向させて、前記接続電極と前記バンプ電極とを常温下で押圧し、前記接続電極と前記バンプ電極とを直接接合する工程と、
を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の電子部品の製造方法において、前記振動片の前記接続電極を表面活性化処理する工程を、更に備えたことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項７】
接続電極を有する振動デバイスと、バンプ電極を有する基板と、を備え、
前記バンプ電極の上に前記接続電極が位置するように前記基板に前記振動デバイスが載置されており、
前記バンプ電極は、前記基板の主面から前記振動デバイス側に向かって突出した形状であると共に、
前記基板の前記主面の広がり方向に向かって凸状に丸みを帯びた形状を備えた樹脂製の樹脂突起と、前記樹脂突起の表面を覆う導電性被膜と、を有し、
前記接続電極と前記バンプ電極とが、直接接合されていることを特徴とする電子部品。
【請求項８】
請求項７に記載の電子部品において、前記バンプ電極は、前記基板の厚み方向に太鼓胴形の曲面を備え、
前記導電性被膜の前記樹脂突起に沿って前記基板の上方へ向かう立ち上がりとなる起点が、前記導電性被膜に接する接線のうち前記基板の前記主面と直交する接線よりも前記バンプ電極の中心側に位置するように、前記基板の前記主面の広がり方向に向かって凸状に丸みを帯びた形状を備えていることを特徴とする電子部品。
【請求項９】
請求項７または請求項８に記載の電子部品において、前記接続電極及び前記導電性被膜が、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、ステンレス鋼のいずれか１つの同種金属を含んでなり、前記接続電極と前記バンプ電極とが、前記同種金属同士により直接接合されていることを特徴とする電子部品。
【請求項１０】
請求項７ないし請求項９のいずれか一項に記載の電子部品を備えたことを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１２−８０３８３（Ｐ２０１２−８０３８３Ａ）
【公開日】平成２４年４月１９日（２０１２．４．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２２４５９７（Ｐ２０１０−２２４５９７）
【出願日】平成２２年１０月４日（２０１０．１０．４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年４月１９日（２０１２．４．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１０月４日（２０１０．１０．４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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