【課題】マイグレーションにより配線基板のインナーリードが相互に短絡することを抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、インナーリード１２を有する配線基板１０と、配線基板１０に実装され、インナーリード１２に接続しているバンプ２２を有する半導体チップ２０とを具備し、バンプ２２とインナーリード１２は、インナーリード１２の表層に形成されたメッキ層１３によって接合しており、インナーリード１２は、バンプ２２と接続している領域１２ｃの中心より先端側及び基端側それぞれに凹部１２ｂ，１２ａを有する。 （もっと読む）

【課題】十分な柔軟性や高い絶縁信頼性や優れた耐熱性を有しながら且つパッケージ全体として高い放熱性を得ることができるテープキャリアパッケージ用柔軟性配線板を提供する。
【解決手段】厚さ５〜７５μｍの絶縁フィルム１の表面に形成された配線パターン３の少なくとも一部を保護するための厚さが３〜５０μｍの絶縁保護層９を備え、（１）絶縁フィルム１の熱伝導率が０．１〜３．０Ｗ／ｍＫであり、（２）絶縁保護層９が、フィルムとして２５℃での弾性率が５０〜１５００ＭＰａ、破断伸度が１０〜２００％であり、且つ熱伝導率が１５〜５００Ｗ／ｍＫ、熱水抽出でアルカリ金属イオンとハロゲンイオンの合計が４００μｇ／ｇ以下、数平均粒径が０．１〜１０μｍの電気絶縁性の無機微粒子を２５〜４５体積％の割合で含有する硬化樹脂組成物によって構成されているテープキャリアパッケージ用柔軟性配線板。 （もっと読む）

【課題】製品サイズの選定自由度の向上を図り得る半導体パッケージ構造を提供し、ローラ接触部分での段差による搬送ミスの発生を低減可能な半導体パッケージ構造を提供する。更に、製造工程の簡素化及び製造コストの低減に寄与する半導体パッケージ構造を提供する。
【解決手段】テープ基材（フィルムキャリアテープ）１０４と；前記テープ基材１０４に搭載される半導体チップ１０１と；前記テープ基材１０４上に形成され、前記半導体チップ１０１に接続される導体リード１０３と；前記導体リード１０３に接続された入力端子１０８及び出力端子１０９と；前記導体リード１０３を覆うように形成され、当該導体リード１０３を保護する保護膜１０６とを備える。前記テープ基材１０４の縁部に搬送ローラが接触するローラ接触領域１００Ｘを設け、当該ローラ接触領域１００Ｘには、スプロケットホールのような搬送用の開口部又は段差が形成されない構造としている。 （もっと読む）

【課題】高密度化を図ることができながら、接続信頼性の高いＣＯＦ基板を提供すること。
【解決手段】ベース絶縁層２と、ベース絶縁層２の上に形成され、ＩＣチップと電気的に接続されるインナリード８とを備えるＣＯＦ基板１において、長手方向に延びる第１インナリード１２と、長手方向に延び、第１インナリード１２の長手方向長さＬ３よりも、その長手方向長さＬ４が短い第２インナリード１３とが形成されるようにインナリード８を形成し、さらに、第１インナリード１２を、幅方向に間隔を隔てて複数配置し、第２インナリード１３を、幅方向において、互いに隣接する第１インナリード１２の間に、互いに隣接する第１インナリード１２を幅方向に投影したときに第２インナリード１３が重なる重複部分１４と第２インナリード１３が重ならない不重複部分１５とが形成されるように、複数配置するとともに、その不重複部分１５に、ダミーリード１６を設ける。 （もっと読む）

【課題】 チップの小型化と高信頼性を実現するＣＯＦパッケージ及びそれに用いられるテープ基板を提供する。
【解決手段】
チップ非搭載領域に設けられた複数の外部入力端子及び複数の外部出力端子と、外部入力端子と接続される複数の入力配線と、外部出力端子と接続される複数の出力配線と、チップ非搭載領域からチップ搭載領域にわたって設けられるともに、入力配線間に設けられ、外部入力端子と接続される複数の内部入力配線と、チップ非搭載領域からチップ搭載領域にわたって設けられるともに、内部入力配線間に設けられたダミー配線と、を備えるテープ基板と、入力配線と接続される複数の入力電極と、入力配線と接続される複数の出力電極と、内部入力配線と接続される内部入力電極と、表面上の１辺に沿って、入力電極と間隔を空けて設けられると共に、ダミー配線と接続されるダミー電極と、を供える半導体チップから構成される。
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【課題】 配線の高密度化を阻害することなく簡易かつ確実にめっき用給電線の除去を行うことのできるプロセスを含んだ半導体装置用基板の製造方法およびそれによって作製される高密度な半導体装置用基板を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置用基板の製造方法は、配線パターン２およびリード６を形成する以前に、絶縁性基板１におけるリード６が形成される位置を含む所定位置に開口４を穿設する工程と、リード６に電解めっき用の電流を供給するためのめっき用給電線３を、そのリード６に直接に接続されるパターンとして、そのリード６の形成と共に、開口４の領域内に形成する工程と、電解めっき処理を施した後、めっき用給電線３をパンチング金型を用いたパンチング法によって打抜き除去する工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を、より小型化することができる半導体装置、当該半導体素子、及び基板を得る。
【解決手段】半導体素子１２に対し、抵抗ラダー８０の近傍に抵抗ラダー用電極８２ａ〜８２ｅを設ける一方、絶縁性フィルム１８に対し、入力側アウターリード２２と抵抗ラダー用電極８２ａ〜８２ｅとを接続する抵抗ラダー用接続パターン２１及び金属配線パターン５４を設ける。 （もっと読む）

【課題】ＰＤＰの筐体内において温度変化が繰り返されても、テープキャリア基板の導体配線とテープキャリア基板の折り曲げ部に設けたスリットとの境界部における導体配線の断線を防止できるテープキャリア基板を提供する。
【解決手段】テープキャリア基板１００の折り曲げ部Ａ、Ｂに設けた第１スリット１０６、１０７の、テープキャリア基板１００の外延部側の幅を、テープキャリア基板１００の中央部側の幅よりも広くして、テープキャリア基板の撓みにより発生する応力を分散させ、第１スリット１０６、１０７と導体配線１０５ｂとの境界部に応力が集中しないようにする。 （もっと読む）

【課題】放熱を改善するためのチップ・オン・フィルム（ＣＯＦ）の製造方法と構造を提供する。
【解決手段】ＣＯＦを製作する方法は、第一表面と、第一表面の反対側の第二表面を有するフレキシブル回路基板１０を提供する段階と、フレキシブル回路基板の第一表面に複数のリードを形成する段階とを含む。フレキシブル回路基板と、フレキシブル回路基板に形成された複数のリードとを含んだＣＯＦ構造が提供され、複数のリードはそれぞれ厚さ８ｕｍ〜１５ｕｍであって、実質的に長方形の断面形状を有し、複数のリードのリード幅は、リードに対応する複数のバンプ３２のピッチ幅に基づき、バンプ幅から４ｕｍを引いた値より大きい。 （もっと読む）

【課題】熱融着時における短絡の発生が防止された配線回路基板と電子部品との接続構造を提供する。
【解決手段】各配線パターン２は、導体層２ａおよび錫めっき層２ｂからなり、先端部２１、接続部２２および信号伝送部２３を含む。先端部２１の幅と信号伝送部２３の幅とは互いに等しく、接続部２２の幅は先端部２１および信号伝送部２３の幅より小さい。電子部品の実装時には、各配線パターン２の接続部２２と電子部品の各バンプ６１とが熱融着によって接続される。距離Ａ１，Ａ２は、０．５μｍ以上に設定される。距離Ｂ１，Ｂ２は、２０μｍ以上に設定される。錫めっき層２ｂの厚みは０．０７μｍ以上０．２５μｍ以下に設定される。 （もっと読む）

【課題】高い放熱性を有するＣＯＦ用配線基板を提供する。
【解決手段】絶縁フィルム１の片側の面に、搭載される半導体素子７の表面に設けられた電極パッドと接合するためのインナーリード１１と、ＣＯＦを搭載する外部基板の端子と接合するためのアウターリード１２とを有する配線１３が設けられたＣＯＦ用配線基板の、半導体チップ７が搭載される予定の領域１４内で、インナーリード１１が存在しない部分に、放熱板１５が配置されている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと外部基板との実装方向の制約がなく、かつ狭ピッチの半導体チップとの接合を可能にするテープ配線基板を提供する。
【解決手段】可撓性の絶縁性基材２ａと、絶縁性基材２ａ上に形成された導体配線４ａとを備える。導体配線４ａの断面形状が三角形である部分５ａと四角形である部分６ａとを有し、導体配線４ａの断面形状が三角形である部分５ａには、導体配線４ａの半導体チップが実装可能に形成された部分３に形成されたインナーリード部が含まれる。 （もっと読む）

【課題】従来のＣＯＦ型の半導体装置用のテープキャリアと比較して、エッチング後の配線パターンの形状を良好にすることができると共に、配線パターンと半導体素子との接続状態を良好にすることができ、非接続部の配線パターンの機械的強度をも従来と比較して同等に向上させることが可能となるフレキシブル配線基板、及びそれを用いた半導体装置および電子機器を提供する。
【解決手段】絶縁テープ６と、絶縁テープ６上に形成された配線パターン５７とを備えたフレキシブル配線基板において、配線パターン５７は、所定のパターンに形成されていると共に、半導体素子２を接続および搭載する搭載領域内に、半導体素子２と接続するための接続部を有しており、上記接続部のみの配線パターン５７の厚さだけが、非接続部における配線層の厚さよりも薄い。 （もっと読む）

【課題】 上面が平坦であり、幅が配線の幅方向やバンプ間ピッチ方向に広がることなく、高さが均一なバンプを備えて、半導体装置との接合不良の発生およびバンプ同士の短絡不良の発生を抑止ないし解消することを可能とし、またファインピッチ化に対応することを可能とした、半導体装置用ＴＡＢテープキャリアおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 銅箔１１のような導体箔または導体板をエッチング法によってパターン加工して配線２のパターンを形成すると共にバンプ５のパターンも形成し、かつ配線２のパターン１４にハーフエッチングを施すことで、その配線２の厚さをバンプ５の厚さよりも薄くし、相対的にバンプ５の厚さが配線２の厚さよりも厚くなるようにする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ搭載領域内から半導体チップ搭載領域外への気泡の排出効果を高めることができるフレキシブル基板と、このフレキシブル基板を備えた半導体装置とを提供する。
【解決手段】フレキシブル基板１０１は、半導体チップ搭載領域１０３を一表面に有する基材１００と、その一表面上に形成された複数のインナーリード１０６と、この複数のインナーリード１０６のうちの２つに結線されたジャンパ配線１１１とを備えている。ジャンパ配線１１１の第１配線部１２１は半導体チップ搭載領域１０３を横断している。これにより、半導体チップ搭載領域１０３内から半導体チップ搭載領域１０３外への気泡の排出効果を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】インナーリードボンディング時にリード未切断が発生せず、安定したボンディングが行えるようにした半導体用ＴＡＢテープ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】開口部１１が設けられた樹脂テープ１上には、銅箔により配線リード２０が形成されている。配線リード２０には、開口部１１に露出する部分にノッチ部２１が設けられている。ノッチ部２１のノッチ幅Ｗ_Ｎと、ボンディングツールが接触する部位のリード幅Ｗ_Ｌ２（または樹脂テープ１の近傍のリード幅Ｗ_Ｌ１）との比率、Ｗ_Ｎ／Ｗ_Ｌ１（またはＷ_Ｎ／Ｗ_Ｌ２）を０．５を超えて０．６８５以下にする。これにより、生産性が高く、高密度で小型な半導体装置用ＴＡＢテープを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 ＴＡＢテープにおけるめっき不良の発生の問題を解消して、信頼性のさらなる向上を達成することを可能としたＴＡＢテープの製造方法を提供する。
【解決手段】 複数個の半導体装置が実装されるように設定された細長状のＴＡＢテープ用の絶縁性基板１上に配置された銅箔１０を、エッチングプロセスを含んだパターニングプロセスによってパターン加工して、半導体装置に接続される配線パターン２、および絶縁性基板１の長手方向に沿って伸びる給電用帯状パターン３、ならびにその給電用帯状パターン３と配線パターン２との間を接続する給電リード４を形成する工程と、給電用帯状パターン３および給電リード４を介して配線パターン２に所定の電流を供給しながら配線パターン２の表面に電解めっきを施す工程とを含むＴＡＢテープの製造方法であって、給電リード４の線幅を配線パターン２の線幅よりも広く設定する。 （もっと読む）

【課題】シリコーン消泡剤を含有するソルダーレジストを用いてもモールド樹脂の密着性を確保したフィルムキャリアの製造方法の提供。
【解決手段】絶縁性フィルム２上の金属箔の表面にフォトレジストを塗布し、露光・現像後、エッチングして配線パターン５を形成し、リード部を残してシリコーン系消泡剤を含有するソルダーレジスト層４を形成する工程を経てフィルムキャリア１を製造するに際して、配線パターン５のインナーリード９、アウターリード１０ａ，１０ｂを残して、配線パターン５の上から絶縁性フィルム２の表面にソルダーレジスト層４を形成後、インナーリード９にＩＣチップを搭載前に、フィルムキャリア１をアルカリ溶液で洗浄して、フィルムキャリア１表面上のシリコーン系消泡剤を除去する。
【効果】シリコーン消泡剤が、フィルムキャリアの表面にしみ出ても、アルカリ洗浄により除去されるので、モールド樹脂を強固に固着させることができる。 （もっと読む）

【課題】実装後における、リペアーの容易化、および薄型化を容易に可能にするとともに、はんだ接合品質を向上でき、信頼性の高い回路動作を期待できるエリアアレイ端子型半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体部品実装用シート部材１１を介在した、はんだ接合構造は、接合部１２において、内部接合用パッド１２１と基板接合用パッド１２３のパッド本体１２４との間に、応力吸収部（ばね部）１２６が介在し、パッド相互の間の位置が変位可能な構造であることから、内部接合用パッド１２１のはんだ接合部、および基板接合用パッド１２３のはんだ接合部において、各はんだ接合部に加わるストレスが応力吸収部１２６により吸収される。 （もっと読む）

【課題】コストの上昇や工程の複雑化を伴わずに、導体配線上に絶縁信頼性の高い中高形状の突起電極を有する配線基板を提供する。
【解決手段】絶縁性基材１と、絶縁性基材上に整列して設けられた複数本の導体配線２と、各導体配線にめっきにより形成された突起電極３を備え、突起電極は、導体配線の長手方向を横切って導体配線の両側の絶縁基材上の領域に亘り形成され、突起電極の導体配線の幅方向の断面形状は、中央部が両側よりも高い。絶縁性基材の領域に掛かる部分の突起電極の底面が絶縁性基材と接触しておらず、配線間隔の減少による絶縁信頼性の低下を回避できる。 （もっと読む）