【課題】ワイヤーボンディングのワイヤープル強度を被接続表面の凹凸の程度を、算術平均粗さ、最大高さ、二乗平均粗さなどのパラメータと関連付けることは、バラツキが大きく信頼性に欠け実用的でないという問題がある。
【解決手段】少なくとも、耐熱性樹脂フィルム１、接着層２及び銅箔からなる配線パターン５をこの順に積層したテープキャリアであって、前記配線パターン５の一部であるワイヤーボンディング用接続パッド５の銅箔表面は、凹凸を勘案した実表面積と当該箇所を平坦とした場合の面積の比が１．１〜１．２の範囲であること、又少なくとも、前記配線パターンの表面を硫酸と過酸化水素と水の混合液に浸漬することで粗化する工程と、前記配線パターンの接続パッド部５にニッケルめっき８と金めっき７する工程と、を含むテープキャリアの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】フィルム型配線基板を含む半導体パッケージを提供する。
【解決手段】本発明は、半導体パッケージを提供する。このパッケージは、第１導電リード及び第１導電リードに比べて長さが延びた第２導電リードを含む配線基板及び信号が提供される第１セル領域と、信号と同一の信号が提供される第２セル領域と、第１セル領域と電気的に接続する第１導電パッドと、第２セル領域と電気的に接続する第２導電パッドと、を含み、配線基板上に実装され、第２導電リード上に第１及び第２導電パッドを配置する半導体チップを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を、より小型化することができる半導体装置、当該半導体素子、及び基板を得る。
【解決手段】半導体素子１２は、直列接続された複数の抵抗器８０ａ〜８０ｄにより構成された抵抗ラダー８０が形成される階調電圧生成領域と、階調電圧生成領域の周辺に形成された複数の抵抗ラダー用電極８２ａ〜８２ｅと、階調電圧生成領域に延在すると共に、抵抗ラダー用電極８２ａ及び抵抗ラダー用電極８２ｅと抵抗ラダー８０の上記直列接続の端部とを接続する半導体素子内部配線８６と、抵抗ラダー用電極８２ｂ〜８２ｄと抵抗ラダー８０の上記直列接続の中間接続部とを接続する半導体素子内部配線８８と、を備え、基板１８は、入力側アウターリード２２と抵抗ラダー用電極８２ａ〜８２ｅとを電気的に接続する抵抗ラダー用接続パターン２１を備える。 （もっと読む）

【課題】 製造工程の煩雑化やスループットの低下を引き起こすことなく、バンプが形成される部分であるインナーリード部をはじめとして配線層における配線パターン等のさらなるファイン化を達成可能なＴＡＢテープおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 このＴＡＢテープは、絶縁性基板１と、前記絶縁性基板１上に搭載される半導体素子６に対して電気的に接続されて所定の配線回路系を構成するように前記絶縁性基板１上に形成された配線２と、前記配線２上の所定位置に設けられて前記半導体素子６の電気的接合部に対して物理的に接続されるように設定されたバンプ３とを有するＴＡＢテープであって、前記バンプ３が、前記配線２の表面を機械的に塑性変形加工して突起状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 製造工程の煩雑化やスループットの低下を引き起こすことなく、バンプが形成される部分であるインナーリード部をはじめとして配線層における配線パターン等のさらなるファイン化を達成可能なＴＡＢテープおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 このＴＡＢテープは、絶縁性基板１と、前記絶縁性基板１上に搭載される半導体素子６に対して電気的に接続されて所定の配線回路系を構成するように前記絶縁性基板１上に形成された配線２と、前記配線２上の所定位置に設けられて前記半導体素子６の電気的接合部に対して物理的に接続されるように設定されたバンプ３とを有するＴＡＢテープであって、前記バンプ３が、前記配線２の表面を機械的に塑性変形加工して突起状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】半田により基板に接合された半導体素子の寿命を長くすること。
【解決手段】半導体素子１のおもて面に表面電極１１が設けられている。表面電極１１は、例えばＡｌ膜１２の上にＮｉ膜１３が積層された構造である。この表面電極１１は、リードフレーム３と半田層２を介して接合している。そして、フィレット２０の幅ｘ、すなわち半田層２のリードフレーム３との接触面の端部より外側の領域の幅を、半田層２の厚さｈの２倍以上とする。 （もっと読む）

【課題】 はんだボールをはんだボール搭載用ビア穴にて露出している部分の導体箔の表面に確実に接合することを可能とし、またボンディングツールの劣化や短命化を回避することを可能とした半導体装置用ＴＡＢテープおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 はんだボール搭載用ビア穴３とボンディング用窓穴４とを穿設してなる絶縁性基板１と、その絶縁性基板１の片面に張り合わされた導体箔１１をパターン加工して形成された少なくとも配線パターン５とインナーリード６とを含んだ導体パターン２とを有する半導体装置用ＴＡＢテープ１０であって、導体パターン２における、はんだボール搭載用ビア穴３にて露出している部分およびボンディング用窓穴４にて露出している部分の表面７の表面粗さが、絶縁性基板１の片面と張り合わされている部分の表面８の表面粗さ未満になっている。 （もっと読む）

【課題】Ａｕ・Ｓｎ共晶接合による半導体チップとの接合に際し、配線とＡｕバンプの断面を夫々太らせず、かつ、これにより配線間隔を狭めることのない配線を有するＣＯＦテープを提供する。
【解決手段】絶縁テープ基材１の一面にサブトラクティブ法により銅の配線パターン２を形成したＣＯＦテープであって、エッチングにより形成される配線３の断面形状を最適な台形状にすることで、配線のトップ幅Tの必要な寸法精度を確保する。サブトラクティブ法における配線パターン２のエッチングファクタEfが２以上４以下であり、かつ、前記配線パターン２の配線３のトップ幅Tが２μｍ以上６μｍ以下、配線ピッチが３０μｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】テストパッド部での配線の局部的細りをなくしたＣＯＦ基板を提供する。
【解決手段】テストパッドＴＰと配線Ｌをつなぐコーナー部の形状を、隣接するテストパッドＴＰ，ＴＰ間の間隔または配線ＬとテストパッドＴＰとの間の間隔のうちの、大きい方の間隔を半径とする円の円弧が、テストパッドＴＰ及び配線Lの直線部と接するように、形成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線基板と半導体チップとの実装方向に制約がなく、半導体チップの電極パッドと突起電極との安定した接合を可能にする配線基板を提供する。
【解決手段】絶縁性基材と、絶縁性基材上に設けられ、半導体チップが実装される実装領域１に整列して配置されたインナーリード部を形成する複数本の導体配線２ａ、２ｂと、導体配線の各々のインナーリード部に形成された突起電極３ａ、３ｂとを備える。導体配線は、実装領域の互いに直交するＸ辺及びＹ辺にそれぞれ直交するように配置されている。Ｘ辺側及びＹ辺側の導体配線に設けられた突起電極はともに、導体配線上に位置する部分のＸ辺方向における寸法よりもＹ辺方向における寸法の方が長い。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性の高い電子部品実装用フィルムキャリアテープ、そのフィルムキャリアテープの製造方法、及び、そのフィルムキャリアテープを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】電子部品実装用フィルムキャリアテープ10は、電子部品50に形成されたバンプ電極52により電子部品50に接続して電子部品からの入出力信号を処理するためのインナーリード20、及び、インナーリード20からの信号を配線パターンを介して入出力処理するためのアウターリードを有する電子部品実装用フィルムキャリアテープ10において、電子部品50に形成されているバンプ電極52と接合するインナーリード20に、バンプ電極52が嵌合して接続する嵌合凹部54が形成されている。 （もっと読む）

【課題】導体配線や突起電極の向きに制約を受けずに、基材からの導体配線の剥離や、突起電極の付け根部分での導体配線の断線を抑制する。
【解決手段】絶縁性基材１上に複数の導体配線２ａ、２ｂが形成され、導体配線上に複数の突起電極３ａ、３ｂが設けられた配線基板５と、複数の電極パッドを有し、配線基板上に搭載されて電極パッドと導体配線とが突起電極を介して接合された半導体素子８と、配線基板と半導体素子との間隙及び半導体素子の側面に形成された封止樹脂層とを備える。半導体素子の４辺は、配置された電極パッドの個数が他の辺に配置された電極パッドの個数よりも少ない少数配置辺Ａと、他の多数配置辺Ｂとを含み、少数配置辺において、導体配線の長手方向に対して平行な突起電極の側端面と、半導体素子の端面が、鈍角を形成している。 （もっと読む）

【課題】複雑な製造工程を経ることなく、容易に製造することができ、電子部品を実装した場合、電子部品から発生する熱を効率的に放出することができるフレキシブル配線基板を提供すること。
【解決手段】本発明のフレキシブル配線基板は、アウターリード形成領域と、電子部品実装領域とが、両領域の間に形成された第１折り曲げ部を介して隣接する可撓性絶縁基板と、可撓性絶縁基板の一方の面に配線パターンが形成されたフレキシブル配線基板であり、フレキシブル配線基板に形成された配線パターンの一方の端部がアウターリードを形成し、他端がインナーリードを形成し、該フレキシブル配線基板は、所定形状に折り曲げが可能なように形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リール巻取り時のストレスによるインナーリードへのダメージを抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、複数のバンプ２を有する半導体チップ１と、複数のインナーリード３，４を有するフレキシブルテープと、を具備し、前記複数のバンプ２それぞれに前記インナーリード３，４が接合されており、
前記半導体チップ１の表面の隅に配置されたバンプ２に接合されたインナーリード３の幅は、前記半導体チップ１の表面の隅以外に配置されたバンプ２に接合されたインナーリード４の幅より太く形成されており、前記半導体チップ１の表面の隅に配置されたバンプ２に接合されたインナーリード３の幅は、前記バンプ２の幅より太く形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＴＡＢテープにレジスト層とアクリル樹脂層が残存しないように除去し、めっき未着がないＴＡＢテープの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、開口部を有する絶縁性フィルムの片面に銅層と前記銅層面上に所定の配線パターンを有するレジスト層を備え、前記絶縁性フィルムの反対面にアクリル樹脂層を備える部材の前記レジスト層及び前記アクリル層を、濃度の異なる第一のアルカリ水溶液及び第二のアルカリ水溶液を用いて、前記部材から剥離、溶解するＴＡＢテープの製造方法で、濃度１０〜１７ｇ／Ｌの第一のアルカリ水溶液に３０〜７０秒間、ＴＡＢテープ基材を浸漬させ、主としてレジスト層を剥離し、次に濃度１８〜２８ｇ／Ｌの第二のアルカリ水溶液でアクリル樹脂層を溶解するＴＡＢテープの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置との接合不良の発生およびバンプ同士の短絡不良の発生を抑止ないし解消することを可能とし、またファインピッチ化に対応することを可能とした、半導体装置用ＴＡＢテープキャリアおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁性基板１と、前記絶縁性基板１上に搭載される半導体装置（図示省略）に対して電気的に接続されて所定の配線回路系を構成するように前記絶縁性基板１上に形成された配線２と、前記配線２に連なりかつ前記半導体装置の電気的接合部に対して物理的に接続されるように設定されたバンプ５とを有する半導体装置用ＴＡＢテープキャリアであって、前記バンプ５が、前記配線２と連続した同一の導体材料からなり、前記配線２の厚さよりも厚く形成してなるものであり、かつ前記配線２の線幅が、当該配線２に接続されたバンプ５における当該配線２の線幅方向と同方向のバンプ幅よりも小であるものとなっている。 （もっと読む）

【課題】ＴＡＢテープのファインピッチ化されたフライングリードを精度良く形成する製造方法を提供する。
【解決手段】デバイスホール１１が開口するポリイミドフィルム１２の上に形成した銅箔を選択的エッチングして、デバイスホールの内部に突出するフライングリード１６ａの先端側を囲むようにダミーリード１７を形成することで、エッチングの際にフライングリード１６ａに集中的にエッチャーが供給されることを防止してフライングリード１６ａの先細りを防止する。 （もっと読む）

【課題】電気絶縁性等の電気的信頼性に加え、より高い放熱性を有し、且つ更なる小型化、多ピン化が可能になり、極めて低コストの半導体装置を提供する。
【解決手段】テープキャリアに半導体素子６を搭載し、半導体素子６を封止樹脂１３で封止すると同時に金属放熱板７の貫通孔１４に充填する封止樹脂１３で金属放熱板７もテープキャリアに固着させ、金属放熱板７の裏面ザグリ孔１１に充填した封止樹脂１３でアンカー効果をもたせ、封止樹脂１３に放熱性のあるフィラーを含有することで金属放熱板７への熱伝導性を高め、より高い絶縁性を持ったままでさらに熱伝導性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】表配線構造の採用によって弾性構造体を高精度に安定して配線基板に搭載し、半導体チップの接着工程を安定させて歩留まりの高い組み立てを行うことができる半導体集積回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップの主面上に弾性構造体を介して配線基板を設け、配線基板の配線の一端部を半導体チップの主面上の外部端子と電気的に接続させ、また、配線基板の配線の他端部であるランド部をバンプ電極と電気的に接続してなる半導体集積回路装置の製造方法であって、配線基板の配線であるリード１１は、ノッチ２７を有し、ノッチ２７の終端側の配線には、有効面積を配線より大きく形成された拡大アンカー配線３２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ボンディング時に配線リードをノッチ部で切断すること、及び配線リードの未切断の発生を抑制することを可能とした半導体装置用テープキャリアを提供する。
【解決手段】所定の位置に第１ボンディング用窓２Ａが形成された絶縁性テープ２と、絶縁性テープ２上に所定のパターンで形成された配線リード３とを備え、配線リード３は、第１ボンディング用窓２Ａ内に露出して所定の幅Ｗ_Ｎを有する切断用のノッチ部３０Ｃ、及び第１ボンディング用窓２Ａ内に露出して所定の幅Ｗ_Ｌを有する半導体チップ接続用の第１連結部３３Ｃを有し、配線リード３が３００ＭＰａから３５０ＭＰａの引張強度とボンディング加熱時に１０％から２０％の伸び率とを有するとき、配線リード３の所定の幅Ｗ_Ｎ及びＷ_Ｌの比Ｗ_Ｎ／Ｗ_Ｌが０．７２５以下に設定される。 （もっと読む）