【課題】半導体素子の実装方法の違いによるコストアップを抑制する。
【解決手段】半導体素子１０は、集積回路を有する基板１１と、集積回路に対して同じ接続機能を有する電極として、基板１１の同一主面１１ａ上に、ワイヤー接続用電極１ｂ、２ｂ、３ｂ及び４ｂ及びバンプ接続用電極１ａ、２ａ、３ａ及び４ａを備える。 （もっと読む）

【課題】複雑な製造工程を経ることなく、容易に製造することができ、電子部品を実装した場合、電子部品から発生する熱を効率的に放出することができるフレキシブル配線基板を提供すること。
【解決手段】本発明のフレキシブル配線基板は、アウターリード形成領域と、電子部品実装領域とが、両領域の間に形成された第１折り曲げ部を介して隣接する可撓性絶縁基板と、可撓性絶縁基板の一方の面に配線パターンが形成されたフレキシブル配線基板であり、フレキシブル配線基板に形成された配線パターンの一方の端部がアウターリードを形成し、他端がインナーリードを形成し、該フレキシブル配線基板は、所定形状に折り曲げが可能なように形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】１個のＣＣＤのみ有するＩＬボンダーで組立ができる両面ＣＯＦを提供する。
【解決手段】ＣＯＦ（チップ・オン・フィルム）パッケージ構造３００は、第一表面３１２と、第一表面の反対側にある第二表面３１４を有する基板３１０と、前記基板の第一表面に設置され、バンプ接合用の第一指定パターン３２２を備える第一導電ホイル３２０と、前記基板の第二表面に設置され、第二指定パターン３５２を備える第二導電ホイル３５０とを含む。前記第二指定パターンの面積は第一指定パターンの面積以上である。 （もっと読む）

【課題】絶縁フィルムを介して半導体装置の状態を観察することを可能として品質・製造工程管理を行える半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るＣＯＦ１０は、絶縁フィルム１の裏面に放熱材７を備え、放熱材７に、絶縁フィルム１まで貫通する孔であり、絶縁フィルム１を介して絶縁フィルム１の表面におけるＣＯＦ１０の状態を観察することを可能とする開口部ｏ１，ｏ２を設けている。絶縁フィルム１の表面における配線２は、開口部部ｏ１，ｏ２に相当する位置には設けられていない。これらの開口部ｏ１，ｏ２により、絶縁フィルム１を介してＣＯＦ１０の状態を観察することができ、それゆえＣＯＦ１０の品質・製造工程管理を行える。 （もっと読む）

【課題】電子部品との接続を良好に維持しつつ放熱性が向上された配線回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層１の一面の略中央部には、実装領域Ｓが設けられる。実装領域Ｓの内側から外側に延びるように導体パターン２が形成される。実装領域Ｓの周囲において、導体パターン２を覆うようにカバー絶縁層４が形成される。実装領域Ｓ上には、導体パターン２の端子部２１が配置され、その端子部２１に電子部品５のバンプがボンディングされる。絶縁層１の他面には例えば銅からなる金属層３が設けられる。金属層３には、電子部品５に対向する領域を挟むように一対のスリット３ａが形成される。各スリット３ａは、金属層３を複数の領域に分断しないように形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体素子から発生する熱に対して良好な放熱効果を有し、発熱密度が高く、発熱部位が集中している半導体素子のフリップチップ接続に対応可能な半導体素子の放熱構造を提供する。
【解決手段】放熱用基板が半導体素子に接続された半導体素子の放熱構造であって、前記半導体素子が、放熱用の第１の放熱用バンプ２を備え、前記放熱用基板が、複数のセラミック基板６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄが積層されてなる多層セラミック基板６であって、前記セラミック基板６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄの表層に設けられた表層放熱部と、隣接する前記セラミック基板６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ間に設けられた内層放熱部と、前記表層放熱部と内層放熱部とを接続するサーマルビア８と、を備え、前記多層セラミック基板６と前記半導体素子とが、前記第１の放熱用バンプ２と前記表層放熱部とを介してフリップチップ接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子において発生した熱を効率よく放熱することができる半導体装置用テープキャリア、半導体装置用テープキャリアの製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置用テープキャリア１は、第１の面と第１の面に対向する第２の面とを有する絶縁フィルム１０と、絶縁フィルム１０の第１の面上の所定の位置に設けられ、半導体素子２００が実装される配線パターン１３と、配線パターン１３の少なくとも一部に対向する第２の面上に開口領域２２を有し、第２の面上に設けられる放熱パターン２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】十分な柔軟性や高い絶縁信頼性や優れた耐熱性を有しながら且つパッケージ全体として高い放熱性を得ることができるテープキャリアパッケージ用柔軟性配線板を提供する。
【解決手段】厚さ５〜７５μｍの絶縁フィルム１の表面に形成された配線パターン３の少なくとも一部を保護するための厚さが３〜５０μｍの絶縁保護層９を備え、（１）絶縁フィルム１の熱伝導率が０．１〜３．０Ｗ／ｍＫであり、（２）絶縁保護層９が、フィルムとして２５℃での弾性率が５０〜１５００ＭＰａ、破断伸度が１０〜２００％であり、且つ熱伝導率が１５〜５００Ｗ／ｍＫ、熱水抽出でアルカリ金属イオンとハロゲンイオンの合計が４００μｇ／ｇ以下、数平均粒径が０．１〜１０μｍの電気絶縁性の無機微粒子を２５〜４５体積％の割合で含有する硬化樹脂組成物によって構成されているテープキャリアパッケージ用柔軟性配線板。 （もっと読む）

【課題】低コスト、高性能および高信頼性パッケージを与えるチップおよび導電トレースを備えた半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体ダイアセンブリ用の相互接続構造であって、予め形成された配線回路をその中に形成される基板１００と、活性表面上にコンタクトパッド１０２を有するダイ１０５と、基板１００の上にダイ１０５を接着するために基板１００の上に形成される接着材１１０であって、この基板１００が、基板１００および接着材中のバイア１１５を含む接着材１１０と、このバイア１１５の中に再充填されてダイ１０５のコンタクトパッド１０２を基板１００の配線回路に接続する導電材料１１５とを備えることを特徴とする構造。 （もっと読む）

【課題】放熱を改善するためのチップ・オン・フィルム（ＣＯＦ）の製造方法と構造を提供する。
【解決手段】ＣＯＦを製作する方法は、第一表面と、第一表面の反対側の第二表面を有するフレキシブル回路基板１０を提供する段階と、フレキシブル回路基板の第一表面に複数のリードを形成する段階とを含む。フレキシブル回路基板と、フレキシブル回路基板に形成された複数のリードとを含んだＣＯＦ構造が提供され、複数のリードはそれぞれ厚さ８ｕｍ〜１５ｕｍであって、実質的に長方形の断面形状を有し、複数のリードのリード幅は、リードに対応する複数のバンプ３２のピッチ幅に基づき、バンプ幅から４ｕｍを引いた値より大きい。 （もっと読む）

【課題】高い放熱性を有するＣＯＦ用配線基板を提供する。
【解決手段】絶縁フィルム１の片側の面に、搭載される半導体素子７の表面に設けられた電極パッドと接合するためのインナーリード１１と、ＣＯＦを搭載する外部基板の端子と接合するためのアウターリード１２とを有する配線１３が設けられたＣＯＦ用配線基板の、半導体チップ７が搭載される予定の領域１４内で、インナーリード１１が存在しない部分に、放熱板１５が配置されている。 （もっと読む）

【課題】放熱性を改善することができ、小型化することができるフレキシブル基板と、このフレキシブル基板を備えた半導体装置とを提供する。
【解決手段】基材３は、半導体チップ搭載領域８と金属箔パターン形成領域４とを上面に有する。金属箔パターン形成領域４には、銅箔から成る複数の配線パターン２を形成している。金属箔パターン形成領域４の一部では、配線パターン２同士の間隔に対する配線パターン２の幅の比率が１を越え且つ８．７以下となるように、複数の配線パターン２を形成している。 （もっと読む）

【課題】積層型半導体装置において、半導体装置の反りを抑制し、信頼性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板１１上にフリップチップ接続された半導体素子１２を有し、基板１１と半導体素子１２の間にはアンダーフィル樹脂１３が充填されている。半導体素子の外周部には接合ランド１４が設けられ、基板１１全域が樹脂１５により封止されている。また、樹脂１５上面から接合ランド１４に至る開口部１６か形成されている。 （もっと読む）

【課題】高温高圧処理後も耐熱性樹脂と接着剤や接着フィルム間で優れた接着性を示す表面改質処理方法、電極接続基板及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表面改質処理方法は、基板上に形成された耐熱性樹脂層上に表面改質処理液を塗布し、塗布された前記表面改質処理液を乾燥する。表面改質処理液は、アルミニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、ジルコニウムキレート化合物、アルミニウムアルコレート、チタニウムアルコレート及びジルコニウムアルコレートからなる群から選択される少なくとも１種の表面改質剤成分と、溶媒とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの表面からの放熱が効果的に行われることにより、半導体チップの放熱性を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】テープ基材３と、テープ基材に設けられたデバイスホールと、テープ基材上に設けられ、デバイスホールと整列して配置された部分を有する複数本の導体配線４と、デバイスホールに配置され、導体配線と接続されることにより実装された半導体チップ１と、半導体チップの表面を覆っている封止樹脂６ａとを備え、各導体配線と半導体チップとは、半導体チップの電極パッド上に設けられた突起電極２を介して接合される。半導体チップの表面側に突起部１０を有する金属板５が配置され、半導体チップの表面に放熱用突起電極１１が設けられ、金属板の突起部と半導体チップの放熱用突起電極とが接続されて熱伝導可能である。 （もっと読む）

回路ボード（ＣＢ）上に実装された集積回路（ＩＣ）ダイを備えるＣＢアセンブリの熱伝導性を改善するための方法および装置。高熱伝導性（ＨＴＣ）素子が第１の端部上でダイの表面に取り付けられる。ダイがＣＢ上に実装される場合、ＣＢ内に形成された空隙がＨＴＣ素子の第２の端部を受け、ＨＴＣ素子の第２の端部がＣＢの一部分と接触する。ダイの動作中、ダイによって発生する熱は、ＨＴＣ素子から、およびＣＢ内に消散する。
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【課題】放熱部材を担持した半導体チップと回路基板との正確な位置合わせを行う構造と方法を提供する。
【解決手段】貫通孔１２Ｗを有し放熱部材となる支持体１２に孤立パターン１２Ｌを、支持体の表側からも裏側からも観察できるように形成する工程と、前記支持体に半導体素子１１を、孤立パターンを支持体の表側から観察することにより位置合わせし、半導体素子の裏側面を支持体の表側面に固定する工程と、支持体を反転させ、回路基板１３上に半導体素子が支持体の表側面に固定された状態で、半導体素子の表側面に形成された電極１１Ａが、回路基板上の配線パターン１３Ａにコンタクトするように実装する工程は、貫通孔を介して回路基板上に形成された対応する孤立パターン１３Ｌを支持体の裏側から観察し、支持体の貫通孔に対応して形成された孤立パターンと、回路基板上の孤立パターンとを、それぞれ位置合わせする工程を含む。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップの実装構造及びディスプレイ装置に関し、ＩＣチップがフリップチップ構造で配線基板に搭載され、ＩＣチップは外部に露出することなく保護され、ＩＣチップで発生した熱を有効に放熱することができるようにすることを目的とする。
【解決手段】ＩＣチップの実装構造は、電極が形成された第１の表面と、第１の表面と対向する第２の表面とを有する少なくとも１つのＩＣチップ５８と、ＩＣチップが搭載され、ＩＣチップの電極と接続される配線を有する配線基板４０と、配線基板に取り付けられ且つＩＣチップの第２の表面を露出させる開口部を有する保護部材６６と、保護部材の開口部に配置され且つＩＣチップの第２の表面に接触可能な良熱伝導性の樹脂部材６８とからなる構成とする。 （もっと読む）

【課題】 従来のプリント回路基板の製造工程を大幅に変更することなくコーティングされた樹脂の表面積を効率よく大きくすることで放熱性能を高める。
【解決手段】
少なくとも１つの電極１２を表面に有するプリント配線板１の電極近傍に第１のニードル４１ａによりアンダーフィル樹脂２を塗布し、電極１２の上部の少なくとも一部の上にはんだバンプ３３を介し回路部品３を実装する。実装された回路部品３の表面に第１のニードル４１ａによりアンダーフィル樹脂２を塗布する。塗布されたアンダーフィル樹脂２の表面に第２のニードル４１ｂによりエアー２２を放射させ複数の孔部２ａを形成する。
そしてプリント配線板１をリフロー加熱することで、はんだバンプ３３の接合と、アンダーフィル樹脂２の樹脂封止とを一括して行う。 （もっと読む）

【課題】テープまたはフィルム基板を有する半導体装置の放熱性の向上を図る。
【解決手段】基材５ｃ上に形成された導電性の銅配線５ｄと、銅配線５ｄ上に形成されたソルダレジスト膜５ｅと、ソルダレジスト膜５ｅ上に形成された金属箔３とを含むテープ基板５と、銅配線５ｄ上にＡｕバンプ６を介して電気的に接続された半導体チップ２とを有したＴＣＰ１である。ソルダレジスト膜５ｅの厚さが基材５ｃより薄いことにより、半導体チップ２から発せられる熱を銅配線５ｄ及びソルダレジスト膜５ｅを介して金属箔３に伝えることができ、金属箔３から外部に放熱することができる。その結果、ＴＣＰ（半導体装置）１の放熱性の向上を図る。 （もっと読む）