【課題】高熱伝導性で接着性、信頼性に優れる高熱伝導樹脂組成物、接着フィルム、封止用フィルムを提供する。
【解決手段】１）高熱伝導性粒子、２）メソゲンを有するエポキシ樹脂モノマーとエポキシ樹脂用硬化剤とを含む熱硬化性エポキシ樹脂組成物、及び３）重量平均分子量１万以上の高分子量成分を少なくとも含む高熱伝導樹脂組成物であって、前記２）熱硬化性エポキシ樹脂組成物と、前記３）高分子量成分とが硬化後に相分離する高熱伝導樹脂組成物、該高熱伝導樹脂組成物をフィルム状に成形してなる接着フィルム、封止用フィルム、及び該接着フィルム、又は封止用フィルムを介して半導体素子と、半導体素子、基板、放熱板、支持体、金属板、及びセラミック板よりなる群から選ばれる１種又は２種とを積層してなる半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】リードフレームを介して電子部品を基板上に搭載し、リードフレームの全体および電子部品をモールド樹脂で封止してなる電子装置において、リードフレームとモールド樹脂との剥離を抑制しつつ、リードフレームと基板との接続を確保できるようにする。
【解決手段】リードフレーム３０における電子部品２０から突出する他端３２側の全体は、当該リードフレーム３０を構成する母材が表面に露出したものであって、モールド樹脂４０で封止されており、このリードフレーム３０の他端３２側と基板１０との間に、金属よりなる導電性フィラー５２を含有する導電性接着剤５０が介在しており、導電性フィラー５２が母材に融着することにより、リードフレーム３０の他端３２側と基板１０とが電気的および機械的に固定されている。 （もっと読む）

【課題】低コストな手段で放熱性の高い、小型・薄型のフリップチップ実装構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子と配線基板とがバンプを介して接合されたフリップチップ実装構造において、前記配線基板の前記半導体素子と対向する面にランドが設けられ、前記ランド上には金属部材が設けられ、前記金属部材は前記半導体素子の表面の一部と接触している。またその製造方法において、前記配線基板を前記金属部材の融点以上まで加熱し、前記ランド上に設けられた前記金属部材が溶融した状態で前記半導体素子と前記配線基板とを前記バンプを介して接合する。 （もっと読む）

【課題】フレキシブル基板に半導体素子をフェイスダウンで実装する半導体装置において、低コストな手段で、小型・薄型構造を妨げずに放熱性を高めるフリップチップ実装構造を提供する。
【解決手段】半導体素子１とフレキシブル基板１０とがバンプ２を介して接合され、半導体素子とフレキシブル基板との間が封止樹脂９により封止されたフリップチップ実装構造において、フレキシブル基板には、半導体素子と対抗する面の一部にランド３が形成され、フレキシブル基板は、バンプと接合されることで画定される領域の内側で屈曲し、このときのランドと半導体素子との間隔が、バンプと接合後の半導体素子とランドとの間隔よりも狭小になっている。 （もっと読む）

【課題】配線とはんだバンプとの接合強度の低下を抑制し、かつ配線と半導体チップとの接合強度の低下を抑制する。
【解決手段】開口部８０を有する配線基板１００上に設けられた配線１１０と、配線１１０の一部であり、配線基板１００上に位置するランド部１１２、及び配線基板１００上から開口部８０内に延伸するリード部１１４と、ランド部１１２に形成されるはんだバンプ５０と、平面視で開口部８０の内側に位置し、リード部１１４と接続する半導体チップ１０と、を備え、配線１１０は、Ｃｕを含む材料により構成され、ランド部１１２のうちはんだバンプ５０が形成される面上には、Ｎｉめっき層が形成され、リード部１１４のうち半導体チップ１０と接続する面上、及び側面上にはＮｉめっき層が形成されておらず、ランド部１１２のうちはんだバンプ５０が形成される面上、及びリード部１１４には、Ａｕめっき層が形成されている。 （もっと読む）

【課題】熱伝導部材が半導体素子から剥離することを抑制可能な放熱用部品及びそれを備えた半導体パッケージを提供すること。
【解決手段】本放熱用部品は、基板上に実装された半導体素子上に、熱伝導部材を介して配置される放熱用部品であって、前記半導体素子に近い側に配置される第１層と、前記第１層上に積層され前記半導体素子から遠い側に配置される第２層と、を有し、前記第２層の熱膨張係数が、前記第１層の熱膨張係数よりも小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、半導体素子と導電パターンとの隙間が確保され難く、アンダーフィル材にて充填していたため、放熱性が悪く、量産性に適さないという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、半導体素子２と導電パターン９Ａ〜９Ｃとの間にはスペーサー１１Ａ〜１１Ｄが配置され、半導体素子２と導電パターン９Ａ〜９Ｃとの間隙間の幅Ｗ１は、スペーサー１１Ａ〜１１Ｄの膜厚となる。この構造により、半導体素子２下面の隙間の幅Ｗ１が一定に保たれ、その隙間への樹脂の充填性が向上される。そして、トランスファーモールドを用いることが可能となり、量産性に適した構造となる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の実装の信頼性の向上を図る。
【解決手段】プリント基板９の下面９ｂ側の半導体チップ４の外側に対応した領域に補強板６が設けられた状態で、半導体チップ４上に圧力を掛けてヒートシンク８を取り付けることにより、プリント基板９のチップ下領域９ｃは支持されていないため、チップ下の複数のはんだボール７を介してプリント基板９に掛かる荷重、及び半導体チップ４を介して配線基板２に掛かる荷重をそれぞれ利用して配線基板２とプリント基板９の両者を僅かに撓ませることができ、半導体チップ４上に掛かる荷重（Ｐ）を配線基板２の裏面全体に分散させて、複数のはんだボール７が変形することを低減できる。 （もっと読む）

【課題】リッド（ＬＩＤ：蓋材）と配線基板との接着強度を高める。
【解決手段】半導体装置は、配線基板と、この配線基板に貼り付けられたリッドを備える。このリッドには、注入口部が設けられている。このリッドの内側には、この注入口部から樹脂が注入されている。このリッドと配線基板とは、注入された樹脂により固定されている。 （もっと読む）

【課題】Ｂｉを含有するはんだ接続部の放熱性を向上させ、Ｂｉが接続部の外部へ拡散し接続部にカーケンダルボイドが形成されることを防止して光素子等の機能素子の特性を向上させる。
【解決手段】機能素子１が搭載される基板２の主面側の、機能素子１が搭載される領域の少なくとも一部に第１の導体層５を形成し、第１の導体層５の少なくとも一部に第２の導体層６を形成する導体層形成工程と、第２の導体層６の少なくとも一部に凹凸形状状の第３の導体層８を形成し、第３の導体層８の少なくとも一部にはんだ９を形成し、第２の基板１７を挟持し、はんだ９を溶融させて機能素子１を接続して搭載し、はんだ９が第３の凹凸状の導体層８により堰き止められて第１の導体層５に接しない接続工程を備えた機能素子搭載方法とする。 （もっと読む）

【課題】 耐折性や曲げ応力特性の悪化を招くことなく熱放散性を向上せしめることを可能とした半導体装置用テープキャリアおよびそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置用テープキャリアは、絶縁性フィルム基材１と、前記絶縁性フィルム基材１の片面に設けられた配線パターン２と、前記絶縁性フィルム基材１における前記片面とは反対側の面に設けられた、当該半導体装置用テープキャリアにおける熱放散性を高めるための放熱板４とを有する半導体装置用テープキャリアであって、前記放熱板４が、当該半導体装置用テープキャリアにおける曲げ応力特性を調節するためのパターン間スペース３のようなスリットおよび／または開口を設けてなるものであることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装用でないワイヤボンディング用の光素子を用いてもフリップチップ実装を実現でき、かつ、放熱性に優れた光伝送モジュールを提供する。
【解決手段】基板２はケース筐体８に収納され、基板２に搭載する側の面に電極が１列に形成された光素子３を、基板２にフリップチップ実装する光伝送モジュールであって、光素子３の搭載面と反対側の面をベース部材４に接合してフリップチップ実装用モジュール５を形成し、そのフリップチップ実装用モジュール５を基板２にフリップチップ実装すると共に、フリップチップ実装用モジュール５をケース筐体８と当接させて放熱路を形成したものである。 （もっと読む）

ダイの表面上に設置された複数のチップコンデンサーを有する集積回路（ＩＣ）パッケージが、開示される。チップコンデンサーは、挿入基板層を有するダイの最上部上に設置され得る。ダイの最上部上にチップコンデンサーを設置することは、必要とされるパッケージング基板の大きさを低減し得る。一つ以上のワイヤーが、挿入層上のチップコンデンサーをパッケージング基板に接続するために使用され得る。ＩＣパッケージは、蓋とダイの最上部上に設置された熱インタフェイス材料（ＴＩＭ）とを含み得る。蓋は、蓋の突出部がＴＩＭを介してダイに直接接触するように形成されることにより、熱放散を改善し得る。
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【課題】 半導体パッケージのパッケージ基板と、当該パッケージ基板が実装される配線基板との間に介在される電気接続用の中継部材であって、接続信頼性の向上を図ることができる中継部材を提供する。
【解決手段】 電子部品５６が搭載されるパッケージ基板５０と、前記パッケージ基板５０が実装される配線基板７０との間に介在して設けられる中継部材６０は、当該中継部材６０の一方の主面に設けられ、前記パッケージ基板５０の面接続端子５７と接続する平坦な電極パッド６３と、前記電極パッド６３に導通し、当該中継部材６０の他方の主面に塑性変形可能に設けられ、前記配線基板７０の電極端子７１に接続する複数の金属端子部６４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】大型化や配線可能な数の減少を伴うこと無く半導体素子が発する熱を効率良く放熱させることが可能なＴＣＰ構造体を提供する。
【解決手段】半導体素子２を実装するための領域にデバイスホール１が開口するフィルム基材９と、フィルム基材９の一部をなしてデバイスホール１を横断するフィルム基材架橋部１２と、少なくともフィルム基材架橋部１２の第一主面側に形成し、デバイスホール１を横断して架橋配置する架橋導体パターン１０を備え、フィルム基材９の第二主面側から実装する半導体素子２がフィルム基材架橋部１２を介して架橋導体パターン１０に当接する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ベアチップが高密度実装されたような半導体装置において、ベアチップの全端子を検査することを可能にした検査用パッド及びそれに付随する配線のレイアウトを提供する半導体装置を実現することである。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、ベアチップの全ての端子が配線基板内の特定の配線層を介して、ダミー領域に配置された検査用パッドにそれぞれ接続され、検査完了後は、そのダミー領域が切断されるものである。 （もっと読む）

【課題】スティフナーとプリント配線板および放熱板と半導体パッケージを一体化した後の反りが、一体化する前よりも少なくなるようにしたスティフナー付きプリント配線板および放熱板付き半導体パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】スティフナー１とプリント配線板４を一体化する前に、事前に、スティフナー１に、スティフナー１とプリント配線板４との熱膨張率の差によって生じる反りと反対の方向に、反りを与えておく。また、放熱板と半導体パッケージを一体化する前に、事前に、放熱板に、半導体チップとプリント配線板との熱膨張率の差によって生じる反りと反対の方向に、反りを与えておく。 （もっと読む）

【課題】めっきＡｕバンプを介して半導体素子搭載部材に逃がすことができる熱量をこれまでよりも大幅に増加できる半導体素子搭載部材と、前記半導体素子搭載部材を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子搭載部材１は、基材３の素子搭載面２に形成した少なくとも１つの薄膜状のめっきＡｕバンプ４の面方向の面積を１００００μｍ^２以上、ビッカース硬さを８０未満、表面の平坦度を５μｍ以下とした。半導体装置１２は、前記半導体素子搭載部材１の素子搭載面２に、前記めっきＡｕバンプ４を介して半導体素子１１を搭載した。 （もっと読む）

【課題】放熱材を設けつつも折り曲げ性を向上させて、配線の断線などの不具合を生じない半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るＣＯＦ１０は、放熱材７が、その端部７ａ，７ｂ周辺の領域ほど、大きな面積の開口部を設けるなどして、体積（面積）が少なくなるように設けられている。この構成により、ＣＯＦ１０を折り曲げた際の折り曲げ性が向上し、この折り曲げによる応力が放熱材７の端部７ａ，７ｂに集中することを防いで、絶縁フィルム１上の配線２を断線から守ることができる。また、ＣＯＦ１０を表示装置３０に実装する際に、ＣＯＦ１０と表示パネル１５との接合に用いられる異方性導電樹脂の剥がれをなくすことができる。 （もっと読む）

【課題】 フレキシブルで、実装した電子部品の放熱を良好に行うことができるフレキシブルプリント配線基材及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 絶縁基材１１と、この絶縁基材１１の一方面に形成された導電体層をパターニングした導電体パターンを含む配線パターン１２とを具備するフレキシブルプリント配線基材１０であって、前記絶縁基材１１の他方面に設けられた金属材料からなる放熱層１４を具備し、前記絶縁基材１１及び前記配線パターン１２を貫通して設けられて前記放熱層１４の上に電子部品３０を実装可能とした貫通部１５を具備する。 （もっと読む）