半導体装置の実装構造及び実装方法
【課題】半導体装置の実装の信頼性の向上を図る。
【解決手段】プリント基板９の下面９ｂ側の半導体チップ４の外側に対応した領域に補強板６が設けられた状態で、半導体チップ４上に圧力を掛けてヒートシンク８を取り付けることにより、プリント基板９のチップ下領域９ｃは支持されていないため、チップ下の複数のはんだボール７を介してプリント基板９に掛かる荷重、及び半導体チップ４を介して配線基板２に掛かる荷重をそれぞれ利用して配線基板２とプリント基板９の両者を僅かに撓ませることができ、半導体チップ４上に掛かる荷重（Ｐ）を配線基板２の裏面全体に分散させて、複数のはんだボール７が変形することを低減できる。
【解決手段】プリント基板９の下面９ｂ側の半導体チップ４の外側に対応した領域に補強板６が設けられた状態で、半導体チップ４上に圧力を掛けてヒートシンク８を取り付けることにより、プリント基板９のチップ下領域９ｃは支持されていないため、チップ下の複数のはんだボール７を介してプリント基板９に掛かる荷重、及び半導体チップ４を介して配線基板２に掛かる荷重をそれぞれ利用して配線基板２とプリント基板９の両者を僅かに撓ませることができ、半導体チップ４上に掛かる荷重（Ｐ）を配線基板２の裏面全体に分散させて、複数のはんだボール７が変形することを低減できる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の実装技術に関し、特に、放熱部材を取り付ける際の半導体装置の実装の信頼性向上に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージ（半導体装置）の上にヒートシンク（放熱部材）が重ねて配置された構造とヒートシンクの接続技術が、例えば、特開２００１−１６８５６２号公報（特許文献１）に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−１６８５６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
携帯電話等の電子機器には、プリント基板（実装基板）上にＣＰＵ（Central Processing Unit)等の半導体装置（半導体パッケージ）が実装されている。この種の半導体装置では、処理速度の高速化や多機能化に伴って消費電力が増加する傾向にあり、動作中の発熱量もこれに比例して急速に増加する傾向にある。
【０００５】
なお、処理速度の高速化や多機能化に対応した半導体装置の一例として、フリップチップ接続タイプのＢＧＡ（Ball Grid Array 、以降、単にＦＣ−ＢＧＡともいう）が知られている。ＦＣ−ＢＧＡの構造は、パッケージ基板である配線基板上にフリップチップ接続によって半導体チップをフェイスダウン実装するものであり、配線基板の裏面に外部接続用端子となる複数のはんだボールがグリッド状に設けられている。
【０００６】
このようなＦＣ−ＢＧＡにおいて、安定した動作を確保するためには、ＦＣ−ＢＧＡの放熱性を高める必要があり、したがって、ヒートシンクのような半導体装置の放熱性能を高めるための放熱部材を半導体装置に設ける構造が必須となる。
【０００７】
ＦＣ−ＢＧＡにヒートシンクを設ける場合、ユーザの仕様でヒートシンクを設ける場合が多いため、予めＦＣ−ＢＧＡ上にヒートシンクを設けることができず、プリント基板にＦＣ−ＢＧＡを実装した後に、ＦＣ−ＢＧＡの上部にヒートシンクを設けることが少なくない。
【０００８】
ところが、近年のＦＣ−ＢＧＡでは、その低コスト化、軽量化あるいは小型化の要求があるため、配線基板やプリント基板も薄くなってきている。したがって、前述のようにプリント基板にＦＣ−ＢＧＡを実装した後、ＦＣ−ＢＧＡの上部にヒートシンクを設ける場合には、放熱部材であるヒートシンクを半導体装置の上部に配置してヒートシンクの上方からＦＣ−ＢＧＡに対して加圧を行ってヒートシンクを取り付けている。
【０００９】
ここで、本願発明者は、ヒートシンクの取り付け時を想定し、１．プリント基板（実装基板）の下面側のＦＣ−ＢＧＡの下部の領域を支持部材によって支持した場合と、２．プリント基板の下面側のＦＣ−ＢＧＡの下部の領域を支持しない場合とで、ＦＣ−ＢＧＡの上方から加圧を行ってＦＣ−ＢＧＡのプリント基板に対する実装状態（外部接続用端子であるはんだボールの接続状態等）の評価を行った。
【００１０】
その結果、１の評価では、パッケージ（ＦＣ−ＢＧＡ）下部が支持部材によって支持されていると、半導体チップを介して荷重がプリント基板に伝わるため、チップ領域に荷重が集中し、チップ下領域のはんだボールが潰れて変形し、ボール同士がショートするという課題を見出した。なお、一般的にチップ下領域のボール電極は、熱サイクルにおいて最大応力が発生する箇所であり、これにより、ボール電極が破壊されてボール電極の寿命が短くなるという課題も元々有している。
【００１１】
また、２の評価では、パッケージ下部が支持部材によって支持されていないため、パッケージ下部でプリント基板（実装基板）が下方に向かって撓む現象が起こり、その結果、プリント基板と配線基板の変形率の違いにより、主に配線基板の外周部に配置されたはんだボールが変形するという課題を見出した。すなわち、配線基板の端部に配置されたはんだボールが変形するという課題を見出した。
【００１２】
以上の種々の課題により、ＦＣ−ＢＧＡ（半導体装置、パッケージ）の実装における信頼性が低下するという課題を見出した。
【００１３】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体装置の実装の信頼性の向上を図ることができる技術を提供することにある。
【００１４】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１６】
代表的な実施の形態による半導体装置の実装構造は、配線基板と前記配線基板上に搭載された半導体チップと前記配線基板の裏面に設けられた複数の外部接続用端子であるボール電極とを有し、かつ前記ボール電極が前記半導体チップの下部と外側の両方の領域に配置されて成る半導体装置と、前記複数のボール電極を介して前記半導体装置が実装される実装基板と、前記半導体チップ上に設けられた放熱部材と、前記実装基板の下面の前記半導体チップの外側の領域に設けられた補強板と、前記放熱部材と前記補強板とに係合して前記半導体チップ上に圧力を掛ける押圧部材と、を有し、前記実装基板の下面の前記半導体チップの外側の領域を前記補強板によって支持した状態で、前記押圧部材によって前記半導体チップ上に圧力が掛けられるものである。
【００１７】
また、代表的な実施の形態による半導体装置の実装方法は、配線基板と前記配線基板上に搭載された半導体チップと前記配線基板の裏面に設けられた複数の外部接続用端子であるボール電極とを有し、かつ前記ボール電極が前記半導体チップの下部と外側の両方の領域に配置されて成る半導体装置の実装方法であって、（ａ）前記半導体装置を実装基板に実装する工程と、（ｂ）前記半導体チップ上に所定の圧力を掛けて放熱部材を前記半導体チップ上に取り付ける工程と、を有し、前記（ｂ）工程において、前記実装基板の下面の前記半導体チップの外側の領域に補強板が設けられた状態で前記半導体チップ上に圧力を掛けるものである。
【発明の効果】
【００１８】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１９】
半導体装置の実装の信頼性の向上を図ることができる。
【００２０】
また、半導体装置の品質を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施の形態１の半導体装置の構造の一例を示す断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置のボール配列の一例を示す裏面図である。
【図３】図１に示す半導体装置の実装構造の一例を示す断面図と平面図である。
【図４】図１に示す半導体装置のヒートシンク取り付け時の加圧状態の一例を示す断面図と平面図である。
【図５】図１に示す半導体装置の実装構造の第１変形例を示す断面図と平面図である。
【図６】図１に示す半導体装置の実装構造の第２変形例を示す断面図と平面図である。
【図７】図１に示す半導体装置の実装構造の第３変形例を示す断面図と平面図である。
【図８】図１に示す半導体装置の実装構造の第４変形例を示す断面図と平面図である。
【図９】図１に示す半導体装置の実装構造の第５変形例を示す断面図と平面図である。
【図１０】図１に示す半導体装置の実装構造の第６変形例を示す断面図と平面図である。
【図１１】図１０に示す構造の効果を示す断面図である。
【図１２】図１に示す半導体装置の実装構造の第７変形例を示す断面図と平面図である。
【図１３】本発明の実施の形態１の第８変形例を示す断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態１の半導体装置の構造の第９変形例を示す断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態１の半導体装置の構造の第１０変形例を示す断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態１の半導体装置の構造の第１１変形例を示す断面図である。
【図１７】本発明の実施の形態２の半導体装置の実装構造の第１２変形例を示す断面図である。
【図１８】本発明の実施の形態２の半導体装置の実装構造の第１３変形例を示す断面図である。
【図１９】本発明の実施の形態２の半導体装置の実装構造の第１４変形例を示す断面図である。
【図２０】図１９に示す実装構造における補強板の構造を示す平面図である。
【図２１】本発明の実施の形態２の半導体装置の実装構造の第１５変形例を示す断面図である。
【図２２】本発明の実施の形態２の半導体装置の実装構造の第１６変形例を示す断面図と平面図である。
【図２３】本発明の実施の形態２の半導体装置の実装構造の第１７変形例を示す断面図である。
【図２４】本発明の実施の形態３の半導体装置の構造の一例を示す断面図である。
【図２５】図２４に示す半導体装置のボール配列の一例を示す裏面図である。
【図２６】図２４に示す半導体装置の実装構造の一例を示す断面図と平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００２３】
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００２４】
また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００２５】
また、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【００２６】
また、以下の実施の形態において、構成要素等について、「Ａからなる」、「Ａよりなる」、「Ａを有する」、「Ａを含む」と言うときは、特にその要素のみである旨明示した場合等を除き、それ以外の要素を排除するものでないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００２７】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２８】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１の半導体装置の構造の一例を示す断面図、図２は図１に示す半導体装置のボール配列の一例を示す裏面図、図３は図１に示す半導体装置の実装構造の一例を示す断面図と平面図、図４は図１に示す半導体装置のヒートシンク取り付け時の加圧状態の一例を示す断面図と平面図である。
【００２９】
本実施の形態１の半導体装置は、図１及び図２に示すように、基板上に半導体チップ４が搭載された半導体パッケージであり、ここでは、前記半導体装置の一例として、フリップチップ接続によって半導体チップ４が基板に搭載されたフリップチップタイプの半導体装置を取り上げ、さらに外部接続用端子がボール電極であるＦＣ−ＢＧＡ（以降、単にＢＧＡ１とも呼ぶ）を取り上げて説明する。
【００３０】
図１及び図２に示すＢＧＡ１の構成について説明すると、主面２ａとその反対側の裏面２ｂとを備えた基板である配線基板２と、配線基板２の主面２ａ上に複数のはんだバンプ５を介して搭載され、かつ半導体集積回路が形成された半導体チップ４と、複数のはんだバンプ５相互の周囲及び半導体チップ４の側面周囲に充填されたアンダーフィル樹脂３と、配線基板２の裏面２ｂに設けられた複数の外部接続用端子であるはんだボール７とを有している。外部接続用端子のボール電極である複数のはんだボール７は、配線基板２の裏面２ｂにおいて、例えば、格子状（グリッド状）に配置されている。
【００３１】
配線基板２は、パッケージ基板もしくはＢＧＡ基板等と呼ばれ、その内部に図示しない配線及びスルーホール配線が設けられており、したがって、半導体チップ４で送受信される電気的信号は、はんだバンプ５や配線基板２の内部の配線やスルーホール配線、及び配線基板２の裏面２ｂのはんだボール７を介して伝達される。
【００３２】
なお、本実施の形態１のＢＧＡ１は、図２に示すように配線基板２の裏面２ｂの全体に亘って外部接続用端子であるはんだボール７が格子状に設けられている。すなわち、はんだボール７が配線基板２の裏面全面に配置されたフルバンプタイプのＢＧＡ１であり、したがって、はんだボール７が半導体チップ４の下部の領域と半導体チップ４の外側の領域との両方の領域に配置されている。
【００３３】
また、半導体チップ４は、複数の表面電極である電極パッド４ｃが形成された主面４ａと、この主面４ａの反対側の裏面４ｂとを有しており、配線基板２とフリップチップ接続によって電気的に接続されている。つまり、半導体チップ４はその複数の電極パッド４ｃにそれぞれ電気的に接続された複数のはんだバンプ５を介して配線基板２と電気的に接続されている。なお、半導体チップ４は、配線基板２にフリップチップ接続で搭載されているため、配線基板２上にフェイスダウン実装されており、配線基板２の主面２ａと半導体チップ４の主面４ａとが対向して配置され、したがって、半導体チップ４の裏面４ｂは上方を向いて露出している。
【００３４】
次に、図３に示す本実施の形態１の半導体装置の実装構造について説明する。
【００３５】
図３に示す実装構造は、図１に示すＢＧＡ１を実装基板であるプリント基板９上に実装したものであり、半導体チップ４上には放熱部材であるヒートシンク８が接合されている構造となっている。
【００３６】
前記実装構造は、詳細には、上面９ａとその反対側の下面９ｂとを有し、かつ複数のはんだボール７を介して上面９ａにＢＧＡ１が実装されるプリント基板９と、半導体チップ４上に設けられたヒートシンク８と、プリント基板９の下面９ｂの半導体チップ４の外側の領域に対応する領域に設けられた補強板６とから成る。
【００３７】
ここで、補強板６は、半導体チップ４の上方から荷重が掛かった際のはんだボール７の変形等を低減するものであり、プリント基板９の下面９ｂの半導体チップ４の外側の領域に対応する領域を補強板６によって支持した状態で、半導体チップ４上に圧力（荷重）が掛けられる。
【００３８】
なお、半導体チップ４の上方から圧力が掛けられる工程の一例として、図４に示すような、半導体チップ４上に放熱部材であるヒートシンク８を取り付ける工程を取り上げて説明する。
【００３９】
ヒートシンク８は、平板状であり、圧力が付与されて半導体チップ４と接合する。圧力は、チップ領域のみに集中するため、ＢＧＡ１の実装構造の高さ方向のバラツキを吸収することができる。さらに、ヒートシンク８は、半導体チップ４の裏面４ｂに熱伝導性が高いシリコーン樹脂１０等の接着材を介して接合されるため、シリコーン樹脂１０の厚さを薄くすることができ、均一性及び密着性も高めることができるとともに、放熱効果も高めることができる。
【００４０】
また、ヒートシンク８は平板状であり、加工が容易であるため、ヒートシンク８のコスト低減化を図ることができる。
【００４１】
図４は、半導体チップ４上にヒートシンク８を取り付ける際のチップ加圧状態を示しており、押圧部材であるクリッパー１１によってヒートシンク８と補強板６とを挟み込むことにより、半導体チップ４上にヒートシンク８が取り付けられる。その際、半導体チップ４の裏面４ｂには荷重（圧力）Ｐが掛かる。この荷重Ｐは、クリッパー１１が嵌め込まれている間は常時半導体チップ４上に付与され、さらに半導体チップ４を介して配線基板２や複数のはんだボール７及びプリント基板９に掛かるが、クリッパー１１を外した際には、図３に示す実装構造となって半導体チップ４に掛かることはなく、半導体チップ４は荷重Ｐから解放される（ヒートシンク８の自重は除く）。
【００４２】
クリッパー１１は、ヒートシンク８と補強板６とに係合して図３に示す構造体を挟み込む押圧部材である。
【００４３】
ここで、補強板６の詳細構造について説明する。本実施の形態１の補強板６は、薄板状の部材であり、図４に示すように枠状に形成されており、したがって、中央に穴部６ａが形成されている。また、補強板６は、例えば、アルミニウムやステンレス鋼等の材料から成る金属板であることが好ましい。例えば、アルミニウム材によって形成することで補強板６のコストの低減化を図ることができる。ただし、金属以外の、例えば硬質の樹脂等によって形成されていてもよい。つまり、プリント基板９より硬い板材であれば、金属材であってもよいし、または金属以外の材料から成るものであってもよい。
【００４４】
なお、本実施の形態１の半導体装置の実装構造では、半導体チップ４上に圧力が掛かった際にプリント基板９の圧力が集中的に掛かる箇所には補強板６を設けないことを特徴としている。すなわち、半導体チップ４上に圧力が付与され際に、半導体チップ４を介してプリント基板９に圧力が掛かる箇所であるチップ下領域９ｃには補強板６を設けないとするものであり、したがって、補強板６は、チップ下領域９ｃを逃げた（避けた）形状となっている。つまり、補強板６は、プリント基板９のチップ下領域９ｃを穴部６ａとして逃げている（開口させている）。
【００４５】
ここで、補強板６の枠状の幅方向の範囲は、まず、内周部（内側）６ｂの位置を、チップ外側で半導体チップ４に最も近い位置のボール電極列から最外周のはんだボール７の位置までの範囲に対応する位置とし、さらに外周部（外側）６ｃの位置を、チップ外側の２列目のボール電極列から配線基板２の外方までの範囲に対応する位置とする。好ましくは、図３に示すように内周部６ｂの位置が、半導体チップ４の外側の領域に配置された複数のはんだボール７のうち半導体チップ４に最も近い位置のはんだボール電極列に対応する位置である。つまり、チップ外側の１番目の列のはんだボール７の位置に対応した位置である。
【００４６】
一方、外周部６ｃの位置は、好ましくは、図３に示すように最外周のはんだボール電極列に対応する位置である。なお、補強板６の枠状の外周部６ｃの位置を最外周のはんだボール電極列に対応する位置とするのは、プリント基板９における荷重Ｐによる圧力を受ける領域が複数のはんだボール７が設けられた領域であるため、その最外周のはんだボール電極列に対応する位置としている。
【００４７】
これにより、プリント基板９上でＢＧＡ１の周囲に実装している他の電子部品（デバイス）に対して荷重Ｐの影響を与えることを低減できる。
【００４８】
次に、本実施の形態１の半導体装置の実装方法について説明する。
【００４９】
まず、図４に示すようにプリント基板９の上面９ａにＢＧＡ（ＦＣ−ＢＧＡ）１を実装する。例えば、はんだリフロー等によってプリント基板９上のＢＧＡ１をはんだ接続する。その際、ＢＧＡ１は、配線基板２と、配線基板２上に搭載された半導体チップ４と、配線基板２の裏面２ｂにグリッド状に設けられた複数のはんだボール７とを有し、かつはんだボール７が半導体チップ４の下部領域とその外側の領域との両方の領域に配置された半導体装置である。
【００５０】
その後、補強板６を所定位置にセットする。ここでは、プリント基板９の下面９ｂの半導体チップ４の外側の領域に補強板６が設けられた状態となるようにプリント基板９の下面９ｂ側に枠状の補強板６をセットする。つまり、プリント基板９の下面９ｂのチップ下領域９ｃは何も支持されていない状態とするとともに、プリント基板９の下面９ｂのチップ下領域９ｃの外側周囲のはんだボール領域は支持した状態となるように枠状の補強板６をプリント基板９の下面９ｂ側にセットする。
【００５１】
その後、半導体チップ４の裏面４ｂ上にシリコーン樹脂１０等の接着材を介して放熱部材であるヒートシンク８を搭載する。
【００５２】
その後、クリッパー１１を両側に嵌め込んで半導体チップ４上に所定の圧力Ｐ（荷重Ｐ）を掛けてヒートシンク８を半導体チップ４上に取り付ける。ここでは、クリッパー１１をヒートシンク８と補強板６とに係合するように両側に嵌め込んで、プリント基板９の下面９ｂの半導体チップ４の外側の領域のみに補強板６が配置されている状態で半導体チップ４上に圧力Ｐを掛けてヒートシンク８を半導体チップ４上に取り付ける（ヒートシンク８と半導体チップ４とを接合する）。
【００５３】
なお、プリント基板９へのＢＧＡ１の搭載完了後、補強板６をセットする際、先にヒートシンク８を半導体チップ４の裏面４ｂ上に搭載してもよい。つまり、プリント基板９にＢＧＡ１を搭載した後、ヒートシンク８を半導体チップ４上に配置し、その後、補強板６をセットしてからクリッパー１１で挟んで圧力Ｐを掛けて半導体チップ４とヒートシンク８を接合してもよい。
【００５４】
また、ヒートシンク８を半導体チップ４上に取り付けた後、クリッパー１１は取り外してもよいし、そのまま挟んだ状態としてもよい。そのまま挟んだ状態とすると、半導体チップ４やプリント基板９には圧力Ｐが常時掛かった状態となる。
【００５５】
本実施の形態１の半導体装置（ＢＧＡ１）の実装構造及び実装方法によれば、プリント基板９の下面９ｂ側のチップ下領域９ｃの外側周囲の領域に補強板６が設けられた状態で半導体チップ４上に圧力Ｐを掛けてヒートシンク８を取り付けることにより、プリント基板９の下面９ｂ側のチップ下領域９ｃは支持されていないため、チップ下部の複数のはんだボール７を介してプリント基板９に掛かる荷重、及び半導体チップ４を介して配線基板（パッケージ基板２）に掛かる荷重をそれぞれ利用して配線基板２とプリント基板９の両者を僅かに撓ませることができる。
【００５６】
その際、補強板６によって支えられている半導体チップ４の下部領域の外側の領域の複数のはんだボール７も荷重を受けることになり、したがって、ヒートシンク８を取り付ける際の半導体チップ４上に掛かる荷重を配線基板２の裏面２ｂ全体に分散させて掛けることができる。
【００５７】
これによって、配線基板２の裏面２ｂに設けられた複数のはんだボール７が変形することを低減できる。特に、配線基板２の端部付近に設けられた複数のはんだボール７では、ボール形状が斜め方向に変形することを低減できる。
【００５８】
一方、半導体チップ４の下部領域に設けられた複数のはんだボール７では、それらはんだボール７が潰れる変形を低減することができる。はんだボール７が潰れる変形を低減できるため、はんだボール７同士の電気的ショートの発生を低減することができる。
【００５９】
また、半導体チップ４の下部領域の複数のはんだボール７にも小さい荷重が掛かることで、この領域の複数のはんだボール７は動きが拘束され、水平方向に動きにくくなる。その結果、熱サイクルにおいて発生する応力が緩和されて破壊しにくくなり、半導体チップ４の下部領域のはんだボール７の長寿命化を図ることができる。
【００６０】
以上により、ＢＧＡ（半導体装置）１の実装の信頼性の向上を図ることができる。
【００６１】
なお、本発明の〔背景技術〕で取り上げた〔先行技術文献〕特開２００１−１６８５６２号公報の図１０及び図１１に記載された補強板の技術は、ヒートシンクを介して圧力が掛かる箇所を補強板によって支持するものであるが、本実施の形態１の補強板６は、プリント基板９に対して圧力が掛かる箇所は支持しないで開放するものであり、前記〔先行技術文献〕とは技術思想が全く異なるものである。
【００６２】
次に本実施の形態１の変形例について説明する。
【００６３】
図５は図１に示す半導体装置の実装構造の第１変形例を示す断面図と平面図、図６は図１に示す半導体装置の実装構造の第２変形例を示す断面図と平面図、図７は図１に示す半導体装置の実装構造の第３変形例を示す断面図と平面図、図８は図１に示す半導体装置の実装構造の第４変形例を示す断面図と平面図、図９は図１に示す半導体装置の実装構造の第５変形例を示す断面図と平面図である。また、図１０は図１に示す半導体装置の実装構造の第６変形例を示す断面図と平面図、図１１は図１０に示す構造の効果を示す断面図、図１２は図１に示す半導体装置の実装構造の第７変形例を示す断面図と平面図、図１３は本発明の実施の形態１の第８変形例を示す断面図である。さらに、図１４は本発明の実施の形態１の半導体装置の構造の第９変形例を示す断面図、図１５は本発明の実施の形態１の半導体装置の構造の第１０変形例を示す断面図、図１６は本発明の実施の形態１の半導体装置の構造の第１１変形例を示す断面図である。
【００６４】
図５〜図９に示す変形例は、補強板６の枠形状についてその内周部６ｂあるいは外周部６ｃの位置を種々変更したものである。
【００６５】
まず、図５に示す第１変形例は、図３の補強板６の形状に対して外周部６ｃの位置（最外周のはんだボール列の位置）は変えることなく、内周部６ｂの位置のみを外周部６ｃに近づけて穴部６ａの大きさを大きくしたものである。
【００６６】
また、図６に示す第２変形例は、図３の補強板６の形状に対して内周部６ｂの位置（チップ外側で、かつチップに最も近いはんだボール列の位置）は変えることなく、外周部６ｃの位置のみを内周部６ｂに近づけて枠の幅を最小限としたものである。この場合の枠の幅は、はんだボール７の１つ分程度となる。なお、枠形状を最小幅とする場合には、はんだボール７が搭載される配線基板２の裏面２ｂの電極であるボールパッドにおける単位面積当たりに受ける圧力が、７．４６（ｋｇｆ／ｍｍ2 ）以下になるようにすることが好ましい。
【００６７】
これは、例えば、５６０ピンのＢＧＡ１で３０ｋｇｆの荷重を付与する評価を行ったところ、中央部の位置のはんだボール７が単位面積当たりに７．４６（ｋｇｆ／ｍｍ2 ）の圧力を受けていることが分かり、その際、長期温度サイクル評価後、中央部のはんだボール７は圧力による過度な変形で隣接ショート不良となる一方、配線基板２も過度に撓む変形が発生し、外周部（端部）のはんだボール７は引っ張られ、オープン破壊に至ることを見出した。したがって、配線基板２のはんだボール７が接続されるボールパッドの単位面積当たりに受ける圧力が、７．４６（ｋｇｆ／ｍｍ2 ）以下になるようにすることで、はんだボール７及び配線基板２の過度な変形が緩和され、はんだボール７のショート及び破壊が起こりにくくなり、はんだボール７の寿命を長くすることができる。
【００６８】
また、図７に示す第３変形例は、図３の補強板６の形状に対して内周部６ｂの位置（チップ外側で、かつチップに最も近いはんだボール列の位置）は変えることなく、外周部６ｃの位置のみをプリント基板９の外方まで延在させて枠形状を大きくしたものである。
【００６９】
また、図８に示す第４変形例は、図７の第３変形例の補強板６の形状に対して外周部６ｃの位置をプリント基板９の外方で同じ位置とし、一方、内周部６ｂの位置を最外周から内側に向かって３列目のはんだボール列の位置とするものである。
【００７０】
また、図９に示す第５変形例は、図７の第３変形例の補強板６の形状に対して外周部６ｃの位置をプリント基板９の外方で同じ位置とし、一方、内周部６ｂの位置を最外周のはんだボール列の位置とするものである。
【００７１】
図５〜図９に示す変形例の補強板６を用いても、本実施の形態１の図３に示す補強板６の場合と同様の効果を得ることが可能である。
【００７２】
次に、図１０及び図１１に示す第６変形例は、プリント基板９と補強板６の間に弾性部材であるゴムシート１２が介在されているものである。すなわち、プリント基板９の下面９ｂと補強板６の間に弾性部材であるゴムシート１２を介在させるものである。
【００７３】
これは、プリント基板９と補強板６の剛性の差で、荷重によって発生した曲げ変形量は両者異なる可能性があり、この変形量差の起因で、プリント基板９は補強板６との接触面積が減少し、荷重が局部に集中してプリント基板９にダメージを与える可能性がある。したがって、プリント基板９と補強板６の間にゴムシート１２を介在させて、両者の変形量の差を吸収し、図１１に示すように荷重Ｐが補強板６の全面に掛かるようにし、局部に集中して掛かることを防止できる。
【００７４】
これにより、荷重Ｐによってプリント基板９に掛かるダメージを低減できる。
【００７５】
なお、ゴムシート１２の大きさは、例えば、補強板６とほぼ同じでよい。
【００７６】
次に、図１２及び図１３の変形例は、放熱部材の変形例を示すものである。図１２の第７変形例は、フィン付きヒートシンク（放熱部材）１３が取り付けられたＢＧＡ１であり、フィンを有しているため、放熱効果をさらに高めることができる。
【００７７】
また、図１３の第８変形例は、中央部に段差部を備えた段差付きヒートシンク（放熱部材）１４を示すものである。この段差付きヒートシンク１４を用いることで、実装上高さ調整が必要な場合でもスペーサを用いることがなく、段差付きヒートシンク１４のみを取り付けるだけで済む。
【００７８】
次に、図１４〜図１６に示す変形例は、半導体装置をタイプ分けしたものである。まず、図１４に示す第９変形例は、半導体チップ４上にヒートスプレッダ１５を搭載したＢＧＡ１ａである。すなわち、ＢＧＡ１ａは、露出した半導体チップ４の裏面４ｂに熱伝導接着材１６を介してヒートスプレッダ１５を搭載したものであり、ＢＧＡ１と同様に、半導体チップ４がフリップチップ接続によって配線基板２と電気的に接続された構造のフリップチップタイプのＢＧＡ１ａである。
【００７９】
なお、熱伝導接着材１６は、例えば、シリコーン系の樹脂やシート材等である。ＢＧＡ１ａは、ヒートスプレッダ１５を備えている分、ヒートスプレッダ１５から熱を放出できるため、ＢＧＡ１に比較して放熱性が高い。
【００８０】
次に、図１５に示す第１０変形例は、熱伝導接着材１６を介して半導体チップ４上に搭載したヒートスプレッダ１５を配線基板２上の周縁部に設けたサポートリング１７によって支持する構造のフリップチップタイプのＢＧＡ１ｂであり、サポートリング１７がヒートスプレッダ１５と配線基板２とに接触している。したがって、半導体チップ４から熱伝導接着材１６を介してヒートスプレッダ１５に伝わった熱を、サポートリング１７を介して配線基板２に放つことができ、図１４のＢＧＡ１ａに比較してさらに放熱性を高めることができる。
【００８１】
次に、図１６に示す第１１変形例は、樹脂封止形のワイヤボンディングタイプのＢＧＡ１ｃであり、半導体チップ４は、フェイスアップ実装で配線基板２に搭載され、かつその裏面４ｂがダイボンド材１８を介して配線基板２と接合されている。また、半導体チップ４はその電極パッド４ｃが金線等のワイヤ１９を介して配線基板２と電気的に接続されている。また、半導体チップ４や複数のワイヤ１９は、例えば、熱硬化性の樹脂によって形成された封止体２０によって樹脂封止されている。
【００８２】
図１４〜図１６に示す変形例のＢＧＡ１ａ，１ｂ，１ｃにおいても、本実施の形態１の半導体装置の実装構造及び実装方法に適用可能であり、ＢＧＡ１の場合と同様の効果を得ることができる。
【００８３】
（実施の形態２）
図１７は本発明の実施の形態２の半導体装置の実装構造の第１２変形例を示す断面図、図１８は本発明の実施の形態２の半導体装置の実装構造の第１３変形例を示す断面図、図１９は本発明の実施の形態２の半導体装置の実装構造の第１４変形例を示す断面図、図２０は図１９に示す実装構造における補強板の構造を示す平面図である。また、図２１は本発明の実施の形態２の半導体装置の実装構造の第１５変形例を示す断面図、図２２は本発明の実施の形態２の半導体装置の実装構造の第１６変形例を示す断面図と平面図、図２３は本発明の実施の形態２の半導体装置の実装構造の第１７変形例を示す断面図である。
【００８４】
本実施の形態２は、実施の形態１で説明したＢＧＡ１の実装構造の変形例を説明するものである。まず、図１７に示す第１２変形例は、プリント基板９上に実装されたＢＧＡ１に対して、半導体チップ４上にシリコーン樹脂１０を介してヒートシンク８を搭載するとともに、このヒートシンク８と、携帯電話やカーナビゲーション装置等の電子機器の筐体（ハウジング）２２との間にプリント基板９及びＢＧＡ１を挟み込み、ヒートシンク８と筐体２２とを押圧部材であるネジ部材２１によってネジ固定するものである。その際、プリント基板９と筐体２２との間に枠状の補強板６が設けられている。また、前記電子機器の筐体２２の壁をヒートシンク代わりとして利用することでＢＧＡ１の実装構造の小型化を図ることができる。
【００８５】
この実装構造においても、ネジ部材２１によってヒートシンク８が筐体２２にネジ固定されているため、半導体チップ４にはその裏面４ｂに荷重Ｐが常時付与されており、プリント基板９の下面９ｂ側に枠状の補強板６が設けられたことにより、実施の形態１のＢＧＡ１の実装構造と同様の効果を得ることができる。さらに、半導体チップ４からヒートシンク８に伝わった熱をネジ部材２１を介して筐体２２に伝えることができるため、ＢＧＡ１の放熱性をさらに高めることができる。なお、筐体２２の代わりとして、ヒートシンク８を用いてもよく、その場合には、上側のヒートシンク８と下側のヒートシンク８とをネジ部材２１によってネジ固定する構造となる。
【００８６】
次に、図１８に示す第１３変形例は、プリント基板９上に実装されたＢＧＡ１に対して、半導体チップ４上にシリコーン樹脂１０を介してヒートシンク８を搭載するとともに、このヒートシンク８とプリント基板９の下面９ｂ側に設けられた枠状の補強板６とを押圧部材であるクリッパー１１ａによって挟み込んで固定したものである。クリッパー１１ａは、コ字状で、かつ弾性を有する部材であれば良く、バネ等であってもよい。
【００８７】
この場合にも、クリッパー１１ａによってヒートシンク８が補強板６との間で挟み込まれているため、半導体チップ４にはその裏面４ｂに荷重Ｐが常時付与されており、プリント基板９の下面９ｂ側に枠状の補強板６が設けられたことにより、実施の形態１のＢＧＡ１の実装構造と同様の効果を得ることができる。
【００８８】
次に、図１９及び図２０に示す第１４変形例は、枠状の補強板６の４つのコーナー部に支持部６ｄが設けられ、かつそれぞれの支持部６ｄに貫通孔６ｅが形成されて、この貫通孔６ｅにクリッパー（押圧部材）２３の一端を係合させることで、ヒートシンク８との間で挟持する実装構造である。
【００８９】
すなわち、プリント基板９上に実装されたＢＧＡ１の半導体チップ４上にシリコーン樹脂１０等を介してヒートシンク８が搭載され、このヒートシンク８とプリント基板９の下面９ｂ側に設けられた枠状の補強板６とを、クリッパー２３によって挟み込み、これにより、プリント基板９及びＢＧＡ１が挟持されている。
【００９０】
その際、クリッパー２３は弾性を有する部材であるとともに、略Ｌ字形を成し、その一端が補強板６の支持部６ｄの貫通孔６ｅに係合することで、プリント基板９及びＢＧＡ１を挟み込んで固定している。
【００９１】
この場合にも、クリッパー２３によってヒートシンク８が補強板６との間で挟み込まれているため、半導体チップ４にはその裏面４ｂに荷重Ｐが常時付与されており、プリント基板９の下面９ｂ側に枠状の補強板６が設けられたことにより、実施の形態１のＢＧＡ１の実装構造と同様の効果を得ることができる。
【００９２】
次に、図２１に示す第１５変形例は、プリント基板９の下面９ｂ側に設ける補強板６の代わりとして、バネ部材（弾性体）２４を設けた実装構造である。すなわち、補強板６の代わりとして、プリント基板９と筐体２２（またはヒートシンク８でもよい）との間にバネ部材２４を設けるものである。この場合、バネ部材２４は、ＢＧＡ１の高さ方向に弾性力が作用する部材であれば、補強板６と同様に枠状のものであってもよいし、分散して配置可能な個片のものであってもよい。
【００９３】
図２１の第１５変形例の構造においても、プリント基板９上に実装されたＢＧＡ１に対して、半導体チップ４上にシリコーン樹脂１０を介してヒートシンク８を搭載するとともに、このヒートシンク８と電子機器の筐体（ハウジング）２２等との間にプリント基板９及びＢＧＡ１を挟み込み、ヒートシンク８と筐体２２とを側板２５で固定し、かつ側板２５とヒートシンク８、及び側板２５と筐体２２とをそれぞれ押圧部材であるネジ部材２１ａによってネジ固定するものである。
【００９４】
この時、ネジ部材２１ａによってヒートシンク８と側板２５、及び側板２５と筐体２２とがそれぞれネジ固定されており、かつヒートシンク８と筐体２２の間にプリント基板９やＢＧＡ１がバネ部材２４を介在させた状態で挟み込まれているため、半導体チップ４にはその裏面４ｂに荷重Ｐが常時付与される。
【００９５】
なお、プリント基板９の下面９ｂ側に複数のバネ部材２４が設けられたことにより、実施の形態１のＢＧＡ１の実装構造と同様の効果を得ることができる。さらに、半導体チップ４からヒートシンク８に伝わった熱をネジ部材２１ａ及び側板２５を介して筐体２２に伝えることができるため、ＢＧＡ１の放熱性をさらに高めることができる。なお、筐体２２の代わりとして、ヒートシンク８を用いてもよい。
【００９６】
また、補強板６の代わりとしてプリント基板９の下面９ｂ側にＢＧＡ１の高さ方向に弾性力が作用するバネ部材２４を設けたことにより、ＢＧＡ１の実装後の高さ（Ｔ）のばらつきを補正できるとともに、半導体チップ４とヒートシンク８を密着させることができる。
【００９７】
次に、図２２に示す第１６変形例は、補強板６の外周部６ｃの大きさをプリント基板９の外周部と同じにした構造のものであり、補強板６の両端に貫通孔６ｅを設けて押圧部材であるネジ部材２６とナット２７とによって、ヒートシンク８とプリント基板９と補強板６とをネジ固定するものである。
【００９８】
この構造においても、ネジ部材２６とナット２７によってヒートシンク８が補強板６との間で挟み込まれているため、半導体チップ４にはその裏面４ｂに荷重Ｐが常時付与されており、プリント基板９の下面９ｂ側に枠状の補強板６が設けられたことにより、実施の形態１のＢＧＡ１の実装構造と同様の効果を得ることができる。
【００９９】
次に、図２３に示す第１７変形例は、プリント基板９上に実装されたＢＧＡ１を、その半導体チップ４上に搭載されたヒートシンク８と、プリント基板９の下面９ｂ側に配置した枠状の補強板６とによって挟持する実装構造において、ヒートシンク８と補強板６とに係合するネジ部材２６及びナット２７によってネジ固定しており、さらに、ＢＧＡ１の配線基板２と放熱部材であるヒートシンク８との間に複数のバネ部材（弾性体）２８が設けられ、これら複数のバネ部材２８が半導体チップ４の周囲に分散して配置されている。
【０１００】
この構造においても、ネジ部材２６とナット２７によってヒートシンク８が補強板６との間で挟み込まれているため、半導体チップ４にはその裏面４ｂに荷重Ｐが常時付与されており、プリント基板９の下面９ｂ側に枠状の補強板６が設けられたことにより、実施の形態１のＢＧＡ１の実装構造と同様の効果を得ることができる。
【０１０１】
さらに、複数のバネ部材２８が半導体チップ４の周囲に分散して配置されていることにより、配線基板２を介してプリント基板９に掛かる荷重を分散して低減し、その結果、プリント基板９の厚さが薄い場合にも、プリント基板９に与えるダメージを低減することができる。
【０１０２】
また、この構造においてヒートシンク８への荷重Ｐの大きさをバネ部材２８の弾性力より大きく設定することにより、ヒートシンク８と半導体チップ４の密着性を高めることができる。さらに、ヒートシンク８との接着面積が小さい（半導体チップ４が小さいサイズ）ＢＧＡ１の場合には、半導体チップ４の周囲に複数のバネ部材２８が分散して配置されていることで、ヒートシンク８の取り付けバランスを向上できるとともに、ヒートシンク８の平坦度を確保することができる。
【０１０３】
（実施の形態３）
図２４は本発明の実施の形態３の半導体装置の構造の一例を示す断面図、図２５は図２４に示す半導体装置のボール配列の一例を示す裏面図、図２６は図２４に示す半導体装置
の実装構造の一例を示す断面図と平面図である。
【０１０４】
本実施の形態３は、変形例のＢＧＡ構造とその実装構造を説明するものである。図２４及び図２５に示す半導体装置は、実施の形態１及び２のＢＧＡ１と同様に、フリップチップ接続タイプのＢＧＡ型の半導体装置であるが、図２５に示すように、外部接続用端子であるはんだボール７の配置方法がフルバンプタイプではなく、チップ下部の領域と外周部の領域の間にははんだボール７を配置せずに間引いたＢＧＡ２９である。
【０１０５】
すなわち、ＢＧＡ２９は、配線基板２の裏面２ｂの中央部と外周部とに分けてそれぞれグリッド状に複数のはんだボール７を備えているものである。
【０１０６】
なお、ＢＧＡ２９のようなはんだボール７の間引き配列は、図１４〜図１６に示す変形例のＢＧＡ１ａ，１ｂ，１ｃにおいても適用可能である。
【０１０７】
図２６はＢＧＡ２９の実装構造を示すものであり、実装基板であるプリント基板９上に実装された半導体チップ４上に放熱部材であるヒートシンク８がシリコーン樹脂１０等を介して接合されており、プリント基板９の下面９ｂの半導体チップ４の外側の領域に対応する領域に設けられた枠状の補強板６とを備えている。
【０１０８】
なお、補強板６は、半導体チップ４の上方から荷重が掛かった際のはんだボール７の変形等を低減するものであり、プリント基板９の下面９ｂの半導体チップ４の外側の領域に対応する領域を補強板６によって支持した状態で、半導体チップ４上に圧力（荷重）が掛けられる。
【０１０９】
本実施の形態３の実装構造においても、ヒートシンク８を取り付ける際に、半導体チップ４の裏面４ｂにヒートシンク８を介して荷重が付与された時、プリント基板９の下面９ｂ側に枠状の補強板６が設けられていることにより、実施の形態１のＢＧＡ１の実装構造と同様の効果を得ることができる。
【０１１０】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１１１】
例えば、前記実施の形態１〜３では、補強板６が枠状の場合を取り上げて説明したが、補強板６は、必ずしも枠状でなくてもよい。すなわち、実装基板であるプリント基板９のチップ下領域９ｃに相当する箇所が開口しており、かつ前記チップ下領域９ｃの外側の周囲の領域に相当する箇所が支持可能形状となっていれば、枠状以外の形状であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１１２】
本発明は、電子装置の実装方法に好適である。
【符号の説明】
【０１１３】
１，１ａ，１ｂ，１ｃ ＢＧＡ（半導体装置）
２ 配線基板
２ａ 主面
２ｂ 裏面
３ アンダーフィル樹脂
４ 半導体チップ
４ａ 主面
４ｂ 裏面
４ｃ 電極パッド
５ はんだバンプ
６ 補強板
６ａ 穴部
６ｂ 内周部
６ｃ 外周部
６ｄ 支持部
６ｅ 貫通孔
７ はんだボール（外部接続用端子、ボール電極）
８ ヒートシンク（放熱部材）
９ プリント基板（実装基板）
９ａ 上面
９ｂ 下面
９ｃ チップ下領域
１０ シリコーン樹脂
１１，１１ａ クリッパー（押圧部材）
１２ ゴムシート（弾性部材）
１３ フィン付きヒートシンク（放熱部材）
１４ 段差付きヒートシンク（放熱部材）
１５ ヒートスプレッダ
１６ 熱伝導接着材
１７ サポートリング
１８ ダイボンド材
１９ ワイヤ
２０ 封止体
２１，２１ａ ネジ部材（押圧部材）
２２ 筐体
２３ クリッパー（押圧部材）
２４ バネ部材（補強板）
２５ 側板
２６ ネジ部材（押圧部材）
２７ ナット
２８ バネ部材（弾性体）
２９ ＢＧＡ（半導体装置）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の実装技術に関し、特に、放熱部材を取り付ける際の半導体装置の実装の信頼性向上に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージ（半導体装置）の上にヒートシンク（放熱部材）が重ねて配置された構造とヒートシンクの接続技術が、例えば、特開２００１−１６８５６２号公報（特許文献１）に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−１６８５６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
携帯電話等の電子機器には、プリント基板（実装基板）上にＣＰＵ（Central Processing Unit)等の半導体装置（半導体パッケージ）が実装されている。この種の半導体装置では、処理速度の高速化や多機能化に伴って消費電力が増加する傾向にあり、動作中の発熱量もこれに比例して急速に増加する傾向にある。
【０００５】
なお、処理速度の高速化や多機能化に対応した半導体装置の一例として、フリップチップ接続タイプのＢＧＡ（Ball Grid Array 、以降、単にＦＣ−ＢＧＡともいう）が知られている。ＦＣ−ＢＧＡの構造は、パッケージ基板である配線基板上にフリップチップ接続によって半導体チップをフェイスダウン実装するものであり、配線基板の裏面に外部接続用端子となる複数のはんだボールがグリッド状に設けられている。
【０００６】
このようなＦＣ−ＢＧＡにおいて、安定した動作を確保するためには、ＦＣ−ＢＧＡの放熱性を高める必要があり、したがって、ヒートシンクのような半導体装置の放熱性能を高めるための放熱部材を半導体装置に設ける構造が必須となる。
【０００７】
ＦＣ−ＢＧＡにヒートシンクを設ける場合、ユーザの仕様でヒートシンクを設ける場合が多いため、予めＦＣ−ＢＧＡ上にヒートシンクを設けることができず、プリント基板にＦＣ−ＢＧＡを実装した後に、ＦＣ−ＢＧＡの上部にヒートシンクを設けることが少なくない。
【０００８】
ところが、近年のＦＣ−ＢＧＡでは、その低コスト化、軽量化あるいは小型化の要求があるため、配線基板やプリント基板も薄くなってきている。したがって、前述のようにプリント基板にＦＣ−ＢＧＡを実装した後、ＦＣ−ＢＧＡの上部にヒートシンクを設ける場合には、放熱部材であるヒートシンクを半導体装置の上部に配置してヒートシンクの上方からＦＣ−ＢＧＡに対して加圧を行ってヒートシンクを取り付けている。
【０００９】
ここで、本願発明者は、ヒートシンクの取り付け時を想定し、１．プリント基板（実装基板）の下面側のＦＣ−ＢＧＡの下部の領域を支持部材によって支持した場合と、２．プリント基板の下面側のＦＣ−ＢＧＡの下部の領域を支持しない場合とで、ＦＣ−ＢＧＡの上方から加圧を行ってＦＣ−ＢＧＡのプリント基板に対する実装状態（外部接続用端子であるはんだボールの接続状態等）の評価を行った。
【００１０】
その結果、１の評価では、パッケージ（ＦＣ−ＢＧＡ）下部が支持部材によって支持されていると、半導体チップを介して荷重がプリント基板に伝わるため、チップ領域に荷重が集中し、チップ下領域のはんだボールが潰れて変形し、ボール同士がショートするという課題を見出した。なお、一般的にチップ下領域のボール電極は、熱サイクルにおいて最大応力が発生する箇所であり、これにより、ボール電極が破壊されてボール電極の寿命が短くなるという課題も元々有している。
【００１１】
また、２の評価では、パッケージ下部が支持部材によって支持されていないため、パッケージ下部でプリント基板（実装基板）が下方に向かって撓む現象が起こり、その結果、プリント基板と配線基板の変形率の違いにより、主に配線基板の外周部に配置されたはんだボールが変形するという課題を見出した。すなわち、配線基板の端部に配置されたはんだボールが変形するという課題を見出した。
【００１２】
以上の種々の課題により、ＦＣ−ＢＧＡ（半導体装置、パッケージ）の実装における信頼性が低下するという課題を見出した。
【００１３】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体装置の実装の信頼性の向上を図ることができる技術を提供することにある。
【００１４】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１６】
代表的な実施の形態による半導体装置の実装構造は、配線基板と前記配線基板上に搭載された半導体チップと前記配線基板の裏面に設けられた複数の外部接続用端子であるボール電極とを有し、かつ前記ボール電極が前記半導体チップの下部と外側の両方の領域に配置されて成る半導体装置と、前記複数のボール電極を介して前記半導体装置が実装される実装基板と、前記半導体チップ上に設けられた放熱部材と、前記実装基板の下面の前記半導体チップの外側の領域に設けられた補強板と、前記放熱部材と前記補強板とに係合して前記半導体チップ上に圧力を掛ける押圧部材と、を有し、前記実装基板の下面の前記半導体チップの外側の領域を前記補強板によって支持した状態で、前記押圧部材によって前記半導体チップ上に圧力が掛けられるものである。
【００１７】
また、代表的な実施の形態による半導体装置の実装方法は、配線基板と前記配線基板上に搭載された半導体チップと前記配線基板の裏面に設けられた複数の外部接続用端子であるボール電極とを有し、かつ前記ボール電極が前記半導体チップの下部と外側の両方の領域に配置されて成る半導体装置の実装方法であって、（ａ）前記半導体装置を実装基板に実装する工程と、（ｂ）前記半導体チップ上に所定の圧力を掛けて放熱部材を前記半導体チップ上に取り付ける工程と、を有し、前記（ｂ）工程において、前記実装基板の下面の前記半導体チップの外側の領域に補強板が設けられた状態で前記半導体チップ上に圧力を掛けるものである。
【発明の効果】
【００１８】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１９】
半導体装置の実装の信頼性の向上を図ることができる。
【００２０】
また、半導体装置の品質を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施の形態１の半導体装置の構造の一例を示す断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置のボール配列の一例を示す裏面図である。
【図３】図１に示す半導体装置の実装構造の一例を示す断面図と平面図である。
【図４】図１に示す半導体装置のヒートシンク取り付け時の加圧状態の一例を示す断面図と平面図である。
【図５】図１に示す半導体装置の実装構造の第１変形例を示す断面図と平面図である。
【図６】図１に示す半導体装置の実装構造の第２変形例を示す断面図と平面図である。
【図７】図１に示す半導体装置の実装構造の第３変形例を示す断面図と平面図である。
【図８】図１に示す半導体装置の実装構造の第４変形例を示す断面図と平面図である。
【図９】図１に示す半導体装置の実装構造の第５変形例を示す断面図と平面図である。
【図１０】図１に示す半導体装置の実装構造の第６変形例を示す断面図と平面図である。
【図１１】図１０に示す構造の効果を示す断面図である。
【図１２】図１に示す半導体装置の実装構造の第７変形例を示す断面図と平面図である。
【図１３】本発明の実施の形態１の第８変形例を示す断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態１の半導体装置の構造の第９変形例を示す断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態１の半導体装置の構造の第１０変形例を示す断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態１の半導体装置の構造の第１１変形例を示す断面図である。
【図１７】本発明の実施の形態２の半導体装置の実装構造の第１２変形例を示す断面図である。
【図１８】本発明の実施の形態２の半導体装置の実装構造の第１３変形例を示す断面図である。
【図１９】本発明の実施の形態２の半導体装置の実装構造の第１４変形例を示す断面図である。
【図２０】図１９に示す実装構造における補強板の構造を示す平面図である。
【図２１】本発明の実施の形態２の半導体装置の実装構造の第１５変形例を示す断面図である。
【図２２】本発明の実施の形態２の半導体装置の実装構造の第１６変形例を示す断面図と平面図である。
【図２３】本発明の実施の形態２の半導体装置の実装構造の第１７変形例を示す断面図である。
【図２４】本発明の実施の形態３の半導体装置の構造の一例を示す断面図である。
【図２５】図２４に示す半導体装置のボール配列の一例を示す裏面図である。
【図２６】図２４に示す半導体装置の実装構造の一例を示す断面図と平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００２３】
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００２４】
また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００２５】
また、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【００２６】
また、以下の実施の形態において、構成要素等について、「Ａからなる」、「Ａよりなる」、「Ａを有する」、「Ａを含む」と言うときは、特にその要素のみである旨明示した場合等を除き、それ以外の要素を排除するものでないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００２７】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２８】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１の半導体装置の構造の一例を示す断面図、図２は図１に示す半導体装置のボール配列の一例を示す裏面図、図３は図１に示す半導体装置の実装構造の一例を示す断面図と平面図、図４は図１に示す半導体装置のヒートシンク取り付け時の加圧状態の一例を示す断面図と平面図である。
【００２９】
本実施の形態１の半導体装置は、図１及び図２に示すように、基板上に半導体チップ４が搭載された半導体パッケージであり、ここでは、前記半導体装置の一例として、フリップチップ接続によって半導体チップ４が基板に搭載されたフリップチップタイプの半導体装置を取り上げ、さらに外部接続用端子がボール電極であるＦＣ−ＢＧＡ（以降、単にＢＧＡ１とも呼ぶ）を取り上げて説明する。
【００３０】
図１及び図２に示すＢＧＡ１の構成について説明すると、主面２ａとその反対側の裏面２ｂとを備えた基板である配線基板２と、配線基板２の主面２ａ上に複数のはんだバンプ５を介して搭載され、かつ半導体集積回路が形成された半導体チップ４と、複数のはんだバンプ５相互の周囲及び半導体チップ４の側面周囲に充填されたアンダーフィル樹脂３と、配線基板２の裏面２ｂに設けられた複数の外部接続用端子であるはんだボール７とを有している。外部接続用端子のボール電極である複数のはんだボール７は、配線基板２の裏面２ｂにおいて、例えば、格子状（グリッド状）に配置されている。
【００３１】
配線基板２は、パッケージ基板もしくはＢＧＡ基板等と呼ばれ、その内部に図示しない配線及びスルーホール配線が設けられており、したがって、半導体チップ４で送受信される電気的信号は、はんだバンプ５や配線基板２の内部の配線やスルーホール配線、及び配線基板２の裏面２ｂのはんだボール７を介して伝達される。
【００３２】
なお、本実施の形態１のＢＧＡ１は、図２に示すように配線基板２の裏面２ｂの全体に亘って外部接続用端子であるはんだボール７が格子状に設けられている。すなわち、はんだボール７が配線基板２の裏面全面に配置されたフルバンプタイプのＢＧＡ１であり、したがって、はんだボール７が半導体チップ４の下部の領域と半導体チップ４の外側の領域との両方の領域に配置されている。
【００３３】
また、半導体チップ４は、複数の表面電極である電極パッド４ｃが形成された主面４ａと、この主面４ａの反対側の裏面４ｂとを有しており、配線基板２とフリップチップ接続によって電気的に接続されている。つまり、半導体チップ４はその複数の電極パッド４ｃにそれぞれ電気的に接続された複数のはんだバンプ５を介して配線基板２と電気的に接続されている。なお、半導体チップ４は、配線基板２にフリップチップ接続で搭載されているため、配線基板２上にフェイスダウン実装されており、配線基板２の主面２ａと半導体チップ４の主面４ａとが対向して配置され、したがって、半導体チップ４の裏面４ｂは上方を向いて露出している。
【００３４】
次に、図３に示す本実施の形態１の半導体装置の実装構造について説明する。
【００３５】
図３に示す実装構造は、図１に示すＢＧＡ１を実装基板であるプリント基板９上に実装したものであり、半導体チップ４上には放熱部材であるヒートシンク８が接合されている構造となっている。
【００３６】
前記実装構造は、詳細には、上面９ａとその反対側の下面９ｂとを有し、かつ複数のはんだボール７を介して上面９ａにＢＧＡ１が実装されるプリント基板９と、半導体チップ４上に設けられたヒートシンク８と、プリント基板９の下面９ｂの半導体チップ４の外側の領域に対応する領域に設けられた補強板６とから成る。
【００３７】
ここで、補強板６は、半導体チップ４の上方から荷重が掛かった際のはんだボール７の変形等を低減するものであり、プリント基板９の下面９ｂの半導体チップ４の外側の領域に対応する領域を補強板６によって支持した状態で、半導体チップ４上に圧力（荷重）が掛けられる。
【００３８】
なお、半導体チップ４の上方から圧力が掛けられる工程の一例として、図４に示すような、半導体チップ４上に放熱部材であるヒートシンク８を取り付ける工程を取り上げて説明する。
【００３９】
ヒートシンク８は、平板状であり、圧力が付与されて半導体チップ４と接合する。圧力は、チップ領域のみに集中するため、ＢＧＡ１の実装構造の高さ方向のバラツキを吸収することができる。さらに、ヒートシンク８は、半導体チップ４の裏面４ｂに熱伝導性が高いシリコーン樹脂１０等の接着材を介して接合されるため、シリコーン樹脂１０の厚さを薄くすることができ、均一性及び密着性も高めることができるとともに、放熱効果も高めることができる。
【００４０】
また、ヒートシンク８は平板状であり、加工が容易であるため、ヒートシンク８のコスト低減化を図ることができる。
【００４１】
図４は、半導体チップ４上にヒートシンク８を取り付ける際のチップ加圧状態を示しており、押圧部材であるクリッパー１１によってヒートシンク８と補強板６とを挟み込むことにより、半導体チップ４上にヒートシンク８が取り付けられる。その際、半導体チップ４の裏面４ｂには荷重（圧力）Ｐが掛かる。この荷重Ｐは、クリッパー１１が嵌め込まれている間は常時半導体チップ４上に付与され、さらに半導体チップ４を介して配線基板２や複数のはんだボール７及びプリント基板９に掛かるが、クリッパー１１を外した際には、図３に示す実装構造となって半導体チップ４に掛かることはなく、半導体チップ４は荷重Ｐから解放される（ヒートシンク８の自重は除く）。
【００４２】
クリッパー１１は、ヒートシンク８と補強板６とに係合して図３に示す構造体を挟み込む押圧部材である。
【００４３】
ここで、補強板６の詳細構造について説明する。本実施の形態１の補強板６は、薄板状の部材であり、図４に示すように枠状に形成されており、したがって、中央に穴部６ａが形成されている。また、補強板６は、例えば、アルミニウムやステンレス鋼等の材料から成る金属板であることが好ましい。例えば、アルミニウム材によって形成することで補強板６のコストの低減化を図ることができる。ただし、金属以外の、例えば硬質の樹脂等によって形成されていてもよい。つまり、プリント基板９より硬い板材であれば、金属材であってもよいし、または金属以外の材料から成るものであってもよい。
【００４４】
なお、本実施の形態１の半導体装置の実装構造では、半導体チップ４上に圧力が掛かった際にプリント基板９の圧力が集中的に掛かる箇所には補強板６を設けないことを特徴としている。すなわち、半導体チップ４上に圧力が付与され際に、半導体チップ４を介してプリント基板９に圧力が掛かる箇所であるチップ下領域９ｃには補強板６を設けないとするものであり、したがって、補強板６は、チップ下領域９ｃを逃げた（避けた）形状となっている。つまり、補強板６は、プリント基板９のチップ下領域９ｃを穴部６ａとして逃げている（開口させている）。
【００４５】
ここで、補強板６の枠状の幅方向の範囲は、まず、内周部（内側）６ｂの位置を、チップ外側で半導体チップ４に最も近い位置のボール電極列から最外周のはんだボール７の位置までの範囲に対応する位置とし、さらに外周部（外側）６ｃの位置を、チップ外側の２列目のボール電極列から配線基板２の外方までの範囲に対応する位置とする。好ましくは、図３に示すように内周部６ｂの位置が、半導体チップ４の外側の領域に配置された複数のはんだボール７のうち半導体チップ４に最も近い位置のはんだボール電極列に対応する位置である。つまり、チップ外側の１番目の列のはんだボール７の位置に対応した位置である。
【００４６】
一方、外周部６ｃの位置は、好ましくは、図３に示すように最外周のはんだボール電極列に対応する位置である。なお、補強板６の枠状の外周部６ｃの位置を最外周のはんだボール電極列に対応する位置とするのは、プリント基板９における荷重Ｐによる圧力を受ける領域が複数のはんだボール７が設けられた領域であるため、その最外周のはんだボール電極列に対応する位置としている。
【００４７】
これにより、プリント基板９上でＢＧＡ１の周囲に実装している他の電子部品（デバイス）に対して荷重Ｐの影響を与えることを低減できる。
【００４８】
次に、本実施の形態１の半導体装置の実装方法について説明する。
【００４９】
まず、図４に示すようにプリント基板９の上面９ａにＢＧＡ（ＦＣ−ＢＧＡ）１を実装する。例えば、はんだリフロー等によってプリント基板９上のＢＧＡ１をはんだ接続する。その際、ＢＧＡ１は、配線基板２と、配線基板２上に搭載された半導体チップ４と、配線基板２の裏面２ｂにグリッド状に設けられた複数のはんだボール７とを有し、かつはんだボール７が半導体チップ４の下部領域とその外側の領域との両方の領域に配置された半導体装置である。
【００５０】
その後、補強板６を所定位置にセットする。ここでは、プリント基板９の下面９ｂの半導体チップ４の外側の領域に補強板６が設けられた状態となるようにプリント基板９の下面９ｂ側に枠状の補強板６をセットする。つまり、プリント基板９の下面９ｂのチップ下領域９ｃは何も支持されていない状態とするとともに、プリント基板９の下面９ｂのチップ下領域９ｃの外側周囲のはんだボール領域は支持した状態となるように枠状の補強板６をプリント基板９の下面９ｂ側にセットする。
【００５１】
その後、半導体チップ４の裏面４ｂ上にシリコーン樹脂１０等の接着材を介して放熱部材であるヒートシンク８を搭載する。
【００５２】
その後、クリッパー１１を両側に嵌め込んで半導体チップ４上に所定の圧力Ｐ（荷重Ｐ）を掛けてヒートシンク８を半導体チップ４上に取り付ける。ここでは、クリッパー１１をヒートシンク８と補強板６とに係合するように両側に嵌め込んで、プリント基板９の下面９ｂの半導体チップ４の外側の領域のみに補強板６が配置されている状態で半導体チップ４上に圧力Ｐを掛けてヒートシンク８を半導体チップ４上に取り付ける（ヒートシンク８と半導体チップ４とを接合する）。
【００５３】
なお、プリント基板９へのＢＧＡ１の搭載完了後、補強板６をセットする際、先にヒートシンク８を半導体チップ４の裏面４ｂ上に搭載してもよい。つまり、プリント基板９にＢＧＡ１を搭載した後、ヒートシンク８を半導体チップ４上に配置し、その後、補強板６をセットしてからクリッパー１１で挟んで圧力Ｐを掛けて半導体チップ４とヒートシンク８を接合してもよい。
【００５４】
また、ヒートシンク８を半導体チップ４上に取り付けた後、クリッパー１１は取り外してもよいし、そのまま挟んだ状態としてもよい。そのまま挟んだ状態とすると、半導体チップ４やプリント基板９には圧力Ｐが常時掛かった状態となる。
【００５５】
本実施の形態１の半導体装置（ＢＧＡ１）の実装構造及び実装方法によれば、プリント基板９の下面９ｂ側のチップ下領域９ｃの外側周囲の領域に補強板６が設けられた状態で半導体チップ４上に圧力Ｐを掛けてヒートシンク８を取り付けることにより、プリント基板９の下面９ｂ側のチップ下領域９ｃは支持されていないため、チップ下部の複数のはんだボール７を介してプリント基板９に掛かる荷重、及び半導体チップ４を介して配線基板（パッケージ基板２）に掛かる荷重をそれぞれ利用して配線基板２とプリント基板９の両者を僅かに撓ませることができる。
【００５６】
その際、補強板６によって支えられている半導体チップ４の下部領域の外側の領域の複数のはんだボール７も荷重を受けることになり、したがって、ヒートシンク８を取り付ける際の半導体チップ４上に掛かる荷重を配線基板２の裏面２ｂ全体に分散させて掛けることができる。
【００５７】
これによって、配線基板２の裏面２ｂに設けられた複数のはんだボール７が変形することを低減できる。特に、配線基板２の端部付近に設けられた複数のはんだボール７では、ボール形状が斜め方向に変形することを低減できる。
【００５８】
一方、半導体チップ４の下部領域に設けられた複数のはんだボール７では、それらはんだボール７が潰れる変形を低減することができる。はんだボール７が潰れる変形を低減できるため、はんだボール７同士の電気的ショートの発生を低減することができる。
【００５９】
また、半導体チップ４の下部領域の複数のはんだボール７にも小さい荷重が掛かることで、この領域の複数のはんだボール７は動きが拘束され、水平方向に動きにくくなる。その結果、熱サイクルにおいて発生する応力が緩和されて破壊しにくくなり、半導体チップ４の下部領域のはんだボール７の長寿命化を図ることができる。
【００６０】
以上により、ＢＧＡ（半導体装置）１の実装の信頼性の向上を図ることができる。
【００６１】
なお、本発明の〔背景技術〕で取り上げた〔先行技術文献〕特開２００１−１６８５６２号公報の図１０及び図１１に記載された補強板の技術は、ヒートシンクを介して圧力が掛かる箇所を補強板によって支持するものであるが、本実施の形態１の補強板６は、プリント基板９に対して圧力が掛かる箇所は支持しないで開放するものであり、前記〔先行技術文献〕とは技術思想が全く異なるものである。
【００６２】
次に本実施の形態１の変形例について説明する。
【００６３】
図５は図１に示す半導体装置の実装構造の第１変形例を示す断面図と平面図、図６は図１に示す半導体装置の実装構造の第２変形例を示す断面図と平面図、図７は図１に示す半導体装置の実装構造の第３変形例を示す断面図と平面図、図８は図１に示す半導体装置の実装構造の第４変形例を示す断面図と平面図、図９は図１に示す半導体装置の実装構造の第５変形例を示す断面図と平面図である。また、図１０は図１に示す半導体装置の実装構造の第６変形例を示す断面図と平面図、図１１は図１０に示す構造の効果を示す断面図、図１２は図１に示す半導体装置の実装構造の第７変形例を示す断面図と平面図、図１３は本発明の実施の形態１の第８変形例を示す断面図である。さらに、図１４は本発明の実施の形態１の半導体装置の構造の第９変形例を示す断面図、図１５は本発明の実施の形態１の半導体装置の構造の第１０変形例を示す断面図、図１６は本発明の実施の形態１の半導体装置の構造の第１１変形例を示す断面図である。
【００６４】
図５〜図９に示す変形例は、補強板６の枠形状についてその内周部６ｂあるいは外周部６ｃの位置を種々変更したものである。
【００６５】
まず、図５に示す第１変形例は、図３の補強板６の形状に対して外周部６ｃの位置（最外周のはんだボール列の位置）は変えることなく、内周部６ｂの位置のみを外周部６ｃに近づけて穴部６ａの大きさを大きくしたものである。
【００６６】
また、図６に示す第２変形例は、図３の補強板６の形状に対して内周部６ｂの位置（チップ外側で、かつチップに最も近いはんだボール列の位置）は変えることなく、外周部６ｃの位置のみを内周部６ｂに近づけて枠の幅を最小限としたものである。この場合の枠の幅は、はんだボール７の１つ分程度となる。なお、枠形状を最小幅とする場合には、はんだボール７が搭載される配線基板２の裏面２ｂの電極であるボールパッドにおける単位面積当たりに受ける圧力が、７．４６（ｋｇｆ／ｍｍ2 ）以下になるようにすることが好ましい。
【００６７】
これは、例えば、５６０ピンのＢＧＡ１で３０ｋｇｆの荷重を付与する評価を行ったところ、中央部の位置のはんだボール７が単位面積当たりに７．４６（ｋｇｆ／ｍｍ2 ）の圧力を受けていることが分かり、その際、長期温度サイクル評価後、中央部のはんだボール７は圧力による過度な変形で隣接ショート不良となる一方、配線基板２も過度に撓む変形が発生し、外周部（端部）のはんだボール７は引っ張られ、オープン破壊に至ることを見出した。したがって、配線基板２のはんだボール７が接続されるボールパッドの単位面積当たりに受ける圧力が、７．４６（ｋｇｆ／ｍｍ2 ）以下になるようにすることで、はんだボール７及び配線基板２の過度な変形が緩和され、はんだボール７のショート及び破壊が起こりにくくなり、はんだボール７の寿命を長くすることができる。
【００６８】
また、図７に示す第３変形例は、図３の補強板６の形状に対して内周部６ｂの位置（チップ外側で、かつチップに最も近いはんだボール列の位置）は変えることなく、外周部６ｃの位置のみをプリント基板９の外方まで延在させて枠形状を大きくしたものである。
【００６９】
また、図８に示す第４変形例は、図７の第３変形例の補強板６の形状に対して外周部６ｃの位置をプリント基板９の外方で同じ位置とし、一方、内周部６ｂの位置を最外周から内側に向かって３列目のはんだボール列の位置とするものである。
【００７０】
また、図９に示す第５変形例は、図７の第３変形例の補強板６の形状に対して外周部６ｃの位置をプリント基板９の外方で同じ位置とし、一方、内周部６ｂの位置を最外周のはんだボール列の位置とするものである。
【００７１】
図５〜図９に示す変形例の補強板６を用いても、本実施の形態１の図３に示す補強板６の場合と同様の効果を得ることが可能である。
【００７２】
次に、図１０及び図１１に示す第６変形例は、プリント基板９と補強板６の間に弾性部材であるゴムシート１２が介在されているものである。すなわち、プリント基板９の下面９ｂと補強板６の間に弾性部材であるゴムシート１２を介在させるものである。
【００７３】
これは、プリント基板９と補強板６の剛性の差で、荷重によって発生した曲げ変形量は両者異なる可能性があり、この変形量差の起因で、プリント基板９は補強板６との接触面積が減少し、荷重が局部に集中してプリント基板９にダメージを与える可能性がある。したがって、プリント基板９と補強板６の間にゴムシート１２を介在させて、両者の変形量の差を吸収し、図１１に示すように荷重Ｐが補強板６の全面に掛かるようにし、局部に集中して掛かることを防止できる。
【００７４】
これにより、荷重Ｐによってプリント基板９に掛かるダメージを低減できる。
【００７５】
なお、ゴムシート１２の大きさは、例えば、補強板６とほぼ同じでよい。
【００７６】
次に、図１２及び図１３の変形例は、放熱部材の変形例を示すものである。図１２の第７変形例は、フィン付きヒートシンク（放熱部材）１３が取り付けられたＢＧＡ１であり、フィンを有しているため、放熱効果をさらに高めることができる。
【００７７】
また、図１３の第８変形例は、中央部に段差部を備えた段差付きヒートシンク（放熱部材）１４を示すものである。この段差付きヒートシンク１４を用いることで、実装上高さ調整が必要な場合でもスペーサを用いることがなく、段差付きヒートシンク１４のみを取り付けるだけで済む。
【００７８】
次に、図１４〜図１６に示す変形例は、半導体装置をタイプ分けしたものである。まず、図１４に示す第９変形例は、半導体チップ４上にヒートスプレッダ１５を搭載したＢＧＡ１ａである。すなわち、ＢＧＡ１ａは、露出した半導体チップ４の裏面４ｂに熱伝導接着材１６を介してヒートスプレッダ１５を搭載したものであり、ＢＧＡ１と同様に、半導体チップ４がフリップチップ接続によって配線基板２と電気的に接続された構造のフリップチップタイプのＢＧＡ１ａである。
【００７９】
なお、熱伝導接着材１６は、例えば、シリコーン系の樹脂やシート材等である。ＢＧＡ１ａは、ヒートスプレッダ１５を備えている分、ヒートスプレッダ１５から熱を放出できるため、ＢＧＡ１に比較して放熱性が高い。
【００８０】
次に、図１５に示す第１０変形例は、熱伝導接着材１６を介して半導体チップ４上に搭載したヒートスプレッダ１５を配線基板２上の周縁部に設けたサポートリング１７によって支持する構造のフリップチップタイプのＢＧＡ１ｂであり、サポートリング１７がヒートスプレッダ１５と配線基板２とに接触している。したがって、半導体チップ４から熱伝導接着材１６を介してヒートスプレッダ１５に伝わった熱を、サポートリング１７を介して配線基板２に放つことができ、図１４のＢＧＡ１ａに比較してさらに放熱性を高めることができる。
【００８１】
次に、図１６に示す第１１変形例は、樹脂封止形のワイヤボンディングタイプのＢＧＡ１ｃであり、半導体チップ４は、フェイスアップ実装で配線基板２に搭載され、かつその裏面４ｂがダイボンド材１８を介して配線基板２と接合されている。また、半導体チップ４はその電極パッド４ｃが金線等のワイヤ１９を介して配線基板２と電気的に接続されている。また、半導体チップ４や複数のワイヤ１９は、例えば、熱硬化性の樹脂によって形成された封止体２０によって樹脂封止されている。
【００８２】
図１４〜図１６に示す変形例のＢＧＡ１ａ，１ｂ，１ｃにおいても、本実施の形態１の半導体装置の実装構造及び実装方法に適用可能であり、ＢＧＡ１の場合と同様の効果を得ることができる。
【００８３】
（実施の形態２）
図１７は本発明の実施の形態２の半導体装置の実装構造の第１２変形例を示す断面図、図１８は本発明の実施の形態２の半導体装置の実装構造の第１３変形例を示す断面図、図１９は本発明の実施の形態２の半導体装置の実装構造の第１４変形例を示す断面図、図２０は図１９に示す実装構造における補強板の構造を示す平面図である。また、図２１は本発明の実施の形態２の半導体装置の実装構造の第１５変形例を示す断面図、図２２は本発明の実施の形態２の半導体装置の実装構造の第１６変形例を示す断面図と平面図、図２３は本発明の実施の形態２の半導体装置の実装構造の第１７変形例を示す断面図である。
【００８４】
本実施の形態２は、実施の形態１で説明したＢＧＡ１の実装構造の変形例を説明するものである。まず、図１７に示す第１２変形例は、プリント基板９上に実装されたＢＧＡ１に対して、半導体チップ４上にシリコーン樹脂１０を介してヒートシンク８を搭載するとともに、このヒートシンク８と、携帯電話やカーナビゲーション装置等の電子機器の筐体（ハウジング）２２との間にプリント基板９及びＢＧＡ１を挟み込み、ヒートシンク８と筐体２２とを押圧部材であるネジ部材２１によってネジ固定するものである。その際、プリント基板９と筐体２２との間に枠状の補強板６が設けられている。また、前記電子機器の筐体２２の壁をヒートシンク代わりとして利用することでＢＧＡ１の実装構造の小型化を図ることができる。
【００８５】
この実装構造においても、ネジ部材２１によってヒートシンク８が筐体２２にネジ固定されているため、半導体チップ４にはその裏面４ｂに荷重Ｐが常時付与されており、プリント基板９の下面９ｂ側に枠状の補強板６が設けられたことにより、実施の形態１のＢＧＡ１の実装構造と同様の効果を得ることができる。さらに、半導体チップ４からヒートシンク８に伝わった熱をネジ部材２１を介して筐体２２に伝えることができるため、ＢＧＡ１の放熱性をさらに高めることができる。なお、筐体２２の代わりとして、ヒートシンク８を用いてもよく、その場合には、上側のヒートシンク８と下側のヒートシンク８とをネジ部材２１によってネジ固定する構造となる。
【００８６】
次に、図１８に示す第１３変形例は、プリント基板９上に実装されたＢＧＡ１に対して、半導体チップ４上にシリコーン樹脂１０を介してヒートシンク８を搭載するとともに、このヒートシンク８とプリント基板９の下面９ｂ側に設けられた枠状の補強板６とを押圧部材であるクリッパー１１ａによって挟み込んで固定したものである。クリッパー１１ａは、コ字状で、かつ弾性を有する部材であれば良く、バネ等であってもよい。
【００８７】
この場合にも、クリッパー１１ａによってヒートシンク８が補強板６との間で挟み込まれているため、半導体チップ４にはその裏面４ｂに荷重Ｐが常時付与されており、プリント基板９の下面９ｂ側に枠状の補強板６が設けられたことにより、実施の形態１のＢＧＡ１の実装構造と同様の効果を得ることができる。
【００８８】
次に、図１９及び図２０に示す第１４変形例は、枠状の補強板６の４つのコーナー部に支持部６ｄが設けられ、かつそれぞれの支持部６ｄに貫通孔６ｅが形成されて、この貫通孔６ｅにクリッパー（押圧部材）２３の一端を係合させることで、ヒートシンク８との間で挟持する実装構造である。
【００８９】
すなわち、プリント基板９上に実装されたＢＧＡ１の半導体チップ４上にシリコーン樹脂１０等を介してヒートシンク８が搭載され、このヒートシンク８とプリント基板９の下面９ｂ側に設けられた枠状の補強板６とを、クリッパー２３によって挟み込み、これにより、プリント基板９及びＢＧＡ１が挟持されている。
【００９０】
その際、クリッパー２３は弾性を有する部材であるとともに、略Ｌ字形を成し、その一端が補強板６の支持部６ｄの貫通孔６ｅに係合することで、プリント基板９及びＢＧＡ１を挟み込んで固定している。
【００９１】
この場合にも、クリッパー２３によってヒートシンク８が補強板６との間で挟み込まれているため、半導体チップ４にはその裏面４ｂに荷重Ｐが常時付与されており、プリント基板９の下面９ｂ側に枠状の補強板６が設けられたことにより、実施の形態１のＢＧＡ１の実装構造と同様の効果を得ることができる。
【００９２】
次に、図２１に示す第１５変形例は、プリント基板９の下面９ｂ側に設ける補強板６の代わりとして、バネ部材（弾性体）２４を設けた実装構造である。すなわち、補強板６の代わりとして、プリント基板９と筐体２２（またはヒートシンク８でもよい）との間にバネ部材２４を設けるものである。この場合、バネ部材２４は、ＢＧＡ１の高さ方向に弾性力が作用する部材であれば、補強板６と同様に枠状のものであってもよいし、分散して配置可能な個片のものであってもよい。
【００９３】
図２１の第１５変形例の構造においても、プリント基板９上に実装されたＢＧＡ１に対して、半導体チップ４上にシリコーン樹脂１０を介してヒートシンク８を搭載するとともに、このヒートシンク８と電子機器の筐体（ハウジング）２２等との間にプリント基板９及びＢＧＡ１を挟み込み、ヒートシンク８と筐体２２とを側板２５で固定し、かつ側板２５とヒートシンク８、及び側板２５と筐体２２とをそれぞれ押圧部材であるネジ部材２１ａによってネジ固定するものである。
【００９４】
この時、ネジ部材２１ａによってヒートシンク８と側板２５、及び側板２５と筐体２２とがそれぞれネジ固定されており、かつヒートシンク８と筐体２２の間にプリント基板９やＢＧＡ１がバネ部材２４を介在させた状態で挟み込まれているため、半導体チップ４にはその裏面４ｂに荷重Ｐが常時付与される。
【００９５】
なお、プリント基板９の下面９ｂ側に複数のバネ部材２４が設けられたことにより、実施の形態１のＢＧＡ１の実装構造と同様の効果を得ることができる。さらに、半導体チップ４からヒートシンク８に伝わった熱をネジ部材２１ａ及び側板２５を介して筐体２２に伝えることができるため、ＢＧＡ１の放熱性をさらに高めることができる。なお、筐体２２の代わりとして、ヒートシンク８を用いてもよい。
【００９６】
また、補強板６の代わりとしてプリント基板９の下面９ｂ側にＢＧＡ１の高さ方向に弾性力が作用するバネ部材２４を設けたことにより、ＢＧＡ１の実装後の高さ（Ｔ）のばらつきを補正できるとともに、半導体チップ４とヒートシンク８を密着させることができる。
【００９７】
次に、図２２に示す第１６変形例は、補強板６の外周部６ｃの大きさをプリント基板９の外周部と同じにした構造のものであり、補強板６の両端に貫通孔６ｅを設けて押圧部材であるネジ部材２６とナット２７とによって、ヒートシンク８とプリント基板９と補強板６とをネジ固定するものである。
【００９８】
この構造においても、ネジ部材２６とナット２７によってヒートシンク８が補強板６との間で挟み込まれているため、半導体チップ４にはその裏面４ｂに荷重Ｐが常時付与されており、プリント基板９の下面９ｂ側に枠状の補強板６が設けられたことにより、実施の形態１のＢＧＡ１の実装構造と同様の効果を得ることができる。
【００９９】
次に、図２３に示す第１７変形例は、プリント基板９上に実装されたＢＧＡ１を、その半導体チップ４上に搭載されたヒートシンク８と、プリント基板９の下面９ｂ側に配置した枠状の補強板６とによって挟持する実装構造において、ヒートシンク８と補強板６とに係合するネジ部材２６及びナット２７によってネジ固定しており、さらに、ＢＧＡ１の配線基板２と放熱部材であるヒートシンク８との間に複数のバネ部材（弾性体）２８が設けられ、これら複数のバネ部材２８が半導体チップ４の周囲に分散して配置されている。
【０１００】
この構造においても、ネジ部材２６とナット２７によってヒートシンク８が補強板６との間で挟み込まれているため、半導体チップ４にはその裏面４ｂに荷重Ｐが常時付与されており、プリント基板９の下面９ｂ側に枠状の補強板６が設けられたことにより、実施の形態１のＢＧＡ１の実装構造と同様の効果を得ることができる。
【０１０１】
さらに、複数のバネ部材２８が半導体チップ４の周囲に分散して配置されていることにより、配線基板２を介してプリント基板９に掛かる荷重を分散して低減し、その結果、プリント基板９の厚さが薄い場合にも、プリント基板９に与えるダメージを低減することができる。
【０１０２】
また、この構造においてヒートシンク８への荷重Ｐの大きさをバネ部材２８の弾性力より大きく設定することにより、ヒートシンク８と半導体チップ４の密着性を高めることができる。さらに、ヒートシンク８との接着面積が小さい（半導体チップ４が小さいサイズ）ＢＧＡ１の場合には、半導体チップ４の周囲に複数のバネ部材２８が分散して配置されていることで、ヒートシンク８の取り付けバランスを向上できるとともに、ヒートシンク８の平坦度を確保することができる。
【０１０３】
（実施の形態３）
図２４は本発明の実施の形態３の半導体装置の構造の一例を示す断面図、図２５は図２４に示す半導体装置のボール配列の一例を示す裏面図、図２６は図２４に示す半導体装置
の実装構造の一例を示す断面図と平面図である。
【０１０４】
本実施の形態３は、変形例のＢＧＡ構造とその実装構造を説明するものである。図２４及び図２５に示す半導体装置は、実施の形態１及び２のＢＧＡ１と同様に、フリップチップ接続タイプのＢＧＡ型の半導体装置であるが、図２５に示すように、外部接続用端子であるはんだボール７の配置方法がフルバンプタイプではなく、チップ下部の領域と外周部の領域の間にははんだボール７を配置せずに間引いたＢＧＡ２９である。
【０１０５】
すなわち、ＢＧＡ２９は、配線基板２の裏面２ｂの中央部と外周部とに分けてそれぞれグリッド状に複数のはんだボール７を備えているものである。
【０１０６】
なお、ＢＧＡ２９のようなはんだボール７の間引き配列は、図１４〜図１６に示す変形例のＢＧＡ１ａ，１ｂ，１ｃにおいても適用可能である。
【０１０７】
図２６はＢＧＡ２９の実装構造を示すものであり、実装基板であるプリント基板９上に実装された半導体チップ４上に放熱部材であるヒートシンク８がシリコーン樹脂１０等を介して接合されており、プリント基板９の下面９ｂの半導体チップ４の外側の領域に対応する領域に設けられた枠状の補強板６とを備えている。
【０１０８】
なお、補強板６は、半導体チップ４の上方から荷重が掛かった際のはんだボール７の変形等を低減するものであり、プリント基板９の下面９ｂの半導体チップ４の外側の領域に対応する領域を補強板６によって支持した状態で、半導体チップ４上に圧力（荷重）が掛けられる。
【０１０９】
本実施の形態３の実装構造においても、ヒートシンク８を取り付ける際に、半導体チップ４の裏面４ｂにヒートシンク８を介して荷重が付与された時、プリント基板９の下面９ｂ側に枠状の補強板６が設けられていることにより、実施の形態１のＢＧＡ１の実装構造と同様の効果を得ることができる。
【０１１０】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１１１】
例えば、前記実施の形態１〜３では、補強板６が枠状の場合を取り上げて説明したが、補強板６は、必ずしも枠状でなくてもよい。すなわち、実装基板であるプリント基板９のチップ下領域９ｃに相当する箇所が開口しており、かつ前記チップ下領域９ｃの外側の周囲の領域に相当する箇所が支持可能形状となっていれば、枠状以外の形状であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１１２】
本発明は、電子装置の実装方法に好適である。
【符号の説明】
【０１１３】
１，１ａ，１ｂ，１ｃ ＢＧＡ（半導体装置）
２ 配線基板
２ａ 主面
２ｂ 裏面
３ アンダーフィル樹脂
４ 半導体チップ
４ａ 主面
４ｂ 裏面
４ｃ 電極パッド
５ はんだバンプ
６ 補強板
６ａ 穴部
６ｂ 内周部
６ｃ 外周部
６ｄ 支持部
６ｅ 貫通孔
７ はんだボール（外部接続用端子、ボール電極）
８ ヒートシンク（放熱部材）
９ プリント基板（実装基板）
９ａ 上面
９ｂ 下面
９ｃ チップ下領域
１０ シリコーン樹脂
１１，１１ａ クリッパー（押圧部材）
１２ ゴムシート（弾性部材）
１３ フィン付きヒートシンク（放熱部材）
１４ 段差付きヒートシンク（放熱部材）
１５ ヒートスプレッダ
１６ 熱伝導接着材
１７ サポートリング
１８ ダイボンド材
１９ ワイヤ
２０ 封止体
２１，２１ａ ネジ部材（押圧部材）
２２ 筐体
２３ クリッパー（押圧部材）
２４ バネ部材（補強板）
２５ 側板
２６ ネジ部材（押圧部材）
２７ ナット
２８ バネ部材（弾性体）
２９ ＢＧＡ（半導体装置）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と前記配線基板上に搭載された半導体チップと前記配線基板の裏面に設けられた複数の外部接続用端子であるボール電極とを有し、かつ前記ボール電極が前記半導体チップの下部と外側の両方の領域に配置されて成る半導体装置と、
前記複数のボール電極を介して前記半導体装置が実装される実装基板と、
前記半導体チップ上に設けられた放熱部材と、
前記実装基板の下面の前記半導体チップの外側の領域に設けられた補強板と、
前記放熱部材と前記補強板とに係合して前記半導体チップ上に圧力を掛ける押圧部材と、
を有し、
前記実装基板の下面の前記半導体チップの外側の領域を前記補強板によって支持した状態で、前記押圧部材によって前記半導体チップ上に圧力が掛けられることを特徴とする半導体装置の実装構造。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の実装構造において、前記補強板は、枠状に形成されていることを特徴とする半導体装置の実装構造。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の実装構造において、前記枠状の前記補強板の内周部の位置は、前記半導体チップの外側の領域に配置された前記複数のボール電極のうち前記半導体チップに最も近い位置のボール電極列に対応する位置であることを特徴とする半導体装置の実装構造。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置の実装構造において、前記補強板は、金属板であることを特徴とする半導体装置の実装構造。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置の実装構造において、前記実装基板と前記補強板との間に弾性部材が介在されていることを特徴とする半導体装置の実装構造。
【請求項６】
配線基板と前記配線基板上に搭載された半導体チップと前記配線基板の裏面に設けられた複数の外部接続用端子であるボール電極とを有し、かつ前記ボール電極が前記半導体チップの下部と外側の両方の領域に配置されて成る半導体装置の実装方法であって、
（ａ）前記半導体装置を実装基板に実装する工程と、
（ｂ）前記半導体チップ上に所定の圧力を掛けて放熱部材を前記半導体チップ上に取り付ける工程と、
を有し、
前記（ｂ）工程において、前記実装基板の下面の前記半導体チップの外側の領域に補強板が設けられた状態で前記半導体チップ上に圧力を掛けることを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置の実装方法において、前記半導体装置は、前記配線基板の前記裏面の全面にグリッド状に複数の前記ボール電極を備えていることを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項８】
請求項６記載の半導体装置の実装方法において、前記半導体装置は、前記配線基板の前記裏面の中央部と外周部とに分けてそれぞれグリッド状に複数の前記ボール電極を備えていることを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項９】
請求項６記載の半導体装置の実装方法において、前記補強板は、枠状を成していることを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置の実装方法において、前記枠状の前記補強板の内周部の位置は、前記半導体チップの外側の領域に配置された前記複数のボール電極のうち前記半導体チップに最も近い位置のボール電極列に対応する位置であることを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体装置の実装方法において、前記枠状の前記補強板の外周部の位置は、最外周のボール電極列に対応する位置であることを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項１２】
請求項６記載の半導体装置の実装方法において、前記補強板は、金属板であることを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項１３】
請求項６記載の半導体装置の実装方法において、前記実装基板と前記補強板との間に弾性部材を介在させることを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項１４】
請求項６記載の半導体装置の実装方法において、前記半導体チップは、前記配線基板にフリップチップ接続していることを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項１５】
請求項６記載の半導体装置の実装方法において、前記ボール電極は、はんだボールであることを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項１６】
請求項６記載の半導体装置の実装方法において、前記配線基板と前記放熱部材との間に複数の弾性体を設け、前記複数の弾性体を前記半導体チップの周囲に分散して配置することを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項１】
配線基板と前記配線基板上に搭載された半導体チップと前記配線基板の裏面に設けられた複数の外部接続用端子であるボール電極とを有し、かつ前記ボール電極が前記半導体チップの下部と外側の両方の領域に配置されて成る半導体装置と、
前記複数のボール電極を介して前記半導体装置が実装される実装基板と、
前記半導体チップ上に設けられた放熱部材と、
前記実装基板の下面の前記半導体チップの外側の領域に設けられた補強板と、
前記放熱部材と前記補強板とに係合して前記半導体チップ上に圧力を掛ける押圧部材と、
を有し、
前記実装基板の下面の前記半導体チップの外側の領域を前記補強板によって支持した状態で、前記押圧部材によって前記半導体チップ上に圧力が掛けられることを特徴とする半導体装置の実装構造。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の実装構造において、前記補強板は、枠状に形成されていることを特徴とする半導体装置の実装構造。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の実装構造において、前記枠状の前記補強板の内周部の位置は、前記半導体チップの外側の領域に配置された前記複数のボール電極のうち前記半導体チップに最も近い位置のボール電極列に対応する位置であることを特徴とする半導体装置の実装構造。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置の実装構造において、前記補強板は、金属板であることを特徴とする半導体装置の実装構造。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置の実装構造において、前記実装基板と前記補強板との間に弾性部材が介在されていることを特徴とする半導体装置の実装構造。
【請求項６】
配線基板と前記配線基板上に搭載された半導体チップと前記配線基板の裏面に設けられた複数の外部接続用端子であるボール電極とを有し、かつ前記ボール電極が前記半導体チップの下部と外側の両方の領域に配置されて成る半導体装置の実装方法であって、
（ａ）前記半導体装置を実装基板に実装する工程と、
（ｂ）前記半導体チップ上に所定の圧力を掛けて放熱部材を前記半導体チップ上に取り付ける工程と、
を有し、
前記（ｂ）工程において、前記実装基板の下面の前記半導体チップの外側の領域に補強板が設けられた状態で前記半導体チップ上に圧力を掛けることを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置の実装方法において、前記半導体装置は、前記配線基板の前記裏面の全面にグリッド状に複数の前記ボール電極を備えていることを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項８】
請求項６記載の半導体装置の実装方法において、前記半導体装置は、前記配線基板の前記裏面の中央部と外周部とに分けてそれぞれグリッド状に複数の前記ボール電極を備えていることを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項９】
請求項６記載の半導体装置の実装方法において、前記補強板は、枠状を成していることを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置の実装方法において、前記枠状の前記補強板の内周部の位置は、前記半導体チップの外側の領域に配置された前記複数のボール電極のうち前記半導体チップに最も近い位置のボール電極列に対応する位置であることを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体装置の実装方法において、前記枠状の前記補強板の外周部の位置は、最外周のボール電極列に対応する位置であることを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項１２】
請求項６記載の半導体装置の実装方法において、前記補強板は、金属板であることを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項１３】
請求項６記載の半導体装置の実装方法において、前記実装基板と前記補強板との間に弾性部材を介在させることを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項１４】
請求項６記載の半導体装置の実装方法において、前記半導体チップは、前記配線基板にフリップチップ接続していることを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項１５】
請求項６記載の半導体装置の実装方法において、前記ボール電極は、はんだボールであることを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項１６】
請求項６記載の半導体装置の実装方法において、前記配線基板と前記放熱部材との間に複数の弾性体を設け、前記複数の弾性体を前記半導体チップの周囲に分散して配置することを特徴とする半導体装置の実装方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【公開番号】特開２０１１−１９８８１０（Ｐ２０１１−１９８８１０Ａ）
【公開日】平成２３年１０月６日（２０１１．１０．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−６０９０７（Ｐ２０１０−６０９０７）
【出願日】平成２２年３月１７日（２０１０．３．１７）
【出願人】（３０２０６２９３１）ルネサスエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１０月６日（２０１１．１０．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年３月１７日（２０１０．３．１７）
【出願人】（３０２０６２９３１）ルネサスエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
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