【課題】ガラス基板上に膜を効率よく形成することができる加熱装置およびこれを具備した膜形成装置を提供する。
【解決手段】支持台２６上に載置されたガラス基板２４の表面２５に、このガラス基板の軟化点温度よりも高い高温ガスを垂直に吹き付ける加熱装置を有し、高温ガスとともに加熱分解して膜堆積を発生する堆積用ガス４３を前記ガラス基板の表面に同時に吹き付ける膜形成装置である。 （もっと読む）

【課題】バウの制御のためだけでなく、ＳｉＧｅエピタキシャル層の品質を改善するために、特にＳｉ基板上に堆積されたＳｉＧｅ層のクロスハッチ及び表面ラフネスを低減するために、背面層によって形成された応力を用いる適切な解決策を提供すること。
【解決手段】第１の面及び第２の面を有する基板１０、前記基板の第１の面に堆積された完全に又は部分的に緩和されたヘテロエピタキシャル層２０、及び前記基板の第２の面に堆積された応力相殺層３０を有する、半導体ウェハ。 （もっと読む）

【課題】 超格子／量子井戸構造体を含むセグメント化された半導体ナノワイヤ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 セグメント化された半導体ナノワイヤは、テンプレートなしに、２つ又はそれ以上の半導体材料の層状構造体から材料を除去することによって製造する。除去は、層状構造体の表面上のいくつかの場所で起こり、優先的に結晶軸の方向に沿って進行するので、除去が殆どまたは全く生じなかった場所に、セグメント化された構造体を有するナノワイヤが残る。異なるセグメント間の界面は、ナノワイヤの長手方向に対して垂直であるか又はある角度をなしている。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ系基板上に結晶性の良いＳｉ系単結晶をエピタキシャル成長させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、酸化物からなる部材を備えたＳｉを主成分とする半導体基板の表面をＳｉおよびＧｅのうちの少なくともいずれか１つを含むハロゲン含有ガスに曝す工程と、前記半導体基板の前記表面をハロゲン含有ガスに曝し始めた後、前記表面をハロゲンを含まないＳｉ含有ガスおよびハロゲンを含まないＧｅ含有ガスのうち少なくともいずれか１つを含む雰囲気に曝し、前記表面にＳｉおよびＧｅのうち少なくともいずれか１つを含む結晶膜をエピタキシャル成長させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ｐ型ＭＯＳＦＥＴ領域とｎ型ＭＯＳＦＥＴ領域とで、選択的にシリコン・ゲルマニウム層を形成する。
【解決手段】シリコン層のｐウェル上に第１導電層が形成され、シリコン層のｎウェル上に第２導電層が形成される。ｐウェルおよびｎウェルの両方にフッ素イオンが注入される。ｐウェルおよびｎウェルの両方が水酸化アンモニウムおよび過酸化物に晒される。シリコン層上にボロン添加されたシリコン・ゲルマニウム層をエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】ベース・エミッタをエピタキシャル成長により形成するバイポーラトランジスタにおいて、真性ベースを薄くして遮断周波数を向上すると同時に、厚い外部ベースを形成することでベース抵抗を低減する。
【解決手段】具体例を述べれば、ベース層をエピタキシャル成長した後に、低温アニールを行うことで、開口部周辺部分のシリコン・ゲルマニウム層に凸部ができるように変形させ、真性ベースのキャリア走行時間を増大させずにベース抵抗を低減する。 （もっと読む）

【課題】バッチ式の反応炉を用いた場合でも、安定した特性を得ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】供給ラインに原料ガスを流し始める（ステップＳ２）。供給ラインからＭＦＣを通過した原料ガスは排気ラインに流れ、炉内供給ラインには流れない。その後、ＭＦＣを流れる原料ガスの流量が安定したかを判定する（ステップＳ３）。例えば、流量の変動幅が所定の範囲内に収まっているか判定する。流量が安定すると、バルブＶ１を開くと共に、バルブＶ２を閉じる（ステップＳ４）。この結果、供給ラインからＭＦＣを通過した原料ガスは排気ラインに流れなくなり、炉内供給ラインに流れるようになる。続いて、所定時間が経過したかを判定する（ステップＳ５）。この所定時間は、形成しようとしているＳｉＧｅ層の成長に必要とされる時間である。所定時間が経過すると、バルブＶ１を閉じると共に、バルブＶ２を開く（ステップＳ６）。 （もっと読む）

【課題】異種材料基材上において、界面及び膜中の結晶性の高い微結晶半導体膜の形成方法を提案する。また、結晶性の高い微結晶半導体膜を有する薄膜トランジスタの作製方法を提案する。また、結晶性の高い微結晶半導体膜を有する光電変換装置の作製方法を提案する。
【解決手段】被膜上に、密度が高く、且つ結晶性の高い結晶核を形成した後、結晶核から半導体の結晶粒を結晶成長させて、被膜との界面における結晶性、隣接する結晶粒の密着性、及び結晶粒の結晶性、それぞれを高めた微結晶半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】高い変換効率を有する光電変換装置を、生産性を向上させて製造する方法を提供する。
【解決手段】減圧環境とされる製膜室内に設置された基板を加熱手段によって加熱した状態にし、前記製膜室内に原料ガスを供給し、前記基板に対向して配置された放電電極に対して給電することにより前記基板へ結晶質シリコンからなるｎ層を製膜するｎ層形成工程を含む光電変換装置の製造方法であって、前記ｎ層形成工程が、前記製膜室内の圧力を５００Ｐａ以上１０００Ｐａ以下、かつ、前記基板と前記放電電極との距離を６ｍｍ以上１２ｍｍ以下に設定して前記ｎ層を製膜する工程である光電変換装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】大口径にすることも可能な単結晶を基板として使用する、ＧａＮ層を含む積層基板及びその製造方法並びに基板を用いたデバイスを提供する。
【解決手段】（１１１）シリコン基板３上に化学気相堆積法によりゲルマニウム層７をヘテロエピタキシャル成長させるゲルマニウム成長工程、得られたシリコン基板３上のゲルマニウム層７を７００〜９００℃の温度範囲内で熱処理を行う熱処理工程、及び、引き続いてゲルマニウム層７上にＧａＮ層９をヘテロエピタキシャル成長させるＧａＮ成長工程、を含むＧａＮ層含有積層基板１の製造方法、及びこの製造方法により得られるＧａＮ層含有積層基板１、並びに基板１を用いて製造されたデバイス。 （もっと読む）

ワークピース通路（１２）に近い電極の半分（６１）上のＲＦ駆動点（５１−５２，５５−５６）に結合されるＲＦ電力のレベルが、電極の他の半分（６２）上のＲＦ駆動点（５３−５４）（もしあれば）に結合されるＲＦ電力のレベルを越えるように、プラズマチャンバの電極（２０−２８）上の１つ以上のＲＦ駆動点（５０−６０）へＲＦ電極が結合される。或いは又、駆動点位置の重み付けされた平均が電極の中心（６０）とワークピース通路との間に来るようにプラズマチャンバの電極上の１つ以上のＲＦ駆動点へＲＦ電極が結合される。重み付けされた平均は、各駆動点位置をその駆動点位置へ結合されるＲＦ電力の時間平均化レベルにより重み付けすることに基づく。本発明は、通路に最も近い電極の端付近に生じるプラズマ密度の増加を相殺する。 （もっと読む）

【課題】 不揮発性メモリデバイスのようなデバイス、及び統合プロセスツールにおいてデバイスを形成する方法の提供。
【解決手段】 トンネル酸化物層を基板上に堆積させるステップと、トンネル酸化物層をプラズマに曝し、その結果、プラズマがトンネル酸化物の表面と近傍表面の形態を変化させ、プラズマ変化した近傍表面を形成するステップと、を含む。その後、トンネル酸化物の変化した近傍表面上にナノ結晶を堆積させる （もっと読む）

【課題】微結晶膜を形成する結晶粒間の横方向の結合強度を向上させる。
【解決手段】シリコン基板Ｇ上にゲート酸化膜１０を形成後、２．０ｅＶの電子温度以下の高電子密度プラズマにより微結晶シリコン膜を形成する第１の工程と、２．０ｅＶの電子温度より高い電子温度の高電子密度プラズマを用いて超微結晶シリコン膜を形成する第２の工程と、を繰り返し成膜する。これにより、微結晶シリコン膜と超微結晶シリコン膜とが積層された積層膜２０が形成される。前記方法により、積層膜２０を活性層として機能させるｎチャネル薄膜トランジスタおよびｐチャネル薄膜トランジスタの少なくともいずれかを製造することができる。 （もっと読む）

【課題】製造する半導体装置の特性バラツキが低減されたクリーンルームを提供する。
【解決手段】真空チャンバーの外側から大気成分の酸素ガスや窒素ガスが、真空チャンバー内に侵入しないように、半導体膜に悪影響を与えないガスで充満させた部屋に真空チャンバーを設置する。半導体膜に悪影響を与えないガスは希ガスまたは水素である。部屋内の製造装置周辺の酸素濃度、窒素濃度、および水分濃度は、極力少なくなるようなクリーンルーム構成とする。 （もっと読む）

【課題】良好な品質を有する微結晶半導体膜の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】成膜初期に形成される微結晶半導体膜の品質を向上するため、成膜速度は低いが品質のよい成膜条件で下地絶縁膜界面付近の微結晶半導体膜を形成し、その後、連続的もしくは段階的に高く変えた成膜速度にて微結晶半導体膜を堆積する。また、前記微結晶半導体膜は、成膜室の内側に空間をもって設けられた反応室内にて化学気相成長法にて形成され、さらに前記空間に水素、あるいは希ガスからなる封止ガスを導入し、反応室の内部を超高真空にすることを助け、下地絶縁膜界面付近の微結晶半導体膜中の不純物を低いものとする。また、前記微結晶半導体膜をゲート絶縁膜上に形成し、ボトムゲートＴＦＴを作製する。 （もっと読む）

【課題】反応管が傾斜した場合にも、ガスノズル、温度検出器の貫通部に無用な荷重が作用しない基板処理装置を提供する。
【解決手段】反応管４７と、基板保持具３５と、処理ガスを供給するガスノズル５４と、基板を加熱する加熱手段と、温度検出器１０２と、排気手段とを備え、前記ガスノズル、前記温度検出器は、前記反応管内への挿入部分であり基板の主面に対して平行な第１の部位５４ｂ，１０２ｂと、該第１の部位から前記反応管の内壁面に沿って基板の積層方向に延出する第２の部位５４ａ，１０２ａとを有し、前記ガスノズル、前記温度検出器それぞれは細管支持部材５５，１１２によって支持され、該細管支持部材はそれぞれ第１支持部と第２支持部とを有し、前記第１支持部は前記第１の部位に当接し、前記第２支持部は前記第２の部位と平行であると共に少なくとも三方で前記第２の部位に嵌合して該第２の部位を支持する。 （もっと読む）

【課題】電気特性が優れた薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置を提案する。
【解決手段】ゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成され、ドナーとなる不純物元素を含む微結晶半導体膜と、ドナーとなる不純物元素を含む微結晶半導体膜上に形成されるバッファ層と、バッファ層上に形成される一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜と、一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜上に形成される配線とを有し、微結晶半導体膜におけるドナーとなる不純物元素の濃度は、ゲート絶縁膜側から前記バッファ層にかけて減少し、バッファ層は、ＳＩＭＳの検出限界より多くのドナーとなる不純物元素を含まない薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】排気手段内の汚染物質が処理室内へ逆拡散（逆流）することを抑制する基板処理装置を提供する。
【解決手段】減圧下で基板を処理する処理室２０１と、処理室２０１内に所望のガスを供給するガス供給手段２３２と、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気手段２３１と、ガス供給手段２３２に設けられる第１のバルブ１７７等と、排気手段に設けられる第２のバルブ２４２と、処理室２０１内の圧力を検知する圧力検知手段と、第１のバルブ１７７等、第２のバルブ２４２、及び圧力検知手段をそれぞれ制御する制御手段２４０と、を有し、制御手段２４０は、第１のバルブ１７７等を開けて処理室２０１内に不活性ガスを供給しつつ、第２のバルブ２４２を開けて処理室２０１内の雰囲気を排気し、所定時間の経過後に圧力検知手段にて検知した圧力が所定の基準圧力未満であればリーク無と判定し、検知した圧力が所定の基準圧力以上であればリーク有と判定する。 （もっと読む）

【課題】歪み技術を適用した半導体装置のシリサイド化に起因したリーク電流の発生を抑制する。
【解決手段】半導体基板２の素子分離領域３で画定された素子領域２０上に、ゲート絶縁膜５を介してゲート電極６を形成し、そのゲート電極６の両側の素子領域２０内に、エクステンション領域８およびソース・ドレイン領域９を形成すると共に、半導体基板２と格子定数の異なる半導体層１０を素子分離領域３の少なくとも一部と離間して形成する。これにより、シリサイド層１１の形成を行った場合にも、素子分離領域３の近傍でのスパイクの形成が抑えられ、そのようなスパイクに起因したリーク電流の発生が抑えられるようになる。 （もっと読む）

【課題】排ガスの処理速度の低下を抑え、吸着剤の寿命を従来よりも長くしてその本来の処理能力に近づけることができる排ガス処理装置を提供する。
【解決手段】排ガス中の有毒ガス成分を除去して排ガスを無害化する排ガス処理装置５０である。この装置５０は、有毒ガス成分を吸着する吸着剤Ｃ１〜Ｃｍ及び吸着剤Ｃ１〜Ｃｍを保持するメッシュ部Ｄ１〜Ｄｍをそれぞれ備えた複数の吸着剤収容部Ａ１〜Ａｍと、排ガスを複数の吸着剤収容部Ａ１〜Ａｍにそれぞれ独立して導入する排ガス導入部２０と、吸着剤収容部Ａ１〜Ａｍを通過した排ガスを外部に向けて排出するガス排出部３０とを備えている。 （もっと読む）