【課題】基板の裏面への成膜を抑制しつつ複数枚の基板の表面に所望の膜を一括で形成する。
【解決手段】内部で基板２００を処理する反応容器２０２と、上面を露出させた水平な状態で基板２００を凹部に収納する導電性材料であって板状に形成された支持体２１８と、少なくとも前記支持体２１８を複数段、水平に保持する支持体保持体２１７と、前記反応容器内で少なくとも前記支持体保持体２１７に保持された前記支持体２１８を誘導加熱する誘導加熱装置２０６と、を有する。これにより、基板２００の裏面への成膜を抑制しつつ複数枚の基板２００の表面に所望の膜を一括で形成する。 （もっと読む）

【課題】 表面に凹部を有する対象物について、空孔を生じることなく速やかに成膜することが可能な技術を提供することを目的としている。
【解決手段】 本発明の装置は、表面に凹部を有する対象物に成膜する装置である。その装置は、対象物を収容する密閉容器と、密閉容器に原料ガスを導入するガス導入口と、密閉容器内の原料ガスを液化する液化手段と、密閉容器内の対象物を加熱する加熱手段とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ガスノズルの水平部とガス排気口を同一面方向に設けた場合でも、基板に対する処理ガスの接触時間を増加させ、基板に成膜される膜厚の均一性を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板１５を所定の間隔で収容する処理室８と、該処理室内に基板を処理するガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内のガスを排気するガス排気手段とを具備し、前記ガス供給手段はガスノズル１１を有し、該ガスノズルは水平部と円弧状部と垂直部から構成され、前記水平部は前記ガス排気手段に隣接した箇所から前記処理室内に貫通され、前記円弧状部は前記ガス排気手段から遠ざかる様に前記処理室の内壁に沿って水平面内に円弧状に延在され、前記垂直部は前記処理室の内壁に沿って垂直に設けた。 （もっと読む）

水素化シリコン系半導体合金は、１０^１６ｃｍ^−３未満の欠陥密度を有する。その合金は、水素化シリコン合金または水素化シリコンゲルマニウム合金を含み得る。合金の水素含有量は、一般に１５％未満であり、或る例では１１％未満である。その合金を組入れたタンデム光発電装置は、低いレベルの光劣化を示す。或る例では、その材料は高速ＶＨＦ堆積プロセスで作製される。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ系基板上に結晶性の良いＳｉ系結晶またはＧｅ系結晶をエピタキシャル成長させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、水素ガス雰囲気中において、圧力が第１の圧力であり、温度が第１の温度である条件下で、シリコン窒化物からなる部材を備えたＳｉ系基板の前記部材に覆われていない領域の自然酸化膜および付着したシリコン窒化物を除去する工程と、水素ガス雰囲気中において、圧力を前記第１の圧力に保持したまま、温度を前記第１の温度から第２の温度に下げる工程と、水素ガス雰囲気中において、温度を前記第２の温度に保持したまま、圧力を前記第１の圧力から第２の圧力に下げる工程と、圧力を前記第２の圧力に下げた後、水素ガス、およびＳｉおよびＧｅのうちの少なくともいずれか１つを含む前駆体ガス雰囲気中において、前記Ｓｉ系基板の表面にＳｉおよびＧｅのうちの少なくともいずれか１つを含む結晶をエピタキシャル成長させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体層に形成したリセスにモフォロジの良好な別の半導体層をエピタキシャル成長させる。
【解決手段】Ｓｉ基板上にゲート絶縁膜、ゲート電極及びサイドウォールスペーサを形成した後（ステップＳ１，Ｓ２）、そのＳｉ基板のソース・ドレイン領域を形成する部分に、ドライエッチングで第１リセスを形成する（ステップＳ３）。そして、ドライエッチングによってエッチングダメージが生じた第１リセスの表層部をウェットエッチングで除去することによって第２リセスを形成した後（ステップＳ４）、第２リセスにＳｉＧｅ層をエピタキシャル成長させる（ステップＳ５，Ｓ６）。これにより、Ｓｉ基板に形成したリセスに、モフォロジの良好なＳｉＧｅ層を形成することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】ドライクリーニングにおいてガス供給管の破損を防ぎ、メンテナンス効率を高めるようにする。
【解決手段】ウエハ２００を処理室２０１内に搬入する工程と、ガス供給管１６５，１６６，１６７に原料ガスを供給して処理室２０１内に原料ガスを導入し、基板２００にシリコン又はシリコン化合物の膜を形成する工程と、処理室２０１内から基板を搬出する工程と、処理室２０１内を加熱する加熱工程と、加熱工程後に処理室２０１内の温度を低下させる降温工程と、降温工程後にガス供給管１６５，１６６，１６７にクリーニングガスを供給して処理室２０１内にクリーニングガスを導入するクリーニングガス導入工程と、を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】最高占有分子軌道(HOMO)と最低非占有分子軌道(LUMO)のエネルギーギャップE_HLの開いた遷移金属内包シリコンクラスターを単位構造とする金属珪素化合物薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】遷移金属原子の周りを、７個以上１６個以下のシリコン原子が取り囲む遷移金属内包シリコンクラスターを単位構造とし、遷移金属原子の第１及び第２近接原子にシリコンが配置されている遷移金属とシリコンの化合物を、レーザーアブレーション法によって上記遷移金属原子をモノシランガス中に放出し、上記遷移金属原子とモノシランの気相反応によって、上記遷移金属内包シリコンクラスターを合成する。 （もっと読む）

【課題】ゲート間のピッチが狭い場合における短チャネル効果の劣化を抑制する。
【解決手段】基板上に、第１ゲートと、第１ゲートに隣接する第２ゲートを形成する工程、第１ゲートの側壁に第１サイドウォールを、第２ゲートの側壁に第２サイドウォールを形成する工程、第１ゲート、第１サイドウォール、第２ゲート、第２サイドウォールをマスクとして、基板に第１不純物の注入を行う工程、全面に絶縁膜を堆積した後、絶縁膜をエッチングして、第１サイドウォールの側面に第３サイドウォールを、第２サイドウォールの側面に第４サイドウォールを、第１ゲートと第２ゲートの間において第３サイドウォールと第４サイドウォールとが接触するように形成する工程、第１ゲート、第１及び第３サイドウォール、第２ゲート、第２及び第４サイドウォールをマスクとして、基板に第２不純物の注入を行う工程、第３及び第４サイドウォールを除去する工程、を有する。 （もっと読む）

【課題】選択エピタキシャル成長を用いて基板上に半導体膜を選択的に形成する際に、半導体膜の形状制御が可能で、かつ、再現性・安定性の高い成膜手法を提供する。
【解決手段】基板３００の表面に露出したシリコン表面にシリコン系の堆積膜を選択成長させる基板処理方法において、基板を処理室２０１内に搬入する工程と、前記処理室２０１内の圧力を制御する第１の圧力制御工程と、前記処理室２０１内に少なくともシラン含有ガス、又は、シラン含有ガス及びゲルマン含有ガスを供給して前記基板３００に堆積膜を成長させる工程と、前記処理室２０１内の圧力を制御する第２の圧力制御工程と、前記処理室２０１内に少なくともエッチングガスを供給して表面に露出したシリコン表面以外の部分をエッチングする工程と、を有する基板処理方法である。 （もっと読む）

静止する基板上または連続する基板上に薄膜材料を高速蒸着するための方法および装置を提供する。この方法は、あらかじめ選択された前駆体中間生成物を蒸着チャンバへと供給することと、中間生成物から薄膜材料を形成することと、を含む。中間生成物は、蒸着チャンバの外部で形成され、自由ラジカル等の準安定化学種を含む。中間生成物は、低い欠陥濃度を有する薄膜材料の形成に貢献する準安定化学種を含むよう、あらかじめ選択される。低欠陥濃度の材料を形成することにより、蒸着速度と材料品質の関係は分断され、先例のない蒸着速度が達成される。１つの実施形態において、好適な前駆体中間生成物はＳｉＨ３である。この方法は、あらかじめ選択された中間生成物とキャリアガスとを、好ましくは不活性化状態において、混合することを含む。キャリアガスは、薄膜材料を蒸着するために、好適な中間生成物の基板への送給を導く。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、レーザなどの紫外光源を用いたプロセスによりｓｐ^３−結合性ＢＮ多形（ｓｐ^３−結合性ｎＨ−ＢＮ；ｎ＝２以上の自然数）薄膜でかつ半導体特性を持つものを作製することを可能にする新たな手法、得られる材料、及びその電子デバイスへの応用に関するものである。
【解決手段】
発明１の半導体材料は、前記薄膜がＢＮはｓｐ^３−結合性ｎＨ−ＢＮ（ｎは２以上の自然数）であることを特徴とするものであり、発明２は、発明１の半導体材料の製造方法であって、半導体基板にアモルファスＢＮ薄膜が形成してある前駆体の薄膜方面に紫外光を照射して、前記薄膜をｓｐ^３−結合性ｎＨ−ＢＮ（ｎは２以上の自然数）に変性することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】膜中での欠陥形成と高次シランの混入の少ない高品質なシリコンなどの薄膜を形成可能なプラズマＣＶＤ装置、及びそれを用いたシリコン系薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置は、チャンバー１と、該チャンバー１内部を減圧下に保つ排気装置２と、複数のガス供給孔５及び複数の排気孔６を備えた第１の電極３と、該第１の電極３に高周波を印加する高周波電源７と、該第１の電極３と対向して設置され、第１の電極３と略平行に基板１０を保持し、該基板１０を均一に加熱する機構９を備えた第２の電極４と、該第１の電極３と該第２の電極４の間で、第１の電極３のガス供給孔５から第２の電極４に向かうガス直進流路を遮断する位置に配置された障害物１１と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】 ドーパントの活性化率の高いシリコンゲルマニウム膜を成膜するにあたり、シリコンゲルマニウム膜のマイグレーションを抑えること。
【解決手段】 反応容器内に処理ガスを供給すると共に処理雰囲気の温度を所定の温度に設定して基板上にシリコンゲルマニウム膜を成膜する工程（Ｐ４）と、次いで反応容器内に水素ガスを供給してシリコンゲルマニウム膜をアニールする工程（Ｐ５）と、その後、反応容器内を真空排気し続いてパージガスによりパージする工程を１回行うかまたは複数回繰り返す工程（Ｐ６）と、しかる後に基板を反応容器内から搬出する工程（Ｐ７）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】緩和III−Ｖ族またはII−VI族マテリアルオンインシュレータの製造方法の提供。
【解決手段】緩和Ｓｉ１−ｙＧｅｙ層１０４を有する半導体構造の形成プロセスは、第１の基板上へのグレーデッドＳｉ１−ｘＧｅｘバッファ層１０２の堆積であって、前記Ｇｅ濃度ｘはゼロから値ｙまで増加するものである堆積、緩和Ｓｉ１−ｙＧｅｙ層１０４の堆積、前記緩和Ｓｉ１−ｙＧｅｙ層１０４中にイオンを導入して第１のヘテロ構造を規定、前記第１のヘテロ構造を第２の基板１０８に接合して第２のヘテロ構造を規定、および前記導入されたイオンの領域での前記第２のヘテロ構造の分割であって、前記緩和Ｓｉ１−ｙＧｅｙ層１０４の表層部分は前記第２の基板上１０８に残るものである分割を含む。 （もっと読む）

核種を歪み半導体層の中に導入する方法であって、露出した歪み半導体層を含む第１領域を備えた基板を用意し、該基板を反応チャンバの中に投入するステップと、少なくとも露出した歪み半導体層の上に、気相堆積（ＶＰＤ）によって等方性の第１核種含有層を形成するステップと、続いて、第１熱処理を実施し、これにより第１核種含有層から第１核種の少なくとも一部を歪み半導体層の中に拡散し、歪み半導体層の中に拡散した第１核種の少なくとも一部を活性化するステップとを含む。
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光ルミネセンス撮像を使用して半導体薄膜の堆積処理及び／又は事後堆積処理を監視するための方法および装置が提供される。光ルミネセンス画像は、半導体膜の１つ以上の特性および該膜にわたる特性の変化を決定するために解析される。これらの特性は堆積プロセスに関する情報を推定するために使用され、その後、前記情報を使用して、堆積プロセス条件およびその後の処理ステップの条件を調整することができる。方法および装置は、薄膜に基づく太陽電池に対して特定の用途を有する。
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水素ガス及びハロゲン含有ガスを含む混合ガスを使用して、複数の成長段階同士の間にＣＶＤ反応チャンバを洗い流すことによって、エピタキシャル成長工程の間のメモリ効果を低減する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】耐圧性が高く反りが小さい半導体電子デバイスを提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成された、前記基板よりも格子定数が小さく熱膨張係数が大きい窒化物系化合物半導体からなる第一半導体層と該第一半導体層よりも格子定数が小さく前記基板よりも熱膨張係数が大きい窒化物系化合物半導体からなる第二半導体層とが交互に積層した２層以上の複合層を有するバッファ層と、前記基板と前記バッファ層との間に形成された、前記第一半導体層よりも格子定数が小さく前記基板よりも熱膨張係数が大きい窒化物系化合物半導体からなる介在層と、前記バッファ層上に形成された、窒化物系化合物半導体からなる半導体動作層と、を備え、前記バッファ層において、前記第一半導体層の層厚が不均一であるとともに、該第一半導体層のうち少なくとも一つが、前記基板に対して発生させる反りの方向が反転する臨界厚さよりも厚い層厚を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、補助基板上に緩和エピタキシャルベース層を得ることを含む、エピタキシャル成長のための基板の作製方法に関する。本発明の目的は、望ましい格子パラメータを有する材料が、異なる格子パラメータを有する別の材料の上で、より効率的に、熱力学的及び結晶学的に高い安定性を有してエピタキシャル成長することを可能にする基板を作ることにある。
【解決手段】この目的は、上記のタイプの方法であって、エピタキシャルベース層の少なくとも一部をキャリア基板上に移してベース基板を形成することと；エピタキシャルベース層の材料をキャリア基板上でさらに成長させることとをさらに含む方法により達成される。 （もっと読む）