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Fターム[5F045AB17]の内容

気相成長(金属層を除く) (114,827) | 成長層の組成 (12,584) | 3−5族 (4,971) | 3元混晶 (1,276)

Fターム[5F045AB17]に分類される特許

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【課題】GaNを用いた縦型の電界効果トランジスタにおいて、素子の作製にコストの上昇を招くことなく、ドレイン電流密度を大きくできるようにする。
【解決手段】GaNからなるチャネル層101と、GaNより大きなバンドギャップエネルギーを有してアルミニウムを含む窒化物半導体から構成されてチャネル層101の一方の面に形成された障壁層102を備える。ここで、チャネル層101の一方の面は、N極性面とされ、他方の面はIII族極性面とされていればよい。また、チャネル層101の他方の面に形成されたドレイン電極103と、ドレイン電極103に対向して障壁層102の上に形成されたゲート電極104と、ゲート電極104と離間して障壁層102の上に形成されたソース電極105とを備える。 (もっと読む)


【課題】LEDまたはSiCデバイスのコスト低減のために、GaN、AlNまたはSiCバファー膜を大量に堆積できる装置、及び、GaNまたはSiCエピタキシャル層のストレスの低減法、基板形成方法を提供する。
【解決手段】縦型ホットウォールタイプのクリーニング用プラズマ手段つき、減圧CVDおよびリモートプラズマCVD装置によりデバイスのコストを低減する。基板のデバイス形成領域の周辺に深い溝を形成することで、GaNまたはSiCエピタキシャル層のストレスを低減する。さらに基板表面を異方性、等方性パターンをエッチングにより形成する基板形成する。LEDデバイス基板に関しては、その表面にSiO2パターンを形成し、マイクロチャネルエピタキシーによって良好なエピタキシャル膜を形成し、欠陥の少ない良好な膜を得るようにする。 (もっと読む)


【課題】電子移動度を低下させることなく、電子密度を高くできる高電子移動度トランジスタを提供する。
【解決手段】Si基板100上に形成されたバッファ層10と、バッファ層10上に形成されたGaN層11と、GaN層11上に形成されたAlGaN層12と、AlGaN層12内に形成されると共に、互いに間隔をあけて形成されたソース電極13とドレイン電極14と、AlGaN層12上かつソース電極13とドレイン電極14との間に形成されたゲート電極15と、ソース電極13とドレイン電極14およびゲート電極15が形成されたAlGaN層12の一部を覆うように形成された絶縁膜16とを備える。上記絶縁膜16中にCsの原子が2×1013cm−2以上存在する。 (もっと読む)


【課題】閾値電圧を制度良く制御することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板10上に、窒化物半導体からなるチャネル層14と、チャネル層14よりもバンドギャップエネルギーの大きい第1窒化物半導体層16と、を順次形成する工程と、第1窒化物半導体層16上であって、ゲート電極26を形成すべき領域にダミーゲートを形成する工程と、ダミーゲートを形成した後、第1窒化物半導体層16上のダミーゲート以外の領域に、チャネル層14のバンドギャップエネルギー以上の大きさのバンドギャップエネルギーを有する第2窒化物半導体層18を再成長する工程と、ダミーゲートを除去した後、ダミーゲートを除去した領域の第1窒化物半導体層16上にゲート電極26を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】高電子移動度トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高電子移動度トランジスタ(HEMT)及びその製造方法に係り、該高電子移動度トランジスタは、基板と、基板から離隔された位置に備わった高電子移動度トランジスタ積層物と、基板と高電子移動度トランジスタ積層物との間に位置した疑似絶縁層と、を含み、該疑似絶縁層は、異なる相の少なくとも2つの物質を含む。前記異なる相の少なくとも2つの物質は、固体物質と非固体物質とを含む。前記固体物質は、半導体物質であり、前記非固体物質は、空気である。 (もっと読む)


【課題】ノーマリオフ動作を実現しながら良好な伝導性能を得ることができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板1と、基板1上方に形成された電子走行層3及び電子供給層5と、電子供給層5上方に形成されたゲート電極11g、ソース電極11s及びドレイン電極11dと、電子供給層5とゲート電極11gとの間に形成されたp型半導体層8と、電子供給層5とp型半導体層8との間に形成され、電子供給層5よりもバンドギャップが大きい正孔障壁層6と、が設けられている。 (もっと読む)


【課題】 ベアリングによる回転機構を介して複数の基板ホルダーを回転自在に保持するサセプタを内蔵する気相成長装置の構成部品の洗浄装置であって、気相成長後の基板ホルダー、サセプタ等の気相成長装置構成部品に付着する付着物あるいは堆積物を効率よく除去する洗浄装置及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】 サセプタ及び基板ホルダーの収納部、サセプタを回転させる手段及び/または基板ホルダーを回転させる手段、ヒータ、洗浄ガス導入部、及び洗浄ガス排出部を備えてなる洗浄装置とする。また、この洗浄装置に、気相成長に使用した後の、基板ホルダーを保持したサセプタを収納し、サセプタ及び/または基板ホルダーを回転させるとともに、洗浄ガスを導入して、気相成長の際に付着した付着物あるいは堆積物を除去する。 (もっと読む)


【課題】動作特性に優れた窒化物半導体発光素子を容易に得られる窒化物半導体基板を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体基板101は、基板110の主面上に形成された複数の成長阻害領域となるマスク膜120と、基板の主面におけるマスク膜から露出する領域の上に形成された複数の第1の窒化物半導体層111と、各第1の窒化物半導体層111の側面上にのみ成長により形成された複数の第2の窒化物半導体層112と、複数の第1の窒化物半導体層111及び複数の第2の窒化物半導体層112を覆うように成長により形成された第3の窒化物半導体層113とを有している。複数の第2の窒化物半導体層は、成長阻害領域の上において互いに隣り合う半導体層同士が接合しておらず、第3の窒化物半導体層は、第2の窒化物半導体層同士が互いに隣り合う領域において接合している。 (もっと読む)


【課題】格子整合したバッファ層、及び高い平坦性を有する接合界面を得ることが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、n−GaNからなる基板10と、基板10上に設けられ、InAl1−xN(0.15≦x≦0.2)からなる第1バッファ層12と、第1バッファ層12上に設けられ、厚さ1nm以上10nm以下のAlNからなるスペーサ層14と、スペーサ層14上に設けられ、GaNからなるチャネル層16と、チャネル層16上に設けられ、窒化物半導体からなる電子供給層18と、を具備する半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】ドレイン−ソース間のリーク電流が少なく、かつ、ノーマリーオフの半導体装置を提供する。
【解決手段】基板11の上に形成された不純物元素を含む第1の半導体層13と、第1の半導体層13の上に形成された第2の半導体層16と、第2の半導体層16の上に形成された第3の半導体層17と、第3の半導体層17の上に形成されたゲート電極21、ソース電極22及びドレイン電極23と、を有し、第2の半導体層16において、ゲート電極21の直下には、第1の半導体層13と接し、第1の半導体層13に含まれる不純物元素が拡散している不純物拡散領域15が形成されており、不純物元素は、不純物拡散領域がp型となる元素であることを特徴とする半導体装置。 (もっと読む)


【課題】電流コラプスを抑制しながらノーマリオフ動作を実現することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板1と、基板1上方に形成された化合物半導体積層構造7と、化合物半導体積層構造上方に形成されたゲート電極11g、ソース電極11s及びドレイン電極11dと、が設けられている。化合物半導体積層構造7には、電子走行層3と、電子走行層3上方に形成された電子供給層5を含む窒化物半導体層と、が設けられている。窒化物半導体層の表面のIn組成は、平面視でゲート電極11gとソース電極11sとの間に位置する領域及びゲート電極11gとドレイン電極11dとの間に位置する領域において、ゲート電極11gの下方よりも低くなっている。 (もっと読む)


【課題】成長時間を短縮してスループットを向上することが可能なトランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板2上に、電子供給層6,10及びチャネル層8を有する高電子移動度トランジスタ構造層3を形成する工程と、高電子移動度トランジスタ構造層3上に、コレクタ層14、ベース層15、エミッタ層16及びノンアロイ層18を有するヘテロバイポーラトランジスタ構造層4を形成する工程と、を有するトランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法において、ヘテロバイポーラトランジスタ構造層4を、気相成長法により成長温度400℃以上600℃以下で、かつ、一定の成長温度で成長するようにした。 (もっと読む)


【課題】リーク特性のばらつき幅を低減可能な、窒化物電子デバイスを作製する方法を提供する。
【解決手段】テトラメチルアンモニウムヒドロキシドを含む第1溶液を用いた処理を行って半導体積層53bに第1処理面65fを処理装置10dで形成する。第1溶液による処理温度は、摂氏50度以上摂氏100度以下である。第1溶液の濃度は5パーセント以上であり、50パーセント以下である。第1処理工程に引き続き第2処理工程を行う。第2処理工程では、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド処理の後に、フッ化水素酸及び過酸化水素を含む第2溶液を用いた処理を半導体積層53bに行って半導体積層53bに第2処理面65gを処理装置10eで形成する。第2処理工程の後において、半導体積層53bの処理面65gのドナー性不純物の濃度は5×1017cm−3以下である。 (もっと読む)


【課題】電子走行層にFeが入り込むことを抑制し、半導体層等にクラックの発生が抑制される電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】基板11の上に形成された半導体材料に高抵抗となる不純物元素がドープされた高抵抗層14と、高抵抗層14の上に形成された多層中間層15と、多層中間層15の上に半導体材料により形成された電子走行層16と、電子走行層の上に半導体材料により形成された電子供給層17と、を有し、多層中間層15は、GaN層とAlN層とが交互に積層された多層膜により形成されていることを特徴とする半導体装置。 (もっと読む)


【課題】耐圧をより向上することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板1と、基板1の上方に形成された化合物半導体積層構造8と、基板1と化合物半導体積層構造8との間に形成された非晶質性絶縁膜2と、が設けられている。 (もっと読む)


【課題】オン抵抗を増加させることなく、ノーマリーオフとなる半導体装置を提供する。
【解決手段】基板11の上に、第1の半導体層14、第2の半導体層15及びp型の不純物元素が含まれている半導体キャップ層16を順次形成する工程と、前記半導体キャップ層を形成した後、開口部を有する誘電体層21を形成する工程と、前記開口部において露出している前記半導体キャップ層の上に、p型の不純物元素が含まれている第3の半導体層17を形成する工程と、前記第3の半導体層の上にゲート電極31を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体デバイス用の半導体積層構造を成長させるために改善されたバッファ層構造を有する基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層を成長させるためのバッファ層構造を有する基板であって、Si単結晶基板の(111)主面に形成された窒化ケイ素層を有し、この窒化ケイ素層上に順次積層されたAl層とAlN結晶層またはAlGaN結晶層とを有し、AlN結晶層またはAlGaN結晶層の表面は(0001)の面方位とIII族元素極性の表面を有している。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板上に形成したクラックおよび転位が少ない高品位の窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施態様によれば、シリコン基板上に下地層と積層中間層と機能層とが形成された後に、前記シリコン基板が除去された窒化物半導体素子が提供される。前記窒化物半導体素子は、前記下地層と、前記積層中間層と、前記積層中間層と、を備える。前記下地層は、AlNバッファ層とGaN下地層とを含む。前記積層中間層は、前記下地層と前記機能層との間に設けられる。前記積層中間層は、AlN中間層と、AlGaN中間層と、GaN中間層と、を含む。前記AlGaN中間層は、前記AlN中間層に接する第1ステップ層を含む。前記第1ステップ層におけるAl組成比は、前記AlN中間層から前記第1ステップ層に向かう方向において、ステップ状に減少している。 (もっと読む)


【課題】耐圧が高く、かつ、リーク電流が効果的に低減された窒化物半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ベース基板210と、ベース基板の上方に形成されたバッファ層280と、バッファ層280上に形成された活性層290と、活性層の上方に形成された少なくとも2つの電極292および294とを備え、バッファ層280は格子定数の異なる複数の窒化物半導体層を含む複合層を1層以上有し、複合層の少なくとも1層は、複数の窒化物半導体層のうち格子定数が最も大きい窒化物半導体層のキャリア領域に予め定められた濃度の炭素原子及び予め定められた濃度の酸素原子が意図的にドープされている窒化物半導体素子。 (もっと読む)


【課題】基板上に効率よく三族窒化物半導体の膜を生成し、かつ生成膜の均一性を向上させる。
【解決手段】窒化物半導体結晶成長装置100は、窒素含有ガス供給口8と三族金属含有ガス供給口9と、窒素含有ガス6を分解して活性種を生成する触媒材料1と、を備えており、触媒材料1は、窒素含有ガス供給口8の内部等に設けられており、窒素含有ガス供給口8および三族金属含有ガス供給口9は、何れも基板面に正対している。 (もっと読む)


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