【課題】絶縁性酸化物の量産性を高めこと、また、そのような絶縁性酸化物を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与すること、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】亜鉛のように４００〜７００℃で加熱した際にガリウムよりも揮発しやすい材料を酸化ガリウムに添加したターゲットを用いて、ＤＣスパッタリング、パルスＤＣスパッタリング等の大きな基板に適用できる量産性の高いスパッタリング方法で成膜し、これを４００〜７００℃で加熱することにより、添加された材料を膜の表面近傍に偏析させる。膜のその他の部分は添加された材料の濃度が低下し、十分な絶縁性を呈するため、半導体装置のゲート絶縁物等に利用できる。 （もっと読む）

【課題】基板に吸着したガスに含まれる不純物を効果的に除去しつつ基板処理することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板を処理室内へ搬入する搬入工程と、前記処理室内へ搬入された基板に、第１のガスを吸着させる第１ガス供給工程と、前記第１ガス供給工程の後、前記処理室内から第１のガスを排気する第１ガス排気工程と、前記第１ガス排気工程の後、前記基板に付着した第１のガスを、分解機構により分解する第１分解工程と、前記第１分解工程の後、前記処理室内へ第２のガスを供給しつつ、前記分解機構により第２のガスを分解する第２ガス供給工程と、前記第２ガス供給工程の後、前記基板を処理室内から搬出する搬出工程とから、基板処理方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】成膜反応を極めて短時間で停止させ、オーバーシュートを抑制する。
【解決手段】基板１０が収容される第１のチャンバー３と、成膜原料が混合された超臨界状態の媒体を第１のチャンバー３へ供給する供給ラインと、第１のチャンバー３内において基板１０を保持するステージ９と、第１のチャンバー３内の圧力を、前記媒体の臨界圧力よりも低い圧力に減圧させるための第２のチャンバー４と、第１のチャンバー３と第２のチャンバー４とを接続する配管７ａと、配管７ａに設けられたバルブ７ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを高温アニールするような場合であっても、低熱容量で且つ均一加熱が可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置において、平行平板電極２、３と、これら電極間に高周波電圧を印加し放電させる高周波電源６と、これら電極間に配置される被加熱試料１の温度を計測する温度計測手段１７と、これら電極間へのガス導入手段１０と、これら電極の周囲を覆う反射鏡１３と、高周波電源６の出力を制御する制御部１８を備える。これら電極間での放電によるガス加熱を用いて被加熱試料１の熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】カーボン基材またはＳｉ含浸ＳｉＣ基材の基板支持具表面に形成された高純度ＳｉＣ膜の、処理室クリーニング時におけるエッチングを抑制し、処理室内や基板の汚染を回避する。
【解決手段】基板支持具の表面にＳｉ含有層を形成する工程と、減圧下で酸素含有ガスと水素含有ガスとを用いて前記Ｓｉ含有層をＳｉＯ層に変化させる工程と、を交互に繰り返すことにより基板支持具の表面にＳｉＯ膜を形成する工程Ｓ１，Ｓ２と、表面にＳｉＯ膜が形成された基板支持具により基板を支持した状態で基板上に薄膜を形成する工程Ｓ４と、基板支持具に付着した堆積物をフッ素含有ガスを用いて除去する工程Ｓ５と、その後に再度、基板支持具の表面にＳｉ含有層を形成する工程と、減圧下で酸素含有ガスと水素含有ガスとを用いてＳｉ含有層をＳｉＯ層に変化させる工程と、を交互に繰り返すことにより基板支持具の表面にＳｉＯ膜を形成する工程Ｓ６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 基板に対する原料ガスの供給を促し、基板上に形成される薄膜の成膜速度や膜厚均一性を向上させる。
【解決手段】 基板を収容した処理容器内に原料ガスを供給し排気管より排気する工程と、処理容器内に原料ガスとは異なる反応ガスを供給し排気管より排気する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを１回以上行うことで、基板上に所定膜厚の薄膜を形成する工程を有し、原料ガスを供給する工程では、原料ガスを供給する直前に、排気管に設けられたバルブを一時的にフルクローズして排気管を一時的に閉塞する。 （もっと読む）

【課題】 低コストで必要な仕事関数及び耐酸化性を有する金属膜を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 表面に金属膜が形成された基板を処理容器内に搬入する工程と、処理容器内に原料ガスと酸化源とを供給し排気することで、基板の表面に形成された金属膜上に所定膜厚の金属酸化膜を形成する処理を行う工程と、処理済基板を処理容器内から搬出する工程と、を有し、処理を行う工程では、酸化源としてオゾンガス、酸素ガスまたはプラズマにより活性化された酸素ガスを用い、所定膜厚の金属酸化膜を形成する過程において形成される金属酸化膜越しに、酸化源に含まれる酸素原子を、金属膜の表面に導入することで、金属膜の表面を酸化して導電性の金属酸化層に改質する。 （もっと読む）

【課題】 良質のシリコン酸化膜を狭いスペース内に低温で形成できるようにする。
【解決手段】 本実施形態は、シラザン結合を有するポリマーを有機溶媒に溶解した溶液を回転塗布してポリマー膜を形成するスピンコーティングユニットと、前記スピンコーティングユニットにより前記ポリマー膜が形成された基板を当該ポリマー膜に触れることなく酸化ユニット内に搬送する搬送機構と、前記搬送機構により基板が搬送されると、前記ポリマー膜に過酸化水素を含む加熱した水溶液への浸漬処理、過酸化水素を含む加熱した水溶液の噴霧処理、及び、過酸化水素蒸気を含む反応ガスへの曝露処理、の何れかを行うことにより前記ポリマー膜をシリコン酸化膜に転換する酸化ユニットと、を備え、前記スピンコーティングユニットによるポリマー膜の形成処理および前記酸化ユニットによる前記ポリマー膜のシリコン酸化膜への転換処理を１装置内にて完了することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な構成でチャージアップ現象の発生を防止するプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】高周波信号が供給される第１電極（１１）と、プラズマを発生させるための第２電極（１２）と、第２電極の周囲にプラズマガスを供給するガス供給装置（１３、１０）と、を備え、第２電極（１２）は、所定の周波数成分を通過させ直流成分を遮断するフィルタ回路（１５）を介して接地されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができ、かつ、再現性に優れたプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、螺旋形の導体棒３が石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、導体棒３に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させ、基材２に照射する。真鍮ブロック５は開口部１２を先端として先細形状に構成され、放射光の光軸４３が真鍮ブロック５によって遮られない位置に、基材２の表面温度を測定するための放射温度計受光部４２が配置されている。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができ、かつ、小型で簡潔な構成のプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、螺旋形の導体棒３が石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、導体棒３に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させ、基材２に照射する。蓋６の下面にマニホールド８、１０やガス供給穴９、１１となる溝が形成されており、２つの部材の表面に沿って染み出してくる構成である。 （もっと読む）

【課題】金属含有膜の酸化を抑制しつつシリコン含有膜の選択酸化を行い、シリコン含有膜中に侵入した水素の残留を抑制する。
【解決手段】基板を第１の温度に加熱しつつ、処理室内に水素含有ガス及び酸素含有ガスを供給した状態でプラズマ放電して所定時間維持する工程と、基板を第１の温度よりも高い第２の温度で加熱しつつ、処理室内に希ガスを供給して処理室内を希ガスの雰囲気に所定時間維持する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ガス排気ラインに設けられたポンプから副生成物が逆流し、パーティクルが発生した場合のリーク検出を可能とし、基板の処理品質、歩留りの向上を図ることができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室１９と、前記処理室１９にガスを供給するガス供給系と、前記処理室１９を排気する排気系３０と、を有し、前記排気系３０の減圧ポンプ３６の上流側であってメインバルブ３２の下流側に、リークを検出するための圧力センサ５０と、酸素濃度計５４と、ガス分析器５８と、が設けられた基板処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】高い寸法精度で製造することができ、かつパーティクル・ダストの排出を抑制することができるガスノズルを提供する。
【解決手段】ガスノズル４は、ガスが流れる貫通孔１２，１４を備えた本体１３を有する。本体１３は、貫通孔１２，１４のそれぞれの内周面に複数の環状の段差部１６ａ，１６ｂ，１６ｃを有し、ガスが流れる方向における各段差部１６ａ，１６ｂ，１６ｃの上流よりも下流において、貫通孔１２，１４のそれぞれの内周面が、より中心側に位置している。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができ、かつ、小型で簡潔な構成のプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、螺旋形の導体棒３が石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、導体棒３に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させ、基材２に照射する。石英管４、真鍮ブロック５、蓋６には冷媒流路が設けられ、冷媒としての水が流れることによって各部材が冷却される。 （もっと読む）

【課題】付帯設備や専有面積の過剰な増大を防止しつつスループットを増加し得る成膜装置を提供する。
【解決手段】開示の成膜装置は、直径３００ｍｍの基板が夫々載置される１０個以上の載置領域を含む回転テーブルと、容器内の第１領域に配置され、回転テーブルへ第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給部と、第１領域から回転テーブルの回転方向に離れた第２領域に配置され、回転テーブルへ第２反応ガスを供給する第２反応ガス供給部と、第１及び第２領域に対応する第１及び第２の排気口と、第１及び第２領域の間に配置され、第１及び第２反応ガスを分離する分離ガスを吐出する分離ガス供給部と、分離ガス供給部から供給される分離ガスが流れる空間を回転テーブルとの間に画成する天井面であって、その空間の圧力が第１及び第の領域における圧力よりも高く維持され得る高さを有する天井面とを含む分離領域とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板処理後に基板載置部から基板を離脱させる際に、基板の反りを抑制することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】処理ガスが供給され、基板を処理する処理室と、ヒータを内蔵し、基板を載置して前記ヒータにより加熱する基板載置部と、該基板載置部に対する相対的な位置関係として、基板搬出時の第１の位置と、基板処理時の第２の位置と、前記第１の位置と前記第２の位置の中間位置である第３の位置とを有し、前記第１ないし第３の位置で基板を支持する基板支持部と、基板処理時は前記基板支持部を前記第２の位置とし、基板処理終了後、前記基板支持部を前記第３の位置に所定時間保持し、その後、基板を搬出するため前記基板支持部を前記第１の位置とするよう制御する制御部とを有するよう、半導体製造装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 内部アンテナ型のプラズマ処理装置において、真空容器の小容積化、高周波電力の効率的な利用および供給ガスの効率的な利用を可能にする。
【解決手段】 このプラズマ処理装置は、真空容器４の壁面に設けられた１以上のアンテナ用開口２２と、その真空容器外側の面を塞いでいる蓋２４と、各アンテナ用開口２２内に設けられたアンテナ導体２６と、各アンテナ用開口２２内においてアンテナ導体２６を覆っている誘電体カップ３０とを備えている。各誘電体カップ３０は、その底面に複数の小孔を有している。各誘電体カップ３０内には、ガス導入部３６から導入されたガス３４を前記各小孔に導くガス流路を有している誘電体製の充填物３８が充填されている。 （もっと読む）

【課題】製造装置の構造や稼働状態などに起因する加工ばらつきによる半導体装置の特性のばらつきを抑え、製造歩留りを向上させることが可能な半導体装置の製造方法と製造装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、複数のウェハ処理する第１の処理装置において、第１の処理オーダーで、複数のウェハに第１の処理を行い、第１の処理における複数のウェハ毎の処理量を求め、第１の処理の後に、複数のウェハ処理する第２の処理装置における第２の処理による複数のウェハ毎の処理量を求め、第１の処理による複数のウェハ毎の処理量と第２の処理による複数のウェハ毎の処理量から第１の処理オーダーとは異なる第２の処理オーダーを決定し、第２の処理装置において、第２の処理オーダーで、複数のウェハに第２の処理を行う。 （もっと読む）

【課題】基板載置領域における基板の位置ずれの発生を抑えることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内に設けられ、水平面に沿って回転する回転テーブル２に形成された凹部２４の内部に、ウエハＷを載置するための載置部材２００を着脱自在に設け、該載置部材２００に、ウエハＷの下面と載置部材２００の表面との間の空間と、この空間の外側領域と、の間でガスを通流させるためにウエハＷを前記表面から浮かせた状態で保持する突起２０１を形成する。真空容器の内部にて圧力変動が発生したとしても、ウエハＷの下面に処理ガスを速やかに通気させることによって、ウエハＷの下面側において局所的にガス圧が高まりウエハＷが持ち上がって正常な位置からウエハＷが移動してしまう現象の発生を抑える。 （もっと読む）