【課題】液体原料中の溶存ガスに起因して出現し得る気泡が気化器における気化量制御に悪影響を及ぼすのを回避する。
【解決手段】液体原料を不活性ガスにより圧送する液体原料供給源と、液体原料供給源が圧送する液体原料の流路となる液体原料供給管と、液体原料供給源から液体原料供給管を通じて供給された液体原料を気化して気化ガスを生成する気化器と、気化器が生成した気化ガスが供給される処理室とを有する基板処理装置において、液体原料供給管の経路途中に液体原料供給管内を流れる液体原料を貯留する液体原料溜め部を設け、液体原料供給管内での圧力低下によって液体原料中に現れる気泡を液体原料溜め部内にて除去する。 （もっと読む）

【課題】 内部アンテナ型のプラズマ処理装置において、真空容器の小容積化、高周波電力の効率的な利用および供給ガスの効率的な利用を可能にする。
【解決手段】 このプラズマ処理装置は、真空容器４の壁面に設けられた１以上のアンテナ用開口２２と、その真空容器外側の面を塞いでいる蓋２４と、各アンテナ用開口２２内に設けられたアンテナ導体２６と、各アンテナ用開口２２内においてアンテナ導体２６を覆っている誘電体カップ３０とを備えている。各誘電体カップ３０は、その底面に複数の小孔を有している。各誘電体カップ３０内には、ガス導入部３６から導入されたガス３４を前記各小孔に導くガス流路を有している誘電体製の充填物３８が充填されている。 （もっと読む）

【課題】製造装置の構造や稼働状態などに起因する加工ばらつきによる半導体装置の特性のばらつきを抑え、製造歩留りを向上させることが可能な半導体装置の製造方法と製造装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、複数のウェハ処理する第１の処理装置において、第１の処理オーダーで、複数のウェハに第１の処理を行い、第１の処理における複数のウェハ毎の処理量を求め、第１の処理の後に、複数のウェハ処理する第２の処理装置における第２の処理による複数のウェハ毎の処理量を求め、第１の処理による複数のウェハ毎の処理量と第２の処理による複数のウェハ毎の処理量から第１の処理オーダーとは異なる第２の処理オーダーを決定し、第２の処理装置において、第２の処理オーダーで、複数のウェハに第２の処理を行う。 （もっと読む）

【課題】粒界を避けた素子配置を容易に形成させることにより、実質的に単結晶基板上と同等に高性能の素子を効率的に製造でき、更に粒界に沿って分割することで容易に素子を製造できる、大型の多角形ダイヤモンド結晶粒が配列した高配向ダイヤモンド膜を提供する。
【解決手段】異種材料の結晶基板上に、その結晶方位の情報を引き継いで成長を開始した高配向ダイヤモンド膜であって、表面において、多角形ダイヤモンド結晶粒が、重心間距離が２０μｍ以上の二次元繰り返しパターンで配列していることを特徴とする配列化ダイヤモンド膜。 （もっと読む）

【課題】解離させるガス分子の種類やその解離エネルギーに応じてプラズマの電子エネルギー分布を容易に制御することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマ処理装置１０は、プラズマ処理室１１と、プラズマ処理室１１と連通するプラズマ生成室１２と、プラズマを生成するための高周波アンテナ１６と、プラズマ中の電子エネルギーを制御するためのプラズマ制御板１７と、プラズマ制御板１７の位置を調整するための操作棒１７１及び移動機構１７２と、を備える。このプラズマ処理装置１０では、移動機構１７２により操作棒１７１を長手方向に動かし、高周波アンテナ１６とプラズマ制御板１７の間の距離を調整するだけで、プラズマ生成室１２内で生成されたプラズマの電子エネルギー分布を制御することができるため、解離させるガス分子の種類やその解離エネルギーに応じたプラズマ処理を容易に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】金属酸化膜または金属シリケート膜を含む薄膜ゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造方法において、Ｖ_ＦＢを十分に制御し、Ｖ_ｔｈを十分に制御すること。
【解決手段】基板１上に、第１の金属の酸化膜、または、第１の金属のシリケート膜からなる第１高誘電率ゲート絶縁膜５を形成する第１工程と、第１高誘電率ゲート絶縁膜５上に、第２の金属の酸化膜からなる第２高誘電率ゲート絶縁膜６を形成する第２工程と、第２高誘電率ゲート絶縁膜６上に、ゲート電極膜７を形成する第３工程と、を有し、前記第２工程では、第２の金属元素および炭化水素基からなる主原料と、溶媒材料と、を混合した混合材料を用いて、原子層蒸着法により第２高誘電率ゲート絶縁膜６を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの熱処理を均一化することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置は、素子形成面が略水平となるようにウェハ３０２をエッジリング３０３が保持し、保持されたウェハ３０２の素子形成面に同心円状に区分されたゾーン毎にプロセスガスをガス導入口３０７が供給する。このため、プロセスガスの流量をウェハ３０２の素子形成面の同心円状のゾーン毎に制御することができるので、例えば、熱処理時（特に到達温度付近）でのウェハ３０２の外周部でガス流量を下げることにより、ウェハ３０２外周部でのウェハ３０２温度低下を抑制し、熱処理の均一化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】製造工程において半導体膜の膜質を低下させることなくその性能を維持し、少ない工程数によって、かつ、製造上の歩留まり及びスループットの優れた構造を有する薄膜トランジスタ及びその製造方法等を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１００は、酸化物半導体膜１２０を有し、当該酸化物半導体膜１２０は、各薄膜半導体毎に、ゲート電極１６０下及び隣接された薄膜トランジスタ間とにそれぞれ形成された第１領域１２１及び１２２と、ソース電極１４０及びドレイン電極１５０下であって第１領域１２１の前記水平方向におけるそれぞれの両端に並設されており、ソース電極１４０及びドレイン電極１５０にそれぞれ電気的に接続され、かつ、非駆動時に前記第１領域１２１及び１２２より低抵抗である第２領域１２３及び１２４と、を有している。 （もっと読む）

【課題】複数種類の処理ガスの混蝕を回避しつつ、ガス排気が正しく開始されなかった場合には直ちにそのことを認識可能にし、これにより排気完了までに多くの時間を要するのを抑制できるようにする。
【解決手段】基板を収容する処理室と、混蝕を避けるべき複数種類の処理ガスを当該処理ガスの流路である配管を通じて処理室内へ供給するガス供給系と、処理室内および配管内のガスを排気するガス排気系と、を有した基板処理装置において、配管内に滞留するガスの状態をガス残留状態、排気中状態、排気完了状態の少なくとも三段階で表示部に表示させる制御部を設ける。 （もっと読む）

【課題】副生成物を除去するために定期的に装置の分解洗浄をすることをあまり必要とせず、生産性の高いカーボン膜成膜装置を提供する。
【解決手段】炭素を含む原料ガスを導入する原料ガス導入管１３と、原料ガス導入管１３から導入された原料ガスを熱分解して基板１１の表面にカーボン膜を成膜するための成膜室７と、成膜室７と接続され酸素ガスと成膜室７から排出された排気ガスとを反応させる反応室１８と、反応室１８に酸素ガスを導入する酸素ガス導入管２１と、排気ガスが流れる方向に対して反応室１８よりも下流側になるように反応室１８と接続された排気ポンプ２３と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】大気圧プラズマ処理装置、大気圧プラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】処理ガスが流通する流路５１（第２の配管５０）に介装され、前記流路５１
を開閉可能なバルブ５２と、前記流路５１から前記処理ガスが供給され、前記処理ガスを
大気圧下でプラズマ化するプラズマ発生部１６と、前記プラズマ発生部１６及び前記バル
ブ５２に接続され、前記バルブ５２の開放時から一定の遅延時間経過後に前記プラズマ発
生部１６を駆動させる制御部６０と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】等方性酸化を複数枚の基板が積層して配置された装置にて実施する場合に、基板配置場所により水素濃度が異なり酸化膜厚が大きく変動するのを抑制し、高品質な半導体装置を製造する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、複数枚の半導体ウエハ１を処理室４内に搬入する工程と、処理室４内を加熱するとともに圧力を大気圧よりも低くした状態で、酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して半導体ウエハ１を酸化処理する工程と、複数枚の半導体ウエハ１を処理室４内より搬出する工程とを有し、酸化処理する工程では、水素含有ガスを、複数枚の半導体ウエハ１が垂直方向に積層されて配列される基板配列領域に対応する領域の半導体ウエハ１が配列される方向における複数箇所から供給することで、酸素含有ガスと水素含有ガスとを基板配列領域に対応する領域の複数箇所で反応させて反応種を生成し、酸化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、成膜の生成効率を向上できる光ＣＶＤ法を用いた基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、真空室である処理室に処理用ガスを導入し、前真空室である処理室に処理用ガスを導入し、前記処理用ガスに第１の光を、前記第１の光を透過する第１の透過窓を介して第１の照射をし、前記第１の照射によって発生した第１の成膜ガスを前記処理室内の基板に堆積させて成膜する際に、前記処理室に前記処理用ガスを導入する前に、前記処理用ガスを所定の温度まで加熱し、前記加熱された処理用ガスに第２の光を、前記第２の光を透過する第２の透過窓を介して第２の照射をし、前記第２の照射によって第２の成膜ガスを発生させ、前記第２の成膜ガスと第２の照射によって未反応である前記処理用ガスとを前記処理室に導入し、前記第１の成膜ガスと第２の成膜ガスとを前記基板に堆積させて成膜することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板表面へ供給される活性種の濃度を増大させ、基板処理工程の効率や生産性を向上させることが可能な基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】複数の基板を所定の間隔で多段に積層して収容する処理室と、該処理室内で処理ガスを基板の表面へ噴出する複数のガス噴出口が設けられ基板の積層方向に沿って延在するガスノズル２７０ａと、を備え、前記ガス噴出口から噴出する処理ガスを活性化させて基板に供給するガス活性化部２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄを、前記ガスノズル２７０ａの外側に、前記処理ガスの流れが基板の外周縁に対して垂直となるように通過可能な隙間を空けながら、前記ガス噴出口を囲むように、有する。 （もっと読む）

【課題】液体原料からの気化ガスを使用するＡＬＤ装置への該気化ガスの流量を常に目標値になるようにする。
【解決手段】ウエハ１を処理する処理室３２と、タンク８１に充填された液体原料８０に不活性ガスを供給することにより液体原料８０を気化させ、該気化ガスを処理室３２内に供給してウエハ１に成膜するＡＬＤ装置において、前記不活性ガスをタンク８１に供給する流量を制御するレギュレータ８７と、タンク８１内部の絶対圧力を監視する圧力センサ８８と、を設け、コントローラ６１により、圧力センサ８８の監視圧力値に基づいて前記不活性ガスの流量をレギュレータ８７によって調整し、タンク８１内の絶対圧力が一定になるように制御する。 （もっと読む）

【課題】凹凸形状部位にもリーク電流が小さく高誘電率のジルコニア系膜を確実に成膜することができる成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】真空保持可能な処理容器内に被処理体を挿入し、処理容器内を真空に保持した状態とし、処理容器内にジルコニウム原料と酸化剤とをこの順に供給して被処理体上にＺｒＯ膜を形成する第１工程と、前記処理容器内にジルコニウム原料とシリコン原料と酸化剤とをこの順で供給して被処理体上にＳｉがドープされたＺｒＯ膜を形成する第２工程とを、それぞれの回数を調整して実施することにより、膜中のＳｉ濃度を制御しつつ所定膜厚のジルコニア系膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】信頼性が損なわれるのを防止しつつ、電気的特性の良好な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に、化学気相堆積法により、シリコンと酸素と炭素とを含む絶縁膜４２を形成する工程と、絶縁膜を形成する工程の後、３５０℃以下の温度で加熱しながら絶縁膜に対して紫外線キュアを行う工程と、紫外線キュアを行う工程の後、絶縁膜に対してヘリウムプラズマ処理を行う工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】排気能力の向上を図り、大流量のガス供給時においても処理容器内の圧力を迅速に且つ効率的に減圧雰囲気にすることが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の被処理体Ｗに所定の処理を施すための処理装置において、処理空間の一側にノズル収容エリア４８が設けられると共に、他側にノズル収容エリアより水平方向に放出されたガスを排気させるための排気口５２が形成された処理容器４４を有する処理容器構造３４と、該処理容器構造の下端の開口部側を塞ぐ蓋部３６と、前記被処理体を支持すると共に、前記処理容器構造内へ挿脱可能になされた支持体構造３８と、ノズル収容エリア内に収容されてガスを導入するガスノズルを有するガス導入手段４０と、処理容器構造内の雰囲気を排気するための複数の排気系４１Ａ，４１Ｂを有する排気手段４１と、前記被処理体を加熱するための加熱手段４２と、装置全体を制御する制御手段１１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】被処理体を支持する支持体構造における上下の両端部側におけるガスの乱流の発生を抑制して形成される薄膜の膜厚の面内均一性及び膜質の改善を図ることが可能な支持体構造を提供する。
【解決手段】処理ガスを一側から他側に向けて水平方向に流すようにした処理容器構造内で処理すべき複数枚の被処理体Ｗを支持する支持体構造において、天板部９２と、底部９４と、天板部と底部とを連結し、被処理体を支持する複数の支持部１００がその長さ方向に沿って所定のピッチで形成されると共に複数の支持部の内の最上段の支持部と天板部９２との間の距離と複数の支持部の内の最下段の支持部と底部９４との間の距離とが共に支持部間のピッチ以下の長さに設定されている複数の支持支柱９６とを備える。これにより、支持体構造における上下の両端部側におけるガスの乱流の発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】膜応力の制御が可能なシリコン元素を有する薄膜の作製方法を提供することを目的の一とする。さらに、このシリコン元素を有する薄膜の作製方法を用いて、歩留まりを向上させることができるトランジスタの作製方法を提供することである。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置内の反応室の内壁を加熱して、反応室内壁に吸着している不純物を放出させる。次いで、反応室の内壁を加熱し続けしながらフッ素化合物ガスを用いたプラズマまたは反応室内の排気によって、反応室内壁に吸着している不純物および反応室内に残留している不純物を除去した後、反応室の内壁を加熱し続けしながらシリコン元素を有する薄膜を形成する。また、前記シリコン元素を有する薄膜を用いてトランジスタを作製する。 （もっと読む）