【課題】装置構成を簡単化しつつ、複数の真空チャンバ内に交互にプラズマを発生させることができるプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生装置は、N個の真空チャンバ（２−１〜２−３）の真空チャンバ壁（１５−１〜１５−３）と一方の極で接続される電源（１０）と、所定の周期でパルス信号を出力する発振器（１１）と、電源の他方の極及び発振器に対して互いに並列に接続され、電源から供給される電力を用いて増幅したパルス信号を真空チャンバ内に配置されたN個の電極（１４−１〜１４−３）の何れかへ出力するN個のパルス増幅回路（１３−１〜１３−３）と、少なくとも(N-1)個のパルス増幅回路と発振器の間にそれぞれ接続され、各時刻において一つのパルス増幅回路にのみパルス信号が入力されるように互いに異なる遅延期間だけパルス信号を遅延させる少なくとも(N-1)個のタイミング生成回路（１２−１〜１２−３）を有する。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のホール内に、良好なステップカバレッジを有する均一な膜厚の窒化シリコン層を形成する。
【解決手段】ホールを形成後、１回の第１サイクルと、１回以上の第２サイクルを行う。第１サイクルでは、ホールの上部内壁上に２原子層の第１のシリコン層、ホールの下部内壁上に１原子層の第１のシリコン層を形成後、ホール上部のシリコン層の表面を１分子層の第１の酸化シリコン層とする。ホールの下部内壁上の第１のシリコン層に更に、１原子層の第２のシリコン層を形成後、窒化処理によりホールの内壁全面に第１の窒化シリコン層を形成する。第２サイクルでは、ホール上部の窒化シリコン層上に１分子層の第２の酸化シリコン層を形成後、ホール下部の第１の窒化シリコン層上に１原子層の第４のシリコン層を形成する。この後、窒化処理により、ホールの内壁全面に第２の窒化シリコン層を形成する。 （もっと読む）

【課題】反応生成物や分解物がノズル内壁に堆積するのを抑えるとともに、異物が処理室内に飛散するのを抑える。
【解決手段】
処理室と、加熱ユニットと、原料ガス供給ユニットと、原料ガスノズルと、排気ユニットと、少なくとも加熱ユニット、原料ガス供給ユニット、排気ユニットを制御する制御部と、を有し、原料ガスノズルは、処理室内の温度が原料ガスの熱分解温度よりも高い場合であっても内部で原料ガスが分解しないような処理室内の所定位置に配設され、制御部は、異なる流速で互いに混合させないよう処理室内に原料ガスを供給する処理を含むサイクルを所定回数実施させる。 （もっと読む）

【課題】誘電体バリア放電による大気圧プラズマＣＶＤで基板の処理を行なうに際し、長時間に渡って安定したプラズマを生成することができ、これにより、長時間に渡って安定して高品位な処理を行うことを可能にするプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】電極対にプラズマ励起電力を供給する電源装置として、２０ｋＨｚ〜３ＭＨｚで単一周波数の正弦波の電力を出力する電源、キャパシタンスおよびインダクタンスが可変であるＬＣ共振回路、および、パルス制御素子を有する装置を用いることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】焼成時における膜中の異常結晶成長を防止することができる熱処理装置および熱処理方法を提供する。
【解決手段】表面に薄膜が形成された半導体ウェハーＷがチャンバー６内に搬入されて保持プレート７に保持される。半導体ウェハーＷは保持プレート７に内蔵されたヒータなどによって所定温度に温調される。その後、フラッシュ照射部５のフラッシュランプＦＬから半導体ウェハーＷに向けてフラッシュ光が照射され、薄膜の焼成処理が行われる。発光時間が極めて短く強度の強いフラッシュ光であれば、薄膜の表面温度を瞬間的に昇温させてすぐに降温させることができる。このため、膜中に長時間焼成に起因した異常結晶成長が生じるのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】十分なガスバリア性を有し耐屈曲性を有するガスバリア性積層フィルムを製造可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】基材を収容する真空チャンバーと、真空チャンバー内に、有機金属化合物と該有機金属化合物と反応する反応ガスと、を含む成膜ガスを供給するガス供給装置と、上記真空チャンバー内に配置される一対の電極と、この一対の電極に交流電力を印加し、成膜ガスのプラズマを発生させるプラズマ発生用電源と、上記ガス供給装置または上記プラズマ発生用電源とのいずれか一方または両方を制御し、有機金属化合物と反応ガスとが反応して、有機金属化合物を形成していた金属元素または半金属元素を含み且つ炭素を含まない化合物を生じる第１の反応条件と、有機金属化合物と反応ガスとが反応して、有機金属化合物を形成していた炭素と金属元素または半金属元素とを含む含炭素化合物を生じる第２の反応条件と、を切り替える制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 熱のみによって励起したクリーニングガスを用い、処理室内に付着した高誘電率膜を含む堆積物を高速に除去する。
【解決手段】 処理室内に処理ガスを供給して基板上に高誘電率膜を形成する処理を行った後の処理室内にＢＣｌ_３、ＨＣｌ、Ｃｌ_２、ＳｉＣｌ_４、ＨＢｒ、ＢＢｒ_３、ＳｉＢｒ_４、およびＢｒ_２からなる群から選択される一種以上のガスを含むハロゲン系ガスと酸素系ガスとを供給する工程と、処理室内を真空排気する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うことで、処理室内に付着した高誘電率膜を含む堆積物を除去して処理室内をクリーニングする工程を有し、ハロゲン系ガスと酸素系ガスとを供給する工程では、ハロゲン系ガスおよび酸素系ガスに対する酸素系ガスの濃度を７％未満とする。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ法によるシリコン酸化膜の成膜方法であって、シリコン酸化膜成膜後に熱処理または塩素処理などの別の改質工程を行わずとも、ＯＨ基の含有量が抑えられたシリコン酸化膜を成膜することができるシリコン酸化膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 エピタキシャル成長用のシリコンウエーハに対してＣＶＤ法を用いてシリコン酸化膜を成膜する方法であって、少なくとも、前記シリコンウエーハとして表面にエピタキシャル層を成長する前のシリコンウエーハに対して、シリコン原料ガスの他に塩素ガスを含有する反応ガス雰囲気下で、前記ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を成膜することを特徴とするシリコン酸化膜の成膜方法。 （もっと読む）

【課題】プラズマを利用して基板を処理する際に基板等へのダメージを小さくし、しかも基板処理温度を低くする。
【解決手段】基板２００を処理する処理室２０１と、ガス供給口４２５、４３５を有する複数のバッファ室４２３、４３３と、第１の処理ガスを複数のバッファ室に供給する第１の処理ガス供給系３２０、３３０と、高周波電源２７０と、電源により高周波電力が印加されると、バッファ室の内部で第１の処理ガスを活性化させるプラズマ発生用電極４７１、４７２、４８１、４８２と、第２の処理ガスを処理室に供給する第２の処理ガス供給系３１０と、処理室を排気する排気系２３１と、基板を、活性化された第１の処理ガスおよび、第２の処理ガスに曝し、基板を２００℃以下に加熱しつつ基板上に膜を形成するよう第１の処理ガス供給系、電源、第２の処理ガス供給系および排気系を制御する制御手段２８０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】スループットの低下を抑制しつつ、処理室内壁に付着した副生成物を除去することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、前記処理室内に設けられ基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に基板が保持された状態で、前記処理室内に第１のガスを導入する第１のガス導入部と、前記基板保持部に基板が保持されてない状態で、前記処理室内に第２のガスを導入する第２のガス導入部と、前記第１のガスを処理室に導入している間及び前記第２のガスを処理室に導入している間、前記処理室内にマイクロ波を供給するマイクロ波供給部とから基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ法によって、耐熱衝撃性が高く、緻密質な窒化アルミニウム膜を成膜する窒化アルミニウム膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 アルミニウム原子（Ａｌ）を含むガスおよび窒素原子（Ｎ）を含むガスに、酸素原子（Ｏ）を含むガスを混合し、窒化アルミニウム膜によって被覆されるべき被処理物に向けて供給する。 （もっと読む）

【課題】被処理体を載置する載置台の電極にバイアス用の高周波電力を供給する方式のプラズマ処理装置において、プラズマ電位の振動を抑制し、安定なプラズマを生成させると共に、金属製の対向電極のスパッタリングによるコンタミネーションの発生を防止する。
【解決手段】蓋部材２７の内周側には、拡張突出部６０が形成されている。拡張突出部６０は、プラズマ生成空間Ｓに臨んで形成されており、載置台５の電極７に対してプラズマ生成空間Ｓを隔てて対をなす対向電極として機能する主要部分である。バイアス用電極面積に対する対向電極表面積の比（対向電極表面積／バイアス用電極面積）は、１以上５以下の範囲内が好ましい。 （もっと読む）

【課題】分離領域による処理領域同士の雰囲気の分離機能を確保しながら、当該分離領域に供給される分離ガスの消費量を抑えること。
【解決手段】真空容器１内において分離領域Ｄを介して処理領域Ｐ１、Ｐ２をウエハＷが順番に通過するように回転テーブル２を回転させるにあたり、回転テーブル２の中央側よりも周縁側の分離ガスの供給量が多くなるように、当該中央側では周縁側よりも分離ガスノズル４１、４２のガス吐出孔３３の配列間隔ｕを広く設定すると共に、分離領域Ｄから処理領域Ｐ１、Ｐ２側に吐出される分離ガスの流速について、各領域Ａ１、Ａ２における回転テーブル２の最大周速度よりも夫々僅かに速くなるように設定する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜中の欠陥を低減する半導体装置の製造方法及び基板処理装置システムを提供する。
【解決手段】金属膜としてのTiN膜及び絶縁膜としてのZrO₂膜が形成されたウエハを処理室へ搬入し、この処理室にZrO₂膜を改質する改質ガスとしてO₂を供給し、このウエハに電磁波を照射することにより、ZrO₂膜を構成する双極子を励起してZrO₂膜を改質し、ウエハを処理室から搬出する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板をトレイに載置した状態でプラズマ処理することによってトレイが高温或いは低温になった場合でも、トレイ上の所定位置に正確に被処理基板を載置したり前記トレイから被処理基板を確実に取り出したりすることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明は、反応室２外に設けられたトレイステージ３０、ウエハＷが載置されたトレイ１４をトレイステージ３０と反応室２との間で搬送するロボット２２、反応室２外に設けられたウエハＷを収納するウエハケース３２、トレイステージ３０上のトレイ１４からプラズマ処理済みのウエハＷを取り出してウエハケース３２に収納すると共にウエハケース３２からプラズマ処理前のウエハＷを取り出してトレイステージ３０上のトレイ１４に載置する移載用ロボット３４、トレイステージ３０上に載置されるトレイ１４の温度を所定温度範囲に維持する赤外線ヒータ３８を備える。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ窒化処理によって形成した酸化窒化珪素膜からのＮ抜けによる膜中窒素濃度の低下を抑制し、被処理体間・ロット間での窒素濃度のばらつきを最小限にする。
【解決手段】 絶縁膜の改質方法は、被処理体の表面に露出した酸化珪素膜をプラズマ窒化処理し、酸化窒化珪素膜を形成する窒化処理工程と、前記酸化窒化珪素膜の表面を酸化処理する改質工程とを行い、窒化処理工程の終了から前記改質工程の開始までの間、真空雰囲気を維持する。また、プラズマ窒化処理は、窒化処理工程直後の酸化窒化珪素膜の膜中窒素濃度をＮ_Ｃ０とし、改質工程後の酸化窒化珪素膜の膜中窒素濃度の目標値をＮ_ＣＴとしたとき、Ｎ_Ｃ０＞Ｎ_ＣＴとなるように行う。 （もっと読む）

【課題】固体成膜原料を、従来からのＣＶＤ法やＡＬＤ法による成膜方法に使用できる形態で安定的に供給する。
【解決手段】固体成膜原料２１を気化させて供給する気化供給装置１であって、超臨界流体を生成して供給する超臨界流体供給部１０と、超臨界流体供給部１０から供給される超臨界流体を固体成膜原料２１に接触させて、超臨界流体に固体成膜原料２１を溶解させる超臨界流体調整部２０と、固体成膜原料２１が溶解した超臨界流体を気体に相転移させて、気体中に固体成膜原料２１を析出させるとともに、析出した固体成膜原料２１を気化させる気化部３０と、を有している。 （もっと読む）

【課題】反応ガス同士をより確実に分離することが可能な原子層（分子層）成膜装置を提供する。
【解決手段】反応容器１０内に回転可能に設けられ、基板が載置される回転テーブル２；第１の反応ガスが供給される第１の領域４８１と第２の反応ガスが供給される第２の領域４８２とを分離するために、該第１および第２の領域の天井面よりも低い天井面と、分離ガスを供給する分離ガス供給部４１，４２とを有する分離領域；該分離領域において、回転テーブル２と反応容器１０の内側面との間に配置される上ブロック部材４６Ａ，４６Ｂ；を有する成膜装置とする。上ブロック部材４６Ａ，４６Ｂは、前記分離領域における回転テーブル２の回転方向上流側に、前記分離ガスが流通可能な空間Ｓが形成されるように配置される。 （もっと読む）

【課題】横型拡散炉が煩雑化することなく、中心部と外周部を含むウェーハ面内の拡散層深さの面内均一性が高い拡散ウェーハを製造することができる横型拡散炉、半導体ウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る横型拡散炉１は、炉本体１０と、炉口１０ｂを閉塞する閉塞体１５と、炉本体１０内を加熱する加熱体２０と、半導体ウェーハＷを立ててプロセスガスの導入方向と平行な方向に複数平行保持させる横型ボート３０と、プロセスガス導入口１０ａから導入されるプロセスガスの前記半導体ウェーハＷへの直接的な接触を遮蔽すると共に、半導体ウェーハＷを横型ボート３０に平行保持させた際、横型ボート３０より上方に位置する半導体ウェーハＷの外周部近傍を通過するプロセスガスのガス流速を前記外周部近傍の特定領域毎に変化させるプロセスガス整流板４０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁性酸化物の量産性を高めこと、また、そのような絶縁性酸化物を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与すること、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】亜鉛のように４００〜７００℃で加熱した際にガリウムよりも揮発しやすい材料を酸化ガリウムに添加したターゲットを用いて、ＤＣスパッタリング、パルスＤＣスパッタリング等の大きな基板に適用できる量産性の高いスパッタリング方法で成膜し、これを４００〜７００℃で加熱することにより、添加された材料を膜の表面近傍に偏析させる。膜のその他の部分は添加された材料の濃度が低下し、十分な絶縁性を呈するため、半導体装置のゲート絶縁物等に利用できる。 （もっと読む）