【課題】トラップ装置におけるフィルターカートリッジの交換に起因する化合物半導体エピタキシャルウェハの製造スループットの低下を解決し、製造スループット向上に寄与できる化合物半導体気相成長装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体気相成長装置２００は、単結晶基板５上に化合物半導体結晶膜を気相エピタキシャル成長させる気相成長装置であって、反応炉２からの排気ガス流路１０に配設され前記排気ガスに含有される反応ダストを捕獲するためのトラップ装置２３を具備し、前記トラップ装置２３内には前記反応ダストを捕獲するためのフィルターカートリッジ３２が複数組収容されている。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ基板上において、バッファリークを低減したデバイスを得る。
【解決手段】このＨＥＭＴ素子１０においては、基板１１としてｎ−ＧａＮ（ｎ型のＧａＮウェハ）が用いられる。この上に、緩衝層１２として、組成ｐが一定でないノンドープのＡｌ_ｐＧａ_１−ｐＮ層が用いられる。緩衝層１２上には、半絶縁性ＧａＮからなる電子走行層１３、ｎ−ＡｌＧａＮからなる電子供給層１４が順次形成される。この緩衝層１２の組成においては、下端側においてｐ＝０（ＧａＮ）となった領域（基板接続領域１２１）が、上端側（電子走行層１３側）においてもｐ＝０（ＧａＮ）となった領域（能動層接続領域１２２）が、それぞれ設けられている。これらの領域間には、ｐ＝１（ＡｌＮ）となっている領域（高Ａｌ組成領域１２３）が設けられている。高Ａｌ組成領域１２３の抵抗率は、この緩衝層１２中で最も高くなっている。 （もっと読む）

【課題】第１基板から窒化物半導体層を容易に剥離する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１０１の表面で単層又は複数層のグラフェン層１１１が成長する工程と、グラフェン層との界面で、共有結合性を有することなく、原子レベルのポテンシャルの規則性のみを用いた結合力を伴って窒化物半導体層１１４が形成される工程と、窒化物半導体層１１４とグラフェン層１１１ａとの間、あるいはグラフェン層相互間１１１ａ，１１１ｂ，１１１ｃのポテンシャルによる接合力以上の力で、窒化物半導体層がＳｉＣ基板から剥離される工程とを備える。また、剥離された窒化物半導体層が第２基板１３０の表面に接合される。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェハ上への異物パーティクルの付着を抑制し、それによって表面欠陥の少ない高品質な化合物半導体エピタキシャルウェハを製造する方法を提供する。
【解決手段】トランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法は、化学気相成長法によるIII-Ｖ族化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法であって、複数枚の基板１を設置する成長室内において、同心円状に分割された加熱用ゾーンヒータ１１によって基板サセプタの内周側から外周側にかけて温度が高くなるような温度勾配を設け、前記成長室内で加熱された前記基板上にIII族原料、Ｖ族原料、ドーパント原料および希釈用ガスを供給してIII-Ｖ族化合物半導体層を成長させる。 （もっと読む）

【課題】導電性SiC単結晶基板上のIII族窒化物電子デバイスにおいて、縦方向耐圧を向上させることができる電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電性SiC単結晶基板２と、該SiC単結晶基板上に形成した絶縁層としてのバッファ３と、該バッファ上に複数層のIII族窒化物層をエピタキシャル成長させて形成した主積層体４とを具え、横方向を電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板であって、前記バッファは、B_a1Al_b1Ga_c1In_d1N(0≦a₁≦1,0＜b₁≦1,0≦c₁≦1,0≦d₁≦1,a₁+b₁+c₁+d₁=1)材料からなり、初期成長層５と、バンドギャップの異なる２層を交互に積層した超格子多層構造からなる。超格子積層体６、または、前記主積層体の前記バッファ側の部分の少なくとも一方は、Ｃ濃度が１×10¹⁸/cm³以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体活性領域からの電荷キャリアの脱出を阻止して、電荷キャリアのより有効な閉じ込めを示すＨＥＭＴを提供する。
【解決手段】希土類添加物をドープされた第１のＩＩＩ−Ｖ族真性層２０９ａを備えた高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）２００Ａであって、前記真性層の上に形成された第２のＩＩＩ−Ｖ族真性層２１０ａ及び該第２のＩＩＩ−Ｖ族真性層の上に形成されたＩＩＩ−Ｖ族半導体層２２０も備える。ＨＥＭＴの製造方法は、第１のＩＩＩ−Ｖ族真性層２０９ａを形成し、該第１のＩＩＩ−Ｖ族真性層に希土類添加物をドーピングして絶縁層を形成する。更に前記絶縁層の上に第２のＩＩＩ−Ｖ族真性層２１０ａを形成し、該第２のＩＩＩ−Ｖ族真性層の上にＩＩＩ−Ｖ族半導体層２２０を形成する。前記ＩＩＩ−Ｖ族半導体層と前記第２のＩＩＩ−Ｖ族真性層とのヘテロ接合界面に二次元電子ガス（２ＤＥＧ）２１２が形成される。 （もっと読む）

【課題】層をマスクする必要がない、および／または、窒化ガリウムの成長プロセスを中断する必要がない窒化ガリウム半導体構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】非窒化ガリウム柱１００ａを含み、それらの間に溝１００ｂを規定する基板１００であって、その非窒化ガリウム柱１００ａは非窒化ガリウム側壁１００ｃおよび非窒化ガリウム頂部１００ｄを含み、溝１００ｂは非窒化ガリウム底１００ｅを含むものを用いる。この基板１００上に第１の温度で窒化ガリウムを成長させる。次に、第１の温度より高い第２の温度で基板１００上に窒化ガリウムの成長を続ける。 （もっと読む）

【課題】ガスライン圧力を適正に校正する機構により原料ガス供給量を制御し、成長速度、或いは組成比変動による歩留低下を抑制することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】流量制御部１０の制御により、キャリアガス流量×原料ガス濃度／（１−原料ガス濃度）が一定となるように、バブリングマスフローコントローラー６によりキャリアガス１５の流量を制御することにより、原料ガスの濃度を一定に保つ。 （もっと読む）

【課題】良好な二次元電子ガス特性を有し、かつコンタクト特性の良好なエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】下地基板の上にＧａＮにてチャネル層を形成し、チャネル層の上にＡｌＮにてスペーサ層を形成し、スペーサ層の上に、障壁層を、少なくともＩｎとＡｌとＧａを含む、Ｉｎ_xＡｌ_yＧａ_zＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）なる組成のIII族窒化物であって、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮを頂点とする三元状態図上において、該III族窒化物の組成に応じて定まる４つの直線にて囲まれる範囲内にあるようにする。 （もっと読む）

【課題】ＨＥＭＴ用エピタキシャル層の移動度を低下させることのない、電気特性の良いトランジスタ素子用エピタキシャルウェハを製造することができるトランジスタ素子用エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に高電子移動度トランジスタ用エピタキシャル層３を形成し、高電子移動度トランジスタ用エピタキシャル層３上に、ヘテロバイポーラトランジスタ用エピタキシャル層４を形成するトランジスタ素子用エピタキシャルウェハ１の製造方法において、高電子移動度トランジスタ用エピタキシャル層３を、成長温度６００℃以上７５０℃以下、Ｖ／III比１０以上１５０以下で成長させ、ヘテロバイポーラトランジスタ用エピタキシャル層４を、高電子移動度トランジスタ用エピタキシャル層３の成長温度よりも低温で成長させる方法である。 （もっと読む）

【課題】デバイス活性層でのクラック発生が抑制され、かつ、転位密度の低減等の結晶性の向上を図りつつ、窒化物半導体の厚膜化に伴う反りも抑制された、製造効率に優れたバッファ構造を備えた窒化物半導体エピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１と、厚さ２〜１０ｎｍのＡｌ_aＧａ_1-aＮ（０．９≦ａ≦１．０）単結晶層３１および厚さ１０〜３０ｎｍのＡｌ_bＧａ_1-bＮ（０≦ｂ≦０．１）単結晶層３２が交互に繰り返し積層された第１の多層バッファ領域３と、厚さ２〜１０ｎｍのＡｌ_cＧａ_1-cＮ（０．９≦ｃ≦１．０）単結晶層４１および厚さ２００〜５００ｎｍのＡｌ_dＧａ_1-dＮ（０≦ｄ≦０．１）単結晶層４２が交互に繰り返し積層された第２の多層バッファ領域４と、ＧａＮ単結晶層５と、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ＜１）単結晶層６とを備えた構成の窒化物半導体エピタキシャル基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板を利用し、かつ多層膜構造のバッファ層を具えるＨＥＭＴにおいて、バッファ層内の２ＤＥＧ層を不活性化する。
【解決手段】最上層がＳｉ層である基板１１と、Ｓｉ層上に、第１層１５と第２層１７とが交互に複数層積層されて構成されているバッファ層１３と、バッファ層上に形成されている、電子走行層としての第３層１９と、第３層上に形成されている、電子供給層としての第４層２１とを具える。そして、第１層は、第３層と同一の材料で形成され、かつ第１層及び第２層の積層構造において、第１層側に形成される２次元電子ガス層を不活性化するためのｐ型不純物が導入されている。 （もっと読む）

【課題】ウルツ鉱構造の化合物半導体を用いてノーマリ・オフの化合物半導体電子デバイスを提供する。
【解決手段】キャリア走行半導体層１５はスペーサ半導体層１７と支持体１３との間に位置する。基準軸Ｎｘは、支持体１３のウルツ鉱のｃ軸に直交する。電子デバイス１１では、基準軸Ｎｘに直交した基準平面Ｒ２に沿ってヘテロ接合が延びるので、ピエゾ電界Ｐｚが基準平面Ｒ２に平行な方向に向く。ピエゾ電界Ｐｚはヘテロ接合２１に沿って延在する内部電界として働き、これはヘテロ接合２１の二次元キャリアに作用して、ゲート電極１９直下のヘテロ接合における電子濃度が調整される。内部電界の働きによりゲート電極１９にゼロボルトが印加されるとき、二次元電子はゲート電極１９直下のヘテロ接合２１のバンドの屈曲部に実質的に蓄積されず、電子デバイス１１はノーマリ・オフ特性を有する。 （もっと読む）

【課題】電気特性の悪化を抑制するとともに、ＰＬ特性の悪化を抑制することができるＩｎＰ基板の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、ＩｎＰ基板およびエピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板の製造方法は、以下の工程（ステップ）を備えている。ＩｎＰインゴットを準備するＳ１。このインゴットは、ＩｎＰからなっていてもよく、Ｆｅ、Ｓ、Ｓｎ、およびＺｎからなる群より選ばれた少なくとも一種の物質よりなるドーパントを含んでいてもよい。次に、準備したインゴットからＩｎＰ基板をスライス加工した後Ｓ２、ＩｎＰ基板を、研磨剤、化学研磨液などを用いて研磨しＳ３、ＩｎＰ基板を準備する。次に、研磨したＩｎＰ基板を前処理するＳ４。前処理により、研磨剤、化学研磨液などを除去する。続いてＩｎＰ基板を硫酸過水で洗浄しＳ５、この後、ＩｎＰ基板をリン酸で洗浄するＳ６。 （もっと読む）

【課題】横方向リーク電流の低減および横方向耐圧特性を良好に両立させることができるエピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Si単結晶基２上にバッファ３と複数層のIII族窒化物層をエピタキシャル成長させて形成した主積層体４とを具え、横方向を電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板であって、前記バッファ３は、前記Si単結晶基板２と接する初期成長層５および該初期成長層上の超格子多層構造からなる超格子積層体６を少なくとも有し、前記初期成長層５はAlN材料からなり、かつ前記超格子積層体６はBAlGaInN材料からなる第１層６ａおよび該第１層６ａとはバンドギャップの異なるBAlGaInN材料からなる第２層６ｂを交互に積層してなり、前記超格子積層体６と、前記主積層体４の前記バッファ側の部分は、ともにC濃度が1×10¹⁸/cm³以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物系化合物からなる表面薄層を形成する場合において、冷却時における表面薄層の目標層厚からの不足を効果的に防止できるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】成長用基板を反応容器中に配置し、ＩＩＩ族金属源として該ＩＩＩ族金属の有機金属ガスをキャリアガスにて希釈して用い、窒素源としてアンモニアガスを用いたＭＯＶＰＥ法によりＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層を成長用基板上にエピタキシャル成長する。表面薄層成長工程において表面薄層を、最終的に得るべき目標厚さに対し、冷却工程時において該表面薄層を形成する窒化物の分解により生ずる該表面薄層の厚さ減少を補償する補償厚さを部増しした形で成長する。 （もっと読む）

【課題】電子移動度を向上させつつ結晶中のカーボン濃度を所望の値にすることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板が配置されたチャンバ内にガス状の窒化物系化合物半導体材料としてトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）とアンモニア（ＮＨ_３）とを導入してバッファ層１３を形成する際、プロパンなどのカーボンを含む炭化水素または有機化合物の材料ガスを添加剤として導入することで、バッファ層１３のカーボン濃度を制御する。 （もっと読む）

【課題】導電層の形成を抑制することで特性悪化を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉからなる基板上に、構成元素としてＧａを含まず、かつＧａ不純物濃度が２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下のＡｌＮ層を形成する第１工程と、前記第１工程を複数回繰り返した後、ＡｌＮ層の成長に使用した成長装置を用いて、ＡｌＮ層上に構成元素としてＧａを含む窒化物半導体からなるＧａＮ層を形成する第２工程と、を有する半導体装置の製造方法。また、第１工程と第２工程とを別の装置を用いて実施してもよい。 （もっと読む）

【課題】層構造の設計指針を得ることにより、窒化物半導体チャネル層としてＩｎＮ（あるいはＩｎＧａＮ、ＩｎＡｌＮ、ＩｎＡｌＧａＮ）を用いた、高性能のＩｎＮ系ヘテロ構造電界効果トランジスタ（チャネル層がＩｎＮ系であるヘテロ構造電界効果トランジスタ）を実現させること。
【解決手段】窒化物チャネル層半導体１の上に窒化物障壁層半導体２を重ねてなるヘテロ構造上に、ソース電極３、ゲート電極４、ドレイン電極５が配置されてなるＩｎＮ系ヘテロ構造電界効果トランジスタにおいて、窒化物チャネル層半導体１としてＩｎＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＡｌＮ、あるいはＩｎＡｌＧａＮが用いられ、窒化物障壁層半導体２としてＩｎ_ＸＡｌ_１−ＸＮ（ここに、０＜Ｘ≦０.６６である）が用いられていることを特徴とするＩｎＮ系ヘテロ構造電界効果トランジスタを構成する。 （もっと読む）

【課題】少ないドーパント供給量で、高い二次元電子ガス濃度をもつＨＥＭＴ構造を有するエピタキシャル基板を提供すること。
【解決手段】ＩｎＧａＡｓ層から成るチャネル層５とｎ−ＡｌＧａＡｓ層またはｎ−ＩｎＧａＰ層から成るフロント側電子供給層７とを備えて成るｐ−ＨＥＭＴ構造を有する化合物半導体エピタキシャル基板において、歪チャネル層であるＩｎＧａＡｓ層より表面側に、ゲート層として秩序化状態のＩｎＧａＰ層を設けた。秩序化状態のＩｎＧａＰ層の界面準位は低く、界面電荷の発生効果により、少ないドーパント供給量で、高い二次元電子ガス濃度をもつＨＥＭＴ構造が実現される。 （もっと読む）