【課題】 窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 一実施形態では、デバイスはＩＩＩ族窒化物チャネル層（３）とＩＩＩ族窒化物チャネル層（３）上のＩＩＩ族窒化物障壁層（４）とを含み、ＩＩＩ族窒化物障壁層（４）は第１部分（４−１）と第２部分（４−２）とを含み、第１部分（４−１）は第２部分（４−２）より薄い厚さを有する。ｐドープＩＩＩ族窒化物ゲート層部（５）は、ＩＩＩ族窒化物障壁層（４）の少なくとも第１部分（４−１）上に配置され、ゲートコンタクト（１０）はｐドープＩＩＩ族窒化物ゲート層部（５）上に形成される。 （もっと読む）

【課題】ゲートリーク電流を低減できる、窒化物電子デバイスを作製する方法を提供する。
【解決手段】時刻ｔ０で基板生産物を成長炉に配置した後に、摂氏９５０度まで基板温度を上昇する。基板温度が十分に安定した時刻ｔ３でトリメチルガリウム及びアンモニアを成長炉に供給して、ｉ−ＧａＮ膜を成長する。時刻ｔ５で基板温度が摂氏１０８０度に到達する。基板温度が十分に安定した時刻ｔ６でトリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム及びアンモニアを成長炉に供給して、ｉ−ＡｌＧａＮ膜を成長する。時刻ｔ７でトリメチルガリウム及びトリメチルアルミニウムの供給を停止して成膜を停止した後に、速やかに、成長炉へアンモニア及び水素の供給を停止すると共に窒素の供給を開始して、成長炉のチャンバ中においてアンモニア及び水素の雰囲気を窒素の雰囲気に変更する。窒素の雰囲気が形成された後に、時刻ｔ８で基板温度の降下を開始する。 （もっと読む）

【課題】工程増を最小限とした簡便な手法で、基板に反りを生ぜしめることなく、また基板上方の化合物半導体層の結晶性を損なうことなく確実な素子分離を実現し、信頼性の高い装置構成を得る。
【解決手段】ＳｉＣ基板１上の素子分離領域に相当する部位にマスク２を形成し、マスク２を覆うようにＳｉＣ基板１上に緩衝層３を第１の温度で形成し、第１の温度より高い第２の温度で加熱処理して緩衝層３のうちＳｉＣ基板１上の部位を結晶化し、緩衝層３の上方に化合物半導体層１０を形成して、化合物半導体層１０のマスク２の上方に相当する部位を素子分離領域とする。 （もっと読む）

【課題】ノーマリオフ特性が安定的に得られる窒化物半導体装置を提供すること。

【解決手段】基板１と、基板１上に形成され、且つ、ヘテロ接合界面２２ａを有する窒化物半導体層２と、窒化物半導体層２に形成されたリセス３と、を備える窒化物半導体装置であって、
窒化物半導体層２は、基板１上に形成されたＡｌｘ１Ｉｎｘ２Ｇａ１−ｘ１−ｘ２Ｎ（０≦ｘ１＜１、０≦ｘ２≦１、０≦（ｘ１＋ｘ２）≦１）からなるキャリア走行層２２と、キャリア走行層２２上に形成されたＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ≦１、ｘ１＜ｙ）からなる第１の層２３１、第１の層２３１上に形成されたＧａＮからなる第２の層２３２、及び、第２の層上に形成されたＡｌｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ≦１、ｘ１＜ｚ）からなる第３の層２３３を有するキャリア供給層２３と、を備え、
凹部３は、第３の層２３３を貫通し、凹部底面３１において第２の層２３２の主面が露出するように形成される。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上にＩＩＩ族窒化物半導体をヘテロエピタキシャル成長させた場合に、オリフラ近傍からＩＩＩ族窒化物半導体層中に発生する端部クラックを低減する。
【解決手段】＜１１１＞方向を回転軸として、＜１１０＞方向を左回りに３０°、９０°、１５０°のいずれかの角度φだけ回転させた方向にオリフラを有する（１１１）面を主面とするシリコン基板をヘテロエピタキシャル成長用基板として使用し、ＩＩＩ族窒化物半導体からなるバッファ層を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の上に形成され、優れた高周波特性を有する窒化物半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体装置は、シリコン基板１０１と、シリコン基板１０１の上に形成された窒化物半導体からなるバッファ層１０２と、バッファ層１０２の上に形成された窒化物半導体からなる能動層１０３とを備えている。バッファ層は、シリコン基板１０１と接して形成された第１の層１２１と、第１の層１２１及び能動層１０３と接して形成された第２の層１２２とを含む。第１の層１２１と第２の層１２２との界面における炭素濃度は、１×１０¹⁹原子／ｃｍ³以上且つ１×１０²¹原子／ｃｍ³以下であり、第２の層１２２は、炭素濃度が第１の層１２１と接する部分において最も高く、能動層１０３と接する部分において最も低い。 （もっと読む）

【課題】反り返りがなく、面内のオフ角のばらつきが小さな窒化物系化合物半導体層を再現性よく成長させることができる窒化物系化合物半導体基板の製造方法、及び半導体デバイスの作製に好適な窒化物系化合物半導体自立基板を提供する。
【解決手段】成長用基板上に窒化物系化合物半導体層をエピタキシャル成長させる窒化物系化合物半導体基板の製造方法において、成長用基板として、（０１１）面を≒［０１０］方向に０〜２°（０°を除く）のオフ角で傾斜させた主面を有する希土類ペロブスカイト基板を用いる。 （もっと読む）

基板（１０２）の上に、基板に対する圧縮応力を有する応力補償スタック（１０４）を形成すること（４０２）を含む方法。この方法は、基板の上に、基板に対する引っ張り応力を有する１つ又は複数のＩＩＩ族窒化物アイランド（１０６）を形成すること（４０６）も含む。この方法は更に、応力補償スタックからの圧縮応力を用いて、１つ又は複数のＩＩＩ族窒化物アイランドからの引っ張り応力を少なくとも部分的に相殺すること（４０８）を含む。応力補償スタックを形成することは、基板の上に１つ又は複数の酸化物層（２０２，２０６）と１つ又は複数の窒化物層（２０４）を形成することを含む。１つ又は複数の酸化物層は圧縮応力を有し得、１つ又は複数の窒化物層は引っ張り応力を有し得、酸化物層と窒化物層とが共同で圧縮応力を有し得る。酸化物層及び窒化物層の厚みは、所望の量の応力補償を提供するように選択され得る。

（もっと読む）

【課題】トランジスタ中の電子移動度を向上させる上、デバイスの性能を向上させる高電子移動度トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高電子移動度トランジスタは、基板１１０と、基板１１０上に形成したバッファ層１２０と、複数のＩｎＧａＡｓ薄膜と複数のＩｎＡｓ薄膜とを交互に積層して形成した超格子構造を含み、バッファ層１２０上に形成したチャネル層１３０と、チャネル層１３０上に形成したスペーサ層１４０と、スペーサ層１４０上に形成したショットキー層１６０と、ショットキー層１６０上に形成したキャップ層１７０とを備える。 （もっと読む）

【課題】反りの少ないエピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】エピタキシャルウェハは、基板１と窒化物半導体４，５，６の間に形成されたアルミニウム層２と、アルミニウムを陽極酸化して形成したアルミニウムの陽極酸化（陽極酸化Ａｌ）層３によって、熱膨張係数差に起因した応力を緩和することで、ウェハのそりを押さえることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】（０００１）面以外の任意に特定される主面を有する、クラックの少ないＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】２枚以上のシード基板を隣接して配置し、それらシード基板上にＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法において、シード基板の境界線と成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の＜０００１＞軸を主面に投影した直線とがなす角度をθとした場合、１以上の境界線が以下の（１）又は（２）を満たす。（１）０°＜θ＜９０°である。（２）θ＝０°である境界線（ｌ）が２本以上存在し、隣り合う境界線（ｌ）が同一直線上にない。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を用いてＧａＮ系の良質な半導体結晶層を形成する。
【解決手段】第１領域と第２領域とを表面に有する基板と、前記第１領域の上方に形成された第１半導体と、を含み、前記基板は、表面がＳｉ_ｘＧｅ_１−ｘ（０≦ｘ≦１）であり、前記第１領域は、前記第２領域により囲まれ、前記第１半導体は、窒素原子を含有する３−５族化合物半導体であり、単結晶であり、且つ前記Ｓｉ_ｘＧｅ_１−ｘと格子整合または擬格子整合し、前記第２領域は、前記第１領域とは性状が異なる半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】 ＧａＮ基板上に結晶成長する各半導体層の平坦性が、半導体素子の寸法相当において向上した半導体基板を提供し、更には、この半導体基板を基礎として、特性の高性能化された半導体発光素子、半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１１と、この基板１１上に積層された窒化物系III−Ｖ族化合物半導体単結晶層１２と、基板１１と窒化物系III−Ｖ族化合物半導体単結晶層１２との間に設けられた、不純物元素を５ｘ１０¹⁷ｃｍ^-3以上２ｘ１０¹⁹ｃｍ^-3以下含有する層１０とを備える。 （もっと読む）

半導体基板（１０２）の第１の側の上に応力補償層（１０４）を形成すること（３０２）と、前記基板の第２の側の上にIII族窒化物層（１０８ａ、１０８ｂ、１１０、１１２）を形成すること（３０４）を含む方法。III族窒化物層により前記基板上につくられる応力が、前記応力補償層により前記基板上につくられる応力によって少なくとも部分的に低減される（３０６）。前記応力補償層を形成することが、非晶質又は微結晶材料から応力補償層を形成することを含み得る。また、この方法は、前記基板の前記第２の側の上の一つ又は複数の層（１０６〜１１４）の後続の形成の間、前記非晶質又は微結晶材料を結晶化することを含み得る。前記非晶質又は微結晶材料の結晶化は、前記III族窒化物層の後続の形成の間及び／又はアニールプロセスの間に成され得る。前記非晶質又は微結晶材料は、前記基板上につくる応力が全くないか又は量が小さく、前記結晶化した材料が前記基板上に一層大きな応力をつくり得る。

（もっと読む）

【課題】有機金属気相成長法を用いた化合物半導体の製造において、剥がれた反応生成物が基板または基板上の化合物半導体層上に付着することに起因する歩留まりの低下を抑制する。
【解決手段】有機金属気相成長法によってＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層を基板４０上に順次積層してなる化合物半導体層を形成する際に、反応容器内に、その結晶成長面が上を向くように前記基板４０を取り付け、該基板４０の上方であって結晶成長面と対向する側に複数の溝６３とともにアルミナ粒子を用いたブラスト処理により溝６３よりも微細な凹部が形成された保護部材６０を取り付け、反応容器の内部に原料ガスの供給を行う。 （もっと読む）

【課題】窒化インジウム（InN）を基としたバンドギャップEgが0.7〜1.05eVをもつIn_1-(x+y)Ga_xAl_yN（x≧0、y≧0、かつx+y≦0.35）単結晶薄膜と良好に格子整合する単結晶基板、その製造方法、当該単結晶基板上に形成してなる半導体薄膜、および半導体構造を提供する。
【解決手段】窒化インジウム（InN）を基とするIn_1-(x+y)Ga_xAl_yN薄膜を成長させる単結晶基板は、stillwellite型構造を持つ三方晶系に属する化学式REBGeO₅（REは希土類元素）で標記される単結晶からなり、結晶学的方位{0001}を基板面とする。前記単結晶基板は、1000℃以上に加熱して形成した焼結体を原料として溶融し、必要に応じて、酸素雰囲気下あるいは不活性ガス雰囲気下で融液から単結晶を育成した後、結晶学的方位{0001}を基板面として切り出すことにより製造される。 （もっと読む）

【課題】割れの発生を抑制することに加え、結晶性も向上させたIII族窒化物半導体を提供する。
【解決手段】シリコン基板と、該シリコン基板上に形成した歪超格子積層体と、該歪超格子積層体上に成長したIII族窒化物積層体とを具えるIII族窒化物積層基板であって、前記歪超格子積層体は、少なくとも前記シリコン基板側から順に第１超格子積層体と第２超格子積層体とを有し、前記第１超格子積層体は、AlN層とGaN層とを交互に積層してなり、前記第２超格子積層体は、AlN層とAl_xGa_1-xN(0＜x＜1)層とを交互に積層してなり、かつ前記第１超格子積層体の総厚が１μmを超えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電流コラプスを低減させてＲＦ特性を改善し、携帯電話基地局用アンプに必要とされる耐圧を得ることを可能とする。
【解決手段】 ＡｌＧａＮ層３を成長形成するに際して、ｉ−ＧａＮ層２上にノンドープでＡｌ組成率が１５％程度のＡｌＧａＮ層（ｉ−ＡｌＧａＮ層）１１を膜厚３ｎｍ程度に成長し、更にＳｉを濃度２×１０¹⁸／ｃｍ³程度にドープしたＡｌ組成率が１５％程度のＡｌＧａＮ層（ｎ−ＡｌＧａＮ層）１２を膜厚１７ｎｍ程度に成長し、これら２層構造からなるＡｌＧａＮ層３を形成する。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体エピタキシャルウェハ外周部より得られたＨＥＭＴ素子であってもリーク電流の急激な増加がなく、良好な耐圧を持つＨＥＭＴ素子が得られる化合物半導体エピタキシャルウェハ及びその製造方法、並びにこのような化合物半導体エピタキシャルウェハを用いて得られるＨＥＭＴ素子を提供する。
【解決手段】基板１上に、バッファ層３と、下部電子供給層４と、電子走行層５と、上部電子供給層６と、を有する化合物半導体エピタキシャルウェハ１０において、前記バッファ層３はＡｌＧａＡｓからなり、前記下部電子供給層４及び前記上部電子供給層６はＡｌＧａＡｓからなり、前記下部電子供給層４及び前記上部電子供給層６のＡｌ組成が０.２
０以上０.２７以下であり、かつ前記バッファ層３のＡｌ組成が前記下部電子供給層４の
Ａｌ組成より小さい。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ−プロセスで基板の上に製造された素子単位をチップ分離する際に研磨、切断などの工程を減らすことができ、基板を繰り返し使用できる窒化物半導体デバイス作製方法によって作製したデバイスを提供する。
【解決手段】 閉曲線をなす結晶成長速度の遅い欠陥の集合した欠陥集合領域Ｈと結晶成長速度の速い低欠陥の領域ＺＹの位置が予め決まっている窒化物半導体欠陥位置制御基板Ｓを用い、低欠陥領域ＺＹにデバイスの内部が、欠陥集合領域Ｈに境界線が来るように窒化ガリウム基板の上に窒化物半導体層（上層部Ｂ）をエピタキシャル成長させ、レーザ照射或いは機械的手段で欠陥位置制御基板Ｓと成長層（上層部Ｂ）を上下方向横方向に同時分離し、基板は繰り返し使用する。作製されたデバイスは端面が成長によるファセットで形成されている。 （もっと読む）