【課題】半導体基板上に第１エピタキシャル層を形成し且つ該層をエッチングして複数の分離領域を形成することを包含する方法を提供する。
【解決手段】本方法は、エッチングした第１エピタキシャル層１０６ａ上に第２エピタキシャル層１０６ｂを形成することを含む。１０６ａ，ｂ層は少なくとも１個のIII族窒化物を含み、１０６ａ，ｂ層は一緒になって１個のバッファ１０６を形成する。本方法は、更に、該バッファ上に装置層１０８を形成し、且つ該装置層を使用して半導体装置を製造することを包含している。１０６ｂ層は、実質的に１０６ａ領域上にのみ存在する１０６ｂ領域を包含することが可能である。１０６ｂ層は、又、１０６ａ領域及び該基板を被覆することが可能であり、且つ１０６ｂ層はエッチングするか又はしない場合がある。該装置層は１０６ｂ層を形成するために使用するのと同じ操作期間中に形成することが可能である。 （もっと読む）

【課題】コンタクト層に不純物として供給するＴｅ、Ｓｅのメモリーの影響を小さくしつつ、コンタクト抵抗を低減し、かつ、特性変動や信頼性低下を抑制しつつ、電子供給層の不純物濃度を高め、オン抵抗を低減したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】単結晶基板１１上に、ＧａＡｓ層、ＡｌＧａＡｓ層からなるバッファ層１２ａ，１２ｂ、ｎ型不純物を含有するＡｌＧａＡｓ層１３，１７又はＩｎＧａＰ層若しくはＳｉプレナードープ層からなる電子供給層、Ｉｎ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層からなるチャネル層１５、アンドープ又は低濃度ｎ型不純物を含有するＡｌＧａＡｓ層からなるショットキー層１８、ｎ型不純物を含有するＩｎ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層からなるコンタクト層２０ａ、２０ｂを積層したＨＥＭＴ構造を有し、チャネル層のｘを０．３≦ｘ≦０．３５とし、コンタクト層のｘを０．５５≦ｘ≦０．６０としたものである。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ単結晶基板を用いた化合物半導体基板において、化合物半導体基板の機械強度低下と熱伝導率低下を、Ｓｉ単結晶基板のドーパント濃度制御で低減する。
【解決手段】Ｓｉ単結晶基板上に中間層とデバイス活性層を備えた化合物半導体基板で、Ｓｉ単結晶基板は、中間層側の一主面の表面から厚さ方向に向かってドーパント濃度が１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１×１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である領域１と、ドーパント濃度が連続的に減少する遷移領域１と、ドーパント濃度が１×１０^１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である領域２と、ドーパント濃度が連続的に増加する遷移領域２と、ドーパント濃度が１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１×１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である領域３とからなる。 （もっと読む）

【課題】面内にわたって表面抵抗率を均一化し、得られるＨＥＭＴ素子の製品抵抗のバラツキを低減した化合物半導体エピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓからなる基板１上に、少なくともＡｌＧａＡｓからなるバッファ層３、ＡｌＧａＡｓからなる下部電子供給層４、ＧａＡｓもしくはＩｎＧａＡｓからなる電子走行層５、ＡｌＧａＡｓからなる上部電子供給層６、ＡｌＧａＡｓからなるショットキー層７、及びｎ型不純物を含有するＧａＡｓからなるオーミックコンタクト層８が順次形成された化合物半導体エピタキシャルウェハ１０において、オーミックコンタクト層８の外周部のキャリア濃度を中心部のキャリア濃度より高くしたものである。 （もっと読む）

【課題】容量増加による高周波特性の劣化及び裏面電極に起因する絶縁破壊を抑止し、チップ面積を増加させることなく、インパクトイオン化により生成したホールを容易且つ確実に引き抜いて排出することを可能として、高耐圧性及び高信頼性を実現する化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性又は半絶縁性の基板１の表面に電子走行層３、電子供給層４が形成され、電子供給層４内には局所的なｐ型領域７が形成されており、基板１の裏面にｐ型領域７の一部を露出させる開口１ａが形成され、開口１ａを導電材料で埋め込みｐ型領域７とオーミック接続された裏面電極８を備え、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ・ＨＥＭＴが構成される。 （もっと読む）

【課題】長期信頼性が高い窒化物系化合物半導体、窒化物系化合物半導体素子、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子およびボロン原子から選択される、少なくともガリウム原子を含むＩＩＩ族原子と、窒素原子とを含む窒化物系化合物半導体であって、前記ＩＩＩ族原子の格子間原子を拡散させる拡散促進物質を添加物としてドープしたものである。好ましくは、前記拡散促進物質はリン、砒素、またはアンチモンである。 （もっと読む）

【課題】長期信頼性が高い窒化物系化合物半導体および窒化物系化合物半導体素子を提供すること。
【解決手段】アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子およびボロン原子から選択される１以上のＩＩＩ族原子と、窒素原子とを含む窒化物系化合物半導体であって、添加物としてリチウム、銅、銀、または金を含む。好ましくは、前記添加物のドープ濃度は、ガリウム格子間原子の濃度と同程度である。好ましくは、前記添加物のドープ濃度は、５×１０^１６ｃｍ^−３〜５×１０^１８ｃｍ^−３である。 （もっと読む）

【課題】基板に化合物半導体を結晶成長する際の基板の反りを抑制する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板の一方の面にアモルファス半導体層を形成する工程と、基板の他方の面に化合物半導体層を形成する際の加熱処理により、アモルファス半導体層を結晶化させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド基板上に、クラックが抑制され、かつ膜厚が厚い単結晶窒化物層を有する半導体積層構造を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンド基板上に直接成長した窒化物層が多結晶となる上記課題を解決するため、本発明に係る半導体積層構造は、ダイヤモンド基板と、ダイヤモンド基板上の、Ｓｉを含む第１の層と、第１の層上の、単結晶窒化物で構成される第２の層とを備える。Ｓｉを含む第１の層をダイヤモンド基板と第２の層との間に設けることにより、第２の層の膜厚を大きくしても、第２の層を構成する窒化物を、クラックの抑制された単結晶とすることができる。したがって、当該半導体積層構造を利用することで、高いドレイン電流および出力電力密度を有する電界効果トランジスターを実現することが可能である。 （もっと読む）

【課題】ピンチオフ特性の改善が可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、ＳｉＣ基板１０上に設けられた第１のＧａＮ層１８と、第１のＧａＮ層１８上に設けられた第２のＧａＮ層２０（電子走行層）と、第２のＧａＮ層２０上に設けられ、ＧａＮよりもバンドギャップが大きいＡｌＧａＮ電子供給層１６と、を有し、第１のＧａＮ層１８のアクセプタ濃度は第２のＧａＮ層２０のアクセプタ濃度よりも高い半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上にバッファ層を介して形成されるＧａＮ層を高品質にすることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、シリコン基板１０上に設けられ、ＧａＮよりもバンドギャップが大きいバッファ層１６と、バッファ層１６上に設けられた第１のＧａＮ層１８と、第１のＧａＮ層１８の上面に接して設けられた第２のＧａＮ層２０と、を有し、第１のＧａＮ層１８に含まれる炭素の濃度は、第２のＧａＮ層２０に含まれる炭素の濃度に比べて高い半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】遷移金属のエネルギー準位を安定にすることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、ＳｉＣ基板１０上に設けられ、遷移金属であるＦｅとＦｅよりも深い準位を有する不純物であるＣとをそれぞれ一定の濃度で含有する第１のＧａＮ層２０と、第１のＧａＮ層２０上に設けられ、Ｆｅの濃度の変化に従いＣの濃度が変化する第２のＧａＮ層２２と、第２のＧａＮ層２２上に設けられ、ＧａＮよりもバンドギャップが大きい電子供給層１８と、を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】ピンチオフ特性を改善することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、ＳｉＣ基板１０上に設けられ、アクセプタ濃度（Ｎａ）がドナー濃度（Ｎｄ）以上の濃度であるＡｌＧａＮバッファ層１８と、ＡｌＧａＮバッファ層１８上に設けられたＧａＮ電子走行層１４と、ＧａＮ電子走行層１４上に設けられ、ＧａＮよりもバンドギャップが大きいＡｌＧａＮ電子供給層１６と、を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板に存在するマイクロパイプを、閉塞させることが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、ＳｉＣ基板１０上に、第１のＧａＮ層１８を成長させる工程と、第１のＧａＮ層１８上に、（横方向成長速度）／（縦方向成長速度）が、第１のＧａＮ層１８の成長に比べて小さい条件を用いることで成長された第２のＧａＮ層２０を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】二次元電子ガスの濃度を高めることが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、ＧａＮからなるチャネル層１４と、チャネル層１４上に設けられ、下側がＩｎ_ｘＡｌ_１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）からなり、上側がＩｎ_ｘＡｌ_１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）からなる電子供給層１６と、電子供給層１６上に設けられ、ＧａＮからなるキャップ層１８と、を具備する半導体装置である。本発明によれば、チャネル層１４と電子供給層１６との界面に発生する二次元電子ガスの濃度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも反りの値を低減させたIII族窒化物エピタキシャル基板を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｓｉ基板と、上記Ｓｉ基板上に形成された超格子積層体と、上記超格子積層体上にエピタキシャル成長されたIII族窒化物積層体とを具え、上記超格子積層体が、上記Ｓｉ基板側からAlN材料を含む第１層、Al_xGa_1-xN(0＜x＜1)材料を含む第２層、およびAl_yGa_１−yN(0≦y＜1)材料を含む第３層（但し、第２層のAl組成xおよび第３層のAl組成ｙは、y＜xの関係を有する）を順に有する積層体を複数組そなえることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】好適なＡｌＮ層を成長することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、Ｎ原料を供給せずにＡｌ原料を供給するステップと、Ａｌ原料を供給するステップの後にＡｌ原料とＮ原料とを供給するステップとを行って、Ｓｉからなる基板１０上にＡｌＮ層１２を成長する工程と、ＡｌＮ層１２を成長する工程の後に、ＡｌＮ層１２上にＧａＮ系半導体層２１を成長する工程と、を有し、ＡｌＮ層１２を成長する工程は、ＡｌＮ層１２の膜厚をｘ、ＡｌＮ層１２の（００２）面ロッキングカーブの半値幅をｙとすると、
７６５００／ｘ^０．８１＜ｙ＜５３８００／ｘ^０．８３
となるＡｌＮ層１２を成長する工程である半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＮ層表面のピット状欠陥の発生を抑制する。
【解決手段】シリコン基板１０の表面を、熱処理温度が７００℃以上１０６０℃以下、熱処理時間が５分以上１５分以下、水素が含まれた雰囲気中においてサーマルクリーニングする工程と、前記サーマルクリーニングの後、前記シリコン基板表面に、Ｎ原料を供給せずにＡｌ原料を供給するステップと、前記Ａｌ原料を供給するステップの後に前記Ａｌ原料と前記Ｎ原料とを供給するステップとを行って、前記シリコン基板上に第１ＡｌＮ層１１を第１のV/III原料比を用い成長する工程と、前記第１ＡｌＮ層上に、前記第１のV/III原料比より大きな第２のV/III原料比を用い第２ＡｌＮ層１２を成長する工程と、前記第２ＡｌＮ層上にＧａＮ系半導体層を成長する工程と、を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】反りの小さな半導体基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１０上に接して形成されたＸ線回折による（００２）面のロッキングカーブ半値幅が１５００秒以下のＡｌＮ層１２と、ＡｌＮ層１２上に形成されたＧａＮ系半導体層１４と、を具備する半導体基板であって、その反りの曲率半径は±２５ｍ以上であり、反り量は、半導体基板の大きさを４インチとした場合、±５０μｍ以下である。ＧａＮ系半導体層１４はＡｌＮ層１２から圧縮応力を受ける。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体層内に形成される電子トラップ濃度を低減する。
【解決手段】Ｓｉ基板１０上に接して形成されたＡｌＮを主成分とする下地層１２と、前記下地層１２上に形成され、前記下地層１２上に形成され、前記下地層１２から圧縮応力を受ける第１バッファ層１４と、前記第１バッファ層１４上に形成された第２バッファ層１６と、前記第２バッファ層１６上に形成されたＡｌの組成比が０．１以下のＧａＮ系半導体層１８と、を具備し、前記第２バッファ層１６における前記第１バッファ層１４側の面の結晶軸長に対し前記第１バッファ層１４と反対の面の結晶軸長が前記ＧａＮ系半導体層１８に近く、前記第２バッファ層１６の伝導帯底エネルギーが前記ＧａＮ系半導体層１８より高い半導体装置。 （もっと読む）