【目的】
基板上に結晶欠陥の少ない、単結晶性及び平坦性に優れた酸化亜鉛系半導体結晶の成長方法を提供する。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れ、量産性に優れた高性能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法において、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気を用い、（ａ）２５０℃〜４５０℃の範囲内の第１の低成長温度及び１ｋＰａ〜３０ｋＰａの範囲内の低成長圧力で結晶成長を行って第１の単結晶層を形成するステップと、（ｂ）上記第１の低成長温度よりも高い第２の低成長温度及び上記低成長圧力よりも高い圧力で結晶成長を行って上記第１の単結晶層上に第２の単結晶層を形成するステップと、（ｃ）高成長温度及び上記低成長圧力よりも高い圧力で結晶成長を行って上記第２の単結晶層上に第３の単結晶層を形成するステップと、を有する。 （もっと読む）

静止する基板上または連続する基板上に薄膜材料を高速蒸着するための方法および装置を提供する。この方法は、あらかじめ選択された前駆体中間生成物を蒸着チャンバへと供給することと、中間生成物から薄膜材料を形成することと、を含む。中間生成物は、蒸着チャンバの外部で形成され、自由ラジカル等の準安定化学種を含む。中間生成物は、低い欠陥濃度を有する薄膜材料の形成に貢献する準安定化学種を含むよう、あらかじめ選択される。低欠陥濃度の材料を形成することにより、蒸着速度と材料品質の関係は分断され、先例のない蒸着速度が達成される。１つの実施形態において、好適な前駆体中間生成物はＳｉＨ３である。この方法は、あらかじめ選択された中間生成物とキャリアガスとを、好ましくは不活性化状態において、混合することを含む。キャリアガスは、薄膜材料を蒸着するために、好適な中間生成物の基板への送給を導く。 （もっと読む）

【課題】本発明は、（ＡｌＧａＩｎ）Ｎの光電子デバイス及び電子デバイスのための基材として好適な、高い品質の（ＡｌＧａＩｎ）Ｎ構造物及びそのような構造物を形成する方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る方法は、半導体構造物を分子線エピタキシー反応槽内で処理すること；基材上にＡｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ（_{１−（ｘ＋ｙ）}）Ａｓ（０≦ｘ＋ｙ≦１）及びＡｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ（_{１−（ｘ＋ｙ）}）Ｐ（０≦ｘ＋ｙ≦１）のうち少なくとも１つを含むぬれ層を成長させること；上記ぬれ層をインシチューアニーリング（ｉｎ−ｓｉｔｕ ａｎｎｅａｌｉｎｇ）すること；付加的なリン又はヒ素の流体と共に、プラズマ励起された窒素を窒素源として用いて、上記ぬれ層上に第１のＡｌＧａＩｎＮ層を成長させること；上記第１のＡｌＧａＩｎＮ層の上に、窒素源としてアンモニアを用いて第２のＡｌＧａＩｎＮ層を成長させること；を含む。 （もっと読む）

３次元トランジスタの製造に用いられる半導体構造の作製方法を提供する。この半導体構造は、シリコン基板およびエピタキシャル層を備え、このエピタキシャル層は終点検出エピタキシャル領域を備え、この終点検出エピタキシャル領域は、炭素、ゲルマニウム、またはそれらの組み合わせからなる群から選択される終点検出不純物を含む。
（もっと読む）

【課題】半導体デバイスに用いることができる平滑で加工変質層が薄いＩＩＩ族窒化物結晶基板およびエピタキシャル層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板の基板、ならびにかかるＩＩＩ族窒化物結晶基板を含む半導体デバイスを提供する。
【解決手段】半導体デバイス４００の基板４１０として用いられ、１層以上のＩＩＩ族窒化物層をエピタキシャル成長させるためのＩＩＩ族窒化物結晶基板４１０であって、表面粗さＲａが０．５ｎｍ以下であり、かつ加工変質層の厚さが５０ｎｍ以下、表面酸化層の厚みが３ｎｍ以下で、記ＩＩＩ族窒化物結晶基板の主面と、ウルツ鉱型構造におけるＣ面、Ａ面、Ｒ面、Ｍ面およびＳ面のいずれかの面とのなす角であるオフ角が、０．０５°以上１５°以下である。 （もっと読む）

【課題】特に光学積層膜を設計どおりに再現性よく得ることができる堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】反応容器内に原料ガスを導入する工程と、高周波電力を印加する工程を複数回繰り返す事により、基板上に複数の堆積膜を積層する堆積膜形成方法であって、（１）反応容器体積とガス圧力とガス流量から計算されるガス滞留時間の５倍以上の時間、一定流量のガスを流しつづけ、反応容器内のガス分布を安定化させる安定化工程２１１と、安定化工程２１１後に高周波電源から電力を印加して放電を開始し、基板上に堆積膜を形成する膜堆積工程２１２と、を有し、（２）膜堆積工程２１２は、電力の立ち上がり工程２０１と、インピーダンス整合工程２０３と、安定放電工程２０５と、電力をオフする立ち下がり工程２０４と、からなり、立ち上がり工程２０１とインピーダンス整合工程２０３と立ち下がり工程２０４の合計時間が、１秒以上、１０秒以下である。 （もっと読む）

【課題】電極層を介さず太陽光を空乏層あるいは真性層に導く構成を採用するとともに、これを安価なガラス基板等で実現する。
【解決手段】透明非晶質基板上に真性の半導体層を形成させ、半導体層表面に仕事関数の異なる材料を接合させる。また、異なる材料は、不純物を拡散させたｐ型とｎ型の導電型の拡散層であり、互いに隣接または隔離して形成されている。 （もっと読む）

【課題】ｐ型第二電流拡散層のｐ型第一電流拡散層との界面近傍における汚染の少ない、順方向電圧が良好な発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、ＧａＡｓ基板上にＡｌＧａＩｎＰからなる４元発光層をエピタキシャル成長させる工程と、成長させた４元発光層上にｐ型第一電流拡散層を有機金属気相成長法によりエピタキシャル成長させる工程と、成長させたｐ型第一電流拡散層上にｐ型第二電流拡散層をハイドライド気相成長法によりエピタキシャル成長させる工程とを有する発光素子の製造方法であって、少なくとも、ｐ型第一電流拡散層を有機金属気相成長法によりエピタキシャル成長させる工程の後、ｐ型第二電流拡散層をハイドライド気相成長法によりエピタキシャル成長させる工程の前に、ＨＶＰＥ炉内に水素を線速１２（ｍ／ｍｉｎ）以上で流しながら基板を熱処理する工程を有する発光素子の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】複数の膜を積層した素子を形成するにあたり、効率よく膜厚の均一性を向上させる。
【解決手段】原料ガスを構成する材料ガスの種類、比率および流量のうち少なくとも一つを変化させながら気相成長させることにより、複数層を積層させる。反応炉において、供給する原料ガス毎に、基板を保持する基板保持部の半径方向の膜厚分布のピーク位置が基板位置と重ならないよう、基板保持部と反応炉の基板保持部に対向する面との間隔を変化させる。また、基板を基板保持部に対して回転させるとともに基板保持部も回転させる。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体デバイスのスイッチング速度等の性能を向上する。
【解決手段】シリコン基板と、シリコン基板の上に形成された絶縁膜であってシリコン基板に達する開口部を有する絶縁膜と、開口部に形成されたＧｅ結晶と、Ｇｅ結晶を核として成長された化合物半導体結晶であって絶縁膜の表面より凸に形成されたシード化合物半導体結晶と、シード化合物半導体結晶の特定面をシード面として、絶縁膜の上にラテラル成長されたラテラル成長化合物半導体層と、を備えた半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】 基板処理デバイスにおいて改善された薄膜単接合或いは多接合型ソーラーセルを形成するための装置及び方法を提供する。
【解決手段】 一実施形態は、ソーラーセルデバイスの一部を形成する一つ以上の層を堆積させるように適合される少なくとも一つの処理チャンバを含むシステムを提供する。一実施形態において、基板上に一つ以上の層を堆積させる前に、処理チャンバの内面上に洗浄処理を行うことによって処理チャンバ内で処理される基板の汚染を低減させる方法が用いられる。洗浄プロセスは、処理チャンバ内で見出される汚染物質を捕捉しようとするシーズニング層或いは不動態層のような層を堆積させることを含んでいてもよい。本発明の他の実施形態は、基板処理シーケンスの中で洗浄処理ステップを望ましい回数で予定し更に／又は位置決めすることを含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】電気エネルギへの変換効率の向上が図られる化合物太陽電池とその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１の表面に、エピタキシャル成長法によってトップセルＴとなる各層が形成される。そのトップセルＴ上にミドルセルＭとなる各層が形成される。そのミドルセルＭ上にボトムセルＢとなる各層が形成される。次に、ボトムセルＢの表面に裏面電極９が形成される。次に、ワックスによりガラス板と裏面電極とが張り合わされる。次に、ガラス基板に支持されたＧａＡｓ基板１をアルカリ溶液に浸漬することによって、ＧａＡｓ基板１が除去される。その後、トップセルＴの表面に表面電極が形成される。最後に、ガラス基板が裏面電極から分離される。 （もっと読む）

大気圧プラズマ化学気相成長を利用して薄膜太陽電池を製造するためのプロセス及びシステムが開示される。略大気圧でプラズマを使用して、Ｐ型層、真性層、及びＮ型層を堆積することにより、太陽電池において使用するための１つ又は複数のＰ−Ｎ接合部を形成する。Ｐ−Ｎ接合部が上に堆積される表面を、略大気圧にてプラズマを使用して準備又は洗浄することができる。代替としては、略大気圧でプラズマを使用して、導電層などの太陽電池の他の層を、Ｐ−Ｎ接合部と接触状態に堆積することができる。 （もっと読む）

【課題】材料溶液を完全に気化し、基板に安定供給することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】気化器４０９は、内部空間を有する容器９００と、容器９００内の空間を加熱し、霧状の材料溶液を気化させる加熱部９０７とを備える。霧化部４０８は、内部空間に向かって材料溶液と霧化支援ガスを噴出し、ヒーター９０８を内蔵するフィン９０７により霧化した材料溶液を加熱する。これにより、溶液材料を効率よく気化することができる。 （もっと読む）

【課題】材料溶液を完全に気化し、基板に安定供給することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】内部に基板を保持する基板保持部を備えた反応容器４２０と、常温で液体の材料溶液を霧状にする霧化部４０８と、霧状の材料溶液を気化させて反応容器に供給する気化部４０９とを有する成膜装置とする。霧化部４０８は、材料溶液と、霧化を支援するための霧化支援ガスとを噴出することにより材料溶液を霧状にする。霧化部４０８には、霧化支援ガスを所定温度に加熱して供給する霧化支援ガス加熱部４０７が接続されている。これにより、加熱した霧化支援ガスにより材料を霧化させることができ、気化を効率よく行うことができる。 （もっと読む）

【課題】非晶質半導体層及び微結晶半導体層に代表される半導体層の欠陥を低減することが可能な半導体層及びその作製方法を提供する。または、ＴＦＴに代表される半導体素子の動作特性が改善されるように、非晶質半導体層及び微結晶半導体層の膜質を制御する。または、非晶質半導体層及び微結晶半導体層の膜質を制御して、ＴＦＴに代表される半導体素子の特性向上を図る。または、薄膜トランジスタのオン電流を向上させ、オフ電流を低減する。
【解決手段】半導体層の形成と、当該半導体層表面のダングリングボンドをＮＨ基で結合することを繰り返し、半導体層と、ＮＨ結合が形成される層とが積層された半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】高い熱伝導率を有するＧａＮ、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）、又はＩｎｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）等の化合物半導体基板及び化合物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板は、一の同位体と、他の同位体とを含む元素を有し、一の同位体又は他の同位体は、天然存在比より高い混入比で元素中に存在する化合物半導体基板。化合物半導体として、例えば窒化ガリウムを製造方法する場合は、一の同位体として質量数６９のＧａと、他の同位体として質量数７１のＧａを準備する金属元素準備工程Ｓ１００と、前記金属元素を融解する融解工程Ｓ１１０と、融解した前記金属元素を遠心分離し、前記一の同位体又は前記他の同位体のいずれかの混入比を天然存在比より高くした精製原料を取得する精製工程Ｓ１２０と、前記精製原料を用いて化合物半導体基板を形成する基板形成工程Ｓ１４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】より急峻且つより安定したＳＲプロファイルを有し、且つ所望のＳＲプロファイルを有するエピタキシャルウェーハを製造することのできる技術を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶の基板Ｓの直上に、基板Ｓよりも不純物濃度が低い第１層を気相成長させる第１成長工程（１ｓｔ Ｇｒｏｗｔｈ工程）と、第１層よりも上に第２層を気相成長させる第２成長工程（２ｎｄ Ｇｒｏｗｔｈ工程）とを有するエピタキシャルウェーハの製造方法において、第１成長工程を常圧ＡＰ以下の第１圧力ＲＰ下で実行し、第２成長工程を第１圧力ＲＰ以上の第２圧力ＡＰ下で実行するとともに、ドーパントガスの反応炉内への流量を制御するＭＦＣ１３、１５、１６の流量を時間に対して比例的に変化させるようにする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板などを加熱雰囲気中で成膜させる際には、昇温させるだけでも半導体基板には相当の反り（湾曲）が発生する。反りが原因で、基板上に成膜させた膜質の均質性が劣化したり、基板にクラックが発生しやすくなるなどの問題が起こる。
【解決手段】基板の主表面の上側と下側との両方から基板を加熱することにより、主表面の上側と下側との温度勾配（温度差）を小さくし、基板の反りを抑制する。 （もっと読む）

【課題】光電変換装置の高効率化と生産性向上の両立を図る。
【解決手段】一導電型の不純物元素が添加された不純物半導体層と、一導電型とは逆の導電型の不純物元素が添加された不純物半導体層との間に、被膜の成膜方向に向かって成長する第１の結晶領域と第２の結晶領域とを含む半導体層を有する。一方の不純物半導体層との界面から第１の結晶領域が成長しており、一方の不純物半導体層との界面から離れた位置から他方の不純物半導体層との界面に向かって第２の結晶領域が成長している。非晶質構造の中に存在している第１の結晶領域と第２の結晶領域とを含む半導体層で、光電変換を行う領域の主要部を構成する。 （もっと読む）