【課題】六方晶系の非極性面（ａ面、ｍ面）または半極性面で結晶成長させたＡｌＧａＮ混晶と、活性層に用いたＡｌＧａＮ結晶のＡｌＮとＧａＮのモル分率を最適化させ、発光効率を向上させ、低しきい値電流密度化を実現し、深紫外線波長のレーザ光を発生する。
【解決手段】ｍ面基板１０と、ｍ面基板上に配置され，ｎ型不純物をドープされたＡｌＧａＮ層（１２，１４）と、ＡｌＧａＮ層上に配置され，Ａｌ_XＧａ_1-XＮ障壁層とＡｌ_YＧａ_1-YＮ井戸層からなる量子井戸構造を有するＡｌ_XＧａ_1-XＮ/Ａｌ_XＧａ_1-XＮ活性層１６と、Ａｌ_XＧａ_1-XＮ/Ａｌ_XＧａ_1-XＮ活性層上に配置され，ｐ型不純物をドープされたＡｌＧａＮ層（１８，２０）とを備え、ｃ軸が結晶成長の主面の法線方向から４０°〜９０°の範囲内で傾いた面を結晶成長の主面とし、光の電界成分Ｅが主にｃ軸と平行（Ｅ//ｃ）なる偏光特性を示す紫外線窒化物半導体発光素子およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】優れた結晶性を有するＩＩＩ族窒化物半導体層を形成できる製造装置を提供する。
【解決手段】基板１１上にＩＩＩ族窒化物半導体層をスパッタ法によって形成するための製造装置であって、チャンバ４１と、チャンバ４１内に配置されたＩＩＩ族元素を含有するターゲット４７と、ターゲット４７をスパッタして原料粒子を基板１１に供給する第１プラズマを発生させる第１プラズマ発生手段５１と、窒素元素を含む第２プラズマを発生させる第２プラズマ発生手段５２と、第１プラズマ発生手段５１と第２プラズマ発生手段５２とを制御して、チャンバ４１内に第１プラズマと第２プラズマとを交互に発生させる制御手段とを備えるＩＩＩ族窒化物半導体層の製造装置とする。 （もっと読む）

【課題】大幅なコスト増大を招くことなく処理室間でのガス混合を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗ上に所定の処理を施すための複数の処理室２４０、基板Ｗを予熱するための予熱室２３０、基板Ｗを冷却するための冷却室２５０、及び前記各室間での基板Ｗの搬送を行うための共通搬送室２２０を備えた基板処理装置において、各処理室２４０はゲートバルブ２４１を介して共通搬送室２２０と連通可能に接続され、予熱室２３０及び冷却室２５０は共通搬送室２２０と常時連通した状態で接続されており、更に、冷却室２５０内へパージガスを導入するためのパージガス導入手段２５１，２８２，２８０と、冷却室２５０内に導入されたパージガスを共通搬送室２２０内を通過させた上で外部に排出する排気手段２３１，２２２，４０１とを設ける。 （もっと読む）

【課題】電気特性が優れた薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置、ならびにそれらを作製する方法を提案する。
【解決手段】ゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成される微結晶半導体膜と、微結晶半導体膜上に形成されるバッファ層と、バッファ層上に形成される一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜と、一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜上に形成される配線とを有し、ゲート絶縁膜の一部または全部、若しくは微結晶半導体膜の一部または全部にドナーとなる不純物元素を含む薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】非極性面または半極性面を成長主面としたIII族窒化物半導体を用いて、偏光比の大きな発光が可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この発光ダイオードは、ｍ面を主面とするＧａＮ単結晶基板１上にIII族窒化物半導体層２を成長させて構成された素子本体を有している。III族窒化物半導体層２は、ＧａＮ単結晶基板１側から順に、ｎ型コンタクト層２１、ｎ型圧縮応力印加層２２、発光層としての多重量子井戸層２３、ＧａＮファイナルバリア層２４、ｐ型電子阻止層２５およびｐ型コンタクト層２６を積層した積層構造を有している。ｎ型圧縮応力印加層２２は、ストレインフリーのＡｌＧａＮ層からなる。多重量子井戸層２３、ＧａＮファイナルバリア層２４、ｐ型電子阻止層２５およびｐ型コンタクト層２６は、ｎ型圧縮応力印加層２２に対してコヒーレントにエピタキシャル成長された層である。 （もっと読む）

【課題】 表示性能の優れたディスプレイパネルを安価に得るため、直接成長多結晶シリコン膜をチャネル層に用いたボトムゲート構造TFTを実現するために、ゲート絶縁膜中の固定電荷を低減し、かつ直接成長法による半導体多結晶膜の成膜温度を低温化する。
【解決手段】 シリコン酸窒化膜をゲート絶縁膜に用いることにより、膜全体の固定電荷密度を低減させるとともに半導体膜成膜時の原料原子の吸着をうながす。さらに、半導体膜成膜初期にゲルマニウムを含むガスを混合して表面吸着を促し成膜を促進する。これらにより半導体多結晶膜の成膜温度を下げる。 （もっと読む）

【課題】電気特性が優れ、信頼性の高い薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置を作製する方法を提案する。
【解決手段】ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にフッ化シラン及びシランを用いて結晶核を形成し、前記結晶核を種として結晶成長させて微結晶半導体膜を形成して、ゲート絶縁膜及び微結晶半導体膜の界面における結晶性を高める。次に、ゲート絶縁膜との界面における結晶性が高められた微結晶半導体膜をチャネル形成領域として用いて薄膜トランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】基板搬送方向に複数の成膜反応室を並設した場合でも、装置を大型化することなく基板の有効成膜領域を拡大し歩留りを向上すること。
【解決手段】薄膜製造装置２０は、真空容器２１と、高周波電極３０と、高周波電極３０に給電する給電機構２３と、高周波電極３０に対向配置され、接地電位又は所定電位に接続される接地電極３４と、高周波電極３０及び接地電極３４にて成膜反応室３５を形成した際に接地電極３４の一部を構成する接地電極枠３３と、接地電極枠３３を支持する金属製支持枠３１とを備え、プラズマを形成して基板Ｓに薄膜を形成する薄膜製造装置２０において、高周波電極３０及び接地電極３４の基板搬送方向の寸法と、接地電極枠３３及び金属製支持枠３１の基板搬送方向の寸法とを合わせ、接地電極枠３３と高周波電極３０とを重ねて、固定具４５により接地電極枠３３を高周波電極３０を貫通して金属製支持枠３１に固定した。 （もっと読む）

【課題】
ビルディングブロック方式では、電源ライン及びグランドラインの配置によって、半導体集積回路装置の微細化が困難であった。
【解決手段】
アナログ信号処理機能を担う電子回路ブロックが集積化された半導体集積回路装置であって、電源ラインは、電子回路ブロックを構成する半導体素子上の領域を含んで配置され、グランドラインは、電子回路ブロック間に位置する分離領域上に形成され、グランドラインは、コンタクト孔において分離領域とコンタクトされる。 （もっと読む）

【課題】水素終端化された高品質な多結晶Ｓｉ膜を含む半導体薄膜を低温、高速成膜することで、良好な特性のＴＦＴを安定して実現し、高品質、高画質の半導体装置および表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁性基板上に形成したＳｉ、Ｇｅ、Ｆ、Ｈを含有する半導体層４を、良好な結晶性が得られる反応熱ＣＶＤ法で形成した多結晶ＳｉＧｅ膜または多結晶Ｓｉ膜を第一層４aとその上層の第二層４bとの複数層の連続成膜で積層構造に構成し、該半導体層４中のＨ濃度を絶縁性基板１側に対して表面側にある第二層４bで高くした。 （もっと読む）

【課題】結晶性がよく且つクラックの低減された高品質の縦型窒化物半導体デバイスをシリコン基板上に安価に製造する方法を提供すること。
【解決手段】Ｓ３０１で、有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）装置において、このＭＯＶＰＥ装置の動作基板温度範囲に分解温度が属する炭素源を用いてシリコン基板２０１を炭化し、炭化珪素層２０２を形成する。Ｓ３０２で、継続してこのＭＯＶＰＥ装置において、炭化珪素層２０２上にＡｌＧａＮバッファ層２０３を形成する。そしてＳ３０３で、継続してこのＭＯＶＰＥ装置において、ＡｌＧａＮバッファ層２０３上に窒化物半導体層２０４を積層する。Ｓ３０４で、電極の形成等を行う。本発明では、シリコン基板上の、結晶性がよく且つクラックの低減された高品質の縦型窒化物半導体デバイスも提供される。 （もっと読む）

【課題】可撓性基板の利用率を向上させることができる薄膜製造装置及び薄膜製造方法を提供すること。
【解決手段】長尺の可撓性基板１１１上の長手方向の複数の領域に対してそれぞれ成膜処理を施して複数の成膜領域を形成することにより、可撓性基板１１１上に複数の薄膜太陽電池を形成する薄膜製造装置１００であって、複数の領域に対してそれぞれ成膜処理を施すことにより、長手方向に同じ長さの成膜領域をそれぞれ形成すると共に、成膜領域の長さＬ１の整数倍の間隔で配置された複数の成膜室１３１〜１３５と、可撓性基板１１１を成膜室１３１〜１３５の配置間隔ごとに順次ステップ送りする駆動手段とを具備する。 （もっと読む）

【課題】電気エネルギへの変換効率の向上が図られる化合物太陽電池とその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１の表面に、エピタキシャル成長法によってトップセルＴとなる各層が形成される。そのトップセルＴ上にボトムセルＢとなる各層が形成される。次に、ボトムセルＢの表面に裏面電極９が形成される。次に、ワックスによりガラス板と裏面電極とが張り合わされる。次に、ガラス基板に支持されたＧａＡｓ基板１をアルカリ溶液に浸漬することによって、ＧａＡｓ基板１が除去される。その後、トップセルＴの表面に表面電極が形成される。最後に、ガラス基板１３が裏面電極から分離される。 （もっと読む）

【課題】水素濃度を減らしながら、半導体素子を容易に得ることができる、製造方法およびその方法で製造された半導体素子を提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板１上にＮ含有ＩｎＧａＡｓ系層３をＭＢＥ法で成長させ、その後、６００℃以上８００℃未満の熱処理を施し、上記の熱処理により、Ｎ含有ＩｎＧａＡｓ系層３の平均水素濃度を２×１０^１７個／ｃｍ^３以下とする。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＰ基板を用いた電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＩｎＰ基板１と、このＩｎＰ基板上に形成されたバッファ層２と、このバッファ層上に形成された電子走行層３と、この電子走行層上に形成されたスペーサ層４と、このスペーサ層上に形成された電子供給層５と、この電子供給層上に形成されたバリア層６と、このバリア層上に形成されたエッチストップ層７と、このエッチストップ層上に形成された高電子濃度コンタクト層８と、この高電子濃度コンタクト層上に形成された高電子濃度キャップ層９からなる多層膜構造を備え、電子走行層がＩｎＧａＡｓで、スペーサ層がＩｎＡｌＡｓで、電子供給層の電子親和力が、電子供給層の下にあるスペーサ層よりも小さいＩｎＡｌＰで、かつ電子供給層の電子密度が、１×１０¹⁹乃至３×１０¹⁹／ｃｍ³の均一ドーピングを行なうことによって形成されている。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体の転位密度の更なる低減と同時に特に自立基板製造時のケミカルリフトオフ所要時間の大幅な短縮が可能な手法を提供する。
【解決手段】サファイア、SiC、Siのいずれかからなる基板上にAlN単結晶層を0.1μm以上10μｍ以下の厚みで形成したAlNテンプレート基板又はAlN単結晶基板の上に金属層を成膜する工程と、該金属層をアンモニア混合ガス雰囲気で加熱窒化処理を行ない、略三角錐ないし三角台形状の複数の微結晶を有する金属窒化物層を形成する工程と、該金属窒化層上にIII族窒化物半導体層を成膜する工程を有することを特徴とするIII族窒化物半導体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】バッチ式リアクタ内の基板上にＴｉＮ及びシリコンをインサイチュに蒸着するための実行可能な方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハのバッチをプロセスチャンバに挿入するステップ１と、前記プロセスチャンバ内の前記ウェハ上に、チタン窒化物（ＴｉＮ）を蒸着するステップ２と、複数の前記蒸着するステップの間に、前記プロセスチャンバから前記ウェハを取り出すことなしに、前記プロセスチャンバ内の前記ウェハ上に、シリコンを蒸着する。好ましい実施形態では、ＴｉＮを蒸着する前記ステップ２およびシリコンを蒸着する前記ステップ３が両方とも、約４００〜５５０℃以内であり、且つ、両方の温度差が１００℃以内にある温度で行われる。 （もっと読む）

【課題】送電経路での送電ロスを低減し、熱的負荷を減少させることが可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置１は、第１電源部、第２電源部、第１整合器１３ａ、第２整合器１３ｂ、放電電極３、保持電極を具備する。第１電源部は、第１高周波電力を供給する。第２電源部は、第１高周波電力と同じ周波数の第２高周波電力を供給する。第２電源部は、第１高周波電力の周波数の位相に対して、第２高周波電力の周波数に位相差を持たせて、第１高周波電力の周波数の位相に対して時間的に変化させる位相差の変調をさせ変調の振幅は高周波電力の波長λの１／４以上である。第１整合器１３ａは、第１高周波電力を第１出力側へ出力し、第２整合器１３ｂは、第２高周波電力を第２出力側へ出力する。保持電極は、放電電極３と対面配置され、被処理基板８を保持する。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の発生を低減すると共に反りの発生を防止することにより、品質と生産性に優れた窒化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮからなる基板１上に第一の窒化物半導体層１０を成長させ、その第一の窒化物半導体層１０に多数の微細なボイド２ａを有する多孔質層２を形成した後、その上に第二の窒化物半導体層を成長させ、上記基板１或いは上記基板１及びボイドを有する多孔質層２を剥離する窒化物半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 ＺｎＯ系化合物半導体層のｎ型層とｎ側電極とのオーミックコンタクトを改良し、動作電圧を下げる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 基板１上に設けられ、少なくともｎ型層４を有するＺｎＯ系化合物半導体の積層により発光層を形成する発光層形成部１１を有するＺｎＯ系化合物半導体素子であって、ＺｎＯ系化合物半導体のｎ型層４に接触して設けられるｎ側電極９は、ｎ型層４に接する部分がＡｌを含まないＴｉまたはＣｒにより形成されている。 （もっと読む）