【課題】
第１のプラズマ処理工程とその工程より放電開始電圧が高い第２のプラズマ処理工程を同一プラズマ反応室内において行う場合に、第２のプラズマ処理工程において均一なプラズマを電極間に発生および維持させるためには、電極間に高電圧を印加する必要があり、プラズマへの投入電力量が大きくなる。
【解決手段】
放電開始電圧が高い条件の第２のプラズマ処理工程においてパルス変調された交流電力を用いることにより、均一なプラズマを電極間に発生および維持させ、かつ、電極間に投入される電力量を低減することが可能となる。これにより、プラズマ処理速度を低下させ、その処理量の制御が容易となる。
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【課題】窒化物半導体膜を、窒化物半導体膜のエピタキシャル成長用の基板とは異なる、所望の材質の基板に形成する半導体ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】第一の基板１に第一の窒化物半導体膜２を形成し、第一の窒化物半導体膜２の上に第一の窒化物半導体膜２よりも融点の高い第二の窒化物半導体膜３を形成する。次に、第二の窒化物半導体膜３の表面にキャリアー基板４を貼り合わせ、張り合わせられた第一の基板１、第一の窒化物半導体膜２、第二の窒化物半導体膜３及びキャリアー基板４を含むウェハを、第一の窒化物半導体膜２の融点より高く、かつ第二の窒化物半導体膜３の融点より低い温度で加熱処理して第一の窒化物半導体膜２を融解し、第一の基板１を除去する。更に、キャリアー基板４上に張り合わされた第二の窒化物半導体膜３の表面に第二の基板６を張り合わせ、キャリアー基板４を除去する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓ半導体領域とＩｎＧａＡｓ半導体領域との界面をより急峻することを可能な、半導体レーザを作製する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１のIII−Ｖ化合物半導体３５上にＧａＡｓ領域３７を摂氏５３０度以上６００度以下の範囲の基板温度で成長する。この後に、ＧａＡｓ領域３７ａを成長した後に、成膜原料を供給することなく摂氏４５０度以上４９０度以下の範囲の温度に変更する。該温度を変更した後に、ＧａＡｓ薄膜３７ｂを成長する。分子線エピタキシ法を用いて、インジウムを含む第２のIII−Ｖ化合物半導体からなる井戸層３９をＧａＡｓ薄膜３７ｂ上に成長する。ＧａＡｓ薄膜３７ｂの厚さはＧａＡｓ領域３７ａの厚さよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】発光層の結晶性を良好に維持しつつ、ｐ型層の結晶性を良好にし、発光出力を低下させることなく、順方向電圧（駆動電圧）が低く、且つ、順方向電圧の時間的な変化量が少ない信頼性の良好なＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造に有用なＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上にＩＩＩ族窒化物半導体からなる、ｎ型下地層、活性層、ｐ型クラッド層およびｐ型コンタクト層をこの順序で有するＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法において、ｐ型コンタクト層成長時の基板温度を２つ以上の温度域で成膜し、後の温度域が最初の温度域より高いことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板を用いてｐ電極とｎ電極を対向させた窒化物半導体発光素子を構成するとともに、半導体層の界面に発生する自発分極やピエゾ分極によるキャリア空乏化を低減させて、駆動電圧を安定させることができる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体結晶７は、ＳｉＣ基板１のＭ面（１０−１０）上に、ＭＯＣＶＤ法等によって形成され、その成長表面がＭ面で成長する。Ｍ面は、Ｇａ極性面やＮ（窒素）極性面ではなく、無極性面となるので、自発分極やピエゾ分極により発生する電界の影響を非常に小さくすることができる。また、導電性のＳｉＣ基板１を用いているために、ｐ電極とｎ電極を対向させた窒化物半導体発光素子を形成できる。 （もっと読む）

【課題】シート抵抗の経時変化がないＡｌＧａＮ層とＧａＮ層のヘテロ接合構造を有する半導体装置。
【解決手段】図１のように、ＡｌＧａＮ層１とＧａＮ層２のヘテロ接合構造を有する半導体装置において、ＡｌＧａＮのＡｌ組成比をｘ％、ＡｌＧａＮ層の膜厚をｙｎｍとしたとき、ｘとｙが、ｘ＋ｙ＜５５、２５≦ｘ≦４０、ｙ≧１０、を満たす値であると、ｙは臨界膜厚より小さな値であるため、ＡｌＧａＮ層にクラックが発生しない。したがって、高いＡｌ組成比でありながら、シート抵抗の経時変化がほとんどない半導体装置となる。 （もっと読む）

【課題】 アレイ内における素子の大きさが均一で、しかもその形状が整っており、素子間で、受信光波長選択性を有し、しかも高濃度のＮを含む半導体結晶を得ることにより、感度が良好な受光素子アレイ、その製造方法、および光計測システムを提供する。
【解決手段】 第１導電型または半絶縁性の半導体基板１上に、一次元または二次元に配列された複数の開口部を有するマスク層２を形成する工程と、前記開口部に受光層３ｂを含む複数の半導体層３ａ、３ｂ、３ｃを選択成長させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物の表面欠陥の数を低減可能な、III族窒化物半導体を成長する方法を提供する。
【解決手段】成長工程Ｓ１では、アンモニアおよびIII族有機金属物質を含むガスＧ１を気相成長装置１１の成長炉１５に供給して、ＧａＮ等のIII族窒化物半導体を成長する。工程Ｓ２では、時刻ｔ１においてIII族有機金属物質を気相成長装置１１へ供給することを停止して、III族窒化物半導体の成長を終了する。工程Ｓ３では、時刻ｔ２において気相成長装置１１の反応炉１５の温度が、時刻ｔ１における温度Ｔｅｍｐ１よりも低い温度Ｔｅｍｐ２になるように、アンモニアを含むガスを供給しながら時刻ｔ１以降の期間中に気相成長装置１１の温度を変更する。III族窒化物半導体の成長期間Ｔａおよび気相成長装置の温度の変更期間Ｔｂの少なくともいずれかの期間中に、アンモニアの供給量が増加される。 （もっと読む）

【課題】ポリタイプの単一性に優れ、高い結晶品質を得ることができる半導体を容易に作成する。
【解決手段】 平滑面１０ａを研磨してスクラッチ傷を形成することにより、平滑面１０ａに多数の線状の凹部１０ｂ，１０ｂ，１０ｂ・・・を設ける。その後に近接昇華法により、ステップフロー成長を行う。凹部１０ｂ，１０ｂ，１０ｂ・・・の壁面が平滑面１０ａに対して切り立った角度で露出しているため、当該壁面を起点として原子を平滑面１０ａに沿った方向に吸着させることができる。すなわち、確実にステップフロー成長を行わせることができる。 （もっと読む）

【課題】クラスター型真空成膜装置において、膜厚を異にする成膜処理を行う場合の成膜室の個数を低減する。
【解決手段】クラスター型真空成膜装置１は、クラスター型の中央搬送室２と、この中央搬送室の周囲に設けたロード室７および複数の成膜室３〜６を備える。複数の成膜室３〜６は、収納することができる基板トレイの個数を異にする成膜室を含み、中央搬送室２は、複数の成膜室に基板トレイを搬送する搬送機構８を有する。搬送機構８は、各成膜室に対し、成膜室が収納することができる基板トレイの個数に応じた基板トレイを選択的に搬送する。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体を有する半導体発光素子において、動作電圧を低減するとともに発光効率を向上することが可能な技術を提供する。
【解決手段】ｎ型III族窒化物半導体から成るｎ型基板１上には、ｎ型クラッド層２と、ｎ型光ガイド層３と、不純物がドーピングされていない多重量子井戸（ＭＱＷ）活性層４と、ｐ型電子障壁層５と、ｐ型光ガイド層６と、ｐ型クラッド層７と、ｐ型コンタクト層８とがこの順で積層されている。ｐ型電子障壁層５はｐ型Ａｌ_x2Ｇａ_(1-x2)Ｎ（０＜ｘ２＜１）から成り、ｐ型クラッド層７はｐ型Ａｌ_x3Ｇａ_(1-x3)Ｎ（０＜ｘ３＜１）から成り、ｐ型コンタクト層８はｐ型ＧａＮから成る。ｐ型電子障壁層５、ｐ型クラッド層７及びｐ型コンタクト層８はそれぞれｐ型ドーパントとしてベリリウムを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】太陽光を吸収し電子とホールを発生させる活性領域を構成する半導体と、その発生した電子及びホールを収集する領域を構成するｎ型及びｐ型半導体とを有する太陽電池であって、ｎ型半導体及びｐ型半導体が、前記活性領域を構成する半導体とは結晶構造、基本組成が異なるものである裏面電極型半導体ヘテロ接合太陽電池の生産性、変換効率の向上を図る。
【解決手段】電子及びホールを収集するｎ型半導体及びｐ型半導体と、それぞれに接続されている電流取り出し電極のいずれもが、太陽光の照射面とは反対側にある裏面に設置されていると共に、前記ｎ型半導体及びｐ型半導体が触媒化学気相堆積法により形成されている。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧が低く、かつ発光効率の優れた両面電極タイプのＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体積層構造が、高濃度の不純物原子を含むＩＩＩ族窒化物半導体からなる高濃度層３ｂと、高濃度層３ｂよりも低濃度の不純物原子を含むＩＩＩ族窒化物半導体からなる低濃度層３ａとからなる不純物層３０と、ＩＩＩ族窒化物半導体層２とを少なくとも備えたものであり、ＩＩＩ族窒化物半導体層２上には低濃度層３ａと高濃度層３ｂとがこの順で連続して形成されているＩＩＩ族窒化物半導体発光素子とする。 （もっと読む）

【課題】製造に必要な工程数が増加せず、かつＧａＮ層の結晶性が向上した半導体基板を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基材１上に形成された第１のＡｌ_aＧａ_ｂＩｎ_1-a-bＮ_ｖ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、かつ０≦ａ＋ｂ≦１）層２と、第１のＡｌ_aＧａ_ｂＩｎ_1-a-bＮ_ｖ層２上に形成された第２のＡｌ_cＧａ_dＩｎ_1-c-dＮ_ｗ層３と、第２のＡｌ_cＧａ_dＩｎ_1-c-dＮ_ｗ層３上に位置し、第３のＡｌ_eＧａ_fＩｎ_1-e-fＮ_ｘ（０≦ｅ≦１、０≦ｆ≦１、かつ０≦ｅ＋ｆ≦１）層及び第４のＡｌ_gＧａ_hＩｎ_1-g-hＮ_ｙ（０≦ｇ≦１、０≦ｈ≦１、かつ０≦ｇ＋ｈ≦１）層を交互に積層した多層膜４と、多層膜４上に形成された第５のＡｌ_iＧａ_jＩｎ_1-i-jＮ_ｚ（０≦i≦１、０≦ｊ≦１、かつ０≦ｉ＋ｊ≦１）層５とを具備し、多層膜４における第３のＡｌ_eＧａ_fＩｎ_1-e-fＮ_ｘ層と第４のＡｌ_gＧａ_hＩｎ_1-g-hＮ_ｙ層の積層数は１６０層以下である。ただし、ｖ、ｗ、ｘ、ｙ、ｚは正数である。 （もっと読む）

【課題】 本願発明は、高コレクタ電流時、高速動作を維持できるＳｉＧｅＣヘテロ接合バイポーラトランジスタ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＳｉＧｅＣヘテロ接合バイポーラトランジスタの代表例のコレクタは、ｎ型単結晶Ｓｉ層、及びｎ型単結晶ＳｉＧｅ層からなる。又、ベースは高濃度ｐ型単結晶ＳｉＧｅＣ層からなり、更にエミッタはｎ型単結晶Ｓｉ層からなる。ｎ型単結晶ＳｉＧｅ層とｐ型単結晶ＳｉＧｅＣ層のヘテロ界面において、ｐ型単結晶ＳｉＧｅＣ層のバンドギャップは、ｎ型単結晶ＳｉＧｅ層以上である。コレクタ電流の増加によって、実効的な中性ベースが拡大した場合でも、ｎ型単結晶ＳｉＧｅ層とｐ型単結晶ＳｉＧｅＣ層のヘテロ界面における伝導帯に、エネルギー障壁が発生しない。このため、電子の拡散が阻害されないことから、高注入状態においても、高速動作性能を維持できるヘテロ接合バイポーラトランジスタを実現でき、これを用いた回路の高性能化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】良好なオーミックコンタクトを形成しつつ、容易に製造することが可能なＧａＮ系半導体素子の製造方法及びＧａＮ系半導体素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体発光素子１は、ｎ型のＧａＮ基板２上に、ｎ型半導体層３、活性層４、ｐ型半導体層５が順次積層されている。ｐ型半導体層５は、ｐ型電子バリア層２１、ｐ型ガイド層２２、ｐ型超格子クラッド層２３、ｐ型コンタクト層２４が順次積層されている。ｐ型コンタクト層２４は、ｐ側電極６と接続される約１００Åの接続層２５を含む約５００Åの厚みのｐ型ＧａＮ系半導体層からなる。接続層２５以外のｐ型コンタクト層２４は、水素ガスをキャリアガスとして成長させ、接続層２５は、キャリアガスのみを不活性ガスである窒素ガスに切り換えて成長させている。 （もっと読む）

【課題】ヒータ寿命が長く、且つ、到達温度が高い結晶成長装置を実現する。
【解決手段】結晶基板支持部１０は、蓋部１２と、アルミナスリーブ１４と、石英管１６と、を備えている。蓋部１２の上には結晶基板１００が載置され、上方から原料ガスが導入される。アルミナスリーブ１４は、円筒状をなしており、その円筒の一方端には蓋部１２が配置される。さらにこの一方端の内部には第１の平面ヒータ１８ａと、第２の平面ヒータ１８ｂとが重畳して取り付けられている。第１の平面ヒータ１８ａと第２の平面ヒータ１８ｂとは電気的に直列に接続されており、同じ電力の場合、電流値を小さく電圧値を大きくすることができる。電流値が小さくなるので、電源コード等を細くすることができ、さらに水銀接点等の発熱を抑制できる。さらに、平面ヒータ１８を２枚で構成したので、発生する熱量をより多くすることができ、高温をより容易に実現可能である。 （もっと読む）

【課題】本発明は窒化物半導体単結晶基板、その製造方法及びこれを用いた垂直構造窒化物発光素子の製造方法に関する。
【解決手段】本発明の第１側面は、１００μｍ以上の厚みを有し、厚さ方向に上部領域２２ｂ及び下部領域２２ａに区分され、上部領域２２ｂのドーピング濃度は、下部領域２２ａのドーピング濃度の５倍以上であることを特徴とする窒化物単結晶基板２２を提供する。好ましくは、上部領域２２ｂに該当する基板２２の上面はＧａ極性を有する。また、具体的な実施形態において、下部領域２２ａは意図的にドープされていない領域で、上部領域２２ｂはｎ型不純物でドープされていてもよい。この場合、上部及び下部領域２２ｂ、２２ａは、各々厚さ方向にほぼ同じドーピング濃度を有することが好ましい。また、本発明は窒化物単結晶基板２２の製造方法とこれを用いた垂直構造窒化物発光素子の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】低転位密度のＩＩＩ族窒化物結晶を得ることができるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法およびその方法により得られるＩＩＩ族窒化物結晶基板を提供する。
【解決手段】石英反応管の内部における、ハロゲン化ガリウムガス、ハロゲン化インジウムガスおよびハロゲン化アルミニウムガスからなる群から選択された少なくとも１種のガスとアンモニアガスとを含む原料ガスの反応によって、下地基板の表面上にＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法であって、ＩＩＩ族窒化物結晶の成長中に下地基板の温度を変化させるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法とその方法により得られるＩＩＩ族窒化物結晶基板である。 （もっと読む）

【課題】燐以外のＶ族元素を構成元素として含むIII−Ｖ化合物半導体を基板の表面上に堆積するときに基板の裏面の荒れを低減可能なサセプタを提供する。
【解決手段】リン供給体１３はＩｎＰ表面１３ａを有する。サセプタ本体１５のベース部１５ａはリン供給体１３を支持する。サセプタ本体１５の支持部１５ｂは、リン供給体１３の表面１３ａが基板と間隔をあけて対面するように基板を支持する。支持部１５ｂは、基板を支持する支持面１５ｃを有する。また、支持部１５ｂは、リン供給体１３を受け入れる凹部１５ｄを規定するようにベース部１５ａの回りに位置する。凹部１５ｄには、ベース部１５ａが現れ、ベース部１５ａの支持面１５ｅがリン供給体１３を直接に支持する。支持面１５ｃに支持される基板の裏面と凹部１５ｄに収容されたリン供給体１３の上面との間隔は、１０マイクロメートル以上５００マイクロメートル以下である。 （もっと読む）